JP2013183442A - 固体撮像装置および撮像装置 - Google Patents
固体撮像装置および撮像装置 Download PDFInfo
- Publication number
- JP2013183442A JP2013183442A JP2012048289A JP2012048289A JP2013183442A JP 2013183442 A JP2013183442 A JP 2013183442A JP 2012048289 A JP2012048289 A JP 2012048289A JP 2012048289 A JP2012048289 A JP 2012048289A JP 2013183442 A JP2013183442 A JP 2013183442A
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- pixel
- photoelectric conversion
- signal
- unit
- substrate
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Granted
Links
- 238000003384 imaging method Methods 0.000 title claims abstract description 155
- 239000007787 solid Substances 0.000 title abstract 3
- 238000006243 chemical reaction Methods 0.000 claims abstract description 287
- 239000000758 substrate Substances 0.000 claims abstract description 172
- 230000003321 amplification Effects 0.000 claims abstract description 113
- 238000003199 nucleic acid amplification method Methods 0.000 claims abstract description 113
- 238000009825 accumulation Methods 0.000 claims description 33
- 230000009467 reduction Effects 0.000 claims description 7
- 230000006866 deterioration Effects 0.000 abstract description 8
- 230000000875 corresponding effect Effects 0.000 description 80
- 239000003990 capacitor Substances 0.000 description 72
- 238000012545 processing Methods 0.000 description 47
- 238000000034 method Methods 0.000 description 36
- 238000012546 transfer Methods 0.000 description 24
- 230000006870 function Effects 0.000 description 14
- 230000001629 suppression Effects 0.000 description 11
- 238000010586 diagram Methods 0.000 description 10
- 238000007796 conventional method Methods 0.000 description 5
- 230000007274 generation of a signal involved in cell-cell signaling Effects 0.000 description 5
- 230000007423 decrease Effects 0.000 description 4
- 239000004065 semiconductor Substances 0.000 description 4
- 230000001276 controlling effect Effects 0.000 description 3
- 230000000694 effects Effects 0.000 description 3
- 229910044991 metal oxide Inorganic materials 0.000 description 3
- 150000004706 metal oxides Chemical class 0.000 description 3
- 238000012986 modification Methods 0.000 description 3
- 230000004048 modification Effects 0.000 description 3
- 230000015556 catabolic process Effects 0.000 description 2
- 230000000295 complement effect Effects 0.000 description 2
- 239000000470 constituent Substances 0.000 description 2
- 238000006731 degradation reaction Methods 0.000 description 2
- 239000011159 matrix material Substances 0.000 description 2
- 239000002184 metal Substances 0.000 description 2
- 230000008569 process Effects 0.000 description 2
- 230000004044 response Effects 0.000 description 2
- 239000000853 adhesive Substances 0.000 description 1
- 230000001070 adhesive effect Effects 0.000 description 1
- 230000008859 change Effects 0.000 description 1
- 238000004590 computer program Methods 0.000 description 1
- 238000012937 correction Methods 0.000 description 1
- 230000002596 correlated effect Effects 0.000 description 1
- 238000013144 data compression Methods 0.000 description 1
- 230000008030 elimination Effects 0.000 description 1
- 238000003379 elimination reaction Methods 0.000 description 1
- 230000005669 field effect Effects 0.000 description 1
- 230000001771 impaired effect Effects 0.000 description 1
- 230000006872 improvement Effects 0.000 description 1
- 239000012212 insulator Substances 0.000 description 1
- 239000004973 liquid crystal related substance Substances 0.000 description 1
- 238000007747 plating Methods 0.000 description 1
- 238000005070 sampling Methods 0.000 description 1
- 238000007740 vapor deposition Methods 0.000 description 1
Images
Classifications
-
- H—ELECTRICITY
- H04—ELECTRIC COMMUNICATION TECHNIQUE
- H04N—PICTORIAL COMMUNICATION, e.g. TELEVISION
- H04N25/00—Circuitry of solid-state image sensors [SSIS]; Control thereof
- H04N25/70—SSIS architectures; Circuits associated therewith
- H04N25/76—Addressed sensors, e.g. MOS or CMOS sensors
-
- H—ELECTRICITY
- H04—ELECTRIC COMMUNICATION TECHNIQUE
- H04N—PICTORIAL COMMUNICATION, e.g. TELEVISION
- H04N25/00—Circuitry of solid-state image sensors [SSIS]; Control thereof
- H04N25/60—Noise processing, e.g. detecting, correcting, reducing or removing noise
- H04N25/616—Noise processing, e.g. detecting, correcting, reducing or removing noise involving a correlated sampling function, e.g. correlated double sampling [CDS] or triple sampling
-
- H—ELECTRICITY
- H04—ELECTRIC COMMUNICATION TECHNIQUE
- H04N—PICTORIAL COMMUNICATION, e.g. TELEVISION
- H04N25/00—Circuitry of solid-state image sensors [SSIS]; Control thereof
- H04N25/70—SSIS architectures; Circuits associated therewith
- H04N25/76—Addressed sensors, e.g. MOS or CMOS sensors
- H04N25/77—Pixel circuitry, e.g. memories, A/D converters, pixel amplifiers, shared circuits or shared components
-
- H—ELECTRICITY
- H04—ELECTRIC COMMUNICATION TECHNIQUE
- H04N—PICTORIAL COMMUNICATION, e.g. TELEVISION
- H04N25/00—Circuitry of solid-state image sensors [SSIS]; Control thereof
- H04N25/70—SSIS architectures; Circuits associated therewith
- H04N25/76—Addressed sensors, e.g. MOS or CMOS sensors
- H04N25/77—Pixel circuitry, e.g. memories, A/D converters, pixel amplifiers, shared circuits or shared components
- H04N25/771—Pixel circuitry, e.g. memories, A/D converters, pixel amplifiers, shared circuits or shared components comprising storage means other than floating diffusion
-
- H—ELECTRICITY
- H04—ELECTRIC COMMUNICATION TECHNIQUE
- H04N—PICTORIAL COMMUNICATION, e.g. TELEVISION
- H04N25/00—Circuitry of solid-state image sensors [SSIS]; Control thereof
- H04N25/70—SSIS architectures; Circuits associated therewith
- H04N25/79—Arrangements of circuitry being divided between different or multiple substrates, chips or circuit boards, e.g. stacked image sensors
Landscapes
- Engineering & Computer Science (AREA)
- Multimedia (AREA)
- Signal Processing (AREA)
- Solid State Image Pick-Up Elements (AREA)
- Transforming Light Signals Into Electric Signals (AREA)
Abstract
【解決手段】画素を構成する回路要素が配置された第1の基板と第2の基板とが接続部によって電気的に接続されている固体撮像装置であって、画素は、第1の基板に配置された複数の光電変換素子と、光電変換素子が発生した信号を増幅した増幅信号を出力する複数の増幅回路と、第2の基板に配置され、増幅信号を蓄積する、光電変換素子のそれぞれに対応した複数の信号蓄積回路と、蓄積された増幅信号を該画素からの出力信号として順次出力する出力回路と、を有し、該画素が有するn(nは2以上の整数)個の光電変換素子が1以上のグループのいずれかに分類され、それぞれの信号に応じた複数の増幅信号が出力される画素出力ノードと、第2の基板に配置された複数の信号蓄積回路とを、1つの接続部を介して電気的に接続する。
【選択図】図3
Description
固体撮像装置1は、カメラ制御装置5によって駆動・制御され、レンズユニット部2を介して固体撮像装置1内に入射した被写体光を画像信号に変換するMOS型固体撮像装置である。なお、この固体撮像装置1に関する詳細な説明は、後述する。
記録装置4は、半導体メモリなどの着脱可能な記録媒体であり、画像データの記録または読み出しを行う。
表示装置6は、固体撮像装置1に結像され、画像信号処理装置3によって処理された画像データ、または記録装置4から読み出された画像データに基づく画像を表示する液晶などの表示装置である。
カメラ制御装置5は、デジタルカメラ7の全体の制御を行う制御装置である。
次に、デジタルカメラ7に搭載した第1の実施形態の固体撮像装置1について説明する。図2は、本第1の実施形態による固体撮像装置1の概略構成を示したブロック図である。図2において、固体撮像装置1は、固体撮像装置制御信号発生回路10、垂直読出し制御回路20、水平読出し制御回路30、複数の単位画素50で構成された画素アレイ部40、カラム信号処理回路60、出力アンプ80から構成される。なお、図2に示した固体撮像装置1では、複数の単位画素50が、7行8列に2次元的に配置された画素アレイ部40の例を示している。
垂直読出し制御回路20は、固体撮像装置制御信号発生回路10からの制御に応じて、画素アレイ部40内のそれぞれの単位画素50を制御し、各単位画素50の画素信号を垂直信号線90に出力させる。垂直読出し制御回路20は、単位画素50を制御するための制御信号を、画素アレイ部40に備えた単位画素50の行毎に出力する。なお、この垂直読出し制御回路20による単位画素50の制御方法に関する詳細な説明は、後述する。
次に、デジタルカメラ7に搭載した第2の実施形態の固体撮像装置について説明する。なお、本第2の実施形態の固体撮像装置は、画素アレイ部に備える単位画素の回路構成が、図2に示した第1の実施形態の固体撮像装置1内の画素アレイ部40に備えた単位画素50の回路構成と異なっている。この単位画素の回路構成の違いにより、本第2の実施形態の固体撮像装置に備えた垂直読出し制御回路による単位画素の制御方法が、第1の実施形態の固体撮像装置1内の垂直読出し制御回路20による単位画素の制御方法と異なる。本第2の実施形態の固体撮像装置のその他の構成要素は、第1の実施形態の固体撮像装置1と同様である。従って、本第2の実施形態の固体撮像装置の構成要素において、図2に示した第1の実施形態の固体撮像装置1と同様の構成要素には、同一の符号を付加して詳細な説明は省略する。
これにより、本発明を実施するための形態の固体撮像装置では、画素アレイ部において隣り合う2つの基板間接続部の接続ピッチを広げることができ、第1の基板と第2の基板とを接続する際の歩留まりの減少を抑圧することができる。また、それぞれの基板間接続部の間の接続ピッチを広げることによって、基板間接続部の大きさを大きくし、さらに歩留まりの劣化を抑圧することができる。
ここで、従来から一般的に知られている複数の光電変換部を1つの単位画素内に配置する通常の方法に、本発明の考え方を適用した固体撮像装置の一例について説明する。本第3の実施形態の固体撮像装置における単位画素は、複数の増幅前の光電変換信号で1つの増幅トランジスタを共有する従来の方法で1つの単位画素内に複数の光電変換部を配置し、さらに、第1の基板から第2の基板に出力する信号線を画素アレイ部の複数の行の単位でまとめる第1の実施形態の考え方を適用したものである。
2・・・レンズユニット部
3・・・画像信号処理装置
4・・・記録装置
5・・・カメラ制御装置
6・・・表示装置
7・・・デジタルカメラ(撮像装置)
10・・・固体撮像装置制御信号発生回路
20・・・垂直読出し制御回路(画素)
30・・・水平読出し制御回路
40・・・画素アレイ部(画素)
50,52,53・・・単位画素(画素)
11・・・画素部(第1の基板,光電変換素子,増幅回路)
12・・・蓄積回路(第2の基板,信号蓄積回路,出力回路)
13・・・基板間接続部(接続部)
101A,101B,101C,101D・・・光電変換部(光電変換素子)
102A,102B,102AB,102CD・・・画素共有トランジスタ(スイッチ)
103A,103B,103C,103D・・・転送トランジスタ
105A,105B,105AB,105CD・・・画素リセットトランジスタ(リセット回路)
106A,106B,106AB,106CD・・・第1の増幅トランジスタ(増幅回路)
107A,107B,107C,107D・・・選択トランジスタ(出力回路)
108A,108B,108C,108D・・・画素内サンプルホールドトランジスタ(信号蓄積回路)
109A,109B,109C,109D・・・画素内クランプトランジスタ(ノイズ低減回路)
110A,110B,110C,110D・・・電荷蓄積部(信号蓄積回路)
111A,111B,111C,111D・・・第2の増幅トランジスタ
112・・・画素負荷トランジスタ
113・・・画素内クランプ容量(ノイズ低減回路)
60・・・カラム信号処理回路
70・・・水平信号線
80・・・出力アンプ
90・・・垂直信号線
100,200・・・共有信号線(画素出力ノード)
FD1A,FD1B・・・ノード容量
Claims (7)
- 画素を構成する回路要素が配置された第1の基板と第2の基板とが接続部によって電気的に接続されている固体撮像装置であって、
前記画素は、
前記第1の基板に配置された複数の光電変換素子と、
前記第1の基板に配置され、前記光電変換素子が発生した信号を増幅した増幅信号を出力する複数の増幅回路と、
前記第2の基板に配置され、前記増幅回路から出力された前記増幅信号を蓄積する、複数の前記光電変換素子のそれぞれに対応した複数の信号蓄積回路と、
前記第2の基板に配置され、前記信号蓄積回路のそれぞれに蓄積された前記増幅信号を該画素からの出力信号として順次出力する出力回路と、
を有し、
前記画素は、
該画素が有するn(nは2以上の整数)個の前記光電変換素子のそれぞれが、前記第1の基板上における配置位置に基づいて、1以上のグループのいずれかに分類され、該n個の前記光電変換素子で発生したそれぞれの信号を前記増幅回路のそれぞれで増幅した複数の前記増幅信号が出力される画素出力ノードと、前記第2の基板に配置された複数の前記信号蓄積回路とを、1つの前記接続部を介して電気的に接続する、
ことを特徴とする固体撮像装置。 - 前記画素出力ノードには、
前記増幅回路のそれぞれが出力するぞれぞれの前記増幅信号が、前記増幅回路のそれぞれに対応したスイッチを介して出力され、該スイッチのそれぞれを制御して、前記増幅回路のそれぞれが出力する前記増幅信号を、前記画素出力ノードに出力するか否かを切り替える、
ことを特徴とする請求項1に記載の固体撮像装置。 - 前記画素出力ノードには、
前記増幅回路のそれぞれが出力するぞれぞれの前記増幅信号が直接出力され、前記増幅回路のそれぞれに供給されるバイアス電圧をそれぞれ制御して、前記増幅回路のそれぞれが出力する前記増幅信号の前記画素出力ノードへの出力を切り替える、
ことを特徴とする請求項1に記載の固体撮像装置。 - 前記画素は、
前記第1の基板に配置され、前記光電変換素子が発生した信号をリセットする複数のリセット回路、
をさらに有し、
全ての前記画素の全ての前記光電変換素子を同時にリセットし、
予め定めた時間が経過した後、それぞれの前記画素が有するn個の前記光電変換素子のそれぞれに対応した前記増幅信号のそれぞれの前記画素内の前記画素出力ノードへの出力を、同一のグループに分類された前記光電変換素子毎に、全ての前記画素を同時に、n回に分けて順次行う、
ことを特徴とする請求項1から請求項3のいずれか1の項に記載の固体撮像装置。 - 前記信号蓄積回路は、
前記増幅回路から出力された前記増幅信号中のノイズを低減するノイズ低減回路を有する、
ことを特徴とする請求項4に記載の固体撮像装置。 - 前記信号蓄積回路は、
前記ノイズ低減回路から出力される、複数の前記光電変換素子のそれぞれに対応したノイズ低減後の信号を、前記増幅信号として保持する、
ことを特徴とする請求項5に記載の固体撮像装置。 - 画素を構成する回路要素が配置された第1の基板と第2の基板とが接続部によって電気的に接続されている撮像装置であって、
前記画素は、
前記第1の基板に配置された複数の光電変換素子と、
前記第1の基板に配置され、前記光電変換素子が発生した信号を増幅した増幅信号を出力する複数の増幅回路と、
前記第2の基板に配置され、前記増幅回路から出力された前記増幅信号を蓄積する、複数の前記光電変換素子のそれぞれに対応した複数の信号蓄積回路と、
前記第2の基板に配置され、前記信号蓄積回路のそれぞれに蓄積された前記増幅信号を該画素からの出力信号として順次出力する出力回路と、
を有し、
前記画素は、
該画素が有するn(nは2以上の整数)個の前記光電変換素子のそれぞれが、前記第1の基板上における配置位置に基づいて、1以上のグループのいずれかに分類され、該n個の前記光電変換素子で発生したそれぞれの信号を前記増幅回路のそれぞれで増幅した複数の前記増幅信号が出力される画素出力ノードと、前記第2の基板に配置された複数の前記信号蓄積回路とを、1つの前記接続部を介して電気的に接続する、
ことを特徴とする撮像装置。
Priority Applications (2)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP2012048289A JP5965674B2 (ja) | 2012-03-05 | 2012-03-05 | 固体撮像装置および撮像装置 |
US13/786,023 US9338381B2 (en) | 2012-03-05 | 2013-03-05 | Solid-state image-pickup device, image-pickup device, and signal reading method |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP2012048289A JP5965674B2 (ja) | 2012-03-05 | 2012-03-05 | 固体撮像装置および撮像装置 |
Publications (2)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JP2013183442A true JP2013183442A (ja) | 2013-09-12 |
JP5965674B2 JP5965674B2 (ja) | 2016-08-10 |
Family
ID=49042649
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP2012048289A Expired - Fee Related JP5965674B2 (ja) | 2012-03-05 | 2012-03-05 | 固体撮像装置および撮像装置 |
Country Status (2)
Country | Link |
---|---|
US (1) | US9338381B2 (ja) |
JP (1) | JP5965674B2 (ja) |
Families Citing this family (38)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP5959187B2 (ja) * | 2011-12-02 | 2016-08-02 | オリンパス株式会社 | 固体撮像装置、撮像装置、および信号読み出し方法 |
JP6176990B2 (ja) * | 2013-04-25 | 2017-08-09 | オリンパス株式会社 | 固体撮像装置および撮像装置 |
JP6294626B2 (ja) * | 2013-10-08 | 2018-03-14 | キヤノン株式会社 | 撮像素子、撮像装置、携帯電話機 |
US9807326B2 (en) * | 2014-01-24 | 2017-10-31 | Universite Catholique De Louvain | Image sensor |
JP6278730B2 (ja) * | 2014-02-20 | 2018-02-14 | オリンパス株式会社 | 固体撮像装置および撮像システム |
JP6457738B2 (ja) * | 2014-05-02 | 2019-01-23 | オリンパス株式会社 | 固体撮像装置および撮像装置 |
US10154210B2 (en) | 2016-09-07 | 2018-12-11 | Semiconductor Components Industries, Llc | Global shutter imaging pixels |
US10075663B2 (en) * | 2017-01-20 | 2018-09-11 | Semiconductor Components Industries, Llc | Phase detection pixels with high speed readout |
JP6737192B2 (ja) * | 2017-01-25 | 2020-08-05 | セイコーエプソン株式会社 | 固体撮像装置及び電子機器 |
CN110771155B (zh) * | 2017-05-10 | 2021-11-16 | 普里露尼库斯新加坡私人有限公司 | 固态摄像装置、固态摄像装置的驱动方法、以及电子设备 |
US10686996B2 (en) | 2017-06-26 | 2020-06-16 | Facebook Technologies, Llc | Digital pixel with extended dynamic range |
US10419701B2 (en) | 2017-06-26 | 2019-09-17 | Facebook Technologies, Llc | Digital pixel image sensor |
EP3445039B1 (en) * | 2017-08-16 | 2021-03-31 | Facebook Technologies, LLC | Detection circuit for photo sensor with stacked substrates |
US10608101B2 (en) | 2017-08-16 | 2020-03-31 | Facebook Technologies, Llc | Detection circuit for photo sensor with stacked substrates |
US10598546B2 (en) | 2017-08-17 | 2020-03-24 | Facebook Technologies, Llc | Detecting high intensity light in photo sensor |
JP2019057873A (ja) * | 2017-09-22 | 2019-04-11 | ソニーセミコンダクタソリューションズ株式会社 | 固体撮像素子及び電子機器 |
US11393867B2 (en) | 2017-12-06 | 2022-07-19 | Facebook Technologies, Llc | Multi-photodiode pixel cell |
US10969273B2 (en) | 2018-03-19 | 2021-04-06 | Facebook Technologies, Llc | Analog-to-digital converter having programmable quantization resolution |
US11004881B2 (en) | 2018-04-03 | 2021-05-11 | Facebook Technologies, Llc | Global shutter image sensor |
US11906353B2 (en) | 2018-06-11 | 2024-02-20 | Meta Platforms Technologies, Llc | Digital pixel with extended dynamic range |
US11089241B2 (en) | 2018-06-11 | 2021-08-10 | Facebook Technologies, Llc | Pixel cell with multiple photodiodes |
US11089210B2 (en) | 2018-06-11 | 2021-08-10 | Facebook Technologies, Llc | Configurable image sensor |
US11463636B2 (en) | 2018-06-27 | 2022-10-04 | Facebook Technologies, Llc | Pixel sensor having multiple photodiodes |
US10897586B2 (en) | 2018-06-28 | 2021-01-19 | Facebook Technologies, Llc | Global shutter image sensor |
US10931884B2 (en) | 2018-08-20 | 2021-02-23 | Facebook Technologies, Llc | Pixel sensor having adaptive exposure time |
US11956413B2 (en) | 2018-08-27 | 2024-04-09 | Meta Platforms Technologies, Llc | Pixel sensor having multiple photodiodes and shared comparator |
CN110313068B (zh) * | 2018-10-09 | 2023-05-12 | 深圳市汇顶科技股份有限公司 | 动态电荷域取样的图像传感器 |
WO2020073626A1 (en) * | 2018-10-09 | 2020-04-16 | Shenzhen GOODIX Technology Co., Ltd. | Image sensor with dynamic charge-domain sampling |
US11595602B2 (en) | 2018-11-05 | 2023-02-28 | Meta Platforms Technologies, Llc | Image sensor post processing |
US11102430B2 (en) | 2018-12-10 | 2021-08-24 | Facebook Technologies, Llc | Pixel sensor having multiple photodiodes |
US11218660B1 (en) | 2019-03-26 | 2022-01-04 | Facebook Technologies, Llc | Pixel sensor having shared readout structure |
US11943561B2 (en) | 2019-06-13 | 2024-03-26 | Meta Platforms Technologies, Llc | Non-linear quantization at pixel sensor |
US11936998B1 (en) | 2019-10-17 | 2024-03-19 | Meta Platforms Technologies, Llc | Digital pixel sensor having extended dynamic range |
US11902685B1 (en) | 2020-04-28 | 2024-02-13 | Meta Platforms Technologies, Llc | Pixel sensor having hierarchical memory |
US11910114B2 (en) | 2020-07-17 | 2024-02-20 | Meta Platforms Technologies, Llc | Multi-mode image sensor |
US11956560B2 (en) | 2020-10-09 | 2024-04-09 | Meta Platforms Technologies, Llc | Digital pixel sensor having reduced quantization operation |
US12022218B2 (en) | 2020-12-29 | 2024-06-25 | Meta Platforms Technologies, Llc | Digital image sensor using a single-input comparator based quantizer |
KR20230008370A (ko) | 2021-07-07 | 2023-01-16 | 삼성전자주식회사 | 온도 변화에 따른 전압 레벨을 보상하는 전자 회로 및 이를 포함하는 이미지 센서 |
Citations (5)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JPH11196331A (ja) * | 1997-12-26 | 1999-07-21 | Canon Inc | 光電変換装置 |
JP2006049361A (ja) * | 2004-07-30 | 2006-02-16 | Sony Corp | 半導体モジュール及びmos型固体撮像装置 |
JP2007228460A (ja) * | 2006-02-27 | 2007-09-06 | Mitsumasa Koyanagi | 集積センサを搭載した積層型半導体装置 |
JP2009170448A (ja) * | 2008-01-10 | 2009-07-30 | Nikon Corp | 固体撮像素子 |
US20100079632A1 (en) * | 2008-09-26 | 2010-04-01 | Tom Walschap | Correlated double sampling pixel |
Family Cites Families (7)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
US6855937B2 (en) * | 2001-05-18 | 2005-02-15 | Canon Kabushiki Kaisha | Image pickup apparatus |
KR100680469B1 (ko) * | 2005-01-31 | 2007-02-08 | 매그나칩 반도체 유한회사 | 인접한 화소들 사이의 센싱노드들이 공유된 씨모스 이미지센서 |
US7750958B1 (en) * | 2005-03-28 | 2010-07-06 | Cypress Semiconductor Corporation | Pixel structure |
JP2008282961A (ja) * | 2007-05-10 | 2008-11-20 | Matsushita Electric Ind Co Ltd | 固体撮像装置 |
JP5098831B2 (ja) * | 2008-06-06 | 2012-12-12 | ソニー株式会社 | 固体撮像素子およびカメラシステム |
JP4835710B2 (ja) | 2009-03-17 | 2011-12-14 | ソニー株式会社 | 固体撮像装置、固体撮像装置の製造方法、固体撮像装置の駆動方法、及び電子機器 |
US8987646B2 (en) * | 2011-06-10 | 2015-03-24 | Semiconductor Components Industries, Llc | Pixel and method |
-
2012
- 2012-03-05 JP JP2012048289A patent/JP5965674B2/ja not_active Expired - Fee Related
-
2013
- 2013-03-05 US US13/786,023 patent/US9338381B2/en not_active Expired - Fee Related
Patent Citations (5)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JPH11196331A (ja) * | 1997-12-26 | 1999-07-21 | Canon Inc | 光電変換装置 |
JP2006049361A (ja) * | 2004-07-30 | 2006-02-16 | Sony Corp | 半導体モジュール及びmos型固体撮像装置 |
JP2007228460A (ja) * | 2006-02-27 | 2007-09-06 | Mitsumasa Koyanagi | 集積センサを搭載した積層型半導体装置 |
JP2009170448A (ja) * | 2008-01-10 | 2009-07-30 | Nikon Corp | 固体撮像素子 |
US20100079632A1 (en) * | 2008-09-26 | 2010-04-01 | Tom Walschap | Correlated double sampling pixel |
Also Published As
Publication number | Publication date |
---|---|
JP5965674B2 (ja) | 2016-08-10 |
US20130229560A1 (en) | 2013-09-05 |
US9338381B2 (en) | 2016-05-10 |
Similar Documents
Publication | Publication Date | Title |
---|---|---|
JP5965674B2 (ja) | 固体撮像装置および撮像装置 | |
JP6071315B2 (ja) | 固体撮像装置および撮像装置 | |
JP5953028B2 (ja) | 固体撮像装置、撮像装置、および信号読み出し方法 | |
JP5963421B2 (ja) | 固体撮像装置および撮像装置 | |
KR101177140B1 (ko) | 고체 촬상 장치, 고체 촬상 장치의 구동 방법 및 촬상 장치 | |
JP5820627B2 (ja) | 固体撮像装置、撮像装置、および信号読み出し方法 | |
JP5881324B2 (ja) | 固体撮像装置、固体撮像装置の制御方法、および撮像装置 | |
JP6045156B2 (ja) | 固体撮像装置 | |
JP6037873B2 (ja) | 固体撮像装置および撮像装置 | |
JP2012248953A (ja) | 固体撮像装置、撮像装置、および信号読み出し方法 | |
JP5959186B2 (ja) | 固体撮像装置、撮像装置、および信号読み出し方法 | |
US8830368B2 (en) | Solid-state imaging device | |
JP2010141928A (ja) | 固体撮像装置 | |
JP2013090127A (ja) | 固体撮像装置および撮像装置 | |
JP2012248952A (ja) | 固体撮像装置、撮像装置、および信号読み出し方法 | |
JP4533367B2 (ja) | 固体撮像装置 | |
WO2014064837A1 (ja) | 固体撮像装置、撮像装置および信号読み出し方法 | |
JP2012244331A (ja) | 固体撮像装置、撮像装置および信号読み出し方法 | |
CN108282601B (zh) | 图像传感器和摄像设备 | |
JP4921011B2 (ja) | 撮像装置及びその駆動方法 | |
US10531018B2 (en) | Image sensor for suppressing readout time of image signal and focus detection signal, control method therefor, and image capturing apparatus | |
JP2014042211A (ja) | 固体撮像装置および撮像装置 | |
JP2013121058A (ja) | 固体撮像装置、撮像装置、および信号読み出し方法 | |
JP2017022578A (ja) | 撮像装置及び撮像素子の制御方法 | |
JP2013239968A (ja) | 固体撮像装置 |
Legal Events
Date | Code | Title | Description |
---|---|---|---|
A621 | Written request for application examination |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A621 Effective date: 20150205 |
|
A977 | Report on retrieval |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A971007 Effective date: 20160205 |
|
A131 | Notification of reasons for refusal |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A131 Effective date: 20160216 |
|
A521 | Request for written amendment filed |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A523 Effective date: 20160322 |
|
A521 | Request for written amendment filed |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A821 Effective date: 20160323 |
|
TRDD | Decision of grant or rejection written | ||
A01 | Written decision to grant a patent or to grant a registration (utility model) |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A01 Effective date: 20160621 |
|
A61 | First payment of annual fees (during grant procedure) |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A61 Effective date: 20160704 |
|
R151 | Written notification of patent or utility model registration |
Ref document number: 5965674 Country of ref document: JP Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R151 |
|
R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |
|
R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |
|
R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |
|
R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |
|
LAPS | Cancellation because of no payment of annual fees |