JP2013178101A - ドライ式超音波探傷検査装置とその方法 - Google Patents

ドライ式超音波探傷検査装置とその方法 Download PDF

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Abstract

【課題】検査対象物と固体薄膜との密着精度を高めつつ両者の間に気泡が混入しないようにし、もって探傷検査の精度および信頼性の向上を図る。
【解決手段】検査対象物である半導体装置1と超音波プローブ10との間に固体薄膜7を配置するとともに、半導体装置1と固体薄膜7との間に隙間Gを確保する。超音波プローブ10側から固体薄膜7に向けて超音波伝達媒体として水Wを噴射して噴流Jを形成する。噴流Jにより半導体装置1に対して固体薄膜7を密着させながら、超音波プローブ10から半導体装置1に向けて超音波S1を出射するとともに、その反射波S2を超音波プローブ10にて受波する。受波した反射波S2に基づいて半導体装置1のボイドQ1等の内部欠陥の有無を判定する。
【選択図】図3

Description

本発明は、水に濡れることを嫌う電子部品等の超音波による探傷検査をいわゆるドライ環境で行うドライ式超音波探傷検査装置とその方法に関するものである。
非破壊検査法の一つとして古くから知られている水浸式超音波探傷検査方法に代わるドライ式超音波探傷検査装置が例えば特許文献1等にて提案されている。かかるドライ式超音波探傷検査装置は、例えば半導体装置における半導体素子の半田層の内部でのボイド(空隙)やクラックの有無の探傷検査に用いられている。
特許文献1に記載された技術では、検査対象物を液体に接触させないようにするため、検査対象物と水等の超音波伝達媒体(音響媒体)との間に固体薄膜を介在させ、それらの検査対象物と固体薄膜との間を減圧することで両者を密着させて、超音波探傷検査を行うこととしている。
特開2007−24662号公報
しかしながら、特許文献1に記載された技術では、例えば減圧中または減圧後において検査対象物と固体薄膜との間に気泡が混入しないように固体薄膜を検査対象物の表面の形状に倣うように変形させることとしているが、検査対象物と固体薄膜とが密着する際になおも気泡が混入する可能性があり、探傷検査の信頼性の面でなおも改善の余地を残している。
本発明はこのような課題に着目してなされたものであり、検査対象物と固体薄膜との密着精度を高めつつ両者の間に気泡が混入しないようにし、もって探傷検査の精度および信頼性の向上を図った装置とその方法を提供するものである。
この目的のため本発明は、検査対象物と弾性を有する固体薄膜との間に所定の隙間を確保し、超音波プローブ側から固体薄膜に向けて超音波伝達媒体を噴射し、噴射した超音波伝達媒体の圧力により検査対象物に対して固体薄膜を密着させながら、上記超音波プローブから検査対象物に向けて超音波を出射するとともに、その超音波の反射波を超音波プローブにて受波して検査対象物の探傷を行うようにしたものである。
本発明によれば、超音波伝達媒体の噴射圧により固体薄膜を検査対象物に密着させるため、その噴射圧による空気の追い出し効果のために検査対象物と固体薄膜との間に気泡が混入するのを防止でき、探傷検査の精度向上と検査結果の信頼性の向上が図れる。
本発明に係るドライ式超音波探傷検査装置に供される検査対象物の一例として半導体装置の一例を示す断面説明図。 本発明に係るドライ式超音波探傷検査装置の第1の形態を示す断面説明図。 図2に示したドライ式超音波探傷検査装置における探傷検査時の断面説明図。 図3の要部を拡大した斜視図。 本発明に係るドライ式超音波探傷検査装置の第2の形態を示す断面説明図。 本発明に係るドライ式超音波探傷検査装置に供される検査対象物の一例として半導体装置の別の例を示す断面説明図。 図6の半導体装置を検査対象物とする場合の図4と同等部位の斜視図。
図1〜4は本発明に係るドライ式超音波探傷検査装置を実施するためのより具体的な第1の形態を示し、例えば図1に示すように、電極として機能する金属製で且つ平板状の基板2の上に半田層3を介して半導体素子4が接合された半導体装置1を検査対象物とする場合のドライ式超音波探傷検査装置の具体的構成例を図2〜4に示している。
そして、図1に示すように、基板2と半導体素子4の接合層である半田層3のなかにボイド(空隙)Q1あるいはクラックQ2等の内部欠陥が存在していると、半導体素子4本来の熱的性能を劣化させ、ひどい場合には半導体素子4の破壊を誘発するおそれがあることから、事前にこれらのボイドQ1等の発見を目的としてドライ式超音波探傷検査が行われる。
図2は上記半導体装置1の探傷検査に供されるドライ式超音波探傷検査装置の構造を示し、検査対象物である上記半導体装置1がセットされた状態を示している。
図2に示すように、上面中央部が開放された架台としてのフレーム5の上に同じく中央部を開放するようにしてプレート状のスペーサ6が載置されていて、そのスペーサ6の上に半導体装置1がセットされる。また、フレーム5とスペーサ6との間には支持部材7aを介して所定の弾性(可撓性)を有するシート状の固体薄膜7が配置されている。スペーサ6の中央部が開放されていることで、図2の状態では半導体装置1と固体薄膜7との間にスペーサ6の厚みに相当するわずかな隙間Gが確保されているとともに、その隙間Gを隔てて半導体装置1の基板2と固体薄膜7とが対向または対面している。
上記固体薄膜7の下方のフレーム5の内部には水槽8が配置されていて、この水槽8には超音波伝達媒体(音響媒体)である所定量の水Wが貯留されている。水槽8内には、後述する支持手段として機能するX−Y駆動機構14を介して、固体薄膜7に向けて超音波伝達媒体として水Wを噴射するための噴射筒状体としての噴射ヘッド9が直立姿勢にて配置されている。噴射ヘッド9の上面の開口部9aは非接触にて固体薄膜7と対向または対面している。また、噴射ヘッド9内には探傷子としての円筒状の超音波プローブ10が同心状に固定配置されている。
そして、後述するように、探傷検査に際しては、水槽8内の水Wがポンプ11と圧力調整弁(減圧弁)12および配管13を介して噴射ヘッド9に供給され、噴射ヘッド9の上面の開口部9aから固体薄膜7に向けて水Wが噴射され、図3に示すような所定の噴流Jが形成されることになる。同時に、図3に示すように、超音波プローブ10から固体薄膜7側に向けて超音波S1が出射され、その反射波S2を再び超音波プローブ10にて受波することになる。この超音波プローブ10にて受波した反射波S2は、図3に示すように、例えばパーソナルコンピュータ等をもって構成された信号処理・解析装置15に取り込まれることになる。
また、フレーム5側には水槽8内を横断するかたちでモータ等の駆動源を含むX−Y駆動機構14が配置されている。このX−Y駆動機構14は、直立姿勢の噴射ヘッド9を超音波プローブ10とともに支持した上でそれらの噴射ヘッド9および超音波プローブ10を固体薄膜7に沿った方向の任意に位置に移動させるためのもので、言い換えるならば固体薄膜7の下方において噴射ヘッド9を超音波プローブ10とともにX方向およびY方向に走査させるべく、X−Y二次元平面内の任意の位置に噴射ヘッド9を超音波プローブ10とともに移動させる機能を有している。
なお、超音波プローブ10は必ずしも噴射ヘッド9の内部においてこれと同心状に配置されている必要はなく、要は噴射ヘッド9の平面視においてその噴射ヘッド9の投影面積内に超音波プローブ10が配置されていればよい。
ここで、固体薄膜7の材質および膜厚の選定に際しては、検査対象物である半導体装置1との密着性を事前に評価した上で最適な材質を決定し、検査に必要な超音波の周波数から最適な固体薄膜7の膜厚を決定するものとする。
上記固体薄膜7としては、例えば所定のゴム系薄膜材料および樹脂系薄膜材料のうち少なくともいずれか一つを用いた単層構造のもの、あるいは上記ゴム系薄膜材料および樹脂系薄膜材料のうち少なくとも二種類あるいはそれ以上を積層した複層構造のものとし、その膜厚は経験的に0.001mm〜1mm程度のものとする。より具体的には、上記固体薄膜としては、例えばシリコーン、ウレタンゴム、ニトリルゴム、ポリ塩化ビニリデン、ポリ塩化ビニル、ポリエチレン、ポリプロピレン、ナイロン(登録商標)、ポリエチレンテレフタレート等のうちから単独でシート状にしたもの、あるいは上記材質のうち二種類またはそれ以上のものを組み合わせて積層した複層構造のものを用いることが望ましい。
また、図2において、隙間Gを隔てて半導体装置1の基板2と固体薄膜7とが対向しているのは、同図のような非作動状態において、検査対称物である半導体装置1と固体薄膜7とが予め接触してしまうのを回避するためである。すなわち、検査対称物である半導体装置1と固体薄膜7とが予め接触していると、探傷検査時に水Wの噴流J(図3参照)により固体薄膜7に皺が発生し、半導体装置1と固体薄膜7との間に気泡が混入して検査できない部位が発生してしまうことがあることから、かかる不具合を防ぐためである。
このようなドライ式超音波探傷検査装置において、超音波伝達媒体である水Wの噴流Jを形成しながら超音波探傷を行っている様子を図3に示している。
同図に示すように、超音波伝達媒体として水槽8に貯留されている水Wは、ポンプ11により吸い上げられるとともに、圧力調整弁12にて圧力調整された上で、配管13を通って噴射ヘッド9へと供給され、その噴射ヘッド9の上部の開口部9aから固体薄膜7へ向けて噴射される。これにより、固体薄膜7に対して所定の接触面積を有する噴流Jを形成することになる。この水Wの噴流Jを受けて固体薄膜7が上方に膨出するように押し上げられて、固体薄膜7は検査対象物である半導体装置1の下面の基板2に押し付けられるようにして密着するようになる。
なお、噴射ヘッド9から噴射されて噴流Jを形成した水Wは自重落下により水槽8に回収されて循環再使用される。そして、探傷検査中はこの水Wの流れが繰り返される。また、探傷検査中に検査対象物である半導体装置1が動かないように、必要に応じて、半導体装置1をスペーサ6に対して押し付ける加圧拘束手段を併用するものとする。
上記のような噴射ヘッド9による噴流Jの形成と並行して、その噴射ヘッド9内に収容されている超音波プローブ10から所定周波数の超音波S1が出射されて、検査対象物である半導体装置1の探傷検査が行われる。より具体的は、図4は図3の要部を拡大した斜視図であり、噴射ヘッド9の上部の開口部9aから固体薄膜7に向けて水Wを噴射して噴流Jを形成する。それと並行して、所定の周期で同じく固体薄膜7に向けて超音波プローブ10から超音波S1を出射するとともに、半導体装置1からの反射波S2を同じく超音波プローブ10にて受波しながら、噴射ヘッド9を超音波プローブ10とともに検査対象面に沿ってX方向およびY方向にそれぞれ交互に走査・移動させる。なお、その噴射ヘッド9のいわゆるジグザグ状の移動軌跡を符号Mで示してある。また、図3および図4では、上向きの矢印S1が検査対象物である半導体装置1に向けて発射された超音波を示し、下向きの矢印S2が反射波を示している。
そして、超音波プローブ10が受波した反射波S2は図3に示す信号処理・解析装置15に取り込まれて、検査対象全面を走査し終えた時点で電機信号に変換することで、図1に示したボイドQ1やクラックQ2等の半田層3における内部欠陥の有無の判定または評価が行われることになる。
このように超音波伝達媒体である水Wの噴流Jをもって固体薄膜7を検査対象面である半導体装置1の基板2の下面に押し付ける一方で、超音波プローブ10から超音波S1を固体薄膜7側に向けて出射しながらその反射波S2を受波することで、検査対象面と固体薄膜7との間の空気を追い出しながら両者を密着させることができるので、両者の間に気泡が混入することがなく、半導体装置1における探傷検査の精度向上とともに検査結果の信頼性が向上することになる。
また、先に述べたように、固体薄膜7として例えば所定のゴム系薄膜材料または樹脂系薄膜材料であって且つその膜厚が0.001mm〜1mm程度のものを用いていることにより、検査対象物に対する固体薄膜7の十分な密着性が確保されて、超音波信号の損失が小さく抑えられるため、図1に示したような内部欠陥であるところのボイドQ1やクラックQ2と正常部位の判別が容易となる。
さらに、噴射ヘッド9と超音波プローブ10とを同心状のものとして配置してあることにより、噴射ヘッド9からの噴流Jの中心と超音波プローブ10との中心とが一致するので、検査対象物と固体薄膜7との間に気泡が入り込むのをより確実に防止することができ、探傷検査の精度が一段と向上することになる。
図5は本発明に係るドライ式超音波探傷検査装置を実施するための第2の形態を示し、図2と共通する部分には同一符号を付してある。
この第2の形態では、底面中央部に固体薄膜17を配置した矩形状のトレイ16を用意し、このトレイ16の上に図1に示した半導体装置1を載せて、トレイ16ごとフレーム5の上に位置決めするようにしたものである。この第2の形態においても第1の形態と同様の手法で探傷検査を行うことができる。
図6,7は本発明に係るドライ式超音波探傷検査装置を実施するための第3の形態を示し、図6のような半導体装置21を検査対象物とする場合のドライ式超音波探傷検査装置の具体的構成例を図7に示している。なお、図7において図4と共通する部分には同一符号を付してある。
図6は例えば電気自動車やハイブリッド車等の電動車用インバータに搭載される電力変換のための半導体装置21の一例を示している。この半導体装置21は、略偏平箱状に成形された樹脂製のケース20に電極として機能する平板状をなす金属製の基板22と複数の端子23がそれぞれインサート成形等の手法により埋設されていて、基板22の上にパワー素子等の図1と同様の複数の半導体素子4が半田接合(半田付け)されているとともに、各半導体素子4と端子23とが金線あるいはアルミニウム線等のリード線24にて接続されているものである。つまり、図6に示した半導体装置21は、図1に示したような半導体素子4を単位要素として、ケース20を母体として複数の半導体素子4を集約したものと理解することができる。
したがって、図6のような半導体装置21を検査対象物とする場合には、図7に示すように、スペーサ6の上に当該半導体装置21をセットして探傷検査を行えば良いことになる。
ここで、上記各実施の形態では、検査対象物である半導体装置1または21に対して噴射ヘッド9を超音波プローブ10とともに動かすようにした例を示しているが、本発明はこれに限定されるものではない。例えば、噴射ヘッド9および超音波プローブ10側を固定とし、これに対して検査対象物である半導体装置1または21をX方向およびY方向の二次元方向に動かす(走査する)ようにしても良く、さらには超音波プローブ10を含む噴射ヘッド9および検査対象物の双方を動かすようにしても良い。
また、例えば図2において、超音波プローブ10を含む噴射ヘッド9と検査対象物である半導体装置1との相対位置関係を上下逆にしても良い。つまり、検査対象物である半導体装置1の検査対象面に対してその上方から噴射ヘッド9や超音波プローブ10を指向させるようにしても良い。
さらに、同じく図2において、検査対象物である半導体装置1と超音波プローブ10との間の距離を調整する必要がある場合には、X−Y駆動機構14に代えて、X軸およびY軸に加えてZ軸を付加したX−Y−Zの三次元の駆動機構を採用すれば良いことになる。
加えて、上記実施の形態では、基板に対する半導体素子の接合にろう材として半田を用いた半田付けの例を示しているが、他のろう材を用いたろう付け等のろう接技術にも本発明を適用することができる。
1…半導体装置(検査対象物)
2…基板
3…半田層
4…半導体素子
7…固体薄膜
8…水槽
9…噴射ヘッド(噴射筒状体)
9a…開口部
10…超音波プローブ
14…X−Y駆動機構
15…信号処理・解析装置
17…固体薄膜
21…半導体装置(検査対象物)
22…基板
G…隙間
Q1…ボイド(内部欠陥)
Q2…クラック(内部欠陥)
W…水(超音波伝達媒体)

Claims (7)

  1. 検査対象物と超音波プローブとの間に弾性を有する固体薄膜を配置するとともに、上記検査対象物と固体薄膜との間に隙間を確保し、
    上記超音波プローブ側から固体薄膜に向けて超音波伝達媒体を噴射し、
    この噴射した超音波伝達媒体の圧力により検査対象物に対して固体薄膜を密着させながら、上記超音波プローブから検査対象物に向けて超音波を出射するとともに、その超音波の反射波を超音波プローブにて受波し、
    この超音波プローブにて受波した反射波に基づいて検査対象物の探傷を行うようにしたことを特徴とするドライ式超音波探傷検査装置。
  2. 上記超音波伝達媒体を噴射するための噴射筒状体の開口部を固体薄膜と対向させ、
    その噴射筒状体から固体薄膜に向けて超音波伝達媒体を噴射させるようになっているとともに、
    上記噴射筒状体の投影面積の中に超音波プローブを配置してあることを特徴とする請求項1に記載のドライ式超音波探傷検査装置。
  3. 上記噴射筒状体の内部に超音波プローブを配置してあることを特徴とする請求項2に記載のドライ式超音波探傷検査装置。
  4. 上記噴射筒状体と超音波プローブとを同心状に配置してあることを特徴とする請求項3に記載のドライ式超音波探傷検査装置。
  5. 上記固体薄膜はゴム系薄膜材料および樹脂系薄膜材料のうち少なくともいずれか一つを用いた単層構造のもの、またはゴム系薄膜材料および樹脂系薄膜材料のうち少なくとも二種類を積層した複層構造のものであって、その総厚み寸法が0.001mm〜1mmであることを特徴とする請求項1〜4のいずれか一つに記載のドライ式超音波探傷検査装置。
  6. 上記検査対象物は板状の基板の一方の面に半導体素子をろう付けした半導体装置であって、
    この半導体装置は上記基板の他方の面が固体薄膜と対向するように配置され、
    上記基板と半導体素子との間に介在するろう材層での欠陥の有無を検査するものであることを特徴とする請求項1〜5のいずれか一つに記載のドライ式超音波探傷検査装置。
  7. 検査対象物と超音波プローブとの間に弾性を有する固体薄膜を配置するとともに、上記検査対象物と固体薄膜との間に隙間を確保し、
    上記超音波プローブ側から固体薄膜に向けて超音波伝達媒体を噴射し、
    この噴射した超音波伝達媒体の圧力により検査対象物に対して固体薄膜を密着させながら、上記超音波プローブから検査対象物に向けて超音波を出射するとともに、その超音波の反射波を超音波プローブにて受波し、
    この超音波プローブにて受波した反射波に基づいて検査対象物の探傷を行うことを特徴とするドライ式超音波探傷検査方法。
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Cited By (3)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP5997861B1 (ja) * 2016-04-18 2016-09-28 株式会社日立パワーソリューションズ 超音波映像装置および超音波映像装置の画像生成方法。
JP2018072284A (ja) * 2016-11-04 2018-05-10 浜松ホトニクス株式会社 超音波検査装置
KR20200027167A (ko) * 2018-09-04 2020-03-12 주식회사 디이엔티 Oled 패널 비파괴검사기에 적용된 트랜스듀서 성능 열화 보상장치

Families Citing this family (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
KR20190062072A (ko) * 2017-11-28 2019-06-05 주식회사 디이엔티 Oled 패널의 기포검출장치

Citations (4)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPS60198452A (ja) * 1984-03-23 1985-10-07 Tokyo Keiki Co Ltd 表面波探触子装置
US5493912A (en) * 1991-08-16 1996-02-27 Krautkramer Gmbh & Co. Ultrasonic probe suitable for acoustic coupling via a water channel
JP2003177117A (ja) * 2001-12-11 2003-06-27 Masumi Saka 乾接触高周波数超音波伝達方法とそのための装置、及び乾接触高周波数超音波探傷方法とそのための装置
JP2003254953A (ja) * 2002-03-05 2003-09-10 Hitachi Kenki Fine Tech Co Ltd 超音波映像検査装置

Patent Citations (4)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPS60198452A (ja) * 1984-03-23 1985-10-07 Tokyo Keiki Co Ltd 表面波探触子装置
US5493912A (en) * 1991-08-16 1996-02-27 Krautkramer Gmbh & Co. Ultrasonic probe suitable for acoustic coupling via a water channel
JP2003177117A (ja) * 2001-12-11 2003-06-27 Masumi Saka 乾接触高周波数超音波伝達方法とそのための装置、及び乾接触高周波数超音波探傷方法とそのための装置
JP2003254953A (ja) * 2002-03-05 2003-09-10 Hitachi Kenki Fine Tech Co Ltd 超音波映像検査装置

Cited By (12)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP5997861B1 (ja) * 2016-04-18 2016-09-28 株式会社日立パワーソリューションズ 超音波映像装置および超音波映像装置の画像生成方法。
WO2017183540A1 (ja) * 2016-04-18 2017-10-26 株式会社日立パワーソリューションズ 超音波映像装置および超音波映像装置の画像生成方法
US10663433B2 (en) 2016-04-18 2020-05-26 Hitachi Power Solutions, Co., Ltd. Ultrasound imaging device and method of generating image for ultrasound imaging device
JP2018072284A (ja) * 2016-11-04 2018-05-10 浜松ホトニクス株式会社 超音波検査装置
WO2018083882A1 (ja) * 2016-11-04 2018-05-11 浜松ホトニクス株式会社 超音波検査装置
CN109863394A (zh) * 2016-11-04 2019-06-07 浜松光子学株式会社 超声波检查装置
KR20190077373A (ko) * 2016-11-04 2019-07-03 하마마츠 포토닉스 가부시키가이샤 초음파 검사 장치
TWI731181B (zh) * 2016-11-04 2021-06-21 日商濱松赫德尼古斯股份有限公司 超音波檢查裝置
KR102279570B1 (ko) * 2016-11-04 2021-07-21 하마마츠 포토닉스 가부시키가이샤 초음파 검사 장치
US11428673B2 (en) 2016-11-04 2022-08-30 Hamamatsu Photonics K.K. Ultrasonic inspection device
KR20200027167A (ko) * 2018-09-04 2020-03-12 주식회사 디이엔티 Oled 패널 비파괴검사기에 적용된 트랜스듀서 성능 열화 보상장치
KR102106089B1 (ko) * 2018-09-04 2020-04-29 주식회사 디이엔티 Oled 패널 비파괴검사기에 적용된 트랜스듀서 성능 열화 보상장치

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