JP2013179575A - 撮像装置および撮像システム - Google Patents
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Abstract
【解決手段】撮像装置は、基板に二次元状に配され、それぞれが光電変換部を含む複数の画素を有する撮像装置であって、前記光電変換部のそれぞれの上に配された集光部を備え、前記集光部は、前記光電変換部よりも面積が小さいことを特徴とする。
【選択図】図1
Description
図1乃至4を参照しながら、第1実施形態の撮像装置1を説明する。撮像装置1は、基板(例えば、半導体基板)上に二次元状に配された複数の画素を有する画素部(不図示)を備えている。図1は、この画素部の単位画素100を上面から描いた模式図である。画素100のサイズは、例えば、20μm×20μmである。画素100は、図2に例示されるような回路で構成されている。画素100は、光電変換部(例えば、フォトダイオード101)と、転送トランジスタ103、フローティングディフュージョン102、増幅トランジスタ104、選択トランジスタ106、リセットトランジスタ105を備えている。画素100は少なくとも1つの光電変換部を有しており、その他の構成は適宜変更可能である。転送トランジスタ103は、制御配線109を介して制御信号TXが入力されることにより、光の入射によってフォトダイオード101において発生し蓄積された電荷を、フローティングディフュージョン102に転送しうる。増幅トランジスタ104は、不図示の定電流回路とソースフォロワ回路を構成している。増幅トランジスタ104は、フローティングディフュージョン102に転送された電荷量に応じて電圧信号に変換し、該電圧信号を垂直信号線112に出力する。選択トランジスタ106は、制御配線111を介して制御信号SELが入力されることにより、増幅トランジスタ104から出力された画素信号を、垂直信号線112に出力しうる。リセットトランジスタ105は、制御配線110を介して制御信号RESが入力されることにより、フローティングディフュージョン102の電位をリセットしうる。電源配線107は、リセットトランジスタ105に電源を供給するためのVRES電源配線、及び増幅トランジスタ104に電源を供給するためのVDD電源配線を含み、電源回路(不図示)に接続されている。電源配線108は、接地用のGND配線である。各制御配線109乃至111は、画素部の各行の画素100のそれぞれを列方向に制御する垂直走査回路(不図示)に接続されている。これらフォトダイオード101と、各素子102乃至106とが、図1に例示されるように、画素100に配されている。また、画素100の上には、各電源配線107及び108と、各制御配線109乃至111等と、集光部としてマイクロレンズMLとが設けられている。図1においては、各画素に対して複数のマイクロレンズMLが設けられているが、1つの画素に対して少なくとも1つのマイクロレンズがあればよい。なお、画素100とは、半導体基板の表面における仮想的な区分けとも言える。また、画素100に含まれるフォトダイオード以外の素子(例えばトランジスタ)を他の素子と称する。
図5を参照しながら、第2実施形態の撮像装置2を説明する。第1実施形態においては、それぞれ同じ径のマイクロレンズMLを配置したが、本実施形態は、図5に示されるように、異なる径のマイクロレンズMLを配置する点で異なる。この場合、フォトダイオードの形状や、配線のレイアウトに応じて、適宜、複数のマイクロレンズMLのそれぞれを配置する位置を変更し、異なる径のマイクロレンズMLを組み合わせて、より有利にレイアウト設計を行うことができる。図5は、直径5um、高さ1.2umのマイクロレンズと、直径3um、高さ0.8umのマイクロレンズと、直径2um、高さ0.7umのマイクロレンズとを組み合わせて配置した画素100の上面図を示す。この場合は、実質的な開口率は75%まで向上した。このように、径の異なるマイクロレンズを組み合わせて、フォトダイオード101の周辺に密に配置することができ、また、マイクロレンズMLをギャップレスに配置することもできる。また、球面の形状を有するマイクロレンズMLは、例えば、直径1〜10μm、高さ0.5〜3μm程度とすると良いが、マイクロレンズMLの焦点位置がフォトダイオード101上になる適当の値を選択すればよい。
図6乃至9を参照しながら、第3実施形態の撮像装置3を説明する。第1及び第2実施形態においては、上面が球面の形状を有するマイクロレンズMLを配置したが、本実施形態は、図6に示される位置に、上面が円筒面の形状を有するシリンドリカルレンズMLを配置する点で異なる。図6における記号は、第1及び第2実施形態と同様であるので説明を省略する。ここでは、画素100のサイズは、例えば、50μm×50μmである。本実施形態においても、光電変換部以外の素子や配線等のレイアウトに応じて、シリンドリカルレンズMLを配する位置を決定することができ、有利なレイアウト設計を可能にする。
図10乃至12を参照しながら、第4実施形態の撮像装置4を説明する。本実施形態は、図10に例示されるように、各配線を、球面の形状を有するマイクロレンズMLの外縁の内側に沿って配する点で、第1及び第2実施形態と異なる。図10における記号は、第1乃至3実施形態と同様であるので説明を省略する。ここでは、画素100のサイズは、例えば、50μm×50μmである。本実施形態においても、光電変換部以外の素子や配線等のレイアウトに応じて、マイクロレンズMLを配する位置を決定することができ、有利なレイアウト設計を可能にする。
第5実施形態は、各カラーフィルタCFがベイヤ配列にしたがって配列されており、互いに隣接する画素の間にマイクロレンズMLが配されている点で第1実施形態と構造が異なる。各カラーフィルタCFは、各画素に対応するように設けられているものとする。
第6実施形態は、第5実施形態とはカラーフィルタCFの配列が異なる。図16は、本実施形態における画素部の単位画素100を上面から描いた模式図であり、カラーフィルタCFの構成を除いて第5実施形態(図14)と同様である。
Claims (9)
- 基板に二次元状に配され、それぞれが光電変換部を含む複数の画素を有する撮像装置であって、
前記光電変換部のそれぞれの上に配された集光部を備え、
前記集光部は、前記光電変換部よりも面積が小さい、
ことを特徴とする撮像装置。 - 前記集光部は、前記光電変換部よりも幅が小さい、
ことを特徴とする請求項1に記載の撮像装置。 - 前記画素の境界部を規定する複数の辺のうち少なくとも1辺に沿って複数の前記集光部が配されている、
ことを特徴とする請求項1又は2に記載の撮像装置。 - 前記光電変換部の外縁に沿って配された複数の前記集光部が配されている、
ことを特徴とする請求項1乃至3のいずれか1項に記載の撮像装置。 - 前記複数の集光部のうち少なくとも1つは他の集光部と幅が異なる、
ことを特徴とする請求項3又は4に記載の撮像装置。 - 前記集光部は、円筒面又は球面の形状を有する、
ことを特徴とする請求項1乃至5のいずれか1項に記載の撮像装置。 - 基板の上に、それぞれが光電変換部を有する複数の画素が配された画素部と、前記光電変換部の上にそれぞれ配され、ベイヤ配列を構成する複数のカラーフィルタと、前記画素部の上に配置された複数の集光部とを備えた撮像装置であって、
前記複数の画素は、互いに隣接する第1画素および第2画素を含み、
前記複数の集光部の少なくとも1つは、互いに隣接する前記第1画素の一部と前記第2画素の一部とを覆うように設けられている、
ことを特徴とする撮像装置。 - 前記第1画素の前記カラーフィルタは、前記第1画素の前記光電変換部によって光電変換されるべき色の光を透過させる第1部分と、前記第2画素の前記光電変換部によって光電変換されるべき色の光を透過させる第2部分とを含み、
前記第2画素の前記カラーフィルタは、前記第2画素の前記光電変換部によって光電変換されるべき色の光を透過させる第3部分と、前記第1画素の前記光電変換部によって光電変換されるべき色の光を透過させる第4部分とを含み、
前記第2部分および前記第4部分のそれぞれは、前記少なくとも1つの集光部の下に配されている、
ことを特徴とする請求項7に記載の撮像装置。 - 請求項1乃至8のいずれか1項に記載の撮像装置と、
前記撮像装置から出力される信号を処理する処理部と、
を備えることを特徴とする撮像システム。
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Cited By (4)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
WO2015198733A1 (ja) * | 2014-06-26 | 2015-12-30 | ソニー株式会社 | 固体撮像装置、電子機器、及び、固体撮像装置の製造方法 |
JP6283762B1 (ja) * | 2016-11-17 | 2018-02-21 | 采▲ぎょく▼科技股▲ふん▼有限公司VisEra Technologies Company Limited | 光学センサ |
KR20210002545A (ko) | 2018-04-24 | 2021-01-08 | 도쿄엘렉트론가부시키가이샤 | 성막 장치 및 성막 방법 |
JP2022051762A (ja) * | 2016-08-09 | 2022-04-01 | ソニーグループ株式会社 | 固体撮像素子、固体撮像素子の瞳補正方法、撮像装置及び情報処理装置 |
Families Citing this family (15)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP5956840B2 (ja) | 2012-06-20 | 2016-07-27 | キヤノン株式会社 | 固体撮像装置及びカメラ |
TW201430436A (zh) * | 2013-01-22 | 2014-08-01 | Hon Hai Prec Ind Co Ltd | 相機致動器可動架組裝裝置與相機致動器可動架組裝方法 |
JP6368115B2 (ja) | 2013-05-10 | 2018-08-01 | キヤノン株式会社 | 固体撮像装置およびカメラ |
JP6207351B2 (ja) | 2013-11-12 | 2017-10-04 | キヤノン株式会社 | 固体撮像装置および撮像システム |
WO2016103430A1 (ja) * | 2014-12-25 | 2016-06-30 | キヤノン株式会社 | ラインセンサ、画像読取装置、画像形成装置 |
JP6579774B2 (ja) | 2015-03-30 | 2019-09-25 | キヤノン株式会社 | 固体撮像装置およびカメラ |
JP6494368B2 (ja) | 2015-03-30 | 2019-04-03 | キヤノン株式会社 | 固体撮像装置およびカメラ |
JP2017069553A (ja) | 2015-09-30 | 2017-04-06 | キヤノン株式会社 | 固体撮像装置、その製造方法及びカメラ |
JP2017098809A (ja) | 2015-11-26 | 2017-06-01 | キヤノン株式会社 | 光電変換装置、および、撮像システム |
JP6702711B2 (ja) | 2015-12-17 | 2020-06-03 | キヤノン株式会社 | 光電変換装置、および、撮像システム |
JP6732468B2 (ja) | 2016-02-16 | 2020-07-29 | キヤノン株式会社 | 光電変換装置及びその駆動方法 |
JP6817835B2 (ja) | 2017-02-07 | 2021-01-20 | キヤノン株式会社 | 撮像装置及び撮像システム |
JP6784609B2 (ja) | 2017-02-24 | 2020-11-11 | キヤノン株式会社 | 光電変換装置、撮像システム及び移動体 |
JP6894760B2 (ja) | 2017-05-17 | 2021-06-30 | キヤノン株式会社 | 光電変換装置及び撮像システム |
DE102019211277A1 (de) * | 2019-07-30 | 2021-02-04 | OSRAM Opto Semiconductors Gesellschaft mit beschränkter Haftung | Optoelektronische Messvorrichtung zur frequenzaufgelösten Messung einer Intensität einer elektromagnetischen Strahlung |
Citations (5)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP2003332548A (ja) * | 2002-05-16 | 2003-11-21 | Fuji Film Microdevices Co Ltd | 固体撮像素子及びその製造方法 |
US20050242271A1 (en) * | 2004-04-28 | 2005-11-03 | Taiwan Semiconductor Manufacturing Co. | Effective method to improve sub-micron color filter sensitivity |
JP2007155930A (ja) * | 2005-12-01 | 2007-06-21 | Nikon Corp | 固体撮像素子及びこれを用いた撮像装置 |
JP2011015219A (ja) * | 2009-07-02 | 2011-01-20 | Toshiba Corp | 固体撮像装置 |
JP2013143431A (ja) * | 2012-01-10 | 2013-07-22 | Toppan Printing Co Ltd | 固体撮像素子および固体撮像素子の製造方法 |
Family Cites Families (16)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
US6717151B2 (en) | 2000-07-10 | 2004-04-06 | Canon Kabushiki Kaisha | Image pickup apparatus |
US6800836B2 (en) | 2000-07-10 | 2004-10-05 | Canon Kabushiki Kaisha | Image pickup device, radiation image pickup device and image processing system |
JP3844196B2 (ja) * | 2001-06-12 | 2006-11-08 | シチズン電子株式会社 | 発光ダイオードの製造方法 |
US6638786B2 (en) * | 2002-10-25 | 2003-10-28 | Hua Wei Semiconductor (Shanghai ) Co., Ltd. | Image sensor having large micro-lenses at the peripheral regions |
JP4508619B2 (ja) | 2003-12-03 | 2010-07-21 | キヤノン株式会社 | 固体撮像装置の製造方法 |
JP2006073885A (ja) | 2004-09-03 | 2006-03-16 | Canon Inc | 固体撮像装置、その製造方法、およびデジタルカメラ |
KR20060077709A (ko) * | 2004-12-30 | 2006-07-05 | 동부일렉트로닉스 주식회사 | 시모스 이미지 센서 |
US7625157B2 (en) * | 2007-01-18 | 2009-12-01 | Kennametal Inc. | Milling cutter and milling insert with coolant delivery |
JP5173496B2 (ja) | 2008-03-06 | 2013-04-03 | キヤノン株式会社 | 撮像装置及び撮像システム |
JP5123701B2 (ja) | 2008-03-13 | 2013-01-23 | キヤノン株式会社 | 光電変換装置、撮像システム、及び光電変換装置の製造方法 |
JP5404112B2 (ja) | 2009-03-12 | 2014-01-29 | キヤノン株式会社 | 固体撮像素子、その駆動方法及び撮像システム |
JP2011004390A (ja) | 2009-05-18 | 2011-01-06 | Canon Inc | 撮像装置、撮像システム、及び撮像装置の駆動方法 |
JP5489570B2 (ja) | 2009-07-27 | 2014-05-14 | キヤノン株式会社 | 光電変換装置及び撮像システム |
JP5232118B2 (ja) * | 2009-09-30 | 2013-07-10 | 富士フイルム株式会社 | 撮像デバイスおよび電子カメラ |
EP2362257B1 (en) | 2009-11-20 | 2016-08-17 | FUJIFILM Corporation | Solid-state imaging device |
JP2013106206A (ja) | 2011-11-14 | 2013-05-30 | Canon Inc | 固体撮像装置 |
-
2013
- 2013-01-11 JP JP2013004051A patent/JP6141024B2/ja not_active Expired - Fee Related
- 2013-01-28 US US13/751,686 patent/US9261769B2/en not_active Expired - Fee Related
Patent Citations (5)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP2003332548A (ja) * | 2002-05-16 | 2003-11-21 | Fuji Film Microdevices Co Ltd | 固体撮像素子及びその製造方法 |
US20050242271A1 (en) * | 2004-04-28 | 2005-11-03 | Taiwan Semiconductor Manufacturing Co. | Effective method to improve sub-micron color filter sensitivity |
JP2007155930A (ja) * | 2005-12-01 | 2007-06-21 | Nikon Corp | 固体撮像素子及びこれを用いた撮像装置 |
JP2011015219A (ja) * | 2009-07-02 | 2011-01-20 | Toshiba Corp | 固体撮像装置 |
JP2013143431A (ja) * | 2012-01-10 | 2013-07-22 | Toppan Printing Co Ltd | 固体撮像素子および固体撮像素子の製造方法 |
Cited By (8)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
WO2015198733A1 (ja) * | 2014-06-26 | 2015-12-30 | ソニー株式会社 | 固体撮像装置、電子機器、及び、固体撮像装置の製造方法 |
JP2016009813A (ja) * | 2014-06-26 | 2016-01-18 | ソニー株式会社 | 固体撮像装置、電子機器、及び、固体撮像装置の製造方法 |
US10063816B2 (en) | 2014-06-26 | 2018-08-28 | Sony Corporation | Solid state imaging device, electronic apparatus, and method for manufacturing solid state imaging device |
JP2022051762A (ja) * | 2016-08-09 | 2022-04-01 | ソニーグループ株式会社 | 固体撮像素子、固体撮像素子の瞳補正方法、撮像装置及び情報処理装置 |
JP6283762B1 (ja) * | 2016-11-17 | 2018-02-21 | 采▲ぎょく▼科技股▲ふん▼有限公司VisEra Technologies Company Limited | 光学センサ |
JP2018082138A (ja) * | 2016-11-17 | 2018-05-24 | 采▲ぎょく▼科技股▲ふん▼有限公司VisEra Technologies Company Limited | 光学センサ |
US9991302B1 (en) | 2016-11-17 | 2018-06-05 | Visera Technologies Company Limited | Optical sensor with color filters having inclined sidewalls |
KR20210002545A (ko) | 2018-04-24 | 2021-01-08 | 도쿄엘렉트론가부시키가이샤 | 성막 장치 및 성막 방법 |
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