JP2013165010A5 - - Google Patents

Claims (9)

1. 正及び負の各極板とそれら両者間に設けられる絶縁用のセパレータとを備える発電要素と、正負の各集電体とを備える蓄電素子であって、
   前記極板の少なくとも一方には活物質層形成部と活物質層未形成部とが形成されており、
   前記活物質層未形成部と前記集電体とが重ねられて接合される接合部は、超音波溶接により接合される第一溶接部とレーザ溶接又は電子ビーム溶接により接合される第二溶接部とを有するとともに、前記第一溶接部は前記活物質層形成部と前記第二溶接部との間に形成されている蓄電素子。
2. 前記第一溶接部は、前記第二溶接部を囲繞する状態のものに形成されている請求項１に記載の蓄電素子。
3. 前記第一溶接部が、互いに並列で、かつ、直線状に複数設けられている請求項１に記載の蓄電素子。
4. 前記第二溶接部は、隣り合う前記第一溶接部の間に形成されている請求項３に記載の蓄電素子。
5. 前記第二溶接部は、前記活物質層形成部と前記活物質層未形成部との境界線に沿って延びる状態に形成されている請求項１〜４の何れか一項に記載の蓄電素子。
6. 前記第一溶接部は、超音波溶接に伴う超音波振動の方向に沿って延びるとともに、前記第二溶接部の延び方向に沿う状態で形成されている請求項５に記載の蓄電素子。
7. 正及び負の各極板とそれら両者間に設けられる絶縁用のセパレータとを備える発電要素と、正負の各集電体とを備える蓄電素子の製造方法であって、
   前記極板の少なくとも一方に、活物質層形成部と活物質層未形成部とが備わる極板を用い、
   前記活物質層未形成部と前記集電体とを重ねて超音波溶接とレーザ溶接又は電子ビーム溶接とによって接合するにあたり、前記レーザ溶接又は電子ビーム溶接により接合される溶接部と前記活物質層形成部との間となる箇所に、前記レーザ溶接又は電子ビーム溶接に先立たせて前記超音波溶接を行う蓄電素子の製造方法。
8. 前記超音波溶接を、平坦部とアンビル側に突出する突起部とを備える溶接チップを用い、かつ、前記突起部が前記平坦部と前記活物質層未形成部との間に位置する状態で行うとともに、前記活物質層未形成部における前記平坦部に対応する平面部に前記レーザ溶接又は電子ビーム溶接を行う請求項７に記載の蓄電素子の製造方法。
9. 前記超音波溶接を、前記平坦部の周囲に前記突起部がエンドレス状に形成されている溶接チップを用いて行う請求項８に記載の蓄電素子の製造方法。