JP2013161820A5 - - Google Patents

Download PDF

Info

Publication number
JP2013161820A5
JP2013161820A5 JP2012020067A JP2012020067A JP2013161820A5 JP 2013161820 A5 JP2013161820 A5 JP 2013161820A5 JP 2012020067 A JP2012020067 A JP 2012020067A JP 2012020067 A JP2012020067 A JP 2012020067A JP 2013161820 A5 JP2013161820 A5 JP 2013161820A5
Authority
JP
Japan
Prior art keywords
substrate
laser
single crystal
objective lens
silicon
Prior art date
Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
Granted
Application number
JP2012020067A
Other languages
English (en)
Japanese (ja)
Other versions
JP2013161820A (ja
JP6044919B2 (ja
Filing date
Publication date
Application filed filed Critical
Priority to JP2012020067A priority Critical patent/JP6044919B2/ja
Priority claimed from JP2012020067A external-priority patent/JP6044919B2/ja
Priority to TW102103674A priority patent/TWI524960B/zh
Priority to PCT/JP2013/052327 priority patent/WO2013115353A1/ja
Publication of JP2013161820A publication Critical patent/JP2013161820A/ja
Publication of JP2013161820A5 publication Critical patent/JP2013161820A5/ja
Application granted granted Critical
Publication of JP6044919B2 publication Critical patent/JP6044919B2/ja
Active legal-status Critical Current
Anticipated expiration legal-status Critical

Links

JP2012020067A 2012-02-01 2012-02-01 基板加工方法 Active JP6044919B2 (ja)

Priority Applications (3)

Application Number Priority Date Filing Date Title
JP2012020067A JP6044919B2 (ja) 2012-02-01 2012-02-01 基板加工方法
TW102103674A TWI524960B (zh) 2012-02-01 2013-01-31 基板及基板加工方法
PCT/JP2013/052327 WO2013115353A1 (ja) 2012-02-01 2013-02-01 基板及び基板加工方法

Applications Claiming Priority (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
JP2012020067A JP6044919B2 (ja) 2012-02-01 2012-02-01 基板加工方法

Publications (3)

Publication Number Publication Date
JP2013161820A JP2013161820A (ja) 2013-08-19
JP2013161820A5 true JP2013161820A5 (enExample) 2014-11-13
JP6044919B2 JP6044919B2 (ja) 2016-12-14

Family

ID=48905381

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
JP2012020067A Active JP6044919B2 (ja) 2012-02-01 2012-02-01 基板加工方法

Country Status (3)

Country Link
JP (1) JP6044919B2 (enExample)
TW (1) TWI524960B (enExample)
WO (1) WO2013115353A1 (enExample)

Families Citing this family (17)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
DE102015000449A1 (de) * 2015-01-15 2016-07-21 Siltectra Gmbh Festkörperteilung mittels Stoffumwandlung
JP6298695B2 (ja) * 2014-04-16 2018-03-20 信越ポリマー株式会社 原盤製造方法及び原盤
JP6506520B2 (ja) * 2014-09-16 2019-04-24 株式会社ディスコ SiCのスライス方法
JP6482423B2 (ja) * 2015-07-16 2019-03-13 株式会社ディスコ ウエーハの生成方法
JP6562819B2 (ja) * 2015-11-12 2019-08-21 株式会社ディスコ SiC基板の分離方法
WO2017167614A1 (de) 2016-03-22 2017-10-05 Siltectra Gmbh Kombinierte laserbehandlung eines zu splittenden festkörpers
JP2018063407A (ja) * 2016-10-14 2018-04-19 株式会社ディスコ 貼り合わせ基板の加工方法
US10978311B2 (en) 2016-12-12 2021-04-13 Siltectra Gmbh Method for thinning solid body layers provided with components
JP6887641B2 (ja) * 2017-03-30 2021-06-16 国立大学法人埼玉大学 ガラススライシング方法
JP6923877B2 (ja) * 2017-04-26 2021-08-25 国立大学法人埼玉大学 基板製造方法
JP6943388B2 (ja) * 2017-10-06 2021-09-29 国立大学法人埼玉大学 基板製造方法
JP7121941B2 (ja) * 2018-03-09 2022-08-19 国立大学法人埼玉大学 基板製造方法
JP7417411B2 (ja) * 2019-02-13 2024-01-18 株式会社ディスコ 確認方法
US12525453B2 (en) 2019-04-19 2026-01-13 Tokyo Electron Limited Processing apparatus and processing method
TWI860382B (zh) 2019-07-18 2024-11-01 日商東京威力科創股份有限公司 處理裝置及處理方法
TWI857095B (zh) 2019-07-18 2024-10-01 日商東京威力科創股份有限公司 處理裝置及處理方法
TWI877184B (zh) 2019-07-18 2025-03-21 日商東京威力科創股份有限公司 處理裝置及處理方法

Family Cites Families (6)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
KR20000073768A (ko) * 1999-05-14 2000-12-05 황인길 반도체 웨이퍼 제조 공정에서의 실리콘 잉고트 레이저 빔 절삭방법
JP4954653B2 (ja) * 2006-09-19 2012-06-20 浜松ホトニクス株式会社 レーザ加工方法
JP2009200383A (ja) * 2008-02-25 2009-09-03 Seiko Epson Corp 基板分割方法、及び表示装置の製造方法
JP5456382B2 (ja) * 2009-06-17 2014-03-26 信越ポリマー株式会社 半導体ウェーハの製造方法及びその装置
JP5645000B2 (ja) * 2010-01-26 2014-12-24 国立大学法人埼玉大学 基板加工方法
KR20110114972A (ko) * 2010-04-14 2011-10-20 삼성전자주식회사 레이저 빔을 이용한 기판의 가공 방법

Similar Documents

Publication Publication Date Title
JP2013161820A5 (enExample)
JP2013161976A5 (enExample)
JP6044919B2 (ja) 基板加工方法
JP7420937B2 (ja) ワークピースのレーザ加工の方法、加工光学ユニット及びレーザ加工装置
JP6301203B2 (ja) チップの製造方法
CN108890138B (zh) 一种用于陶瓷基复合材料的超快激光抛光加工方法
JP2005184032A5 (enExample)
JP6901470B2 (ja) 粉末床レーザー溶融による積層造形システム及び積層造形プロセス
CN102825382B (zh) 激光加工装置
JP2006114627A5 (enExample)
JP5995045B2 (ja) 基板加工方法及び基板加工装置
JP2019532004A5 (enExample)
JP2002141301A5 (enExample)
JP2015123466A (ja) 基板加工装置及び基板加工方法
JP5667347B2 (ja) レーザ光によるガラス基板加工装置
JP2013089714A (ja) チップ形成方法
JP2006167804A5 (enExample)
CN102848081A (zh) 激光光线照射装置
JP2008205443A5 (enExample)
JP2015513223A5 (enExample)
JP2007061855A (ja) レーザ照射装置
JP2014013833A (ja) レーザ光整形装置およびレーザ光整形方法ならびにレーザ処理装置およびレーザ処理方法
JP2012169361A5 (enExample)
CN107636805B (zh) 半导体元件的制造方法及制造装置
TWI459066B (zh) 改善景深之光學裝置與系統