JP2003235138A - シールド電極を埋め込んだ絶縁物、及びこの絶縁物を用いた高電圧機器 - Google Patents
シールド電極を埋め込んだ絶縁物、及びこの絶縁物を用いた高電圧機器Info
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- Gas-Insulated Switchgears (AREA)
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Abstract
注型樹脂とシールド電極との接着性を向上させ、信頼性
の高い絶縁物を提供する。また、長期信頼性のある高電
圧機器を提供する。 【解決手段】 樹脂により注型され、高電圧導体1の周
囲を取り囲むシールド電極5、6を埋め込んだ絶縁物4
において、シールド電極5、6に、一個以上の、溝、ス
リット、または孔を設けた構成とする。また、そのサイ
ズは、溝の場合、溝の深さと溝の幅との比が0.4以
上、スリットの場合、スリット幅が12mm以下とす
る。
Description
された管路気中に配置される送電線路やガス開閉装置な
どの管路内に配置される導体を管路内に支持する絶縁ス
ペーサ、あるいは上記送電線路や導体を受電側または配
電側に接続する部分において用いられるブッシングなど
の絶縁物に関するものであり、特に上記絶縁物に埋め込
まれる電界緩和用シールド電極の構成に関するものであ
る。さらに、上記絶縁物を用いた高電圧機器に関するも
のである。
通電や遮断や断路機能を果たすために外部との短絡を防
ぐ役割として絶縁ガスが充填されており、管路毎にガス
区分がなされている。絶縁物は管路気中に配置される送
電線路や導体を絶縁支持すると同じに、各区分毎の接続
部品としても用いられている。そのため短絡時の異常温
度上昇に伴うガス圧力の上昇や、常時においてもガス区
分用隔壁としてガス圧力に耐える必要があり、また季節
や使用環境の違いによる温度差の変化(ヒートサイク
ル)に対しても長期にわたって耐える必要がある。さら
にSF6などの地球温暖化ガスを用いる場合は特に密封
性の確保が必須である。従来の絶縁物は熱硬化性樹脂等
からなる注型樹脂にアルミニウムなどの金属からなるシ
ールド電極を埋め込んで作製されていた。
うな構成であるため、上記のような使用目的、使用環境
に対して、シールド電極と注型樹脂との線膨張率の差に
よりシールド電極と注型樹脂との間に剥離が生じ、その
部分で部分放電が生じて電気的特性が低下するという問
題があった。また、絶縁物製造時において、硬化反応時
の収縮からなるストレスによりシールド電極と注型樹脂
の界面に応力が発生し、クラックや剥離などの致命的故
障が起こっていた。このような問題を解消するものとし
て、例えば特公昭63−33368号公報には、多孔性
金属燒結体からなるシールド電極に注型樹脂を十分に含
浸させ、注型樹脂とシールド電極とを一体に硬化形成す
るものが示されている。また特開昭57−206214
号公報には、導電性プラスチック製シールド電極を分割
成形し、分割成形品を接合組み立てして一体成形するも
のが示されている。しかしながら、上記のような使用目
的、使用環境に対して、シールド電極と注型樹脂との界
面における剥離の問題は十分に解消できなかった。
ためになされたもので、注型樹脂とシールド電極との接
着性を向上させ、注型樹脂とシールド電極とが剥離する
ことを低減して信頼性の高い絶縁物を提供することを目
的とする。また、長期信頼性のある高電圧機器を提供す
ることを目的とする。
埋め込んだ絶縁物は、シールド電極が電極表面に一個以
上の溝を有するものである。
絶縁物は、上記溝の深さと溝の幅との比(溝の深さ/溝
の幅)が0.4以上であるものである。
絶縁物は、上記シールド電極が一個以上のスリットを有
するものである。
絶縁物は、上記スリットのスリット幅が12mm以下で
あるものである。
絶縁物は、シールド電極が一個以上の貫通孔を有するも
のである。
絶縁物は、シールド電極が複数個の貫通孔、または複数
個の閉塞孔を有し、上記複数個の貫通孔、または上記複
数個の閉塞孔により、シールド電極表面の表面粗度が2
0μm以上となるようにしたものである。
絶縁物は、上記各シールド電極が、軸方向の全てにわた
って切断されている切断個所を有するものである。
絶縁物は、シールド電極を105Ωcm以下の体積抵抗
率を有する導電性プラスチックで構成したものである。
絶縁物は、シールド電極を絶縁性プラズチックで構成
し、上記絶縁性プラスチックの表面を105Ωcm以下
の体積抵抗率を有する導電性材料で被覆したものであ
る。
絶縁物は、上記各シールド電極の表面を接着性を有する
プライマ材料で被覆したものである。
絶縁物を高電圧導体の周囲に配設し、上記高電圧導体を
絶縁支持するものである。
施の形態1を図を用いて説明する。図1(a)(b)は
本発明の実施の形態1による絶縁スペーサを示す縦断面
図及び横断面図である。なお、図1(b)は図1(a)
のB−B線に沿った横断面図である。図において、1
a、1b(総称するときは1)は接地容器、2は絶縁ガ
ス、3は中心導体、41は絶縁スペーサ、5は低圧側電
界緩和シールド電極、6は高圧側電界緩和シールド電極
である。接地容器1内に所定の中心導体3を配置し、こ
の中心導体3と接地容器1を絶縁し、かつ接地容器1a
と接地容器1bとを接続すると共に、中心導体3を支持
するために絶縁スペーサ41を用いる。さらに、接地容
器1内には絶縁ガス2としてSF6ガスや窒素、乾燥空
気、あるいはその混合ガスが充填されている。
続する部分においては絶縁物としてブッシング等が用い
られている。図2(a)(b)は本発明の実施の形態1
によるブッシングを示す縦断面図及び横断面図であり、
図2(b)は図2(a)のB−B線に沿った横断面図で
ある。図において、42はブッシングである。
絶縁物4としては、一般に注型樹脂としてエポキシ樹脂
などの熱硬化性樹脂が用いられている。また、絶縁物4
は内部に低圧側電界緩和シールド電極5あるいは高圧側
電界緩和シールド電極6を埋め込んで構成されており、
高圧側電界緩和シールド電極6は高圧の中心導体3と絶
縁ガス2および絶縁スペーサ41とのトリプルジャンク
ション部での電界集中を緩和する目的で、中心導体接続
部の周囲を取り囲んで埋め込まれている。低圧側電界緩
和シールド電極5は接地容器1のフランジ部でのトリプ
ルジャンクション部の電界集中を緩和する目的で、フラ
ンジ近傍にフランジと接地されながら埋め込まれてい
る。これらのシールド電極5、6の形成材料は、銅、
錫、亜鉛、アルミニウム、鉄、マグネシウム、一般に用
いられている合金など金属であれば何を用いてもよく、
特に限定されない。本実施の形態1における電界緩和シ
ールド電極5、6は、少なくとも一個以上の溝が施され
ているものである。
各々本実施の形態1によるブッシングにおけるシールド
電極を示す斜視図と断面図であり、溝加工した例を示
す。例えば図3のようにシールドの内面に溝を持たせた
り、あるいは外面に溝を持たせたり、さらには図4のよ
うに内面と外面に溝を持たせることもできる。
脂の注型時に巻き込むボイドを溝の部分でトラップし、
ボイドをシールド電極が取り囲むように機能する。これ
により中心導体とシールド電極間で部分放電が発生し難
くなり電気的な信頼性が向上する。また、溝加工するこ
とによりシールド電極と注型樹脂との接触面積が増加し
接着性が向上するため、注型樹脂とシールド電極との剥
離が低減され、信頼性の高い絶縁物が低コストで得られ
るという利点がある。
ついて説明する。図6は本実施の形態1によるブッシン
グの構成、及び形状を模式的に示す説明図である。シー
ルド電極5として、アルミニウム製で電極部の厚さが5
mmのものを用意し、このシールド電極5の表面に、溝
の深さと溝の幅の比(アスペクト比:溝の深さ/溝の
幅)を0(溝無し)から2まで変えて複数個試作し、こ
れらをブッシングに注型したサンプルに関して部分放電
試験を実施した。評価試験としては30kV電圧を印加
して部分放電発生を調べた。試験結果を図7に示す。図
7の結果から、アスペクト比が0.4より小さいと部分
放電が発生しており、アスペクト比が0.4以上、好ま
しくは0.5以上が適していることを見出した。また溝
加工処理のないシールド電極(アスペクト比:0)は部
分放電が発生した。
向は図6中のAからBにかけて平行に溝加工したシール
ド電極を示したが、溝方向はいずれの方向でもよく、A
−Bに対して垂直であっても、両者が混ったものでもよ
い。また溝は特に直線的でなくともよく、螺旋形であっ
ても溝同士が互いに交差していても良い。
に溝を施し、シールド電極が円周方向に連続的につなが
っているものを示したが、図8に示すように、軸方向の
全てにわたって切断されている切断個所を有するもので
あってもよく、また複数個所が軸方向の全てにわたって
切断された分割シールド電極としてもよい。これらのシ
ールド電極は一部が絶縁物(注型樹脂)のフランジなど
を通して外周部に配置され、外部より接地可能な設置電
極を有した形で用いられる。このようにすれば、絶縁物
を製造する際に生じる注型樹脂の硬化収縮にシールド電
極が追随できるため、注型樹脂とシールド電極とが剥離
し難く、信頼性の高い絶縁物が提供できる。
ルド電極に溝加工を施すものを示したが、少なくとも一
個以上のスリットを有する構成としてもよい。図9
(a)〜(e)は本実施の形態2によるブッシングにお
けるシールド電極を示す斜視図であり、(a)に示すよ
うに、同一方向にスリットを持たせたり、(b)に示す
ように交互にスリットを持たせたり、中抜き(c)
(d)(e)、あるいはランダムにスリットを持たせる
こともできる。またスリット構造は特に直線的でなくと
もよく、螺旋形であっても途中のスリットの幅や長さな
どのサイズが変化していても良い。
うに、樹脂の注型時に巻き込むボイドをスリットで逃が
すことができ、これにより中心導体とシールド電極間で
部分放電が発生し難くなり電気的な信頼性が向上する。
また、スリット加工することによりシールド電極と注型
樹脂との接触面積が増加し接着性が向上するため、注型
樹脂とシールド電極との剥離が低減され、信頼性の高い
絶縁物が低コストで得られるという利点がある。
サイズについて説明する。シールド電極として、アルミ
ニウム製で電極部の厚さが5mm、形状が図6に示すも
のを用意し、このシールド電極にスリット幅を0〜20
mmまで変えて複数個試作し、これらを図2示すような
ブッシングに注型したサンプルに関して部分放電試験を
実施した。試験結果を図11に示す。図11の結果か
ら、スリット幅が10mmより大きいとブッシング取り
付けフランジ端部から部分放電が開始しており、スリッ
ト幅は12mm以下、好ましくは10mm以下が適して
いることを見出した。ブッシング取り付けフランジ端部
での部分放電を発生させないためには、フランジ端部と
対向するフランジ表面の電位を200V以下にしなけれ
ばならない。これは、図2に示すブッシングフランジ部
を大気中で使用する場合、上記フランジ表面の電位を、
最低火花開始電圧である235V以下にしておけば、こ
の部分での部分放電の発生は生じない。図11に併記し
たカーブは図2に示す形状において計算されたブッシン
グ表面電位とシールドのスリット幅の関係であり、スリ
ット幅が12mmより大きいとスリットからの電位の漏
れが大きくなり、それによって表面電位が増大し、表面
電位が200Vを越えるとフランジ端部で部分放電が発
生することが分かる。またスリット加工を施していない
シールド電極(スリット幅:0)は部分放電が発生し
た。
施したシールド電極と本実施の形態2に示すスリット加
工を施したシールド電極との併用は何ら支障なく、また
ひとつのシールド電極の中に溝とスリットを持たせたシ
ールド電極を用いても問題ない。これらのシールド電極
は一部が絶縁物(注型樹脂)のフランジなどを通して外
周部に配置され、外部より接地可能な設置電極を有した
形で用いられる。
にスリットを施し、シールド電極が円周方向に連続的に
つながっているものを示したが、実施の形態1と同様、
図8に示すような切断個所を有するものであってもよ
く、また複数個所が軸方向の全てにわたって切断された
分割シールド電極としてもよい。これらのシールド電極
は一部が絶縁物(注型樹脂)のフランジなどを通して外
周部に配置され、外部より接地可能な設置電極を有した
形で用いられる。
部、特にシールド電極の内面の端部は電界が高くなるの
で、端部のR加工をすることは当然であり、Rは0.5
mm以上が好ましい。
極に少なくとも一個以上の孔(貫通または閉塞)を有す
るものである。シールド電極に孔(貫通または閉塞)を
持たせる場合の一例としては、たとえばシールド全面に
孔を持たせたり、あるいは部分的に、あるいはランダム
に持たせることもできる。また各孔のサイズが変化して
いても良い。
の注型時に巻き込むボイドを孔(閉塞)でトラップ、あ
るいは孔(貫通)で逃がすことができ、これにより中心
導体とシールド電極間で部分放電が発生し難くなり電気
的な信頼性が向上する。また、孔を設けることによりシ
ールド電極と注型樹脂との接触面積が増加し接着性が向
上するため、注型樹脂とシールド電極との剥離が低減さ
れ、信頼性の高い絶縁物が低コストで得られるという利
点がある。
明する。孔(閉塞)の作製に関しては、例えば、硬質粉
の打ち付け、たとえばアルミナや鉄粉をショットするこ
とによるブラストなどの機械的加工、エッチング、クロ
ム酸などを用いる化学的処理などで形成させることがで
きる。このような方法によりシールド電極表面に孔(閉
塞)を作製した。この際、処理方法を制御することによ
り、孔(閉塞)によりできるシールド電極表面の表面粗
さを10〜100μmまで変えて複数個試作し、各シー
ルド電極と注型樹脂との接着強度を測定した。測定結果
を図12に示す。図12の結果から、孔(閉塞)により
シールド電極表面にできる表面粗さは20μm以上好ま
しくは30μm以上であれば接着強度が大幅に向上する
ことを見出した。また、接着強度が高いほど剥離しにく
く、その結果、部分放電も抑制できることが判明した。
限らない。また、孔は閉塞孔に限らず、貫通孔であって
もよく、同様の結果が得られた。
塞)の場合は実施の形態1と同様に、孔(閉塞)の深さ
と孔(閉塞)の径との比が0.4以上が適しており、孔
(貫通)の場合は実施の形態2と同様に、孔(貫通)の
径が12mm以下が望ましい。
は閉塞)を設けたシールド電極と、上記実施の形態1に
示す溝加工を施したシールド電極や上記実施の形態2に
示すスリット加工を施したシールド電極との併用は何ら
支障なく、またひとつのシールド電極の中に溝、スリッ
ト、及び孔(貫通または閉塞)を持たせたシールド電極
を用いても問題ない。
つながっているものに限らず、実施の形態1、2と同
様、図8に示すような切断個所を有するものであっても
よく、また複数個所が軸方向の全てにわたって切断され
た分割シールド電極としてもよい。これらのシールド電
極は一部が絶縁物(注型樹脂)のフランジなどを通して
外周部に配置され、外部より接地可能な設置電極を有し
た形で用いられる。
ルド電極の材質として、銅、錫、亜鉛、アルミニウム、
鉄、マグネシウム、一般に用いられている合金など金属
を用いたが、プラスチックあるいはゴムを用いることも
できる。
いて作製する場合において、その導電性に関しては、図
2に示すブッシングに注型したサンプルに関して、雷イ
ンパルス試験を実施した結果、図13に示すように体積
抵抗率105Ωcm以下、好ましくは104Ωcm以下で
あればブッシング沿面でのフラシオーバ(F/O)電圧
が低下しないことが分かった。これは、図2に示すブッ
シングにおいて、雷インパルス電圧を印加した場合に、
フランジ端部の部分放電がトリガとなってF/O電圧が
低下することが分かった。従って、フランジ端部と対向
するフランジ表面の電位を200V以下にしなければな
らない。これは、図2に示すブッシングフランジ部を大
気中で使用する場合、最低火花開始電圧である235V
以下にしておけば、この部分での部分放電の発生は生じ
ないからである。図13に併記したカーブは、図2に示
す形状において計算されたブッシング表面電位と樹脂シ
ールド電極の体積抵抗率の関係であり、表面電位が20
0Vを越えると雷インパルス電圧でF/Oすることが分
かる。
はカーボン、金属粉、金属酸化物など導電性発現材料で
あればよく、その表面の処理方法に特に限定はない。ま
た、導電性発現材料の形状に関しても破砕、球状、針状
など特に限定されるものではない。また、導電性プラス
チックは、上記のように体積抵抗率が105Ωcm以下
であれば良く、導電性発現材料のほかに通常の無機充填
剤などが混合されて用いられても何ら問題ない。さら
に、上記導電性プラスチックのマトリクス樹脂として用
いられる樹脂がポリエチレン、ポリスチレン、ポリエー
テルスルフォン、ポリエチレンテレフラレート、ポリブ
チレンテレフタレート、ナイロンなどの熱可塑性樹脂で
あっても、フェノール樹脂、ウレタン樹脂、エポキシ樹
脂、メラミン樹脂、BMC(Balk Molding
Compound)といった不飽和ポリエステル樹脂
などの熱硬化性樹脂であっても特にその材質には限定は
ない。これらの樹脂において上記体積抵抗率以外の特性
としては、熱膨張率が絶縁物(注型樹脂)に近いほど界
面での発生応力が小さくできるため好ましい。また耐熱
性に関してはガラス転移温度が80℃以上、好ましくは
100℃以上あればよい。
を用いて作製する場合は、その表面に抵抗率105Ωc
m以下、好ましくは104Ωcm以下の材料で被覆して
用いられる。この被覆材料に関しては特に限定はなく体
積低効率が105Ωcm以下であれば前述の導電性プラ
スチックや、シリコーン系、ブタジエン系、ウレタン系
などの導電性ゴムや導電性塗料を用いてもよく、またこ
れらに限るものではなく体積低効率が105Ωcm以下
の材料であれば用いることができる。
ックとしては、熱硬化性樹脂であっても熱硬化性樹脂で
あっても良くその材質には特に限定はない。これらの樹
脂において必要とされる特性としては、熱膨張率が絶縁
物(注型樹脂)に近いほど界面での発生応力が小さくで
きるため好ましい。また耐熱性に関してはガラス転移温
度が80℃以上、好ましくは100℃以上あればよい。
たシールド電極を使用する際に、絶縁物(注型樹脂)と
シールド電極との界面での接着性を向上させる目的で、
シールド電極の表面に接着性を有するプライマ材料で被
覆したり、カップリング剤で被覆するとよい。
ポキシ樹脂などが挙げられ、そのエポキシ樹脂としては
エピコート828(ジャパンエポキシ社製)などの液状
ビスフェノールA型エポキシ樹脂、エピコート807
(ジャパンエポキシ社製)などの液状ビスフェノールF
型エポキシ樹脂、エピコート1001(ジャパンエポキ
シ社製)などの固形ビスフェノールA型エポキシ樹脂、
EOCN−102S(日本化薬社製)などのオルトーク
レゾールノボラック型エポキシ樹脂、エピコート152
(ジャパンエポキシ社製)などのフェノールノボラック
型エポキシ樹脂、CY179(バンティコ社製)などの
脂環式エポキシ樹脂、ELM100(住友化学工業製)
などのグリシジルーアミノフェノール系エポキシ樹脂、
EPPN501(日本化薬社製)などの特殊多官能エポ
キシ樹脂が挙げられるが、これに限ったものではない。
また、これらは単独で用いても2種類以上を併用して用
いても良い。
ヒドロ無水フタル酸、メチルヘキサヒドロ無水フタル
酸、無水ハイミック酸などの脂環式酸無水物、ドデセニ
ル無水コハク酸などの脂肪族酸無水物、無水フタル酸、
無水トリメリット酸などの芳香族酸無水物、ジシアンジ
アミド、アジピン酸ジヒドラジドなどの有機ジヒドラジ
ド、トリス(ジメチルアミノメリツ)フェノール、ジメ
チルベンジルアミン、1、8−ジアザビシクロ(5、
4、0)ウンデカン、およびその誘導体、2−メチルイ
ミダゾール、2−エチルー4−メチルイミダゾール、2
−フェニルイミダゾールなどのイミダゾール類があげら
れるが、これに限ったものではない。また、これらは単
独で用いても2種類以上を併用して用いても良い。ま
た、粘度調整材料としてアセトン、トルエンなどの有機
溶媒を適宜用いることはなんら問題ない。
プロピルトリメトキシシラン、N−β(アミノエチル)
γ―アミノプロピルトリエトキシシラン、N−フェニル
−γ―アミノプロピルトリメトキシシラン、γ―メルカ
プトプロピルトリメトキシシランなどのシランカップリ
ング剤やアルミニウム系カップリング剤、チタネート系
カップリング剤を用いることができる。これらは単独で
用いても2種類以上を併用して用いても良い。また、上
記プライマとの併用も問題なく、さらに粘度調整材料と
してアセトン、トルエンなどの有機溶媒を適宜用いるこ
とはなんら問題ない。
よる高電圧機器を示す構成図であり、上記各実施の形態
に示すシールド電極を埋め込んだブッシングを用いてガ
ス絶縁開閉装置を構成した例である。図14において、
11は母線、12、15は断路器、13はガス区分スペ
ーサ、14はエポキシブッシング、16は真空遮断器で
ある。上記構成のガス絶縁開閉装置において、エポキシ
ブッシング14に対して、上記各実施の形態のブッシン
グを適用すれば、信頼性の高いガス絶縁開閉装置を提供
することが可能となる。
0.5mm、深さ0.75mmの複数の溝(アスペクト
比:1.5)を6mm間隔で図6中のAからBにかけて
互いに平行に加工したもの(実施例1)、A−Bに対し
て垂直に加工したもの(実施例2)、実施例1と実施例
2の両者を加工したもの(実施例3)を用いて試験をし
た。比較として溝のないアルミニウム電極(比較例1)
に関しても試験を実施した。評価試験としては30kV
電圧を印加して部分放電発生を調べた。さらに−30℃
・3時間と90℃・3時間を交互に10サイクル実施す
るヒートサイクル(H/C)試験を実施し、その後の耐
クラック性評価と30kV印加の部分放電試験も実施し
た。なお各実施例、比較例のサンプル数は5個とした。
結果を表1に示す。その結果、実施例1〜3のいずれの
シールド電極においても良好な部分放電特性を示し、さ
らにH/C試験後もクラック発生は無く、また部分放電
特性も良好であった。比較例1はH/C試験前から部分
放電が発生し、さらにH/C試験後にクラックが発生し
たため部分放電試験は実施しなかった。
ット構造を持つアルミニウム電極で、図6の形状寸法の
シールド電極を用い、さらにそのスリット構造として
は、スリット幅5mmのスリットを16mm間隔で6
本、図6中のAからBに向けて、図9(a)に示すよう
に同一方向に設けたもの(実施例4)、図9(b)に示
すように交互方向に設けたもの(実施例5)、および実
施例4のものとさらに図6中のAからBにかけて幅0.
5mm、深さ0.5mmの溝加工を施したもの(実施例
6)に関して試験をした。評価試験としては30kVの
電圧を印加して部分放電試験をした。さらに−30℃・
3時間と90℃・3時間を交互に10サイクル実施する
ヒートサイクル(H/C)試験を実施し、その後の耐ク
ラック性評価と30kV印加の部分放電試験も実施し
た。なお各実施例のサンプル数は5個とした。結果を表
2に示す。その結果、いずれのシールド電極においても
良好な部分放電特性を示し、さらにH/C試験後もクラ
ックの発生が無く、また部分放電特性も良好であった。
やスリットがないアルミニウム電極で、図6の形状寸法
のシールド電極を用い、さらにブラスト処理(表面粗さ
50μm)をしたもの(実施例7)、重クロム酸カリウ
ム処理(表面粗さ40μm)をしたもの(実施例8)、
前述の実施例4のスリットを設けたものに実施例7のブ
ラスト処理をしたもの(実施例9)、および実施例6の
溝とスリットを設けたものに実施例7のブラスト処理を
したもの(実施例10)に関して試験をした。評価試験
としては30kVの電圧を印加して部分放電特性を調べ
た。さらに−30℃・3時間と90℃・3時間を交互に
10サイクル実施するヒートサイクル(H/C)試験を
実施し、その後の耐クラック性評価と30kV印加の部
分放電試験も実施した。なお各実施例のサンプル数は5
個とした。結果を表3に示す。表3には各実施例及び前
記比較例1の接着強度も合わせて記す。その結果、実施
例7〜10のいずれのシールド電極においても良好な部
分放電特性を示し、さらにH/C試験後もクラックの発
生が無く、また部分放電特性も良好であった。比較例1
は接着強度が実施例7〜10に比べ低く、H/C試験前
から部分放電が発生し、さらにH/C試験後にクラック
が発生したため部分放電試験は実施しなかった。
mの導電性プラスチック樹脂(ガラス転移温度102
℃)を用いて実施例1、4、5、9、10と同様の加工
を施したシールド電極(実施例11〜15)を作製し試
験した。また比較例として上記導電性樹脂により溝やス
リットや孔といった加工のない樹脂シールド電極(比較
例2)を試作し試験した。また絶縁性のプラスチック樹
脂(体積低効率1016Ωcm、ガラス転移温度106
℃)を用いて実施例1、4と同様の加工を施したシール
ド電極を作製し、この表面をPOWERSIL402
(WACKER製、体積低効率5Ωcm)でコーティン
グしたシ−ルド電極(実施例16、17)を作製し試験
した。また比較例2のシールド電極表面に実施例7のブ
ラスト処理を施し、さらにPOWERSIL402をコ
ーティングしたシールド電極(実施例18)、絶縁性の
樹脂により溝やスリットや孔といった加工のない樹脂シ
ールド電極表面に実施例7のブラスト処理をした後、P
OWERSIL402をコーティングしたシールド電極
(実施例19)を作製し試験した。評価試験としては3
0kVの電圧を印加して部分放電特性を調べた。さらに
−30℃・3時間と90℃・3時間を交互に10サイク
ル実施するヒートサイクル(H/C)試験を実施し、そ
の後の耐クラック性評価と30kV印加の部分放電試験
も実施した。なお各実施例のサンプル数は5個とした。
結果を表4に示す。その結果、いずれのシールド電極に
おいても良好な部分放電特性を示し、さらにH/C試験
後もクラックの発生が無く、また部分放電特性も良好で
あった。比較例2はH/C試験前から部分放電が発生
し、さらにH/C試験後にクラックが発生した。
ート828とHN2200(日立化成製)と2−エチル
ー4−メチルイミダゾール(2E4MZ)を100:8
0:1で混合した混合物(プライマ1)、エピコート1
001(E−1001)と2E4MZを100:1で混
合した混合物(プライマ2)、エピコート152と2E
4MZを100:1で混合した混合物(プライマ3)、
EPPN501と2E4MZを100:1で混合した混
合物(プライマ4)、プライマ2とプライマ3を1:1
で混合した混合物(プライマ4)、プライマ2とプライ
マ4を1:1で混合した混合物(プライマ5)をそれぞ
れアセトン溶液で調整した。実施例1のシールド電極、
実施例4のシールド電極、実施例7のシールド電極の表
面に上記プライマ1を塗布したシールド電極(実施例2
0、21、22)、実施例7のシールド電極の表面に上
記プライマ2、3、4、5を塗布したシールド電極(実
施例23、24、25、26)を作製し試験した。評価
試験としては30kVの電圧を印加して部分放電特性を
調べた。さらに−30℃・3時間と90℃・3時間を交
互に10サイクル実施するヒートサイクル(H/C)試
験を実施し、その後の耐クラック性評価と30kV印加
の部分放電試験も実施した。なお各実施例のサンプル数
は5個とした。結果を表5に示す。その結果、いずれの
シールド電極においても良好な部分放電特性を示し、さ
らにH/C試験後もクラックの発生が無く、また部分放
電特性も良好であった。
チタネート系カップリング剤KR44(味の素製)、ア
ルミニウム系カップリング剤としてAL−M(味の素
製)、シランカップリング剤としてKBM403および
KBM603(信越シリコーン製)を用い、実施例4の
シールド電極の表面に塗布したシ−ルド電極(実施例2
7、28、29、30)を作製し試験した。評価試験と
しては30kVの電圧を印加して部分放電特性を調べ
た。さらに−30℃・3時間と90℃・3時間を交互に
10サイクル実施するヒートサイクル(H/C)試験を
実施し、その後の耐クラック性評価と30kV印加の部
分放電試験も実施した。なお各実施例のサンプル数は5
個とした。結果を表6に示す。その結果、いずれのシー
ルド電極においても良好な部分放電特性を示し、さらに
H/C試験後もクラックの発生が無く、また部分放電特
性も良好であった。
ド電極が溝やスリットや貫通穴を持つので、注型樹脂と
シールド電極との接着性が向上し、注型樹脂とシールド
電極とが剥離し難く、信頼性の高い絶縁物が提供でき
る。
のにおいて、溝の深さと溝の幅との比(溝の深さ/溝の
幅)が0.4以上であるので、中心導体とシールド電極
間で部分放電が発生し難くなり電気的な信頼性が向上す
る。
するものにおいて、スリット幅が12mm以下であるの
で、中心導体とシールド電極間で部分放電が発生し難く
なり電気的な信頼性が向上する。
数個の貫通孔、または複数個の閉塞孔を有し、上記複数
個の貫通孔、または上記複数個の閉塞孔により、シール
ド電極表面の表面粗度が20μm以上となるようにした
ので、注型樹脂とシールド電極との接着性が向上し、注
型樹脂とシールド電極とが剥離し難く、信頼性の高い絶
縁物が提供できる。また、中心導体とシールド電極間で
部分放電が発生し難くなり電気的な信頼性が向上する。
極が、軸方向の全てにわたって切断されている切断個所
を有するので、絶縁物を製造する際に生じる注型樹脂の
収縮にシールド電極が追随できるため、注型樹脂とシー
ルド電極とが剥離し難く、信頼性の高い絶縁物が提供で
きる。
05Ωcm以下の体積抵抗率を有する導電性プラスチッ
クで構成したので、熱膨張率が注型樹脂に近いものが選
定でき、剥離し難い、信頼性の高い絶縁物が提供でき
る。
縁性プラズチックで構成し、上記絶縁性プラスチックの
表面を105Ωcm以下の体積抵抗率を有する導電性材
料で被覆したので、熱膨張率が注型樹脂に近いものが選
定でき、剥離し難い、信頼性の高い絶縁物が提供でき
る。
極の表面を接着性を有するプライマ材料で被覆したの
で、注型樹脂とシールド電極との接着性が大幅に向上
し、信頼性の高い絶縁物が提供できる。
て、上記構成の絶縁物を高電圧導体の周囲に配設し、上
記高電圧導体を絶縁支持するので、高電圧機器の長期信
頼性を向上できる効果がある。
示す縦断面図及び横断面図である。
す縦断面図及び横断面図である。
けるシールド電極を示す斜視図及び断面図である。
ける他のシールド電極を示す斜視図及び断面図である。
明する説明図である。
成、及び形状を模式的に示す説明図である。
部分放電特性との関連を説明する説明図である。
ける他のシールド電極を示す斜視図である。
けるシールド電極を示す斜視図である。
機能を説明する説明図である。
サイズと部分放電特性との関連を説明する説明図であ
る。
ールド電極表面にできる表面粗さと接着強度との関係を
説明する説明図である。
極の体積抵抗率と耐圧特性との関係を説明する説明図で
ある。
示す構成図である。
体、4 絶縁物、41絶縁スペーサ、42、ブッシン
グ、5 低圧側電界緩和シールド電極、6 高圧側電界
緩和シールド電極、11 母線、12,15 断路器、
13 ガス区分スペーサ、14 エポキシブッシング、
16 真空遮断器。
Claims (11)
- 【請求項1】 高電圧導体の周囲を取り囲むシールド電
極を埋め込み、樹脂により注型された絶縁物において、
上記シールド電極は電極表面に一個以上の溝を有するこ
とを特徴とするシールド電極を埋め込んだ絶縁物。 - 【請求項2】 溝の深さと溝の幅との比(溝の深さ/溝
の幅)が0.4以上であることを特徴とする請求項1記
載のシールド電極を埋め込んだ絶縁物。 - 【請求項3】 高電圧導体の周囲を取り囲むシールド電
極を埋め込み、樹脂により注型された絶縁物において、
上記シールド電極は一個以上のスリットを有することを
特徴とするシールド電極を埋め込んだ絶縁物。 - 【請求項4】 スリット幅が12mm以下であることを
特徴とする請求項3記載のシールド電極を埋め込んだ絶
縁物。 - 【請求項5】 高電圧導体の周囲を取り囲むシールド電
極を埋め込み、樹脂により注型された絶縁物において、
上記シールド電極は一個以上の貫通孔を有することを特
徴とするシールド電極を埋め込んだ絶縁物。 - 【請求項6】 高電圧導体の周囲を取り囲むシールド電
極を埋め込み、樹脂により注型された絶縁物において、
上記シールド電極は複数個の貫通孔、または複数個の閉
塞孔を有し、上記複数個の貫通孔、または上記複数個の
閉塞孔により、シールド電極表面の表面粗度が20μm
以上となるようにしたことを特徴とするシールド電極を
埋め込んだ絶縁物。 - 【請求項7】 シールド電極は、軸方向の全てにわたっ
て切断されている切断個所を有することを特徴とする請
求項1ないし6のいずれかに記載のシールド電極を埋め
込んだ絶縁物。 - 【請求項8】 シールド電極を105Ωcm以下の体積
抵抗率を有する導電性プラスチックで構成したことを特
徴とする請求項1ないし7のいずれかに記載のシールド
電極を埋め込んだ絶縁物。 - 【請求項9】 シールド電極を絶縁性プラズチックで構
成し、上記絶縁性プラスチックの表面を105Ωcm以
下の体積抵抗率を有する導電性材料で被覆したことを特
徴とする請求項1ないし7のいずれかに記載のシールド
電極を埋め込んだ絶縁物。 - 【請求項10】 シールド電極の表面を接着性を有する
プライマ材料で被覆したことを特徴とする請求項1ない
し9のいずれかに記載のシールド電極を埋め込んだ絶縁
物。 - 【請求項11】 請求項1ないし10のいずれかに記載
のシールド電極を埋め込んだ絶縁物を高電圧導体の周囲
に配設し、上記高電圧導体を絶縁支持することを特徴と
する高電圧機器。
Priority Applications (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP2002029584A JP3760870B2 (ja) | 2002-02-06 | 2002-02-06 | シールド電極を埋め込んだ絶縁物、及びこの絶縁物を用いた高電圧機器 |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
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JP2002029584A JP3760870B2 (ja) | 2002-02-06 | 2002-02-06 | シールド電極を埋め込んだ絶縁物、及びこの絶縁物を用いた高電圧機器 |
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Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP2005335540A Division JP4218678B2 (ja) | 2005-11-21 | 2005-11-21 | シールド電極を埋め込んだ絶縁物、及びこの絶縁物を用いた高電圧機器 |
Publications (2)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JP2003235138A true JP2003235138A (ja) | 2003-08-22 |
JP3760870B2 JP3760870B2 (ja) | 2006-03-29 |
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Country | Link |
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Cited By (3)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP2007294160A (ja) * | 2006-04-21 | 2007-11-08 | Toshiba Corp | 絶縁スペーサとその製造方法及びそれを用いたガス絶縁開閉装置 |
WO2013060517A1 (de) * | 2011-10-26 | 2013-05-02 | Siemens Aktiengesellschaft | Isolierkörper mit feldsteuerelemente für eine sammelschienenanordnung |
EP2854246A1 (de) * | 2013-09-30 | 2015-04-01 | Siemens Aktiengesellschaft | Herstellungsverfahren für einen Scheibenisolator zum Verschluss eines fluiddichten Gehäuses, ein mit dem Verfahren hergestellter Scheibenisolator sowie ein gasisolierter Überspannungsableiter mit einem solchen Scheibenisolator |
-
2002
- 2002-02-06 JP JP2002029584A patent/JP3760870B2/ja not_active Expired - Fee Related
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WO2015044159A1 (de) * | 2013-09-30 | 2015-04-02 | Siemens Aktiengesellschaft | Herstellungsverfahren für einen scheibenisolator zum verschluss eines fluiddichten gehäuses, ein mit dem verfahren hergestellter scheibenisolator sowie ein gasisolierter überspannungsableiter mit einem solchen scheibenisolator |
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