JP2013121058A - 固体撮像装置、撮像装置、および信号読み出し方法 - Google Patents

Abstract

【課題】画素信号を読み出す過程で同一の色に対応する画素信号間に発生するばらつきを抑制する。
【解決手段】本発明の一態様に係る固体撮像装置は、第１の基板と第２の基板とが電気的に接続されている固体撮像装置であって、第１の基板は、行列状に配置された複数の第１の画素を備え、第２の基板は、行列状に配置された複数の第２の画素を備え、第ｍ（ｍは１〜ｎのいずれかの整数）の色に対応する色信号を生成する光電変換素子を有する第１の画素が、第ｍの色に対応する第１の画素であって、第ｍ（ｍは１〜ｎのいずれか）の色に対応する色信号を蓄積する信号蓄積回路を有する第２の画素が、第ｍの色に対応する第２の画素であって、第２の基板において、同一の色に対応する２以上の第２の画素が同一の列に配置されていることを特徴とする。
【選択図】図４

Description

本発明は、画素を構成する回路素子が配置された第１の基板と第２の基板とが電気的に接続されている固体撮像装置および撮像装置に関する。また、本発明は、画素から信号を読み出す信号読み出し方法に関する。

近年、ビデオカメラや電子スチルカメラなどが広く一般に普及している。これらのカメラには、CCD（Charge Coupled Device）型や増幅型の固体撮像装置が使用されている。増幅型の固体撮像装置は、光が入射する画素の光電変換部が生成・蓄積した信号電荷を、画素に設けられた増幅部に導き、増幅部が増幅した信号を画素から出力する。増幅型の固体撮像装置では、このような画素が二次元マトリクス状に複数配置されている。増幅型の固体撮像装置には、例えばCMOS（Complementary Metal Oxide Semiconductor）トランジスタを用いたCMOS型固体撮像装置等がある。

従来、一般的なCMOS型固体撮像装置は、二次元マトリクス状に配列された各画素の光電変換部が生成した信号電荷を行毎に順次読み出す方式を採用している。この方式では、各画素の光電変換部における露光のタイミングは、信号電荷の読み出しの開始と終了によって決まるため、行毎に露光のタイミングが異なる。このため、このようなCMOS型固体撮像装置を用いて動きの速い被写体を撮像すると、撮像した画像内で被写体が歪んでしまう。

この被写体の歪みを無くすために、信号電荷の蓄積の同時性を実現する同時撮像機能（グローバルシャッタ機能）が提案されている。また、グローバルシャッタ機能を有するCMOS型固体撮像装置の用途が多くなりつつある。グローバルシャッタ機能を有するCMOS型固体撮像装置では、通常、光電変換部が生成した信号電荷を、読み出しが行われるまで蓄えておくために、遮光性を持った蓄積容量部を有することが必要となる。このような従来のCMOS型固体撮像装置は、全画素を同時に露光した後、各光電変換部が生成した信号電荷を全画素で同時に各蓄積容量部に転送して一旦蓄積しておき、この信号電荷を所定の読み出しタイミングで順次画素信号に変換して読み出している。

ただし、従来のグローバルシャッタ機能を有するCMOS型固体撮像装置では、光電変換部と蓄積容量部とを同一基板の同一平面上に作りこまねばならず、チップ面積の増大が避けられない。さらに、蓄積容量部に蓄積された信号電荷を読み出すまでの待機期間中に、光に起因するノイズや、蓄積容量部で発生するリーク電流（暗電流）に起因するノイズにより信号の品質が劣化してしまうという問題がある。

この問題を解決するために、単位セル毎に配線層側にマイクロパッドを形成したMOSイメージセンサチップと、MOSイメージセンサチップのマイクロパッドに対応する位置の配線層側にマイクロパッドを形成した信号処理チップとをマイクロバンプによって接続してなる固体撮像装置が特許文献１に開示されている。また、光電変換部が形成された第１の基板と、複数のMOSトランジスタが形成された第２の基板とを貼り合わせた固体撮像装置によりチップ面積の増大を防ぐ方法が特許文献２に開示されている。

図10(a)は、上述した2枚の基板が貼り合わされて構成される固体撮像装置の断面構成を示している。第１基板90と第２基板91が、マイクロパッドおよびマイクロバンプを含む接続部900によって電気的に接続されている。図10(b)は固体撮像装置の第１基板90の平面構成を示している。第１基板90において2次元の行列状に画素910が配列されている。

このような固体撮像装置として、画素信号を複数のチャンネルで読み出すものがある。例えば、特許文献3の図11には画素信号を2チャンネルで読み出す固体撮像装置が記載されている。この固体撮像装置は、奇数列の画素から画素信号を読み出すチャンネルと、偶数列の画素から画素信号を読み出すチャンネルとを有している。

特開２００６−４９３６１号公報 特開２０１０−２１９３３９号公報 特開２００３−２５９２２７号公報

赤色（R）、緑色（Gr，Gb）、青色（B）に対応した4画素を配列の単位とするベイヤー配列を有する固体撮像装置において2チャンネルで画素信号の読み出しを行った場合、Rに対応する画素信号と、Bに対応する画素信号は、それぞれ同一のチャンネルで読み出される。しかし、Grに対応する画素信号と、Gbに対応する画素信号は異なるチャンネルで読み出されることになる。このため、各チャンネルに設けられたアンプの特性のばらつきなどから、同色であるGrとGbに対応する画素信号間にばらつきが生じる。例えば、Grに対応する画素信号を読み出すチャンネルに設けられたアンプのゲインと、Gbに対応する画素信号を読み出すチャンネルに設けられたアンプのゲインとが上記特性のばらつきにより異なる場合、同一のゲインで増幅されるはずのGr，Gbのそれぞれに対応する画素信号が異なるゲインで増幅される。これにより、読み出された画素信号で構成される画像に縦スジが発生してしまう。

本発明は、上述した課題に鑑みてなされたものであって、画素信号を読み出す過程で同一の色に対応する画素信号間に発生するばらつきを抑制することを目的とする。

本発明の一態様に係る固体撮像装置は、第１の基板と第２の基板とが電気的に接続されている固体撮像装置であって、前記第１の基板は、行列状に配置された複数の第１の画素を備え、前記第２の基板は、行列状に配置された複数の第２の画素を備え、前記複数の第１の画素のそれぞれは、第１〜第ｎ（ｎは２以上の整数）の色のうちいずれかの色に対応する色信号を生成する光電変換素子を有し、前記複数の第２の画素のそれぞれは、前記光電変換素子により生成された色信号を蓄積する信号蓄積回路と、前記信号蓄積回路に蓄積された色信号を前記第２の画素の外部に出力する出力回路と、を有し、第ｍ（ｍは１〜ｎのいずれかの整数）の色に対応する色信号を生成する前記光電変換素子を有する前記第１の画素が、第ｍの色に対応する前記第１の画素であって、第ｍ（ｍは１〜ｎのいずれか）の色に対応する色信号を蓄積する前記信号蓄積回路を有する前記第２の画素が、第ｍの色に対応する前記第２の画素であって、前記第２の基板において、同一の色に対応する２以上の前記第２の画素が同一の列に配置されていることを特徴とする。

本発明の他の態様に係る固体撮像装置は、第１の基板と第２の基板とが電気的に接続されている固体撮像装置であって、前記第１の基板は、行列状に配置された複数の第１の画素を備え、前記第２の基板は、行列状に配置された複数の第２の画素を備え、前記複数の第１の画素のそれぞれは、第１〜第ｎ（ｎは２以上の整数）の色のうちいずれかの色に対応する色信号を生成する光電変換素子を有し、前記複数の第２の画素のそれぞれは、前記光電変換素子により生成された色信号を蓄積する信号蓄積回路と、前記信号蓄積回路に蓄積された色信号を前記第２の画素の外部に出力する出力回路と、を有し、第ｍ（ｍは１〜ｎのいずれかの整数）の色に対応する色信号を生成する前記光電変換素子を有する前記第１の画素が、第ｍの色に対応する前記第１の画素であって、第ｍ（ｍは１〜ｎのいずれか）の色に対応する色信号を蓄積する前記信号蓄積回路を有する前記第２の画素が、第ｍの色に対応する前記第２の画素であって、前記複数の第１の画素に対応する色の配列と前記複数の第２の画素に対応する色の配列とが異なることを特徴とする。

本発明の他の態様に係る固体撮像装置は、第１の基板と第２の基板とが電気的に接続されている固体撮像装置であって、前記第１の基板は、行列状に配置された複数の第１の画素を備え、前記第２の基板は、行列状に配置された複数の第２の画素と、列毎に設けられた垂直信号線とを備え、前記複数の第１の画素のそれぞれは、第１〜第ｎ（ｎは２以上の整数）の色のうちいずれかの色に対応する色信号を生成する光電変換素子を有し、前記複数の第２の画素のそれぞれは、前記垂直信号線に接続され、前記光電変換素子により生成された色信号を蓄積する信号蓄積回路と、前記信号蓄積回路に蓄積された色信号を前記第２の画素の外部に出力する出力回路と、を有し、第ｍ（ｍは１〜ｎのいずれかの整数）の色に対応する色信号を生成する前記光電変換素子を有する前記第１の画素が、第ｍの色に対応する前記第１の画素であって、同一の色に対応する複数の前記第１の画素のそれぞれの前記光電変換素子により生成された色信号が、同一の前記垂直信号線に接続された複数の前記信号蓄積回路のそれぞれに蓄積されることを特徴とする。

本発明の他の態様に係る撮像装置は、第１の基板と第２の基板とが電気的に接続されている撮像装置であって、前記第１の基板は、行列状に配置された複数の第１の画素を備え、前記第２の基板は、行列状に配置された複数の第２の画素を備え、前記複数の第１の画素のそれぞれは、第１〜第ｎ（ｎは２以上の整数）の色のうちいずれかの色に対応する色信号を生成する光電変換素子を有し、前記複数の第２の画素のそれぞれは、前記光電変換素子により生成された色信号を蓄積する信号蓄積回路と、前記信号蓄積回路に蓄積された色信号を前記第２の画素の外部に出力する出力回路と、を有し、第ｍ（ｍは１〜ｎのいずれかの整数）の色に対応する色信号を生成する前記光電変換素子を有する前記第１の画素が、第ｍの色に対応する前記第１の画素であって、第ｍ（ｍは１〜ｎのいずれか）の色に対応する色信号を蓄積する前記信号蓄積回路を有する前記第２の画素が、第ｍの色に対応する前記第２の画素であって、前記第２の基板において、同一の色に対応する２以上の前記第２の画素が同一の列に配置されていることを特徴とする。

本発明の他の態様に係る撮像装置は、第１の基板と第２の基板とが電気的に接続されている撮像装置であって、前記第１の基板は、行列状に配置された複数の第１の画素を備え、前記第２の基板は、行列状に配置された複数の第２の画素を備え、前記複数の第１の画素のそれぞれは、第１〜第ｎ（ｎは２以上の整数）の色のうちいずれかの色に対応する色信号を生成する光電変換素子を有し、前記複数の第２の画素のそれぞれは、前記光電変換素子により生成された色信号を蓄積する信号蓄積回路と、前記信号蓄積回路に蓄積された色信号を前記第２の画素の外部に出力する出力回路と、を有し、第ｍ（ｍは１〜ｎのいずれかの整数）の色に対応する色信号を生成する前記光電変換素子を有する前記第１の画素が、第ｍの色に対応する前記第１の画素であって、第ｍ（ｍは１〜ｎのいずれか）の色に対応する色信号を蓄積する前記信号蓄積回路を有する前記第２の画素が、第ｍの色に対応する前記第２の画素であって、前記複数の第１の画素に対応する色の配列と前記複数の第２の画素に対応する色の配列とが異なることを特徴とする。

本発明の他の態様に係る撮像装置は、１の基板と第２の基板とが電気的に接続されている撮像装置であって、前記第１の基板は、行列状に配置された複数の第１の画素を備え、前記第２の基板は、行列状に配置された複数の第２の画素と、列毎に設けられた垂直信号線とを備え、前記複数の第１の画素のそれぞれは、第１〜第ｎ（ｎは２以上の整数）の色のうちいずれかの色に対応する色信号を生成する光電変換素子を有し、前記複数の第２の画素のそれぞれは、前記垂直信号線に接続され、前記光電変換素子により生成された色信号を蓄積する信号蓄積回路と、前記信号蓄積回路に蓄積された色信号を前記第２の画素の外部に出力する出力回路と、を有し、第ｍ（ｍは１〜ｎのいずれかの整数）の色に対応する色信号を生成する前記光電変換素子を有する前記第１の画素が、第ｍの色に対応する前記第１の画素であって、同一の色に対応する複数の前記第１の画素のそれぞれの前記光電変換素子により生成された色信号が、同一の前記垂直信号線に接続された複数の前記信号蓄積回路のそれぞれに蓄積されることを特徴とする。

本発明の他の態様に係る信号読み出し方法は、第１の基板と第２の基板とが電気的に接続され、前記第１の基板は、行列状に配置された複数の第１の画素を備え、前記第２の基板は、行列状に配置された複数の第２の画素を備え、前記複数の第１の画素のそれぞれは、第１〜第ｎ（ｎは２以上の整数）の色のうちいずれかの色に対応する色信号を生成する光電変換素子を有し、前記複数の第２の画素のそれぞれは、前記光電変換素子により生成された色信号を蓄積する信号蓄積回路と、前記信号蓄積回路に蓄積された色信号を前記第２の画素の外部に出力する出力回路と、を有し、第ｍ（ｍは１〜ｎのいずれかの整数）の色に対応する色信号を生成する前記光電変換素子を有する前記第１の画素が、第ｍの色に対応する前記第１の画素であって、第ｍ（ｍは１〜ｎのいずれか）の色に対応する色信号を蓄積する前記信号蓄積回路を有する前記第２の画素が、第ｍの色に対応する前記第２の画素であって、前記第１の基板において、第１〜第ｎの色のうち所定の色に対応する２以上の前記第１の画素が異なる列に配置され、前記第２の基板において、前記所定の色に対応する２以上の前記第２の画素が同一の列に配置されている固体撮像装置の前記第２の画素から信号を読み出す信号読み出し方法であって、前記光電変換素子が色信号を生成するステップと、前記所定の色に対応する複数の前記第１の画素のそれぞれの前記光電変換素子により生成された色信号が、同一の列に配置された複数の前記第２の画素のそれぞれの前記信号蓄積回路に蓄積されるよう、前記光電変換素子により生成された色信号を前記信号蓄積回路に蓄積するステップと、前記信号蓄積回路に蓄積された色信号を、前記出力回路を介して前記第２の画素の外部に出力するステップと、を有することを特徴とする。

本発明の一実施形態による固体撮像装置を適用した撮像装置の構成を示すブロック図である。 本発明の一実施形態による固体撮像装置の断面図である。 本発明の一実施形態による固体撮像装置の構成を示すブロック図である。 本発明の一実施形態による固体撮像装置の構成を示すブロック図である。 本発明の一実施形態による固体撮像装置の画素が構成するグループを示す参考図である。 本発明の一実施形態による固体撮像装置が備える画素の回路構成を示す回路図である。 本発明の第１の実施形態による固体撮像装置が備える画素の動作を示すタイミングチャートである。 本発明の第１の実施形態による固体撮像装置が備える画素の動作を示すタイミングチャートである。 本発明の一実施形態による固体撮像装置の画素が構成するグループを示す参考図である。 従来の固体撮像装置の断面図および平面図である。

以下、図面を参照し、本発明の実施形態を説明する。以下の詳細な説明は、一例として特定の詳細な内容を含んでいる。以下の詳細な内容にいろいろなバリエーションや変更を加えたとしても、そのバリエーションや変更を加えた内容が本発明の範囲を超えないことは、当業者であれば当然理解できる。したがって、以下で説明する各種の実施形態は、権利を請求された発明の一般性を失わせることはなく、また、権利を請求された発明に対して何ら限定を加えることもない。

図1は、本実施形態による固体撮像装置を適用した撮像装置の一例としてデジタルカメラの構成を示している。本発明の一態様に係る撮像装置は、撮像機能を有する電子機器であればよく、デジタルカメラのほか、デジタルビデオカメラ、内視鏡等であってもよい。図1に示すデジタルカメラ10は、レンズ部1、レンズ制御装置2、固体撮像装置3、駆動回路4、メモリ5、信号処理回路6、記録装置7、制御装置8、および表示装置9を備える。

図1に示す各ブロックは、ハードウェア的には、コンピュータのCPU、メモリ等の電気回路部品や、レンズ等の光学部品、ボタン、スイッチ等の操作部品など各種部品で実現でき、ソフトウェア的にはコンピュータプログラム等によって実現できるが、ここではそれらの連携によって実現される機能ブロックとして描いている。したがって、これらの機能ブロックがハードウェア、ソフトウェアの組合せによって色々な形態で実現できることは、当業者であれば当然理解できる。

レンズ部1はズームレンズやフォーカスレンズを備えており、被写体からの光を固体撮像装置3の受光面に被写体像として結像する。レンズ制御装置2は、レンズ部1のズーム、フォーカス、絞りなどを制御する。レンズ部1を介して取り込まれた光は固体撮像装置3の受光面で結像される。固体撮像装置3は、受光面に結像された被写体像を画像信号に変換して出力する。固体撮像装置3の受光面には、複数の画素が行方向および列方向に2次元的に配列されている。

駆動回路4は、固体撮像装置3を駆動し、その動作を制御する。メモリ5は、画像データを一時的に記憶する。信号処理回路6は、固体撮像装置3から出力された画像信号に対して、予め定められた処理を行う。信号処理回路6によって行われる処理には、画像信号の増幅、画像データの各種の補正、画像データの圧縮などがある。

記録装置7は、画像データの記録または読み出しを行うための半導体メモリなどによって構成されており、着脱可能な状態でデジタルカメラ10に内蔵される。表示装置9は、動画像（ライブビュー画像）の表示、静止画像の表示、記録装置7に記録された動画像や静止画像の表示、デジタルカメラ10の状態の表示などを行う。

制御装置8は、デジタルカメラ10全体の制御を行う。制御装置8の動作は、デジタルカメラ10が内蔵するROMに格納されているプログラムに規定されている。制御装置8は、このプログラムを読み出して、プログラムが規定する内容に従って、各種の制御を行う。

図2は固体撮像装置3の断面構造を示している。固体撮像装置3は、画素を構成する回路要素（光電変換素子や、トランジスタ、容量等）が配置された2枚の基板（第１基板20、第２基板21）が重なった構造を有する。画素を構成する回路要素は第１基板20と第２基板21に分配して配置されている。第１基板20と第２基板21は、画素の駆動時に2枚の基板間で電気信号を授受可能なように電気的に接続されている。

第１基板20の2つの主面（側面よりも相対的に表面積が大きい表面）のうち、光Lが照射される側の主面側に光電変換素子が形成されており、第１基板20に照射された光は光電変換素子に入射する。第１基板20の2つの主面のうち、光Lが照射される側の主面とは反対側の主面には、第２基板21と接続するための接続部250が形成されている。第１基板20に配置されている光電変換素子で発生した信号電荷に基づく信号は、接続部250を介して第２基板21へ出力される。図2に示す例では第１基板20と第２基板21の主面の面積が異なるが、第１基板20と第２基板21の主面の面積が同じであってもよい。

図3は、第１基板20における固体撮像装置3の構成を示している。図3に示すように、固体撮像装置3は、画素部200Aおよび垂直走査回路300Aを備えている。画素部200Aは、2次元の行列状に配列された画素100Aを有する。図3では4行4列に画素100Aが配置されているが、画素の配列はこれに限らず、行数および列数は2以上であればよい。画素100Aの配列は、赤色（R）、緑色（Gr，Gb）、青色（B）に対応した4画素を配列の単位とするベイヤー配列である。画素100Aの色は、画素100A上に配置されるカラーフィルタの色に対応している。例えば、画素100A上にRのカラーフィルタが配置される場合、画素100AはRに対応している。画素100A内の光電変換素子（後述する光電変換素子201，202，203，204）は、画素100A上に配置されたカラーフィルタの色に対応した信号電荷を蓄積する。

垂直走査回路300Aは行単位で画素部200Aの駆動制御を行う。この駆動制御を行うために、垂直走査回路300Aは、行数と同じ数の単位回路301A-1，301A-2，301A-3，301A-4で構成されている。各単位回路301A-i（i=1，2，3，4）は、1行分の画素100Aを制御するための制御信号を、行毎に設けられている信号線110Aへ出力する。信号線110Aは画素100Aに接続されており、単位回路301A-iから出力された制御信号を画素100Aに供給する。図3では、各行に対応する各信号線110Aが1本の線で表現されているが、各信号線110Aは複数の信号線を含む。

図4は、第２基板21における固体撮像装置3の構成を示している。図4に示すように、固体撮像装置3は、画素部200B、垂直走査回路300B、列処理回路350、水平走査回路400、および出力アンプ410，420を備えている。

画素部200Bは、2次元の行列状に配列された画素100Bと、列毎に設けられた電流源130とを有する。図4では4行4列に画素100Bが配置されているが、画素の配列はこれに限らず、行数および列数は2以上であればよい。画素100Bに対応する色の配列は、画素100Aに対応する色の配列と異なっている。具体的には、R，Bのそれぞれに対応する画素100Bが奇数列に配置され、Gr，Gbのそれぞれに対応する画素100Bが偶数列に配置されている。画素部200AではGr，Gbのそれぞれに対応する画素100Aは異なる列に配置されているが、画素部200BではGr，Gbのそれぞれに対応する画素100Bは同一の列に配置されている。これにより、画素部200Bの全体として、同一の色に対応した画素100Bが同一の列に配置されている。画素100Bの色は、画素100Bに蓄積される信号電荷を発生した画素100Aの色に対応している。例えば、Rに対応する画素100Aで発生した信号電荷を蓄積する画素100BはRに対応している。

画素100Bは、列毎に配置された垂直信号線120に接続されている。電流源130は垂直信号線120に接続されており、画素100B内の増幅トランジスタ（後述する第２増幅トランジスタ241，242，243，244）とソースフォロア回路を構成する。

垂直走査回路300Bは行単位で画素部200Bの駆動制御を行う。この駆動制御を行うために、垂直走査回路300Bは、行数と同じ数の単位回路301B-1，301B-2，301B-3，301B-4で構成されている。各単位回路301B-i（i=1，2，3，4）は、1行分の画素100Bを制御するための制御信号を、行毎に設けられている信号線110Bへ出力する。信号線110Bは画素100Bに接続されており、単位回路301B-iから出力された制御信号を画素100Bに供給する。図4では、各行に対応する各信号線110Bが1本の線で表現されているが、各信号線110Bは複数の信号線を含む。制御信号により選択された行の画素100Bの画素信号は垂直信号線120へ出力されるようになっている。

列処理回路350は、垂直信号線120に出力された画素信号に対してノイズ抑圧などの信号処理を行う。奇数列に対応して設けられた列処理回路350には出力チャンネル430（水平信号線、出力信号線）が接続され、偶数列に対応して設けられた列処理回路350には出力チャンネル440（水平信号線、出力信号線）が接続されている。出力チャンネル430には出力アンプ410が接続され、出力チャンネル440には出力アンプ420が接続されている。水平走査回路400は、垂直信号線120に出力されて列処理回路350によって処理された1行分の画素100Bの画素信号を水平方向の並びの順で時系列に出力アンプ410，420へ出力する。出力アンプ410，420は、入力された画素信号を増幅し、画像信号として固体撮像装置3の外部へ出力する。

このように、奇数列の画素100Bから出力された画素信号が入力される出力アンプ410と、偶数列の画素100Bから出力された画素信号が入力される出力アンプ420とが設けられ、同一の色に対応した画素100Bから出力された画素信号は同一の出力アンプに入力される。具体的には、R，Bのそれぞれに対応する画素100Bから出力された画素信号は出力アンプ410に入力され、Gr，Gbのそれぞれに対応する画素100Bから出力された画素信号は出力アンプ420に入力される。このため、出力アンプの特性のばらつきなどにより同一の色に対応する画素信号間で発生するばらつきを抑制し、読み出された画素信号で構成される画像における縦スジの発生を抑制することができる。

本実施形態では列処理回路350、水平走査回路400、出力アンプ410，420が第２基板21に配置されているが、これらが第１基板20に配置されていてもよい。また、列処理回路350、水平走査回路400、出力アンプ410，420のそれぞれを構成する回路要素が第１基板20と第２基板21に分散して配置されていてもよい。

本実施形態では、固体撮像装置3が有する全画素からなる領域を画素信号の読み出し対象領域とするが、固体撮像装置3が有する全画素からなる領域の一部を読み出し対象領域としてもよい。読み出し対象領域は、少なくとも有効画素領域の全画素を含むことが望ましい。また、読み出し対象領域は、有効画素領域の外側に配置されているオプティカルブラック画素（常時遮光されている画素）を含んでもよい。オプティカルブラック画素から読み出した画素信号は、例えば暗電流成分の補正に使用される。

本実施形態では、複数の画素100Aが1つの接続部250を共有すると共に、複数の画素100Bが1つの接続部250を共有する。また、1つの接続部250を共有する複数の画素100Aが同一のグループを構成すると共に、1つの接続部250を共有する複数の画素100Bが同一のグループを構成する。図5は、画素100Aが構成するグループおよび画素100Bが構成するグループの例を示している。図5(a)は、画素100Aが構成するグループを示し、図5(b)は、画素100Bが構成するグループを示している。図5では画素部200A，200Bを構成する画素100A，100Bのうち一部の画素100A，100Bの配列を示しているが、残りの画素100A，100Bの配列も、図5に示す配列と同様である。

図5(a)に示すように第１基板20では、4行1列に配置された4つの画素100Aが1つの接続部250を共有する。具体的には、Bに対応する画素100A-1，100A-3とGrに対応する画素100A-2，100A-4とが接続部250-1を共有する。これらの画素100A-1，100A-2，100A-3，100A-4はグループG1を構成する。また、Gbに対応する画素100A-5，100A-7とRに対応する画素100A-6，100A-8とが接続部250-2を共有する。これらの画素100A-5，100A-6，100A-7，100A-8はグループG2を構成する。

図5(b)に示すように第２基板21では、2行2列に配置された4つの画素100Bが1つの接続部250を共有する。具体的には、Bに対応する画素100B-1，100B-2とGrに対応する画素100B-5，100B-6とが接続部250-1を共有する。これらの画素100B-1，100B-2，100B-5，100B-6はグループG3を構成する。また、Rに対応する画素100B-3，100B-4とGbに対応する画素100B-7，100B-8とが接続部250-2を共有する。これらの画素100B-3，100B-4，100B-7，100B-8はグループG4を構成する。上記のように、第１基板20における2つのグループ内の合計8画素に対して、第２基板21における2つのグループ内の合計8画素がちょうど重なるように、接続部250およびグループの配置が決定される。

グループG1内のそれぞれの画素100AとグループG3内のそれぞれの画素100Bとが対応している。つまり、グループG1内の画素100Aで発生した信号電荷は接続部250-1を介してグループG3内の画素100Bに入力され蓄積される。また、グループG2内のそれぞれの画素100AとグループG4内のそれぞれの画素100Bとが対応している。つまり、グループG2内の画素100Aで発生した信号電荷は接続部250-2を介してグループG4内の画素100Bに入力され蓄積される。垂直走査回路300A，300Bは、グループG1内のそれぞれの画素100AとグループG3内のそれぞれの画素100Bとを対応付けると共に、グループG2内のそれぞれの画素100AとグループG4内のそれぞれの画素100Bとを対応付け、画素100A，100Bを制御する制御信号を生成し、信号線110A，110Bを介して画素100A，100Bへ出力する。

図5(b)に示すように、Bに対応する画素100B-1，100B-2とRに対応する画素100B-3，100B-4とが同一の列に配置され、これらの画素から出力された画素信号（B信号、R信号）は、列処理回路350で処理された後、出力チャンネル430を介して出力アンプ410へ出力される。また、Grに対応する画素100B-5，100B-6とGbに対応する画素100B-7，100B-8とが同一の列に配置され、これらの画素から出力された画素信号（G信号）は、列処理回路350で処理された後、出力チャンネル440を介して出力アンプ420へ出力される。

次に、画素100A，100Bの構成を説明する。図6は、1つの接続部250を共有する4つの画素100Aと4つの画素100Bの回路構成を示している。第１基板20に配置された4つの画素100Aで構成されるグループは、光電変換素子201，202，203，204と、第１転送トランジスタ211，212，213，214と、電荷保持部230（フローティングディフュージョン）と、第１リセットトランジスタ220と、第１増幅トランジスタ240と、電流源280とを有する。第２基板21に配置された4つの画素100Bで構成されるグループは、クランプ容量260と、第２転送トランジスタ271，272，273，274と、第２リセットトランジスタ221，222，223，224と、アナログメモリ231，232，233，234と、第２増幅トランジスタ241，242，243，244と、選択トランジスタ291，292，293，294とを有する。図6に示す各回路要素の配置位置は実際の配置位置と必ずしも一致するわけではない。

図5(a)のグループG1内の画素100Aと図6の各回路要素との対応関係は以下の通りである。画素100A-1は、光電変換素子201と、第１転送トランジスタ211と、電荷保持部230と、第１リセットトランジスタ220と、第１増幅トランジスタ240と、電流源280とを有する。画素100A-2は、光電変換素子202と、第１転送トランジスタ212と、電荷保持部230と、第１リセットトランジスタ220と、第１増幅トランジスタ240と、電流源280とを有する。画素100A-3は、光電変換素子203と、第１転送トランジスタ213と、電荷保持部230と、第１リセットトランジスタ220と、第１増幅トランジスタ240と、電流源280とを有する。画素100A-4は、光電変換素子204と、第１転送トランジスタ214と、電荷保持部230と、第１リセットトランジスタ220と、第１増幅トランジスタ240と、電流源280とを有する。電荷保持部230と、第１リセットトランジスタ220と、第１増幅トランジスタ240と、電流源280とは、4つの画素100Aで共有されている。図5(a)のグループG2内の画素100Aと図6の各回路要素との対応関係も上記と同様である。

図5(b)のグループG3内の画素100Bと図6の各回路要素との対応関係は以下の通りである。画素100B-1は、クランプ容量260と、第２転送トランジスタ271と、第２リセットトランジスタ221と、アナログメモリ231と、第２増幅トランジスタ241と、選択トランジスタ291とを有する。画素100B-5は、クランプ容量260と、第２転送トランジスタ272と、第２リセットトランジスタ222と、アナログメモリ232と、第２増幅トランジスタ242と、選択トランジスタ292とを有する。画素100B-2は、クランプ容量260と、第２転送トランジスタ273と、第２リセットトランジスタ223と、アナログメモリ233と、第２増幅トランジスタ243と、選択トランジスタ293とを有する。画素100B-6は、クランプ容量260と、第２転送トランジスタ274と、第２リセットトランジスタ224と、アナログメモリ234と、第２増幅トランジスタ244と、選択トランジスタ294とを有する。クランプ容量260は4つの画素100Bで共有されている。図5(b)のグループG4内の画素100Bと図6の各回路要素との対応関係も上記と同様である。

光電変換素子201，202，203，204の一端は接地されている。第１転送トランジスタ211，212，213，214のドレイン端子は光電変換素子201，202，203，204の他端に接続されている。第１転送トランジスタ211，212，213，214のゲート端子は垂直走査回路300Aに接続されており、転送パルスΦTX1-1，ΦTX1-2，ΦTX1-3，ΦTX1-4が供給される。

電荷保持部230の一端は第１転送トランジスタ211，212，213，214のソース端子に接続されており、電荷保持部230の他端は接地されている。第１リセットトランジスタ220のドレイン端子は電源電圧VDDに接続されており、第１リセットトランジスタ220のソース端子は第１転送トランジスタ211，212，213，214のソース端子に接続されている。第１リセットトランジスタ220のゲート端子は垂直走査回路300Aに接続されており、リセットパルスΦRST1が供給される。

第１増幅トランジスタ240のドレイン端子は電源電圧VDDに接続されている。第１増幅トランジスタ240の入力部であるゲート端子は第１転送トランジスタ211，212，213，214のソース端子に接続されている。電流源280の一端は第１増幅トランジスタ240のソース端子に接続されており、電流源280の他端は接地されている。一例として、ドレイン端子が第１増幅トランジスタ240のソース端子に接続され、ソース端子が接地され、ゲート端子が垂直走査回路300Aに接続されたトランジスタで電流源280を構成してもよい。クランプ容量260の一端は、接続部250を介して第１増幅トランジスタ240のソース端子および電流源280の一端に接続されている。

第２転送トランジスタ271，272，273，274のドレイン端子はクランプ容量260の他端に接続されている。第２転送トランジスタ271，272，273，274のゲート端子は垂直走査回路300Bに接続されており、転送パルスΦTX2-1，ΦTX2-2，ΦTX2-3，ΦTX2-4が供給される。第２リセットトランジスタ221，222，223，224のドレイン端子は電源電圧VDDに接続されており、第２リセットトランジスタ221，222，223，224のソース端子は第２転送トランジスタ271，272，273，274のソース端子に接続されている。第２リセットトランジスタ221，222，223，224のゲート端子は垂直走査回路300Bに接続されており、リセットパルスΦRST2-1，ΦRST2-2，ΦRST2-3，ΦRST2-4が供給される。

アナログメモリ231，232，233，234の一端は第２転送トランジスタ271，272，273，274のソース端子に接続されており、アナログメモリ231，232，233，234の他端は接地されている。第２増幅トランジスタ241，242，243，244のドレイン端子は電源電圧VDDに接続されている。第２増幅トランジスタ241，242，243，244の入力部を構成するゲート端子は第２転送トランジスタ271，272，273，274のソース端子に接続されている。選択トランジスタ291，292，293，294のドレイン端子は第２増幅トランジスタ241，242，243，244のソース端子に接続されている。選択トランジスタ291，293のソース端子は奇数列の垂直信号線120に接続され、選択トランジスタ292，294のソース端子は偶数列の垂直信号線120に接続されている。選択トランジスタ291，292，293，294のゲート端子は垂直走査回路300Bに接続されており、選択パルスΦSEL1，ΦSEL2，ΦSEL3，ΦSEL4が供給される。上述した各トランジスタに関しては極性を逆にし、ソース端子とドレイン端子を上記と逆にしてもよい。

光電変換素子201，202，203，204は、例えばフォトダイオードであり、入射した光に基づく信号電荷を生成（発生）し、生成（発生）した信号電荷を保持・蓄積する。第１転送トランジスタ211，212，213，214は、光電変換素子201，202，203，204に蓄積された信号電荷を電荷保持部230に転送するトランジスタである。第１転送トランジスタ211，212，213，214のオン／オフは、垂直走査回路300Aからの転送パルスΦTX1-1，ΦTX1-2，ΦTX1-3，ΦTX1-4によって制御される。電荷保持部230は、光電変換素子201，202，203，204から転送された信号電荷を一時的に保持・蓄積する浮遊拡散容量である。

第１リセットトランジスタ220は、電荷保持部230をリセットするトランジスタである。第１リセットトランジスタ220のオン／オフは、垂直走査回路300AからのリセットパルスΦRST1によって制御される。第１リセットトランジスタ220と第１転送トランジスタ211，212，213，214を同時にオンにすることによって、光電変換素子201，202，203，204をリセットすることも可能である。電荷保持部230／光電変換素子201，202，203，204のリセットは、電荷保持部230／光電変換素子201，202，203，204に蓄積されている電荷量を制御して電荷保持部230／光電変換素子201，202，203，204の状態（電位）を基準状態（基準電位、リセットレベル）に設定することである。

第１増幅トランジスタ240は、ゲート端子に入力される、電荷保持部230に蓄積されている信号電荷に基づく信号を増幅した増幅信号をソース端子から出力するトランジスタである。電流源280は、第１増幅トランジスタ240の負荷として機能し、第１増幅トランジスタ240を駆動する電流を第１増幅トランジスタ240に供給する。第１増幅トランジスタ240と電流源280はソースフォロワ回路を構成する。

クランプ容量260は、第１増幅トランジスタ240から出力される増幅信号の電圧レベルをクランプ（固定）する容量である。第２転送トランジスタ271，272，273，274は、クランプ容量260の他端の電圧レベルをサンプルホールドし、アナログメモリ231，232，233，234に蓄積するトランジスタである。第２転送トランジスタ271，272，273，274のオン／オフは、垂直走査回路300Bからの転送パルスΦTX2-1，ΦTX2-2，ΦTX2-3，ΦTX2-4によって制御される。

第２リセットトランジスタ221，222，223，224は、アナログメモリ231，232，233，234をリセットするトランジスタである。第２リセットトランジスタ221，222，223，224のオン／オフは、垂直走査回路300BからのリセットパルスΦRST2-1，ΦRST2-2，ΦRST2-3，ΦRST2-4によって制御される。アナログメモリ231，232，233，234のリセットは、アナログメモリ231，232，233，234に蓄積されている電荷量を制御してアナログメモリ231，232，233，234の状態（電位）を基準状態（基準電位、リセットレベル）に設定することである。アナログメモリ231，232，233，234は、第２転送トランジスタ271，272，273，274によってサンプルホールドされたアナログ信号を保持・蓄積する。

アナログメモリ231，232，233，234の容量は、電荷保持部230の容量よりも大きな容量に設定される。アナログメモリ231，232，233，234には、単位面積当たりのリーク電流（暗電流）の少ない容量であるMIM（Metal Insulator Metal）容量やMOS（Metal Oxide Semiconductor）容量を使用することがより望ましい。これによって、ノイズに対する耐性が向上し、高品質な信号が得られる。

第２増幅トランジスタ241，242，243，244は、ゲート端子に入力される、アナログメモリ231，232，233，234に蓄積されている信号電荷に基づく信号を増幅した増幅信号をソース端子から出力するトランジスタである。第２増幅トランジスタ241，242，243，244と、垂直信号線120に接続された電流源130とはソースフォロワ回路を構成する。選択トランジスタ291，292，293，294は、画素100Bを選択し、第２増幅トランジスタ241，242，243，244の出力を垂直信号線120に伝えるトランジスタである。選択トランジスタ291，292，293，294のオン／オフは、垂直走査回路300Bからの選択パルスΦSEL1，ΦSEL2，ΦSEL3，ΦSEL4によって制御される。

第１基板20と第２基板21の間には、接続部250が配置されている。第１基板20の第１増幅トランジスタ240から出力された増幅信号は、接続部250を介して第２基板21へ出力される。

図6では、接続部250が第１増幅トランジスタ240のソース端子および電流源280の一端とクランプ容量260の一端との間の経路に配置されているが、これに限らない。接続部250は、第１転送トランジスタ211，212，213，214から第２転送トランジスタ271，272，273，274までの電気的に接続された経路上のどこに配置されていてもよい。

例えば、第１転送トランジスタ211，212，213，214のソース端子と、電荷保持部230の一端、第１リセットトランジスタ220のソース端子、および第１増幅トランジスタ240のゲート端子との間の経路に接続部250が配置されていてもよい。あるいは、クランプ容量260の他端と、第２転送トランジスタ271，272，273，274のドレイン端子との間の経路に接続部250が配置されていてもよい。

次に、図7を参照し、画素100Aおよび画素100Bの動作を説明する。図7は、垂直走査回路300A，300Bから行毎に画素100A，100Bに供給される制御信号を示している。以下では、図6に示した4つの画素100Aで構成されるグループおよび4つの画素100Bで構成されるグループの単位で動作を説明する。

［期間T1の動作］
まず、リセットパルスΦRST1が“L”（Low）レベルから“H”（High）レベルに変化することで、第１リセットトランジスタ220がオンとなる。同時に、転送パルスΦTX1-1が“L”レベルから“H”レベルに変化することで、第１転送トランジスタ211がオンとなる。これによって、光電変換素子201がリセットされる。

続いて、リセットパルスΦRST1および転送パルスΦTX1-1が“H”レベルから“L”レベルに変化することで、第１リセットトランジスタ220および第１転送トランジスタ211がオフとなる。これによって、光電変換素子201のリセットが終了し、露光（信号電荷の蓄積）が開始される。上記と同様にして、光電変換素子202，203，204が順にリセットされ、露光が開始される。図7では、転送パルスΦTX1-1，ΦTX1-2，ΦTX1-3，ΦTX1-4が“H”レベルになるタイミングでリセットパルスΦRST1が“H”レベルになっているが、光電変換素子201，202，203，204をリセットする期間中、リセットパルスΦRST1が常に“H”レベルであってもよい。

［期間T2の動作］
続いて、リセットパルスΦRST2-1が“L”レベルから“H”レベルに変化することで、第２リセットトランジスタ221がオンとなる。これによって、アナログメモリ231がリセットされる。同時に、転送パルスΦTX2-1が“L”レベルから“H”レベルに変化することで、第２転送トランジスタ271がオンとなる。これによって、クランプ容量260の他端の電位が電源電圧VDDにリセットされると共に、第２転送トランジスタ271がクランプ容量260の他端の電位のサンプルホールドを開始する。

続いて、リセットパルスΦRST1が“L”レベルから“H”レベルに変化することで、第１リセットトランジスタ220がオンとなる。これによって、電荷保持部230がリセットされる。続いて、リセットパルスΦRST1が“H”レベルから“L”レベルに変化することで、第１リセットトランジスタ220がオフとなる。これによって、電荷保持部230のリセットが終了する。電荷保持部230のリセットを行うタイミングは露光期間中であればよいが、露光期間の終了直前のタイミングで電荷保持部230のリセットを行うことによって、電荷保持部230のリーク電流によるノイズをより低減することができる。

続いて、リセットパルスΦRST2-1が“H”レベルから“L”レベルに変化することで、第２リセットトランジスタ221がオフとなる。これによって、アナログメモリ231のリセットが終了する。この時点でクランプ容量260は、第１増幅トランジスタ240から出力される増幅信号（電荷保持部230のリセット後の増幅信号）をクランプしている。

［期間T3の動作］
まず、転送パルスΦTX1-1が“L”レベルから“H”レベルに変化することで、第１転送トランジスタ211がオンとなる。これによって、光電変換素子201に蓄積されている信号電荷が、第１転送トランジスタ211を介して電荷保持部230に転送され、電荷保持部230に蓄積される。これによって、露光（信号電荷の蓄積）が終了する。期間T1における露光開始から期間T3における露光終了までの期間が露光期間（信号蓄積期間）である。続いて、転送パルスΦTX1-1が“H”レベルから“L”レベルに変化することで、第１転送トランジスタ211がオフとなる。

続いて、転送パルスΦTX2-1が“H”レベルから“L”レベルに変化することで、第２転送トランジスタ271がオフとなる。これによって、第２転送トランジスタ271がクランプ容量260の他端の電位のサンプルホールドを終了する。

［期間T4の動作］
上述した期間T2，T3の動作は、1つのグループを構成する4つの画素100Aのうち1つの画素100Aの動作である。期間T4では、残りの3つの画素100Aについて、期間T2，T3の動作と同様の動作が行われる。各画素の露光期間の長さを同一とすることがより望ましい。

以下では、アナログメモリ231の一端の電位の変化について説明する。アナログメモリ232，233，234の一端の電位の変化についても同様である。電荷保持部230のリセットが終了した後に光電変換素子201から電荷保持部230に信号電荷が転送されることによる電荷保持部230の一端の電位の変化をΔVfd、第１増幅トランジスタ240のゲインをα1とすると、光電変換素子201から電荷保持部230に信号電荷が転送されることによる第１増幅トランジスタ240のソース端子の電位の変化ΔVamp1はα1×ΔVfdとなる。

アナログメモリ231と第２転送トランジスタ271の合計のゲインをα2とすると、光電変換素子201から電荷保持部230に信号電荷が転送された後の第２転送トランジスタ271のサンプルホールドによるアナログメモリ231の一端の電位の変化ΔVmemはα2×ΔVamp1、すなわちα1×α2×ΔVfdとなる。アナログメモリ231のリセットが終了した時点のアナログメモリ231の一端の電位は電源電圧VDDであるため、光電変換素子201から電荷保持部230に信号電荷が転送された後、第２転送トランジスタ271によってサンプルホールドされたアナログメモリ231の一端の電位Vmemは以下の（１）式となる。（１）式において、ΔVmem<0、ΔVfd<0である。
Vmem＝VDD＋ΔVmem
＝VDD＋α1×α2×ΔVfd ・・・（１）

また、α2は以下の（２）式となる。（２）式において、CLはクランプ容量260の容量値であり、CSHはアナログメモリ231の容量値である。ゲインの低下をより小さくするため、クランプ容量260の容量CLはアナログメモリ231の容量CSHよりも大きいことがより望ましい。

［期間T5の動作］
期間T5，T6では、アナログメモリ231，232，233，234に蓄積されている信号電荷に基づく信号が2行単位で順次読み出される。まず、期間T5では、1つのグループを構成する4つの画素100Bのうち同一行に配置された2つの画素100Bからの信号の読み出しが行われる。選択パルスΦSEL1，ΦSEL2が“L”レベルから“H”レベルに変化することで、選択トランジスタ291，292がオンとなる。これによって、（１）式に示した電位Vmemに基づく信号が選択トランジスタ291，292を介して垂直信号線120へ出力される。

続いて、リセットパルスΦRST2-1，ΦRST2-2が“L”レベルから“H”レベルに変化することで、第２リセットトランジスタ221，222がオンとなる。これによって、アナログメモリ231，232がリセットされ、リセット時のアナログメモリ231，232の一端の電位に基づく信号が選択トランジスタ291，292を介して垂直信号線120へ出力される。

続いて、リセットパルスΦRST2-1，ΦRST2-2が“H”レベルから“L”レベルに変化することで、第２リセットトランジスタ221，222がオフとなる。続いて、選択パルスΦSEL1，ΦSEL2が“H”レベルから“L”レベルに変化することで、選択トランジスタ291，292がオフとなる。

列処理回路350は、（１）式に示した電位Vmemに基づく信号と、アナログメモリ231，232をリセットしたときのアナログメモリ231，232の一端の電位に基づく信号との差分をとった差分信号を生成する。この差分信号は、（１）式に示した電位Vmemと電源電圧VDDとの差分に基づく信号であり、光電変換素子201，202に蓄積された信号電荷が電荷保持部230に転送された直後の電荷保持部230の一端の電位と、電荷保持部230の一端がリセットされた直後の電荷保持部230の電位との差分ΔVfdに基づく信号である。したがって、アナログメモリ231，232をリセットすることによるノイズ成分と、電荷保持部230をリセットすることによるノイズ成分とを抑圧した、光電変換素子201，202に蓄積された信号電荷に基づく信号成分を得ることができる。

列処理回路350から出力された信号は、水平走査回路400によって、出力チャンネル430，440を介して出力アンプ410，420へ出力される。出力アンプ410，420は、入力された信号を処理し、画像信号として出力する。以上で、1つのグループを構成する4つの画素100Bのうち同一行に配置された2つの画素100Bからの信号の読み出しが終了する。

［期間T6の動作］
続いて、残りの2つの画素100Bについて、期間T5における画素100Bの動作と同様の動作が行われる。

上記の動作では、光電変換素子201，202，203，204から電荷保持部230に転送された信号電荷を電荷保持部230が各画素100Aの読み出しタイミングまで保持していなければならない。電荷保持部230が信号電荷を保持している期間中にノイズが発生すると、電荷保持部230が保持している信号電荷にノイズが重畳され、信号品質（S/N）が劣化する。

電荷保持部230が信号電荷を保持している期間（以下、保持期間と記載）中に発生するノイズの主な要因は、電荷保持部230のリーク電流による電荷（以下、リーク電荷と記載）と、光電変換素子201，202，203，204以外の部分に入射する光に起因する電荷（以下、光電荷と記載）である。単位時間に発生するリーク電荷と光電荷をそれぞれqid、qpnとし、保持期間の長さをtcとすると、保持期間中に発生するノイズ電荷Qnは（qid＋qpn）tcとなる。

電荷保持部230の容量をCfd、アナログメモリ231，232，233，234の容量をCmemとし、CfdとCmemの比（Cmem/Cfd）をAとする。また、前述したように、第１増幅トランジスタ240のゲインをα1、アナログメモリ231，232，233，234と第２転送トランジスタ271，272，273，274の合計のゲインをα2とする。露光期間中に光電変換素子201，202，203，204で発生した信号電荷をQphとすると、露光期間の終了後にアナログメモリ231，232，233，234に保持される信号電荷はA×α1×α2×Qphとなる。

光電変換素子201，202，203，204から電荷保持部230に転送された信号電荷に基づく信号は第２転送トランジスタ271，272，273，274によってサンプルホールドされ、アナログメモリ231，232，233，234に格納される。したがって、電荷保持部230に信号電荷が転送されてからアナログメモリ231，232，233，234に信号電荷が格納されるまでの時間は短く、電荷保持部230で発生したノイズは無視することができる。アナログメモリ231，232，233，234が信号電荷を保持している期間に発生するノイズを上記と同じQnと仮定すると、S/NはA×α1×α2×Qph/Qnとなる。

一方、特許文献2に記載された従来技術のように、容量蓄積部に保持された信号電荷を、増幅トランジスタを介して画素から読み出す場合のS/NはQph/Qnとなる。したがって、本実施形態のS/Nは従来技術のS/NのA×α1×α2倍となる。A×α1×α2が1よりも大きくなるようにアナログメモリ231，232，233，234の容量値を設定する（例えば、アナログメモリ231，232，233，234の容量値を電荷保持部230の容量値よりも十分大きくする）ことによって、信号品質の劣化を低減することができる。

本実施形態では、画素100Aで構成されるグループに関しては、垂直方向の位置（以下、垂直位置と記載）によらず各グループの動作のタイミングは同一である。また、画素100Bで構成されるグループに関しては、垂直位置が異なる各グループの動作のタイミングは、動作の期間毎に応じたタイミングとなる。図8は、画素100A，100Bがn行に配置されている場合のグループ単位の動作のタイミングを模式的に示している。図8の垂直方向の位置が画素100A，100Bの配列における垂直位置すなわち行位置を示し、水平方向の位置が時間位置を示している。

リセット期間は図7の期間T1に相当し、信号転送期間は図7の期間T2，T3，T4に相当し、読み出し期間は図7の期間T5，T6に相当する。画素100Aで構成されるグループに関しては、垂直位置によらず各グループのリセット期間および信号転送期間は同一である。一方、画素100Bで構成されるグループに関しては、垂直位置が異なる各グループの信号転送期間は同一であるが読み出し期間は異なる。上述した動作では、同一のグループ内の画素毎に露光のタイミングが異なるが、複数のグループの全体では露光の同時性を実現することができる。

次に、本実施形態の変形例を説明する。本実施形態では、第１基板20において4行1列に配置された4つの画素100Aが1つのグループを構成するが、グループを構成する画素100Aの配列はこれに限らない。また、本実施形態では、第２基板21において2行2列に配置された4つの画素100Bが1つのグループを構成するが、グループを構成する画素100Bの配列はこれに限らず、同一の色に対応した画素100Aの光電変換素子で発生した信号電荷が、同一の列に配置された画素100Bのアナログメモリに蓄積されるように画素100Bのグループが決定されていればよい。

図9は、画素100Aが構成するグループおよび画素100Bが構成するグループの他の例を示している。図9(a)は、画素100Aが構成するグループを示し、図9(b)は、画素100Bが構成するグループを示している。図9では画素部200A，200Bを構成する画素100A，100Bのうち一部の画素100A，100Bの配列を示しているが、残りの画素100A，100Bの配列も、図9に示す配列と同様である。

図9(a)に示すように第１基板20では、2行2列に配置された4つの画素100Aが1つの接続部250を共有する。具体的には、Bに対応する画素100A-11とGrに対応する画素100A-12とGbに対応する画素100A-15とRに対応する画素100A-16とが接続部250-1を共有する。これらの画素100A-11，100A-12，100A-15，100A-16はグループG11を構成する。また、Bに対応する画素100A-13とGrに対応する画素100A-14とGbに対応する画素100A-17とRに対応する画素100A-18とが接続部250-2を共有する。これらの画素100A-13，100A-14，100A-17，100A-18はグループG12を構成する。

図9(b)に示すように第２基板21では、2行2列に配置された4つの画素100Bが1つの接続部250を共有する。具体的には、Bに対応する画素100B-11とRに対応する画素100B-12とGbに対応する画素100B-15とGrに対応する画素100B-16とが接続部250-1を共有する。これらの画素100B-11，100B-12，100B-15，100B-16はグループG13を構成する。また、Bに対応する画素100B-13とRに対応する画素100B-14とGbに対応する画素100B-17とGrに対応する画素100B-18とが接続部250-2を共有する。これらの画素100B-13，100B-14，100B-17，100B-18はグループG14を構成する。上記のように、第１基板20における1つのグループ内の合計4画素に対して、第２基板21における1つのグループ内の合計4画素がちょうど重なるように、接続部250およびグループの配置が決定される。

グループG11内のそれぞれの画素100AとグループG13内のそれぞれの画素100Bとが対応している。つまり、グループG11内の画素100Aで発生した信号電荷は接続部250-1を介してグループG13内の画素100Bに入力され蓄積される。また、グループG12内のそれぞれの画素100AとグループG14内のそれぞれの画素100Bとが対応している。つまり、グループG12内の画素100Aで発生した信号電荷は接続部250-2を介してグループG14内の画素100Bに入力され蓄積される。垂直走査回路300A，300Bは、グループG11内のそれぞれの画素100AとグループG13内のそれぞれの画素100Bとを対応付けると共に、グループG12内のそれぞれの画素100AとグループG14内のそれぞれの画素100Bとを対応付け、画素100A，100Bを制御する制御信号を生成し、信号線110A，110Bを介して画素100A，100Bへ出力する。

図9(b)に示すように、Bに対応する画素100B-11，100B-13とRに対応する画素100B-12，100B-14とが同一の列に配置され、これらの画素から出力された画素信号（B信号、R信号）は、列処理回路350で処理された後、出力チャンネル430を介して出力アンプ410へ出力される。また、Gbに対応する画素100B-15，100B-17とGrに対応する画素100B-16，100B-18とが同一の列に配置され、これらの画素から出力された画素信号（G信号）は、列処理回路350で処理された後、出力チャンネル440を介して出力アンプ420へ出力される。

上述したように、本実施形態では、第２基板21において、同一の色に対応する2以上の画素100Bが同一の列に配置されている。あるいは、第２基板21において、複数の画素100Aに対応する色の配列と複数の画素100Bに対応する色の配列とが異なる。あるいは、同一の色に対応する複数の画素100Aのそれぞれの光電変換素子により生成された信号（色信号）が、同一の垂直信号線120に接続された複数のアナログメモリ（信号蓄積回路）のそれぞれに蓄積される。

固体撮像装置をこのように構成することによって、画素信号を読み出す過程で同一の色に対応する画素信号間で発生するばらつきを抑制することができる。したがって、読み出された画素信号で構成される画像に発生する縦スジを抑制することができる。特に、人間の目が他の色よりも高い感度を有する緑色（Gr，Gb）に関して、画素信号を読み出す過程で画素信号間に発生するばらつきを抑制し、読み出された画素信号で構成される画像に発生する縦スジを抑制することができる。

また、複数の画素間で一部の回路要素を共有しているため、複数の画素間で回路要素を共有しない場合と比較して、チップ面積を低減することができる。さらに、複数の画素間で第１増幅トランジスタ240および電流源280を共有しているため、同時に動作する電流源の数を抑えることができる。このため、多数の電流源が同時に動作することによる電源電圧の電圧降下やGND（グランド）電圧の上昇等の発生を低減することができる。

また、画素の全ての回路要素を1枚の基板に配置する場合と比較して、第１基板20の光電変換素子の面積を大きくすることが可能となるため、感度が向上する。さらに、アナログメモリを用いることによって、第２基板21に設ける信号蓄積用の領域の面積を小さくすることができる。

また、アナログメモリ231，232，233，234を設けたことによって、信号品質の劣化を低減することができる。特に、アナログメモリの容量値を電荷保持部の容量値よりも大きくする（例えば、アナログメモリの容量値を電荷保持部の容量値の5倍以上にする）ことによって、アナログメモリが保持する信号電荷が、電荷保持部が保持する信号電荷よりも大きくなる。このため、アナログメモリのリーク電流による信号劣化の影響を小さくすることができる。

また、クランプ容量260および第２転送トランジスタ271，272，273，274を設けることによって、第１基板20で発生するノイズの影響を低減することができる。第１基板20で発生するノイズには、第１増幅トランジスタ240に接続される回路（例えば第１リセットトランジスタ220）の動作に由来して第１増幅トランジスタ240の入力部で発生するノイズ（例えばリセットノイズ）や、第１増幅トランジスタ240の動作特性に由来するノイズ（例えば第１増幅トランジスタ240の回路閾値のばらつきによるノイズ）等がある。

また、アナログメモリ231，232，233，234をリセットしたときの信号と、光電変換素子201，202，203，204から電荷保持部230へ信号電荷を転送することによって発生する第１増幅トランジスタ240の出力の変動に応じた信号とを時分割で画素100Bから出力し、画素100Bの外部で各信号の差分処理を行うことによって、第２基板21で発生するノイズの影響を低減することができる。第２基板21で発生するノイズには、第２増幅トランジスタ241，242，243，244に接続される回路（例えば第２リセットトランジスタ221，222，223，224）の動作に由来して第２増幅トランジスタ241，242，243，244の入力部で発生するノイズ（例えばリセットノイズ）等がある。

本発明に係る第１の画素は例えば画素100Aに対応する。本発明に係る第２の画素は例えば画素100Bに対応する。本発明に係る信号蓄積回路は例えばアナログメモリ231，232，233，234に対応する。本発明に係る出力回路は例えば選択トランジスタ291，292，293，294に対応する。本発明に係る制御部は例えば垂直走査回路300A，300Bに対応する。

以上、図面を参照して本発明の実施形態について詳述してきたが、具体的な構成は上記の実施形態に限られるものではなく、本発明の要旨を逸脱しない範囲の設計変更等も含まれる。上記では、2枚の基板が接続部で接続されている固体撮像装置の構成を示したが、3枚以上の基板が接続部で接続されていてもよい。3枚以上の基板が接続部で接続される固体撮像装置の場合、3枚以上の基板のうち2枚の基板が第１の基板と第２の基板に相当する。

例えば、本発明の一態様に係る固体撮像装置は、
「第１の基板と第２の基板とが電気的に接続されている固体撮像装置であって、
前記第１の基板は、行列状に配置された複数の第１の画素を備え、
前記第２の基板は、行列状に配置された複数の第２の画素を備え、
前記複数の第１の画素のそれぞれは、第１〜第ｎ（ｎは２以上の整数）の色のうちいずれかの色に対応する色信号を生成する光電変換手段を有し、
前記複数の第２の画素のそれぞれは、
前記光電変換手段により生成された色信号を蓄積する信号蓄積手段と、
前記信号蓄積手段に蓄積された色信号を前記第２の画素の外部に出力する出力手段と、
を有し、
第ｍ（ｍは１〜ｎのいずれかの整数）の色に対応する色信号を生成する前記光電変換手段を有する前記第１の画素が、第ｍの色に対応する前記第１の画素であって、
第ｍ（ｍは１〜ｎのいずれか）の色に対応する色信号を蓄積する前記信号蓄積手段を有する前記第２の画素が、第ｍの色に対応する前記第２の画素であって、
前記第２の基板において、同一の色に対応する２以上の前記第２の画素が同一の列に配置されていることを特徴とする固体撮像装置。」
であってもよい。

例えば、本発明の一態様に係る固体撮像装置は、
「第１の基板と第２の基板とが電気的に接続されている固体撮像装置であって、
前記第１の基板は、行列状に配置された複数の第１の画素を備え、
前記第２の基板は、行列状に配置された複数の第２の画素を備え、
前記複数の第１の画素のそれぞれは、第１〜第ｎ（ｎは２以上の整数）の色のうちいずれかの色に対応する色信号を生成する光電変換手段を有し、
前記複数の第２の画素のそれぞれは、
前記光電変換手段により生成された色信号を蓄積する信号蓄積手段と、
前記信号蓄積手段に蓄積された色信号を前記第２の画素の外部に出力する出力手段と、
を有し、
第ｍ（ｍは１〜ｎのいずれかの整数）の色に対応する色信号を生成する前記光電変換手段を有する前記第１の画素が、第ｍの色に対応する前記第１の画素であって、
第ｍ（ｍは１〜ｎのいずれか）の色に対応する色信号を蓄積する前記信号蓄積手段を有する前記第２の画素が、第ｍの色に対応する前記第２の画素であって、
前記複数の第１の画素に対応する色の配列と前記複数の第２の画素に対応する色の配列とが異なることを特徴とする固体撮像装置。」
であってもよい。

例えば、本発明の一態様に係る固体撮像装置は、
「第１の基板と第２の基板とが電気的に接続されている固体撮像装置であって、
前記第１の基板は、行列状に配置された複数の第１の画素を備え、
前記第２の基板は、行列状に配置された複数の第２の画素と、列毎に設けられた垂直信号線とを備え、
前記複数の第１の画素のそれぞれは、第１〜第ｎ（ｎは２以上の整数）の色のうちいずれかの色に対応する色信号を生成する光電変換手段を有し、
前記複数の第２の画素のそれぞれは、
前記垂直信号線に接続され、前記光電変換手段により生成された色信号を蓄積する信号蓄積手段と、
前記信号蓄積手段に蓄積された色信号を前記第２の画素の外部に出力する出力手段と、
を有し、
第ｍ（ｍは１〜ｎのいずれかの整数）の色に対応する色信号を生成する前記光電変換手段を有する前記第１の画素が、第ｍの色に対応する前記第１の画素であって、
同一の色に対応する複数の前記第１の画素のそれぞれの前記光電変換手段により生成された色信号が、同一の前記垂直信号線に接続された複数の前記信号蓄積手段のそれぞれに蓄積されることを特徴とする固体撮像装置。」
であってもよい。

例えば、本発明の一態様に係る撮像装置は、
「第１の基板と第２の基板とが電気的に接続されている撮像装置であって、
前記第１の基板は、行列状に配置された複数の第１の画素を備え、
前記第２の基板は、行列状に配置された複数の第２の画素を備え、
前記複数の第１の画素のそれぞれは、第１〜第ｎ（ｎは２以上の整数）の色のうちいずれかの色に対応する色信号を生成する光電変換手段を有し、
前記複数の第２の画素のそれぞれは、
前記光電変換手段により生成された色信号を蓄積する信号蓄積手段と、
前記信号蓄積手段に蓄積された色信号を前記第２の画素の外部に出力する出力手段と、
を有し、
第ｍ（ｍは１〜ｎのいずれかの整数）の色に対応する色信号を生成する前記光電変換手段を有する前記第１の画素が、第ｍの色に対応する前記第１の画素であって、
第ｍ（ｍは１〜ｎのいずれか）の色に対応する色信号を蓄積する前記信号蓄積手段を有する前記第２の画素が、第ｍの色に対応する前記第２の画素であって、
前記第２の基板において、同一の色に対応する２以上の前記第２の画素が同一の列に配置されていることを特徴とする撮像装置。」
であってもよい。

例えば、本発明の一態様に係る撮像装置は、
「第１の基板と第２の基板とが電気的に接続されている撮像装置であって、
前記第１の基板は、行列状に配置された複数の第１の画素を備え、
前記第２の基板は、行列状に配置された複数の第２の画素を備え、
前記複数の第１の画素のそれぞれは、第１〜第ｎ（ｎは２以上の整数）の色のうちいずれかの色に対応する色信号を生成する光電変換手段を有し、
前記複数の第２の画素のそれぞれは、
前記光電変換手段により生成された色信号を蓄積する信号蓄積手段と、
前記信号蓄積手段に蓄積された色信号を前記第２の画素の外部に出力する出力手段と、
を有し、
第ｍ（ｍは１〜ｎのいずれかの整数）の色に対応する色信号を生成する前記光電変換手段を有する前記第１の画素が、第ｍの色に対応する前記第１の画素であって、
第ｍ（ｍは１〜ｎのいずれか）の色に対応する色信号を蓄積する前記信号蓄積手段を有する前記第２の画素が、第ｍの色に対応する前記第２の画素であって、
前記複数の第１の画素に対応する色の配列と前記複数の第２の画素に対応する色の配列とが異なることを特徴とする撮像装置。」
であってもよい。

例えば、本発明の一態様に係る撮像装置は、
「第１の基板と第２の基板とが電気的に接続されている撮像装置であって、
前記第１の基板は、行列状に配置された複数の第１の画素を備え、
前記第２の基板は、行列状に配置された複数の第２の画素と、列毎に設けられた垂直信号線とを備え、
前記複数の第１の画素のそれぞれは、第１〜第ｎ（ｎは２以上の整数）の色のうちいずれかの色に対応する色信号を生成する光電変換手段を有し、
前記複数の第２の画素のそれぞれは、
前記垂直信号線に接続され、前記光電変換手段により生成された色信号を蓄積する信号蓄積手段と、
前記信号蓄積手段に蓄積された色信号を前記第２の画素の外部に出力する出力手段と、
を有し、
第ｍ（ｍは１〜ｎのいずれかの整数）の色に対応する色信号を生成する前記光電変換手段を有する前記第１の画素が、第ｍの色に対応する前記第１の画素であって、
同一の色に対応する複数の前記第１の画素のそれぞれの前記光電変換手段により生成された色信号が、同一の前記垂直信号線に接続された複数の前記信号蓄積手段のそれぞれに蓄積されることを特徴とする撮像装置。」
であってもよい。

上述した各構成要素や各処理プロセスの任意の組合せを実現するコンピュータプログラムプロダクトも本発明の態様として有効である。コンピュータプログラムプロダクトとは、プログラムコードが記録された記録媒体（ＤＶＤ媒体，ハードディスク媒体、メモリ媒体など）、プログラムコードが記録されたコンピュータ、プログラムコードが記録されたインターネットシステム（例えば、サーバとクライアント端末を含むシステム）など、プログラムコードが組み込まれた記録媒体、装置、機器やシステムをいう。この場合、上述した各構成要素や各処理プロセスは各モジュールで実装され、その実装されたモジュールからなるプログラムコードがコンピュータプログラムプロダクト内に記録される。

例えば、本発明の一態様に係るコンピュータプログラムプロダクトは、
「第１の基板と第２の基板とが電気的に接続され、
前記第１の基板は、行列状に配置された複数の第１の画素を備え、
前記第２の基板は、行列状に配置された複数の第２の画素を備え、
前記複数の第１の画素のそれぞれは、第１〜第ｎ（ｎは２以上の整数）の色のうちいずれかの色に対応する色信号を生成する光電変換素子を有し、
前記複数の第２の画素のそれぞれは、
前記光電変換素子により生成された色信号を蓄積する信号蓄積回路と、
前記信号蓄積回路に蓄積された色信号を前記第２の画素の外部に出力する出力回路と、
を有し、
第ｍ（ｍは１〜ｎのいずれかの整数）の色に対応する色信号を生成する前記光電変換素子を有する前記第１の画素が、第ｍの色に対応する前記第１の画素であって、第ｍ（ｍは１〜ｎのいずれか）の色に対応する色信号を蓄積する前記信号蓄積回路を有する前記第２の画素が、第ｍの色に対応する前記第２の画素であって、
前記第１の基板において、第１〜第ｎの色のうち所定の色に対応する２以上の前記第１の画素が異なる列に配置され、
前記第２の基板において、前記所定の色に対応する２以上の前記第２の画素が同一の列に配置されている固体撮像装置の前記画素から信号を読み出す処理をコンピュータに実行させるためのプログラムコードが記録されたコンピュータプログラムプロダクトであって、
前記光電変換素子が色信号を生成するモジュールと、
前記所定の色に対応する複数の前記第１の画素のそれぞれの前記光電変換素子により生成された色信号が、同一の列に配置された複数の前記第２の画素のそれぞれの前記信号蓄積回路に蓄積されるよう、前記光電変換素子により生成された色信号を前記信号蓄積回路に蓄積するモジュールと、
前記信号蓄積回路に蓄積された色信号を、前記出力回路を介して前記第２の画素の外部に出力するモジュールと、
を含むプログラムコードが記録されたコンピュータプログラムプロダクト。」
であってもよい。

上述した実施形態による各構成要素や各処理プロセスの任意の組合せを実現するためのプログラムも本発明の態様として有効である。このプログラムを、コンピュータ読み取り可能な記録媒体に記録して、この記録媒体に記録されたプログラムをコンピュータに読み込ませ、実行させることで、本発明の目的を達成することができる。

ここで、「コンピュータ」は、ＷＷＷシステムを利用している場合であれば、ホームページ提供環境（あるいは表示環境）も含むものとする。また、「コンピュータ読み取り可能な記録媒体」とは、フレキシブルディスク、光磁気ディスク、ＲＯＭ、ＣＤ−ＲＯＭ等の可搬媒体、コンピュータに内蔵されるハードディスク等の記憶装置のことをいう。さらに「コンピュータ読み取り可能な記録媒体」とは、インターネット等のネットワークや電話回線等の通信回線を介してプログラムが送信された場合のサーバやクライアントとなるコンピュータシステム内部の揮発性メモリ（ＲＡＭ）のように、一定時間プログラムを保持しているものも含むものとする。

また、上述したプログラムは、このプログラムを記憶装置等に格納したコンピュータから、伝送媒体を介して、あるいは伝送媒体中の伝送波により他のコンピュータに伝送されてもよい。ここで、プログラムを伝送する「伝送媒体」は、インターネット等のネットワーク（通信網）や電話回線等の通信回線（通信線）のように、情報を伝送する機能を有する媒体のことをいう。また、上述したプログラムは、前述した機能の一部を実現するためのものであってもよい。さらに、前述した機能を、コンピュータに既に記録されているプログラムとの組合せで実現できるもの、いわゆる差分ファイル（差分プログラム）であってもよい。

以上、本発明の好ましい実施形態を説明したが、上述した各構成要素や各処理プロセスとして、色々な代替物、変形物、等価物を用いることができる。本明細書に開示された実施形態において、１または複数の機能を実行するために、１つの部品を複数の部品と置き換えてもよいし、複数の部品を１つの部品で置き換えてもよい。このような置換が、本発明の目的を達成するために適切に作用しない場合を除き、このような置換は、本発明の範囲内である。したがって、本発明の範囲は、上記の説明を参照して決められるものではなく、請求項により決められるべきであり、均等物の全範囲も含まれる。請求項において、明示的に断らない限り、各構成要素は１またはそれ以上の数量である。請求項において「〜のための手段」のような語句を用いて明示的に記載する場合を除いて、請求項がミーンズ・プラス・ファンクションの限定を含むものと解してはならない。

本明細書に使用される用語は特定の実施形態を説明することのみを目的としており、本発明を制限しようとするものではない。本明細書においては、単数形で用語が使用されている場合でも、複数形を排除することが文脈で明確に示されていない限り、その用語は複数形をも同様に含む。

以上、図面を参照して本発明の実施形態について詳述してきたが、具体的な構成は上記の実施形態に限られるものではなく、本発明の要旨を逸脱しない範囲の設計変更等も含まれる。

1・・・レンズ部、2・・・レンズ制御装置、3・・・固体撮像装置、4・・・駆動回路、5・・・メモリ、6・・・信号処理回路、7・・・記録装置、8・・・制御装置、9・・・表示装置、100A，100B・・・画素、130，280・・・電流源、200A，200B・・・画素部、201，202，203，204・・・光電変換素子、211，212，213，214・・・第１転送トランジスタ、220・・・第１リセットトランジスタ、221，222，223，224・・・第２リセットトランジスタ、230・・・電荷保持部、231，232，233，234・・・アナログメモリ、240・・・第１増幅トランジスタ、241，242，243，244・・・第２増幅トランジスタ、250・・・接続部、251，253マイクロパッド、252・・・マイクロバンプ、260・・・クランプ容量、271，272，273，274・・・第２転送トランジスタ、291，292，293，294・・・選択トランジスタ、300A，300B・・・垂直走査回路、350・・・列処理回路、400・・・水平走査回路、410，420・・・出力アンプ、430，440・・・出力チャンネル

Claims (18)

1. 第１の基板と第２の基板とが電気的に接続されている固体撮像装置であって、
   前記第１の基板は、行列状に配置された複数の第１の画素を備え、
   前記第２の基板は、行列状に配置された複数の第２の画素を備え、
   前記複数の第１の画素のそれぞれは、第１〜第ｎ（ｎは２以上の整数）の色のうちいずれかの色に対応する色信号を生成する光電変換素子を有し、
   前記複数の第２の画素のそれぞれは、
   前記光電変換素子により生成された色信号を蓄積する信号蓄積回路と、
   前記信号蓄積回路に蓄積された色信号を前記第２の画素の外部に出力する出力回路と、
   を有し、
   第ｍ（ｍは１〜ｎのいずれかの整数）の色に対応する色信号を生成する前記光電変換素子を有する前記第１の画素が、第ｍの色に対応する前記第１の画素であって、
   第ｍ（ｍは１〜ｎのいずれか）の色に対応する色信号を蓄積する前記信号蓄積回路を有する前記第２の画素が、第ｍの色に対応する前記第２の画素であって、
   前記第２の基板において、同一の色に対応する２以上の前記第２の画素が同一の列に配置されていることを特徴とする固体撮像装置。
2. 前記第１の基板において、第１〜第ｎの色のうち所定の色に対応する２以上の前記第１の画素が異なる列に配置され、
   前記第２の基板において、前記所定の色に対応する２以上の前記第２の画素が同一の列に配置されていることを特徴とする請求項１に記載の固体撮像装置。
3. 前記所定の色に対応する複数の前記第１の画素のそれぞれの前記光電変換素子により生成された色信号が、同一の列に配置された複数の前記第２の画素のそれぞれの前記信号蓄積回路に蓄積されることを特徴とする請求項２に記載の固体撮像装置。
4. 前記所定の色に対応する複数の前記第１の画素のそれぞれの前記光電変換素子により生成された色信号を、同一の列に配置された複数の前記第２の画素のそれぞれの前記信号蓄積回路に転送する制御を行う制御部をさらに備えることを特徴とする請求項２に記載の固体撮像装置。
5. 前記第２の画素の列毎に設けられ、前記信号蓄積回路に蓄積された色信号が出力される垂直信号線と、
   前記垂直信号線に出力された色信号を当該固体撮像装置の外部へ出力する複数の出力チャンネルと、
   をさらに備えることを特徴とする請求項２に記載の固体撮像装置。
6. 前記第２の画素内の前記信号蓄積回路に蓄積された色信号は、当該第２の画素の列に設けられた前記垂直信号線に出力され、
   前記垂直信号線に出力された色信号のうち前記所定の色の色信号がいずれかの前記出力チャンネルに出力される一方、前記所定の色以外の色の色信号が他の前記出力チャンネルに出力されることを特徴とする請求項５に記載の固体撮像装置。
7. 前記所定の色の色信号はＧ信号であることを特徴とする請求項６に記載の固体撮像装置。
8. 前記所定の色以外の色の色信号はＲ信号またはＢ信号であることを特徴とする請求項７に記載の固体撮像装置。
9. 前記第１の画素は、ベイヤー配列を形成するＲ，Ｂ，Ｇｒ，Ｇｂの並びに対応して配列されており、
   前記所定の色は、ＧｒとＧｂであり、
   前記第１の基板において、Ｇｒに対応する前記第１の画素とＧｂに対応する前記第１の画素とが異なる列に配置され、
   前記第２の基板において、Ｇｒに対応する前記第２の画素とＧｂに対応する前記第２の画素とが同一の列に配置されている
   ことを特徴とする請求項２に記載の固体撮像装置。
10. 前記第１の基板において、第１〜第ｎの色のうち前記所定の色を含む２色以上の各色に対応する前記第１の画素が第１のグループに属しており、
    前記第２の基板において、前記２色以上の各色に対応する前記第２の画素が第２のグループに属しており、
    前記第１の基板において前記第１のグループ内の前記所定の色に対応する２以上の前記第１の画素が異なる列に配置され、
    前記第２の基板において前記第２のグループ内の前記所定の色に対応する２以上の前記第２の画素が同一の列に配置されている
    ことを特徴とする請求項２に記載の固体撮像装置。
11. 前記第１の画素は、ベイヤー配列を形成するＲ，Ｂ，Ｇｒ，Ｇｂの並びに対応して配列されており、
    前記所定の色は、ＧｒとＧｂであり、
    前記第１の基板において、Ｂに対応する２つの前記第１の画素とＧｒに対応する２つの前記第１の画素とが第１のグループに属しており、
    前記第１の基板において、Ｒに対応する２つの前記第１の画素とＧｂに対応する２つの前記第１の画素とが第２のグループに属しており、
    前記第２の基板において、Ｂに対応する２つの前記第２の画素とＲに対応する２つの前記第２の画素とが第３のグループに属しており、
    前記第２の基板において、Ｇｒに対応する２つの前記第２の画素とＧｂに対応する２つの前記第２の画素とが第４のグループに属しており、
    前記第１の基板において、前記第１のグループに属するＧｒに対応する２つの前記第１の画素と、前記第２のグループに属するＧｂに対応する２つの前記第１の画素とが異なる列に配置され、
    前記第２の基板において、前記第４のグループに属するＧｒに対応する２つの前記第２の画素と、前記第４のグループに属するＧｂに対応する２つの前記第２の画素とが同一の列に配置されている
    ことを特徴とする請求項２に記載の固体撮像装置。
12. 前記第２の基板において、前記第３のグループに属するＢに対応する２つの前記第２の画素と、前記第３のグループに属するＲに対応する２つの前記第２の画素とが同一の列に配置されていることを特徴とする請求項１１に記載の固体撮像装置。
13. 第１の基板と第２の基板とが電気的に接続されている固体撮像装置であって、
    前記第１の基板は、行列状に配置された複数の第１の画素を備え、
    前記第２の基板は、行列状に配置された複数の第２の画素を備え、
    前記複数の第１の画素のそれぞれは、第１〜第ｎ（ｎは２以上の整数）の色のうちいずれかの色に対応する色信号を生成する光電変換素子を有し、
    前記複数の第２の画素のそれぞれは、
    前記光電変換素子により生成された色信号を蓄積する信号蓄積回路と、
    前記信号蓄積回路に蓄積された色信号を前記第２の画素の外部に出力する出力回路と、
    を有し、
    第ｍ（ｍは１〜ｎのいずれかの整数）の色に対応する色信号を生成する前記光電変換素子を有する前記第１の画素が、第ｍの色に対応する前記第１の画素であって、
    第ｍ（ｍは１〜ｎのいずれか）の色に対応する色信号を蓄積する前記信号蓄積回路を有する前記第２の画素が、第ｍの色に対応する前記第２の画素であって、
    前記複数の第１の画素に対応する色の配列と前記複数の第２の画素に対応する色の配列とが異なることを特徴とする固体撮像装置。
14. 第１の基板と第２の基板とが電気的に接続されている固体撮像装置であって、
    前記第１の基板は、行列状に配置された複数の第１の画素を備え、
    前記第２の基板は、行列状に配置された複数の第２の画素と、列毎に設けられた垂直信号線とを備え、
    前記複数の第１の画素のそれぞれは、第１〜第ｎ（ｎは２以上の整数）の色のうちいずれかの色に対応する色信号を生成する光電変換素子を有し、
    前記複数の第２の画素のそれぞれは、
    前記垂直信号線に接続され、前記光電変換素子により生成された色信号を蓄積する信号蓄積回路と、
    前記信号蓄積回路に蓄積された色信号を前記第２の画素の外部に出力する出力回路と、
    を有し、
    第ｍ（ｍは１〜ｎのいずれかの整数）の色に対応する色信号を生成する前記光電変換素子を有する前記第１の画素が、第ｍの色に対応する前記第１の画素であって、
    同一の色に対応する複数の前記第１の画素のそれぞれの前記光電変換素子により生成された色信号が、同一の前記垂直信号線に接続された複数の前記信号蓄積回路のそれぞれに蓄積されることを特徴とする固体撮像装置。
15. 第１の基板と第２の基板とが電気的に接続されている撮像装置であって、
    前記第１の基板は、行列状に配置された複数の第１の画素を備え、
    前記第２の基板は、行列状に配置された複数の第２の画素を備え、
    前記複数の第１の画素のそれぞれは、第１〜第ｎ（ｎは２以上の整数）の色のうちいずれかの色に対応する色信号を生成する光電変換素子を有し、
    前記複数の第２の画素のそれぞれは、
    前記光電変換素子により生成された色信号を蓄積する信号蓄積回路と、
    前記信号蓄積回路に蓄積された色信号を前記第２の画素の外部に出力する出力回路と、
    を有し、
    第ｍ（ｍは１〜ｎのいずれかの整数）の色に対応する色信号を生成する前記光電変換素子を有する前記第１の画素が、第ｍの色に対応する前記第１の画素であって、
    第ｍ（ｍは１〜ｎのいずれか）の色に対応する色信号を蓄積する前記信号蓄積回路を有する前記第２の画素が、第ｍの色に対応する前記第２の画素であって、
    前記第２の基板において、同一の色に対応する２以上の前記第２の画素が同一の列に配置されていることを特徴とする撮像装置。
16. 第１の基板と第２の基板とが電気的に接続されている撮像装置であって、
    前記第１の基板は、行列状に配置された複数の第１の画素を備え、
    前記第２の基板は、行列状に配置された複数の第２の画素を備え、
    前記複数の第１の画素のそれぞれは、第１〜第ｎ（ｎは２以上の整数）の色のうちいずれかの色に対応する色信号を生成する光電変換素子を有し、
    前記複数の第２の画素のそれぞれは、
    前記光電変換素子により生成された色信号を蓄積する信号蓄積回路と、
    前記信号蓄積回路に蓄積された色信号を前記第２の画素の外部に出力する出力回路と、
    を有し、
    第ｍ（ｍは１〜ｎのいずれかの整数）の色に対応する色信号を生成する前記光電変換素子を有する前記第１の画素が、第ｍの色に対応する前記第１の画素であって、
    第ｍ（ｍは１〜ｎのいずれか）の色に対応する色信号を蓄積する前記信号蓄積回路を有する前記第２の画素が、第ｍの色に対応する前記第２の画素であって、
    前記複数の第１の画素に対応する色の配列と前記複数の第２の画素に対応する色の配列とが異なることを特徴とする撮像装置。
17. 第１の基板と第２の基板とが電気的に接続されている撮像装置であって、
    前記第１の基板は、行列状に配置された複数の第１の画素を備え、
    前記第２の基板は、行列状に配置された複数の第２の画素と、列毎に設けられた垂直信号線とを備え、
    前記複数の第１の画素のそれぞれは、第１〜第ｎ（ｎは２以上の整数）の色のうちいずれかの色に対応する色信号を生成する光電変換素子を有し、
    前記複数の第２の画素のそれぞれは、
    前記垂直信号線に接続され、前記光電変換素子により生成された色信号を蓄積する信号蓄積回路と、
    前記信号蓄積回路に蓄積された色信号を前記第２の画素の外部に出力する出力回路と、
    を有し、
    第ｍ（ｍは１〜ｎのいずれかの整数）の色に対応する色信号を生成する前記光電変換素子を有する前記第１の画素が、第ｍの色に対応する前記第１の画素であって、
    同一の色に対応する複数の前記第１の画素のそれぞれの前記光電変換素子により生成された色信号が、同一の前記垂直信号線に接続された複数の前記信号蓄積回路のそれぞれに蓄積されることを特徴とする撮像装置。
18. 第１の基板と第２の基板とが電気的に接続され、
    前記第１の基板は、行列状に配置された複数の第１の画素を備え、
    前記第２の基板は、行列状に配置された複数の第２の画素を備え、
    前記複数の第１の画素のそれぞれは、第１〜第ｎ（ｎは２以上の整数）の色のうちいずれかの色に対応する色信号を生成する光電変換素子を有し、
    前記複数の第２の画素のそれぞれは、
    前記光電変換素子により生成された色信号を蓄積する信号蓄積回路と、
    前記信号蓄積回路に蓄積された色信号を前記第２の画素の外部に出力する出力回路と、
    を有し、
    第ｍ（ｍは１〜ｎのいずれかの整数）の色に対応する色信号を生成する前記光電変換素子を有する前記第１の画素が、第ｍの色に対応する前記第１の画素であって、第ｍ（ｍは１〜ｎのいずれか）の色に対応する色信号を蓄積する前記信号蓄積回路を有する前記第２の画素が、第ｍの色に対応する前記第２の画素であって、
    前記第１の基板において、第１〜第ｎの色のうち所定の色に対応する２以上の前記第１の画素が異なる列に配置され、
    前記第２の基板において、前記所定の色に対応する２以上の前記第２の画素が同一の列に配置されている固体撮像装置の前記第２の画素から信号を読み出す信号読み出し方法であって、
    前記光電変換素子が色信号を生成するステップと、
    前記所定の色に対応する複数の前記第１の画素のそれぞれの前記光電変換素子により生成された色信号が、同一の列に配置された複数の前記第２の画素のそれぞれの前記信号蓄積回路に蓄積されるよう、前記光電変換素子により生成された色信号を前記信号蓄積回路に蓄積するステップと、
    前記信号蓄積回路に蓄積された色信号を、前記出力回路を介して前記第２の画素の外部に出力するステップと、
    を有することを特徴とする信号読み出し方法。

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