JP2013153018A - 半導体装置 - Google Patents
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Abstract
【解決手段】 ESD保護用のN型MOSトランジスタのドレイン領域には、局所的なトランジスタ動作により発生した熱を効率よく伝導して放熱させるための深堀コンタクト領域が接続されている半導体装置とした。
【選択図】 図1
Description
このためオフトランジスタの占有面積は大きく、特に小さなICチップではIC全体のコストアップ原因となるという問題点を有していた。
外部接続端子からの距離に応じて、外部接続端子からの距離が遠いほど小さくして、トランジスタの動作を速める工夫をした例も提案されている(例えば、特許文献1参照)。
内部回路領域に少なくとも内部素子のN型MOSトランジスタを有し、外部接続端子と前記内部回路領域との間に、前記内部素子のN型MOSトランジスタやその他の内部素子をESDによる破壊から保護するためのESD保護用のN型MOSトランジスタを有する半導体装置において、前記ESD保護用のN型MOSトランジスタのドレイン領域には、局所的なトランジスタ動作により発生した熱を効率よく伝導して放熱させるための深堀コンタクト領域が配置され、前記ドレイン領域と前記外部接続端子と前記ESD保護用のN型MOSトランジスタとを電気的接続する配線とは、前記深堀コンタクト領域を介して接続されている半導体装置とした。
第1導電型半導体基板としてのP型のシリコン基板101上には、一対のN型の高濃度不純物領域からなるソース領域201とドレイン領域202が形成されており、その他の素子との間にはシャロートレンチアイソレーションによるトレンチ分離領域301が形成されて絶縁分離されている。
ここで、ドレイン領域202には、深堀コンタクト領域203が設けられ、アルミニウムなどによる配線701が、深堀コンタクト領域203を介してドレイン領域202と接続されている。
これらの構造により本発明によるESD保護用のN型MOSトランジスタ601が形成されている。
第1導電型半導体基板としてのP型のシリコン基板101上には、一対のN型の高濃度不純物領域からなるソース領域201とドレイン領域202が形成されており、その他の素子との間にはシャロートレンチアイソレーションによるトレンチ分離領域301が形成されて絶縁分離されている。
このような構造をとることによって、ESD保護用のN型MOSトランジスタ601のドレイン領域202に外部端子から大きな静電気が印加されて、ESD保護用のN型MOSトランジスタ601の一部がバイポーラ動作に入った場合に、バイポーラ動作による電流によってドレイン領域202の一部が発熱するが、ドレイン領域202の配線701との接続部よりもゲート電極に近い部分に放熱領域801が接続されているため、速やかに発生した熱を逃がすことができる。
図2に示した第1の実施例では、より製造工程が簡略にできる場合の例として放熱領域801が配線701と同一材料である場合を示したが、必ずしも同一材料である必要はない。
図2に示した第2の実施例と異なる点は、配線701と異なる金属層からなる放熱領域801が配線701の上方に接続配置されている点である。
201 ソース領域
202 ドレイン領域
203 深堀コンタクト領域
301 トレンチ分離領域
401 ゲート酸化膜
402 ゲート電極
601 ESD保護用のN型のMOSトランジスタ
701 配線
801 放熱領域
Claims (7)
- 内部回路領域に少なくとも内部素子のN型MOSトランジスタを有し、外部接続端子と前記内部回路領域との間に、前記内部素子のN型MOSトランジスタやその他の内部素子をESDによる破壊から保護するためのESD保護用のN型MOSトランジスタを有する半導体装置において、前記ESD保護用のN型MOSトランジスタのドレイン領域には、局所的なトランジスタ動作により発生した熱を効率よく伝導して放熱させるための深堀コンタクト領域が配置され、前記外部接続端子と前記ESD保護用のN型MOSトランジスタとを電気的接続するための配線と前記ドレイン領域とが、前記深堀コンタクト領域を介して接続されている半導体装置。
- 前記ESD保護用のN型MOSトランジスタのドレイン領域には、局所的なトランジスタ動作により発生した熱を効率よく伝導して放熱させるための深堀コンタクト領域が配置され、放熱領域が前記深堀コンタクト領域を介して前記ドレイン領域と接続されている、請求項1記載の半導体装置。
- 前記放熱領域は、前記外部接続端子と前記ESD保護用のN型MOSトランジスタとを電気的接続する配線と同一材料からなる請求項2記載の半導体装置。
- 前記放熱領域は、前記外部接続端子と前記ESD保護用のN型MOSトランジスタとを電気的接続する配線とは異なる領域で、前記ESD保護用のN型MOSトランジスタのドレイン領域と前記深堀コンタクト領域を介して接続されている請求項2記載の半導体装置。
- 前記放熱領域と前記ESD保護用のN型MOSトランジスタのドレイン領域とが前記深堀コンタクト領域を介して接続されている位置は、前記配線が前記ESD保護用のN型MOSトランジスタのドレイン領域と電気的な接続をする領域よりもゲート電極に近い場所に配置されている請求項4記載の半導体装置。
- 前記放熱領域は、複数層の金属層により形成されている請求項4記載の半導体装置。
- 前記放熱領域は、前記ESD保護用のN型MOSトランジスタの複数のドレイン領域と互いに接続している請求項4記載の半導体装置。
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Cited By (1)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
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2012
- 2012-01-24 JP JP2012012316A patent/JP2013153018A/ja active Pending
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