JP2013178347A - 露光装置、それを用いたデバイスの製造方法 - Google Patents
露光装置、それを用いたデバイスの製造方法 Download PDFInfo
- Publication number
- JP2013178347A JP2013178347A JP2012041510A JP2012041510A JP2013178347A JP 2013178347 A JP2013178347 A JP 2013178347A JP 2012041510 A JP2012041510 A JP 2012041510A JP 2012041510 A JP2012041510 A JP 2012041510A JP 2013178347 A JP2013178347 A JP 2013178347A
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- light shielding
- light
- shielding position
- exposure apparatus
- light shield
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Granted
Links
Images
Classifications
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
- H01L21/02—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof
- H01L21/027—Making masks on semiconductor bodies for further photolithographic processing not provided for in group H01L21/18 or H01L21/34
- H01L21/0271—Making masks on semiconductor bodies for further photolithographic processing not provided for in group H01L21/18 or H01L21/34 comprising organic layers
- H01L21/0273—Making masks on semiconductor bodies for further photolithographic processing not provided for in group H01L21/18 or H01L21/34 comprising organic layers characterised by the treatment of photoresist layers
- H01L21/0274—Photolithographic processes
-
- G—PHYSICS
- G03—PHOTOGRAPHY; CINEMATOGRAPHY; ANALOGOUS TECHNIQUES USING WAVES OTHER THAN OPTICAL WAVES; ELECTROGRAPHY; HOLOGRAPHY
- G03F—PHOTOMECHANICAL PRODUCTION OF TEXTURED OR PATTERNED SURFACES, e.g. FOR PRINTING, FOR PROCESSING OF SEMICONDUCTOR DEVICES; MATERIALS THEREFOR; ORIGINALS THEREFOR; APPARATUS SPECIALLY ADAPTED THEREFOR
- G03F7/00—Photomechanical, e.g. photolithographic, production of textured or patterned surfaces, e.g. printing surfaces; Materials therefor, e.g. comprising photoresists; Apparatus specially adapted therefor
- G03F7/70—Microphotolithographic exposure; Apparatus therefor
- G03F7/70058—Mask illumination systems
- G03F7/70191—Optical correction elements, filters or phase plates for controlling intensity, wavelength, polarisation, phase or the like
-
- G—PHYSICS
- G03—PHOTOGRAPHY; CINEMATOGRAPHY; ANALOGOUS TECHNIQUES USING WAVES OTHER THAN OPTICAL WAVES; ELECTROGRAPHY; HOLOGRAPHY
- G03F—PHOTOMECHANICAL PRODUCTION OF TEXTURED OR PATTERNED SURFACES, e.g. FOR PRINTING, FOR PROCESSING OF SEMICONDUCTOR DEVICES; MATERIALS THEREFOR; ORIGINALS THEREFOR; APPARATUS SPECIALLY ADAPTED THEREFOR
- G03F7/00—Photomechanical, e.g. photolithographic, production of textured or patterned surfaces, e.g. printing surfaces; Materials therefor, e.g. comprising photoresists; Apparatus specially adapted therefor
- G03F7/70—Microphotolithographic exposure; Apparatus therefor
- G03F7/70058—Mask illumination systems
- G03F7/7015—Details of optical elements
-
- G—PHYSICS
- G03—PHOTOGRAPHY; CINEMATOGRAPHY; ANALOGOUS TECHNIQUES USING WAVES OTHER THAN OPTICAL WAVES; ELECTROGRAPHY; HOLOGRAPHY
- G03F—PHOTOMECHANICAL PRODUCTION OF TEXTURED OR PATTERNED SURFACES, e.g. FOR PRINTING, FOR PROCESSING OF SEMICONDUCTOR DEVICES; MATERIALS THEREFOR; ORIGINALS THEREFOR; APPARATUS SPECIALLY ADAPTED THEREFOR
- G03F7/00—Photomechanical, e.g. photolithographic, production of textured or patterned surfaces, e.g. printing surfaces; Materials therefor, e.g. comprising photoresists; Apparatus specially adapted therefor
- G03F7/70—Microphotolithographic exposure; Apparatus therefor
- G03F7/70058—Mask illumination systems
- G03F7/70066—Size and form of the illuminated area in the mask plane, e.g. reticle masking blades or blinds
-
- G—PHYSICS
- G03—PHOTOGRAPHY; CINEMATOGRAPHY; ANALOGOUS TECHNIQUES USING WAVES OTHER THAN OPTICAL WAVES; ELECTROGRAPHY; HOLOGRAPHY
- G03F—PHOTOMECHANICAL PRODUCTION OF TEXTURED OR PATTERNED SURFACES, e.g. FOR PRINTING, FOR PROCESSING OF SEMICONDUCTOR DEVICES; MATERIALS THEREFOR; ORIGINALS THEREFOR; APPARATUS SPECIALLY ADAPTED THEREFOR
- G03F7/00—Photomechanical, e.g. photolithographic, production of textured or patterned surfaces, e.g. printing surfaces; Materials therefor, e.g. comprising photoresists; Apparatus specially adapted therefor
- G03F7/70—Microphotolithographic exposure; Apparatus therefor
- G03F7/708—Construction of apparatus, e.g. environment aspects, hygiene aspects or materials
- G03F7/7085—Detection arrangement, e.g. detectors of apparatus alignment possibly mounted on wafers, exposure dose, photo-cleaning flux, stray light, thermal load
Landscapes
- Physics & Mathematics (AREA)
- General Physics & Mathematics (AREA)
- Engineering & Computer Science (AREA)
- Condensed Matter Physics & Semiconductors (AREA)
- Manufacturing & Machinery (AREA)
- Computer Hardware Design (AREA)
- Microelectronics & Electronic Packaging (AREA)
- Power Engineering (AREA)
- Exposure And Positioning Against Photoresist Photosensitive Materials (AREA)
- Exposure Of Semiconductors, Excluding Electron Or Ion Beam Exposure (AREA)
Abstract
【解決手段】この露光装置は、基板面と共役な面に配置され、基板上の円形境界線より外側の外周領域に対して光が入射しないように光を遮断する遮光板と、該遮光板を照明系の光軸に平行な軸の回りに回転駆動する第1駆動部と、遮光板を光軸に垂直な平面内で直線駆動する第2駆動部と、遮光位置を検出する検出部と、基準の時点での遮光位置と、基準の時点の後に遮光板を変更する場合の変更する前と変更した後の遮光位置とを記憶し、遮光板を変更した後の任意の時点にて検出部により検出される遮光位置と、基準の時点での遮光位置と、遮光板を変更する前と変更した後との遮光位置の差分(S302)に基づいて、遮光位置の変化量を算出する制御部とを備える。
【選択図】図6
Description
次に、本発明の一実施形態のデバイス(半導体デバイス、液晶表示デバイス等)の製造方法について説明する。半導体デバイスは、ウエハに集積回路を作る前工程と、前工程で作られたウエハ上の集積回路チップを製品として完成させる後工程を経ることにより製造される。前工程は、前述の露光装置を使用して感光剤が塗布されたウエハを露光する工程と、ウエハを現像する工程を含む。後工程は、アッセンブリ工程(ダイシング、ボンディング)と、パッケージング工程(封入)を含む。液晶表示デバイスは、透明電極を形成する工程を経ることにより製造される。透明電極を形成する工程は、透明導電膜が蒸着されたガラス基板に感光剤を塗布する工程と、前述の露光装置を使用して感光剤が塗布されたガラス基板を露光する工程と、ガラス基板を現像する工程を含む。本実施形態のデバイス製造方法によれば、従来よりも高品位のデバイスを製造することができる。
2 照明光学系
3 レチクル
4 投影光学系
5 ウエハ
7 制御部
11 第2遮光板
12 第1駆動部
13 第2駆動部
14 検出部
Claims (7)
- 照明系からの光を原版に形成されたパターンに照射し、投影光学系を介して前記パターンの像を基板上に露光する露光装置であって、
前記照明系における前記投影光学系の物体面となる基板面と共役な面に配置され、前記基板上の前記像が形成される領域を規定する前記基板の外周よりも内側の円形境界線に重なる円弧を縁に含み、前記基板上の前記円形境界線より外側の外周領域に対して光が入射しないように光を遮断する遮光板と、
前記遮光板を前記照明系の光軸に平行な軸の回りに回転駆動する第1駆動部と、
前記遮光板を前記光軸に垂直な平面内で直線駆動する第2駆動部と、
前記遮光板により遮光された遮光位置を検出する検出部と、
基準の時点での遮光位置と、前記基準の時点の後に前記遮光板を変更する場合の変更する前と変更した後の遮光位置とを記憶し、前記遮光板を変更した後の任意の時点にて前記検出部により検出される遮光位置と、前記基準の時点での遮光位置と、前記遮光板を変更する前と変更した後との遮光位置の差分に基づいて、前記遮光位置の変化量を算出する制御部と、
を備えることを特徴とする露光装置。 - 前記検出部は、前記遮光位置の回転中心から前記遮光位置の側に向かう直線状に、前記遮光板を変更する前と変更した後との前記遮光位置の検出位置を設定することを特徴とする請求項1に記載の露光装置。
- 前記制御部は、前記変化量が許容できない状態と判断される基準値を超えない場合、前記変化量を前記第1駆動部または前記第2駆動部の駆動オフセットに反映させることで前記変化を補正することを特徴とする請求項1または2に記載の露光装置。
- 前記制御部は、前記変化量が許容できない状態と判断される基準値を超える場合、警告を発することを特徴とする請求項1または2に記載の露光装置。
- 前記制御部は、前記検出部が前記遮光位置の検出を行う際、前記原版を前記光の照射領域から外させることを特徴とする請求項1ないし4のいずれか1項に記載の露光装置。
- 前記制御部は、前記検出部が前記遮光位置の検出を行う際、前記原版に換えて、前記パターンを有しない原版を設置させることを特徴とする請求項1ないし4のいずれか1項に記載の露光装置。
- 請求項1ないし6のいずれか1項に記載の露光装置を用いて基板を露光する工程と、
その露光した基板を現像する工程と、
を含むことを特徴とするデバイス製造方法。
Priority Applications (7)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP2012041510A JP6029289B2 (ja) | 2012-02-28 | 2012-02-28 | 露光装置、それを用いたデバイスの製造方法 |
US13/768,161 US9134619B2 (en) | 2012-02-28 | 2013-02-15 | Exposure apparatus and device manufacturing method using same |
KR1020130018648A KR20130098910A (ko) | 2012-02-28 | 2013-02-21 | 노광 장치 및 이를 이용한 디바이스 제조 방법 |
CN201310062492.2A CN103293873B (zh) | 2012-02-28 | 2013-02-28 | 曝光装置和使用曝光装置的器件制造方法 |
CN201510549994.7A CN105182698A (zh) | 2012-02-28 | 2013-02-28 | 曝光装置和使用曝光装置的器件制造方法 |
US14/820,931 US9568836B2 (en) | 2012-02-28 | 2015-08-07 | Exposure apparatus and device manufacturing method using same |
KR1020160102354A KR101810327B1 (ko) | 2012-02-28 | 2016-08-11 | 노광 장치 및 이를 이용한 디바이스 제조 방법 |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP2012041510A JP6029289B2 (ja) | 2012-02-28 | 2012-02-28 | 露光装置、それを用いたデバイスの製造方法 |
Related Child Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP2016204933A Division JP6177409B2 (ja) | 2016-10-19 | 2016-10-19 | 露光装置、それを用いたデバイスの製造方法 |
Publications (2)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JP2013178347A true JP2013178347A (ja) | 2013-09-09 |
JP6029289B2 JP6029289B2 (ja) | 2016-11-24 |
Family
ID=49042681
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP2012041510A Active JP6029289B2 (ja) | 2012-02-28 | 2012-02-28 | 露光装置、それを用いたデバイスの製造方法 |
Country Status (4)
Country | Link |
---|---|
US (2) | US9134619B2 (ja) |
JP (1) | JP6029289B2 (ja) |
KR (2) | KR20130098910A (ja) |
CN (2) | CN105182698A (ja) |
Cited By (3)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP2013179136A (ja) * | 2012-02-28 | 2013-09-09 | Canon Inc | 露光装置、それを用いたデバイスの製造方法 |
JP2019148693A (ja) * | 2018-02-27 | 2019-09-05 | 株式会社オーク製作所 | 投影露光装置 |
JP2019148694A (ja) * | 2018-02-27 | 2019-09-05 | 株式会社オーク製作所 | 投影露光装置 |
Families Citing this family (6)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP6029289B2 (ja) * | 2012-02-28 | 2016-11-24 | キヤノン株式会社 | 露光装置、それを用いたデバイスの製造方法 |
JP6288985B2 (ja) * | 2013-08-13 | 2018-03-07 | キヤノン株式会社 | リソグラフィ装置、および物品の製造方法 |
CN107807494B (zh) * | 2016-09-09 | 2021-05-11 | 佳能株式会社 | 照明光学系统、曝光装置以及物品制造方法 |
US10157741B1 (en) * | 2017-07-31 | 2018-12-18 | Taiwan Semiconductor Manufacturing Company Ltd. | Method of manufacturing a semiconductor structure |
CN112269303A (zh) * | 2020-10-30 | 2021-01-26 | 华虹半导体(无锡)有限公司 | 光刻曝光系统和光刻刻蚀方法 |
CN117412032B (zh) * | 2023-12-13 | 2024-03-26 | 山东科技职业学院 | 一种基于大数据的智能图像采集系统 |
Citations (6)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP2000250226A (ja) * | 1999-02-26 | 2000-09-14 | Nikon Corp | 露光装置 |
JP2005045160A (ja) * | 2003-07-25 | 2005-02-17 | Matsushita Electric Ind Co Ltd | 露光方法 |
JP2006005196A (ja) * | 2004-06-18 | 2006-01-05 | Canon Inc | 露光装置 |
JP2007318121A (ja) * | 2006-05-08 | 2007-12-06 | Asml Netherlands Bv | 露光装置及びデバイス製造方法 |
US20080237490A1 (en) * | 2007-03-28 | 2008-10-02 | Orc Manufacturing Co., Ltd. | Exposure device |
JP2011233781A (ja) * | 2010-04-28 | 2011-11-17 | Canon Inc | リソグラフィ装置及び物品の製造方法 |
Family Cites Families (10)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP3360760B2 (ja) * | 1993-12-08 | 2002-12-24 | 株式会社ニコン | 露光量むらの計測方法、並びに露光方法及び露光装置 |
JPH09115799A (ja) * | 1995-10-16 | 1997-05-02 | Nikon Corp | 走査型露光装置 |
JPH1126379A (ja) | 1997-05-09 | 1999-01-29 | Canon Inc | 露光装置およびデバイス製造方法 |
US6680774B1 (en) | 2001-10-09 | 2004-01-20 | Ultratech Stepper, Inc. | Method and apparatus for mechanically masking a workpiece |
JP2005093683A (ja) | 2003-09-17 | 2005-04-07 | Seiko Epson Corp | 露光方法および露光装置 |
JP4481698B2 (ja) * | 2004-03-29 | 2010-06-16 | キヤノン株式会社 | 加工装置 |
JP2008072057A (ja) | 2006-09-15 | 2008-03-27 | Nec Lcd Technologies Ltd | 投影露光装置及び投影露光方法 |
US20080073569A1 (en) | 2006-09-23 | 2008-03-27 | Varian Semiconductor Equipment Associates, Inc. | Mask position detection |
NL2004770A (nl) * | 2009-05-29 | 2010-11-30 | Asml Holding Nv | Lithographic apparatus and method for illumination uniformity correction and uniformity drift compensation. |
JP6029289B2 (ja) * | 2012-02-28 | 2016-11-24 | キヤノン株式会社 | 露光装置、それを用いたデバイスの製造方法 |
-
2012
- 2012-02-28 JP JP2012041510A patent/JP6029289B2/ja active Active
-
2013
- 2013-02-15 US US13/768,161 patent/US9134619B2/en not_active Expired - Fee Related
- 2013-02-21 KR KR1020130018648A patent/KR20130098910A/ko active Search and Examination
- 2013-02-28 CN CN201510549994.7A patent/CN105182698A/zh active Pending
- 2013-02-28 CN CN201310062492.2A patent/CN103293873B/zh active Active
-
2015
- 2015-08-07 US US14/820,931 patent/US9568836B2/en active Active
-
2016
- 2016-08-11 KR KR1020160102354A patent/KR101810327B1/ko active IP Right Grant
Patent Citations (6)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP2000250226A (ja) * | 1999-02-26 | 2000-09-14 | Nikon Corp | 露光装置 |
JP2005045160A (ja) * | 2003-07-25 | 2005-02-17 | Matsushita Electric Ind Co Ltd | 露光方法 |
JP2006005196A (ja) * | 2004-06-18 | 2006-01-05 | Canon Inc | 露光装置 |
JP2007318121A (ja) * | 2006-05-08 | 2007-12-06 | Asml Netherlands Bv | 露光装置及びデバイス製造方法 |
US20080237490A1 (en) * | 2007-03-28 | 2008-10-02 | Orc Manufacturing Co., Ltd. | Exposure device |
JP2011233781A (ja) * | 2010-04-28 | 2011-11-17 | Canon Inc | リソグラフィ装置及び物品の製造方法 |
Cited By (5)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP2013179136A (ja) * | 2012-02-28 | 2013-09-09 | Canon Inc | 露光装置、それを用いたデバイスの製造方法 |
JP2019148693A (ja) * | 2018-02-27 | 2019-09-05 | 株式会社オーク製作所 | 投影露光装置 |
JP2019148694A (ja) * | 2018-02-27 | 2019-09-05 | 株式会社オーク製作所 | 投影露光装置 |
JP7145620B2 (ja) | 2018-02-27 | 2022-10-03 | 株式会社オーク製作所 | 投影露光装置 |
JP7162430B2 (ja) | 2018-02-27 | 2022-10-28 | 株式会社オーク製作所 | 投影露光装置 |
Also Published As
Publication number | Publication date |
---|---|
US20130229640A1 (en) | 2013-09-05 |
CN105182698A (zh) | 2015-12-23 |
US9568836B2 (en) | 2017-02-14 |
US9134619B2 (en) | 2015-09-15 |
KR101810327B1 (ko) | 2017-12-18 |
CN103293873B (zh) | 2015-09-23 |
KR20130098910A (ko) | 2013-09-05 |
CN103293873A (zh) | 2013-09-11 |
JP6029289B2 (ja) | 2016-11-24 |
US20150346607A1 (en) | 2015-12-03 |
KR20160100881A (ko) | 2016-08-24 |
Similar Documents
Publication | Publication Date | Title |
---|---|---|
JP6029289B2 (ja) | 露光装置、それを用いたデバイスの製造方法 | |
JP5127875B2 (ja) | リソグラフィ装置及び物品の製造方法 | |
US8625073B2 (en) | Exposure apparatus and device manufacturing method | |
JP5789135B2 (ja) | 露光装置及びデバイスの製造方法 | |
JP6177409B2 (ja) | 露光装置、それを用いたデバイスの製造方法 | |
US8345221B2 (en) | Aberration measurement method, exposure apparatus, and device manufacturing method | |
JP2009033048A (ja) | 露光装置及びデバイス製造方法 | |
JP6012200B2 (ja) | 露光装置、それを用いたデバイスの製造方法 | |
JP4835921B2 (ja) | 計測方法、露光方法、デバイス製造方法、及びマスク | |
JP6828107B2 (ja) | リソグラフィ装置、パターン形成方法及び物品の製造方法 | |
JP5089137B2 (ja) | 露光装置及びデバイス製造方法 | |
JP7353846B2 (ja) | リソグラフィ装置、判定方法、および物品の製造方法 | |
JP7162430B2 (ja) | 投影露光装置 | |
JP2024010572A (ja) | 露光装置、露光方法、および物品の製造方法 | |
JP2013251482A (ja) | 露光装置、露光装置の調整方法、それを用いたデバイスの製造方法 | |
CN114063393A (zh) | 调整方法、曝光方法、曝光装置以及物品制造方法 | |
JP2010251409A (ja) | 露光方法、露光装置及びデバイス製造方法 | |
JP2002182369A (ja) | フォトマスク、露光装置、露光方法、及びデバイス製造方法 |
Legal Events
Date | Code | Title | Description |
---|---|---|---|
A621 | Written request for application examination |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A621 Effective date: 20150302 |
|
A977 | Report on retrieval |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A971007 Effective date: 20160125 |
|
A131 | Notification of reasons for refusal |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A131 Effective date: 20160209 |
|
A521 | Request for written amendment filed |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A523 Effective date: 20160411 |
|
TRDD | Decision of grant or rejection written | ||
A01 | Written decision to grant a patent or to grant a registration (utility model) |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A01 Effective date: 20160920 |
|
A61 | First payment of annual fees (during grant procedure) |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A61 Effective date: 20161018 |
|
R151 | Written notification of patent or utility model registration |
Ref document number: 6029289 Country of ref document: JP Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R151 |