JP2013170118A5 - - Google Patents
Download PDFInfo
- Publication number
- JP2013170118A5 JP2013170118A5 JP2012037161A JP2012037161A JP2013170118A5 JP 2013170118 A5 JP2013170118 A5 JP 2013170118A5 JP 2012037161 A JP2012037161 A JP 2012037161A JP 2012037161 A JP2012037161 A JP 2012037161A JP 2013170118 A5 JP2013170118 A5 JP 2013170118A5
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- frequency
- polycrystalline silicon
- silicon rod
- frequency current
- current
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Granted
Links
Claims (3)
- 反応器中にシリコン芯線を配置し、前記反応炉内にシラン化合物を含有する原料ガスを供給し、通電により加熱された前記シリコン芯線上にＣＶＤ法により多結晶シリコンを析出させて多結晶シリコン棒を製造する方法であって、
前記方法は、周波数可変の高周波電源により、前記多結晶シリコン棒に２ｋＨｚ以上の周波数を有する電流を通電させて加熱する高周波電流通電工程を備えており、
該高周波電流通電工程は、直列に連結された前記多結晶シリコンの析出により直径が８０ｍｍ以上の所定値Ｄ0に達した多結晶シリコン棒に高周波電流を供給する工程を含み、
該高周波電流の供給工程では、前記高周波電流が前記多結晶シリコン棒中を流れる際の表皮深さが１３．８ｍｍ以上で８０．０ｍｍ以下となる範囲内で、前記高周波電流の周波数が前記多結晶シリコン棒の表面温度変動に応じて選択され、
前記原料ガスとしてトリクロロシランを含有するガスを選択し、前記多結晶シリコン棒の表面温度を９００℃以上で１２５０℃以下に制御して多結晶シリコンを析出させること、を特徴とする多結晶シリコン棒の製造方法。 - 前記高周波電流の周波数の選択は少なくとも２つの周波数間で行われ、
前記高周波電流の供給工程は、通電量が一定の条件で電流供給している状態で前記多結晶シリコン棒の表面温度の低下のおそれが生じた際に、前記高周波電流の周波数を低周波数側に切り替えるとともに前記通電量を増加させて前記多結晶シリコン棒の表面温度を維持する工程を含む、請求項１に記載の多結晶シリコン棒の製造方法。 - 前記高周波電流の周波数の選択は少なくとも２つの周波数間で行われ、
前記高周波電流の供給工程は、通電量が一定の条件で電流供給している状態で前記多結晶シリコン棒の表面温度の低下のおそれが生じた際に、前記通電量は維持しつつ前記高周波電流の周波数を高周波数側に切り替えて前記多結晶シリコン棒の表面温度を維持する工程を含む、請求項１に記載の多結晶シリコン棒の製造方法。
Priority Applications (8)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP2012037161A JP5792658B2 (ja) | 2012-02-23 | 2012-02-23 | 多結晶シリコン棒の製造方法 |
| KR1020147019668A KR20140128300A (ko) | 2012-02-23 | 2013-02-19 | 다결정 실리콘 봉의 제조 방법 |
| US14/379,429 US20150037516A1 (en) | 2012-02-23 | 2013-02-19 | Polycrystalline silicon rod manufacturing method |
| EP13751609.2A EP2818449B1 (en) | 2012-02-23 | 2013-02-19 | Polycrystalline silicon rod manufacturing method |
| CN201380006277.9A CN104066678B (zh) | 2012-02-23 | 2013-02-19 | 多晶硅棒的制造方法 |
| PCT/JP2013/000893 WO2013125208A1 (ja) | 2012-02-23 | 2013-02-19 | 多結晶シリコン棒の製造方法 |
| MYPI2014702227A MY171531A (en) | 2012-02-23 | 2013-02-19 | Polycrystalline silicon rod manufacturing method |
| CN201710117230.XA CN106947955A (zh) | 2012-02-23 | 2013-02-19 | 多晶硅棒的制造方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP2012037161A JP5792658B2 (ja) | 2012-02-23 | 2012-02-23 | 多結晶シリコン棒の製造方法 |
Publications (3)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JP2013170118A JP2013170118A (ja) | 2013-09-02 |
| JP2013170118A5 true JP2013170118A5 (ja) | 2014-01-23 |
| JP5792658B2 JP5792658B2 (ja) | 2015-10-14 |
Family
ID=49005404
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP2012037161A Active JP5792658B2 (ja) | 2012-02-23 | 2012-02-23 | 多結晶シリコン棒の製造方法 |
Country Status (7)
| Country | Link |
|---|---|
| US (1) | US20150037516A1 (ja) |
| EP (1) | EP2818449B1 (ja) |
| JP (1) | JP5792658B2 (ja) |
| KR (1) | KR20140128300A (ja) |
| CN (2) | CN104066678B (ja) |
| MY (1) | MY171531A (ja) |
| WO (1) | WO2013125208A1 (ja) |
Families Citing this family (4)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP6418778B2 (ja) * | 2014-05-07 | 2018-11-07 | 信越化学工業株式会社 | 多結晶シリコン棒、多結晶シリコン棒の製造方法、および、単結晶シリコン |
| JP6314097B2 (ja) * | 2015-02-19 | 2018-04-18 | 信越化学工業株式会社 | 多結晶シリコン棒 |
| JP7191780B2 (ja) * | 2019-06-17 | 2022-12-19 | 信越化学工業株式会社 | 多結晶シリコンロッドの製造方法 |
| CN114150372A (zh) * | 2022-02-10 | 2022-03-08 | 杭州中欣晶圆半导体股份有限公司 | 一种横向磁场变频电流控制系统及单晶生长缺陷控制方法 |
Family Cites Families (4)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| DE2831816A1 (de) | 1978-07-19 | 1980-01-31 | Siemens Ag | Verfahren zum abscheiden von silicium in feinkristalliner form |
| JPS6374909A (ja) | 1986-09-19 | 1988-04-05 | Shin Etsu Handotai Co Ltd | 大直径多結晶シリコン棒の製造方法 |
| DE19882883B4 (de) * | 1997-12-15 | 2009-02-26 | Advanced Silicon Materials LLC, (n.d.Ges.d.Staates Delaware), Moses Lake | System für die chemische Abscheidung aus der Gasphase zum Herstellen polykristalliner Siliziumstangen |
| RU2499768C2 (ru) * | 2008-03-10 | 2013-11-27 | Аег Пауэр Солюшнс Б.В. | Устройство и способ равномерного электропитания кремниевого стержня |
-
2012
- 2012-02-23 JP JP2012037161A patent/JP5792658B2/ja active Active
-
2013
- 2013-02-19 EP EP13751609.2A patent/EP2818449B1/en active Active
- 2013-02-19 WO PCT/JP2013/000893 patent/WO2013125208A1/ja active Application Filing
- 2013-02-19 US US14/379,429 patent/US20150037516A1/en not_active Abandoned
- 2013-02-19 MY MYPI2014702227A patent/MY171531A/en unknown
- 2013-02-19 CN CN201380006277.9A patent/CN104066678B/zh active Active
- 2013-02-19 CN CN201710117230.XA patent/CN106947955A/zh not_active Withdrawn
- 2013-02-19 KR KR1020147019668A patent/KR20140128300A/ko not_active Application Discontinuation
Similar Documents
| Publication | Publication Date | Title |
|---|---|---|
| JP4812938B2 (ja) | 多結晶シリコン棒製造用化学的蒸気析着方式 | |
| JP2013170118A5 (ja) | ||
| WO2005113854A3 (en) | Apparatus and methods of making nanostructures by inductive heating | |
| JP2002508294A5 (ja) | ||
| IN2015DN03263A (ja) | ||
| EA200870558A1 (ru) | Способы получения стержней поликристаллического кремния высокой степени чистоты с использованием металлического средства-основы | |
| CN202030861U (zh) | 一种多晶硅晶体生长炉加热装置 | |
| CN104498902A (zh) | 一种常压化学气相沉积石墨烯薄膜的制备方法 | |
| JP2012515698A5 (ja) | ||
| CN106573784B (zh) | 多晶硅制造用反应炉、多晶硅制造装置、多晶硅的制造方法、以及多晶硅棒或多晶硅块 | |
| IN2014CN02480A (ja) | ||
| EP2684846A3 (en) | Method for producing silicon using microwave, and microwave reduction furnace | |
| CN205856655U (zh) | 一种碳化硅单晶炉 | |
| CN106933119A (zh) | 多晶硅还原炉调功柜控制系统 | |
| CN102608913A (zh) | 多晶硅生产还原炉停炉控制系统及其方法 | |
| CN104108718A (zh) | 一种多晶硅快速沉积的方法和装置 | |
| JP2013258188A5 (ja) | ||
| CN103590109A (zh) | 直拉单晶炉磁场装置及使用该磁场装置的拉晶方法 | |
| CN106637386A (zh) | 提高拉晶速度的直拉单晶用加热器及直拉单晶方法 | |
| WO2012144742A3 (ko) | 온도 자가조절형 면상발열체를 적용한 의류 및 그 제조방법 | |
| JP7191780B2 (ja) | 多結晶シリコンロッドの製造方法 | |
| CN202705048U (zh) | 一种石墨烯的连续生产装置 | |
| CN205501447U (zh) | 一种热交换蓝宝石晶体生长炉 | |
| CN202254863U (zh) | 一种加热合成金刚石的加热炉 | |
| CN108622902A (zh) | 一种提高多晶硅还原炉单炉产量的电加热装置及其方法 |