JP2013172107A - チャックテーブル及びチャックテーブルを用いたウエーハのレーザー加工方法 - Google Patents
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- 238000003672 processing method Methods 0.000 title claims abstract description 28
- 230000005540 biological transmission Effects 0.000 claims abstract description 35
- 239000002390 adhesive tape Substances 0.000 claims abstract description 21
- 230000001681 protective effect Effects 0.000 claims description 55
- 238000003384 imaging method Methods 0.000 claims description 20
- 238000001514 detection method Methods 0.000 claims description 12
- 239000000463 material Substances 0.000 claims description 12
- 239000007888 film coating Substances 0.000 claims description 8
- 238000009501 film coating Methods 0.000 claims description 8
- 230000001678 irradiating effect Effects 0.000 claims description 7
- 235000012431 wafers Nutrition 0.000 description 157
- 230000002093 peripheral effect Effects 0.000 description 38
- 239000011347 resin Substances 0.000 description 17
- 229920005989 resin Polymers 0.000 description 17
- 238000004140 cleaning Methods 0.000 description 13
- 239000007788 liquid Substances 0.000 description 13
- 238000010586 diagram Methods 0.000 description 8
- 230000000052 comparative effect Effects 0.000 description 5
- 239000004065 semiconductor Substances 0.000 description 5
- 238000000034 method Methods 0.000 description 4
- 230000010355 oscillation Effects 0.000 description 4
- 230000032258 transport Effects 0.000 description 4
- XLYOFNOQVPJJNP-UHFFFAOYSA-N water Substances O XLYOFNOQVPJJNP-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 4
- 239000002202 Polyethylene glycol Substances 0.000 description 3
- 239000004372 Polyvinyl alcohol Substances 0.000 description 3
- 239000000919 ceramic Substances 0.000 description 3
- 229920001223 polyethylene glycol Polymers 0.000 description 3
- 229920002451 polyvinyl alcohol Polymers 0.000 description 3
- 229910052594 sapphire Inorganic materials 0.000 description 3
- 239000010980 sapphire Substances 0.000 description 3
- 238000005406 washing Methods 0.000 description 3
- 229920003171 Poly (ethylene oxide) Polymers 0.000 description 2
- 230000002411 adverse Effects 0.000 description 2
- 230000000694 effects Effects 0.000 description 2
- 239000003595 mist Substances 0.000 description 2
- GYHNNYVSQQEPJS-UHFFFAOYSA-N Gallium Chemical compound [Ga] GYHNNYVSQQEPJS-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 238000002679 ablation Methods 0.000 description 1
- 230000015572 biosynthetic process Effects 0.000 description 1
- 239000000470 constituent Substances 0.000 description 1
- 238000003708 edge detection Methods 0.000 description 1
- 238000005516 engineering process Methods 0.000 description 1
- 239000000284 extract Substances 0.000 description 1
- 229910052733 gallium Inorganic materials 0.000 description 1
- 230000010354 integration Effects 0.000 description 1
- 239000011229 interlayer Substances 0.000 description 1
- 238000003754 machining Methods 0.000 description 1
- 238000012986 modification Methods 0.000 description 1
- 230000004048 modification Effects 0.000 description 1
- 230000003287 optical effect Effects 0.000 description 1
- 239000012466 permeate Substances 0.000 description 1
- 239000011148 porous material Substances 0.000 description 1
- 229910052710 silicon Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000010703 silicon Substances 0.000 description 1
- 238000001179 sorption measurement Methods 0.000 description 1
- 238000006467 substitution reaction Methods 0.000 description 1
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- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
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- H01L21/683—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere for supporting or gripping
- H01L21/687—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere for supporting or gripping using mechanical means, e.g. chucks, clamps or pinches
- H01L21/68714—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere for supporting or gripping using mechanical means, e.g. chucks, clamps or pinches the wafers being placed on a susceptor, stage or support
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- B—PERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
- B23—MACHINE TOOLS; METAL-WORKING NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- B23K—SOLDERING OR UNSOLDERING; WELDING; CLADDING OR PLATING BY SOLDERING OR WELDING; CUTTING BY APPLYING HEAT LOCALLY, e.g. FLAME CUTTING; WORKING BY LASER BEAM
- B23K26/00—Working by laser beam, e.g. welding, cutting or boring
- B23K26/02—Positioning or observing the workpiece, e.g. with respect to the point of impact; Aligning, aiming or focusing the laser beam
- B23K26/03—Observing, e.g. monitoring, the workpiece
- B23K26/032—Observing, e.g. monitoring, the workpiece using optical means
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- B—PERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
- B23—MACHINE TOOLS; METAL-WORKING NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- B23K—SOLDERING OR UNSOLDERING; WELDING; CLADDING OR PLATING BY SOLDERING OR WELDING; CUTTING BY APPLYING HEAT LOCALLY, e.g. FLAME CUTTING; WORKING BY LASER BEAM
- B23K26/00—Working by laser beam, e.g. welding, cutting or boring
- B23K26/08—Devices involving relative movement between laser beam and workpiece
- B23K26/10—Devices involving relative movement between laser beam and workpiece using a fixed support, i.e. involving moving the laser beam
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- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
- H01L21/02—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof
- H01L21/04—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof the devices having potential barriers, e.g. a PN junction, depletion layer or carrier concentration layer
- H01L21/18—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof the devices having potential barriers, e.g. a PN junction, depletion layer or carrier concentration layer the devices having semiconductor bodies comprising elements of Group IV of the Periodic Table or AIIIBV compounds with or without impurities, e.g. doping materials
- H01L21/30—Treatment of semiconductor bodies using processes or apparatus not provided for in groups H01L21/20 - H01L21/26
- H01L21/302—Treatment of semiconductor bodies using processes or apparatus not provided for in groups H01L21/20 - H01L21/26 to change their surface-physical characteristics or shape, e.g. etching, polishing, cutting
- H01L21/304—Mechanical treatment, e.g. grinding, polishing, cutting
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- Engineering & Computer Science (AREA)
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- Plasma & Fusion (AREA)
- Manufacturing & Machinery (AREA)
- Computer Hardware Design (AREA)
- Microelectronics & Electronic Packaging (AREA)
- Power Engineering (AREA)
- Laser Beam Processing (AREA)
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Abstract
【解決手段】チャックテーブル10はウエーハWを粘着テープTを介して保持面11aで保持する。ウエーハWは粘着テープTを介して環状フレームFに貼着される。ウエーハWの表面WSに複数のデバイスDが第1及び第2のストリートによって区画されている。チャックテーブル10は吸引源12に連通する吸引路13と保持面11aを上面に有する保持部材11とLED14を備えている。保持部材11は吸引路13からの負圧によってウエーハWを吸引保持する吸引領域16と吸引領域16を囲繞する光透過領域17とからなる。LED14は光透過領域17の下方に配設されている。光透過領域17はウエーハWの直径に比較して外径が大きく内径が小さい円環状である。
【選択図】図3
Description
図1は、実施形態に係るチャックテーブルを備えたレーザー加工装置の構成例を示す図である。図2は、実施形態に係るチャックテーブルの構成を示す斜視図である。図3は、図2中のIII−III線に沿うチャックテーブルの断面図である。図4は、実施形態に係るチャックテーブルを用いたレーザー加工方法のフローを示す図である。図5は、実施形態に係るチャックテーブルを用いたレーザー加工方法のウエーハ貼着ステップを示す斜視図である。図6は、実施形態に係るチャックテーブルを用いたレーザー加工方法の保護膜被覆ステップを示す斜視図である。図7は、実施形態に係るチャックテーブルを用いたレーザー加工方法の外周縁検出ステップを示す断面図である。図8は、実施形態に係るチャックテーブルを用いたレーザー加工方法の外周縁検出ステップを示す斜視図である。図9は、図8に示されたレーザー加工方法の外周縁検出ステップの要部を示す断面図である。図10は、実施形態に係るチャックテーブルを用いたレーザー加工方法の外周縁検出ステップで得た画像を示す図である。図11は、実施形態に係るチャックテーブルを用いたレーザー加工方法のレーザー加工溝形成ステップを示す斜視図である。図12は、比較例の得た画像を示す図である。
11 保持部材
11a 保持面
12 吸引源
13 吸引路
14 LED(発光体)
16 吸引領域
17 光透過領域
30 撮像手段
D デバイス
E 外周縁
F 環状フレーム
J 液状樹脂(保護材料)
P 保護膜
S レーザー加工溝
T 粘着テープ
W ウエーハ
W1 第1のストリート(分割予定ライン)
W2 第2のストリート(分割予定ライン)
WS 表面
ST1 ウエーハ貼着ステップ
ST2 保護膜被覆ステップ
ST3 外周縁検出ステップ
ST4 レーザー加工溝形成ステップ
Claims (2)
- 粘着テープを介して環状フレームに貼着され、表面に複数のデバイスが分割予定ラインによって区画されたウエーハを、該粘着テープを介して保持面で保持するチャックテーブルであって、
該チャックテーブルは、吸引源に連通する吸引路と、該保持面を上面に有する保持部材と、該保持部材の下方に配設された発光体と、を備え、
該保持部材は、該吸引路からの負圧によって載置する該ウエーハを吸引保持する吸引領域と、該吸引領域を囲繞する透明又は半透明部材からなる光透過領域と、からなり、
該発光体は、該光透過領域の下方に配設され、
該光透過領域は、該ウエーハの直径に比較して外径が大きく、該ウエーハの直径に比較して内径が小さい環状であることを特徴とするチャックテーブル。 - 請求項1記載のチャックテーブルを用いたウエーハのレーザー加工方法であって、
複数の分割予定ラインによって区画された領域にデバイスが形成された表面を上面にして該ウエーハを環状フレームに該貼着テープを介して貼着するウエーハ貼着ステップと、
該ウエーハ貼着ステップを実施した後に、該ウエーハの該表面に保護材料を塗布して保護膜を形成する保護膜被覆ステップと、
該保護膜被覆ステップを実施した後に、該貼着テープを介して該チャックテーブルに載置した該ウエーハを、撮像手段を用いて撮像し、該ウエーハの外周縁を検出する外周縁検出ステップと、
該外周縁検出ステップを実施後、該ウエーハの分割予定ラインに沿って該保護膜側からレーザー光線を該ウエーハの該表面に照射し、該ウエーハにレーザー加工溝を形成するレーザー加工溝形成ステップと、を含み、
該外周縁検出ステップでは、該ウエーハの外周縁を該チャックテーブルの前記光透過領域上に位置付け、前記発光体を発光させて該ウエーハを撮像することを特徴とするチャックテーブルを用いたウエーハのレーザー加工方法。
Priority Applications (3)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP2012036769A JP5893952B2 (ja) | 2012-02-22 | 2012-02-22 | チャックテーブルを用いたウエーハのレーザー加工方法 |
TW102101793A TW201340249A (zh) | 2012-02-22 | 2013-01-17 | 夾頭台及使用夾頭台之晶圓之雷射加工方法 |
KR1020130010836A KR20130096650A (ko) | 2012-02-22 | 2013-01-31 | 척 테이블 및 척 테이블을 이용한 웨이퍼의 레이저 가공 방법 |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP2012036769A JP5893952B2 (ja) | 2012-02-22 | 2012-02-22 | チャックテーブルを用いたウエーハのレーザー加工方法 |
Publications (2)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JP2013172107A true JP2013172107A (ja) | 2013-09-02 |
JP5893952B2 JP5893952B2 (ja) | 2016-03-23 |
Family
ID=49219468
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP2012036769A Active JP5893952B2 (ja) | 2012-02-22 | 2012-02-22 | チャックテーブルを用いたウエーハのレーザー加工方法 |
Country Status (3)
Country | Link |
---|---|
JP (1) | JP5893952B2 (ja) |
KR (1) | KR20130096650A (ja) |
TW (1) | TW201340249A (ja) |
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-
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- 2012-02-22 JP JP2012036769A patent/JP5893952B2/ja active Active
-
2013
- 2013-01-17 TW TW102101793A patent/TW201340249A/zh unknown
- 2013-01-31 KR KR1020130010836A patent/KR20130096650A/ko not_active Application Discontinuation
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TWI752131B (zh) * | 2017-01-16 | 2022-01-11 | 日商迪思科股份有限公司 | 吸盤座之阻塞檢測方法及加工裝置 |
JP2018182115A (ja) * | 2017-04-17 | 2018-11-15 | 株式会社ディスコ | ウエーハの加工方法 |
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JP2020043186A (ja) * | 2018-09-10 | 2020-03-19 | 株式会社ディスコ | 加工装置 |
JP7132042B2 (ja) | 2018-09-10 | 2022-09-06 | 株式会社ディスコ | 加工装置 |
KR102491740B1 (ko) | 2018-09-10 | 2023-01-25 | 가부시기가이샤 디스코 | 가공 장치 |
Also Published As
Publication number | Publication date |
---|---|
JP5893952B2 (ja) | 2016-03-23 |
KR20130096650A (ko) | 2013-08-30 |
TW201340249A (zh) | 2013-10-01 |
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Legal Events
Date | Code | Title | Description |
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A621 | Written request for application examination |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A621 Effective date: 20150108 |
|
A977 | Report on retrieval |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A971007 Effective date: 20151225 |
|
A131 | Notification of reasons for refusal |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A131 Effective date: 20160105 |
|
A521 | Request for written amendment filed |
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|
TRDD | Decision of grant or rejection written | ||
A01 | Written decision to grant a patent or to grant a registration (utility model) |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A01 Effective date: 20160209 |
|
A61 | First payment of annual fees (during grant procedure) |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A61 Effective date: 20160225 |
|
R150 | Certificate of patent or registration of utility model |
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|
R250 | Receipt of annual fees |
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R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |
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