JP2013149838A - ホール素子、ホール素子の製造方法 - Google Patents
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Abstract
【課題】 消費電力が増加することがなく、混載される他の素子に影響を及ぼすことがなく、しかも入力電圧による空乏層幅の変動を抑えることができるホール素子を提供する。
【解決手段】 基板101に形成され、基板101中のp型不純物と極性が異なるn型不純物が注入されている第1ウェル層106と、第1ウェル層106の外側に形成され、第1ウェル層106中の不純物と同じ極性のp型不純物が、第1ウェル層106よりも低い濃度で注入されている第2ウェル層107と、を含むホール素子を形成する。
【選択図】 図1
【解決手段】 基板101に形成され、基板101中のp型不純物と極性が異なるn型不純物が注入されている第1ウェル層106と、第1ウェル層106の外側に形成され、第1ウェル層106中の不純物と同じ極性のp型不純物が、第1ウェル層106よりも低い濃度で注入されている第2ウェル層107と、を含むホール素子を形成する。
【選択図】 図1
Description
本発明は、ホール素子、このホール素子の製造方法に関する。
ホール素子は、ホール効果を利用して磁気を検出する磁気センサ等に適用されるセンサである。公知のホール素子の多くは、2つの入力端子と2つの出力端子とを有している。入力端子間に電流を流す、または電圧を印加し、ホール素子が形成されている基板の表面から裏面に向かう方向に磁場をかけ、出力端子から出力される電圧によって磁場の大きさを検出する。
図3(a)、(b)は、公知のホール素子の問題点を説明するための図である。図3(a)、(b)に示したホール素子では、不純物濃度が高いp+基板1にn-層2を形成し、n-層2に入力端子4、5を設けている。符号3を付して示したのは、基板1の電位を固定するための電圧を印加する、サブストレート端子である。
図3(a)、(b)に示したホール素子では、p+基板1とn-層2との不純物の濃度差によってp+基板1とn-層2との両方に空乏層14が生じる。なお、図3(a)、(b)では、n-層2側の空乏層のみを示している。図3(a)は、サブストレート端子3に−5Vの電圧が印加され、入力端子5に+2Vの電圧が印加された状態を示している。図3(b)は、サブストレート端子3に−5Vの電圧が印加され、入力端子5に−2Vの電圧が印加された状態を示している。
図3(a)、(b)に示したホール素子では、p+基板1とn-層2との不純物の濃度差によってp+基板1とn-層2との両方に空乏層14が生じる。なお、図3(a)、(b)では、n-層2側の空乏層のみを示している。図3(a)は、サブストレート端子3に−5Vの電圧が印加され、入力端子5に+2Vの電圧が印加された状態を示している。図3(b)は、サブストレート端子3に−5Vの電圧が印加され、入力端子5に−2Vの電圧が印加された状態を示している。
図3(a)と図3(b)とを比較すると、基板1とn-層2との電位差によって入力端子5下の空乏層14の幅が変化することが分かる。入力端子4、5から図示しない出力端子に向かう電流は、n-層2中を通る。このことから、図3(a)、(b)に示したホール素子では、入力端子に印加される電圧によって電流流路の抵抗値が変動することになる。印加電圧による抵抗値の変動は、ホール素子の特性のばらつきや、磁場の測定誤差の一因となる。このため、ホール素子の分野では、入力電圧による空乏層幅の変動を抑えるための技術が要求されている。
ホール素子における空乏層幅の変動を抑える従来技術としては、例えば、特許文献1に記載された技術がある。図4は、特許文献1に記載されている技術を説明するための図であって、図4中に示した構成のうち。図3(a)、(b)に示した構成と同様の構成については同様の符号を付し、その説明を一部略すものとする。
特許文献1記載の発明では、基板に不純物濃度が低いp-基板15を用い、入力端子5の近傍にもサブストレート端子6を設けている。そして、サブストレート端子3と入力端子4とを接続し、サブストレート端子6と入力端子5とを接続して入力電圧を印加する。
特許文献1記載の発明では、基板に不純物濃度が低いp-基板15を用い、入力端子5の近傍にもサブストレート端子6を設けている。そして、サブストレート端子3と入力端子4とを接続し、サブストレート端子6と入力端子5とを接続して入力電圧を印加する。
特許文献1記載の発明によれば、基板15の電位勾配とn-層2との電位勾配が略一致するので、基板15の電位勾配とn-層2との間で空乏層が形成されることを防ぐことができる。
しかしながら、上記した特許文献1記載の発明では、ホール素子としての動作に直接関係ない領域に電流が流れることになるため、ホール素子の消費電力が大きくなってしまう。また、サブストレート端子3、6端子にも入力端子4、5と共に入力電圧を印加することになるため、ホール素子が形成されている基板15に他の素子を形成する場合、この素子が基板15に流れる電流の影響を受ける可能性がある。
本発明は、このような点に鑑みてなされたものであり、消費電力が増加することがなく、混載される他の素子に影響を及ぼすことがなく、しかも入力電圧による空乏層幅の変動を抑えることができるホール素子を提供することを目的とする。
本発明の一態様のホール素子は、基板(例えば図1(a)、(b)に示した基板101)に形成され、該基板中の不純物(p型不純物)と極性が異なる不純物(n型不純物)が注入されている第1の不純物層(例えば図1(a)、(b)に示した第1ウェル層106)と、前記第1の不純物層の外側に形成され、前記第1の不純物層中の不純物と同じ極性の不純物が、前記第1の不純物層よりも低い濃度で注入されている第2不純物層(例えば図1(a)、(b)に示した第2ウェル層107)と、を含むことを特徴とする。
本発明の一態様のホール素子は、前記第1の不純物層と電気的にコンタクトする一対の入力端子(例えば図1(a)、(b)に示した入力端子102、103)と、前記第1の不純物層と電気的にコンタクトする一対の出力端子(例えば図1(a)、(b)に示した出力端子104、105)と、をさらに含むことが望ましい。
本発明の一態様のホール素子は、前記第1の不純物層と前記第2の不純物層との境界から、前記第2の不純物層と前記基板との境界までの距離と、前記第1の不純物層の濃度及び前記第2の不純物層の濃度とは、前記第2の不純物層と前記基板との境界に生じる空乏層が、前記第1の不純物層と前記第2の不純物層との境界に達することがないように決定されることが望ましい。
本発明の一態様のホール素子は、前記第1の不純物層と前記第2の不純物層との境界から、前記第2の不純物層と前記基板との境界までの距離と、前記第1の不純物層の濃度及び前記第2の不純物層の濃度とは、前記第2の不純物層と前記基板との境界に生じる空乏層が、前記第1の不純物層と前記第2の不純物層との境界に達することがないように決定されることが望ましい。
本発明の一態様のホール素子の製造方法は、基板に第1の不純物層を形成する工程(例えば図2(a)に示した工程)と、前記第1の不純物層の外側に、前記第1の不純物層中の不純物と同じ極性の不純物が、前記第1の不純物層よりも低い濃度で注入されている第2不純物層を形成する工程(例えば図2(b)に示した工程)と、前記第1の不純物層と電気的にコンタクトする一対の入力端子及び一対の出力端子を形成する工程と(例えば図2(d)に示した工程)、を含み、前記第1の不純物層と前記第2の不純物層との境界から、前記第2の不純物層と前記基板との境界までの距離と、前記第1の不純物層の濃度及び前記第2の不純物層の濃度とは、前記第2の不純物層と前記基板との境界に生じる空乏層が、前記第1の不純物層と前記第2の不純物層との境界に達することがないように決定されることを特徴とする。
本発明は、入力端子と電気的に接続される第2不純物層側に空乏層が広がらないので、入力される電圧による電流流路の抵抗値の変化を軽減することができる。このため、入力電圧によって素子特性のばらつきが表れたり、測定誤差が生じたりすることを防ぐことができる。また、基板に電流が流れることがないため、消費電力の増加を抑え、混載される他の素子に影響を及ぼすことがない。このため、本願発明は、消費電力が増加することがなく、混載される他の素子に影響を及ぼすことがなく、しかも入力電圧による空乏層幅の変動を抑えることができるホール素子を提供することができる。
以下、本発明のホール素子、ホール素子の製造方法の一実施形態を説明する。
[ホール素子]
図1(a)、(b)は、本発明の一実施形態のホール素子を説明するための図である。図1(a)はホール素子の上面図である。図1(b)は、図1(a)中に示した矢線A−A’に沿う断面図である。
[ホール素子]
図1(a)、(b)は、本発明の一実施形態のホール素子を説明するための図である。図1(a)はホール素子の上面図である。図1(b)は、図1(a)中に示した矢線A−A’に沿う断面図である。
本実施形態のホール素子は、基板101に形成された第1ウェル(WELL)層106と、第1ウェル層106の外側に形成された第2ウェル層107と、第1ウェル層106と電気的に接続する入力端子102、103と、第1ウェル層106と電気的に接続する出力端子104、105と、を有している。図1(a)、(b)中に示した符号102a、103aは、入力端子102、103と第1ウェル層106とを電気的に接続するコンタクト層を指している。図1(b)に示したように、コンタクト層102aとコンタクト層103aとは素子分離膜108によって電気的に絶縁されている。
基板101はp型基板である。第1ウェル層106はN+層であり、第2ウェル層107は第1ウェル層106よりも不純物濃度が薄いN-層である。なお、N+層、N-層は、例えばリン(P)やアンチモン(Sb)をイオンインプランテーションすることによって形成される。本実施形態では、第1ウェル層106の不純物濃度をNW1、第2ウェル層107の不純物濃度をNW2、第1ウェル層106と第2ウェル層107との間の幅方向の距離をWX、第1ウェル層106と第2ウェル層107との間の深さ方向の距離をWZとする。
また、基板101と第2ウェル層107との境界に形成される空乏層に、符号109を付す。
本実施形態では、サブストレート端子(図示せず)によって基板101に電圧を印加し、基板101の電位を0Vに固定する。また、入力端子102に+5Vの電圧を印加し、入力端子103に+3Vの電圧を印加する。
本実施形態では、サブストレート端子(図示せず)によって基板101に電圧を印加し、基板101の電位を0Vに固定する。また、入力端子102に+5Vの電圧を印加し、入力端子103に+3Vの電圧を印加する。
以上のように構成すると、空乏層109が基板101の側と第2ウェル層107との側とに延びる。本実施形態では、第1ウェル層106と第2ウェル層107との境界(破線e1で示す)から、第2ウェル層107と基板101との境界(二点鎖線e2で示す)までの距離と、第1ウェル層106の濃度及び第2ウェル層107の濃度とが、第2ウェル層107と基板101との境界e2に生じる空乏層が、第1ウェル層106と第2ウェル層107との境界e1に達することがないように決定される。
つまり、本実施形態では、空乏層109が、基板101から第2ウェル層107中まで延出し、第1ウェル層106中にまでは達しないようにNW1、NW2、WX、WZが決定される。
このような本実施形態によれば、第1ウェル層106の不純物濃度が第2ウェル層107よりも高いため、ホール素子を流れる電流密度は第1ウェル層106の電流が支配的になる。また、基板101と第2ウェル層107との間の空乏層109が第1ウェル層106に達することがないため、電流流路の抵抗が変化することがない。このため、本実施形態のホール素子は、入力電圧による電流流路の抵抗値の変化を軽減することができ、素子特性のばらつきや磁場センサとしての測定誤差を抑えることができる。
このような本実施形態によれば、第1ウェル層106の不純物濃度が第2ウェル層107よりも高いため、ホール素子を流れる電流密度は第1ウェル層106の電流が支配的になる。また、基板101と第2ウェル層107との間の空乏層109が第1ウェル層106に達することがないため、電流流路の抵抗が変化することがない。このため、本実施形態のホール素子は、入力電圧による電流流路の抵抗値の変化を軽減することができ、素子特性のばらつきや磁場センサとしての測定誤差を抑えることができる。
また、本実施形態によれば、電流流路が第1ウェル層106内に形成されるから、ホール素子の動作とは無関係な領域に電流が流れ、消費電力が増加することを回避することができる。さらに、本実施形態によれば、基板101に電流が流れることがないから、基板101に他の素子を混載する場合であっても、他の素子が基板を流れる電流の影響を受けることがない。
[ホール素子の製造方法]
次に、上記したホール素子の製造方法を説明する。
図2(a)〜(d)は、ホール素子の製造方法を説明するための図である。
図2(a)に示すように、本実施形態では、先ず、p型基板101の第2ウェル層107を形成するべき領域を残してレジスト層201を形成する。そして、レジスト層201をマスクにし、リン等をイオンインプランテーションすることによって第2ウェル層107を形成する(図2(a))。
次に、上記したホール素子の製造方法を説明する。
図2(a)〜(d)は、ホール素子の製造方法を説明するための図である。
図2(a)に示すように、本実施形態では、先ず、p型基板101の第2ウェル層107を形成するべき領域を残してレジスト層201を形成する。そして、レジスト層201をマスクにし、リン等をイオンインプランテーションすることによって第2ウェル層107を形成する(図2(a))。
次に、本実施形態では、レジスト層201の剥離、第2ウェル層107のアニール等の後、第1ウェル層106を形成するべき領域を残してレジスト層202を形成する。そして、レジスト層202をマスクにし、リン等をイオンインプランテーションする。なお、このイオンインプランテーションでは、第2ウェル層107を形成したときのイオン注入条件よりも高い濃度のリン等のイオンが注入される(図2(b))。
図2(b)に示した工程により、第1ウェル層106と、第1ウェル層106の外側に形成され、第1ウェル層106中の不純物と同じ極性の不純物が、第1ウェル層106よりも低い濃度で注入されている第2ウェル層107が形成される。
次に、本実施形態では、レジスト層202の剥離、第2ウェル層のアニール後、基板101に素子分離膜108を形成する。素子分離膜108の形成は、基板101上に窒化膜(図示せず)を形成した後、酸化膜を形成し、窒化膜を剥離することによって実現される。
次に、本実施形態では、レジスト層202の剥離、第2ウェル層のアニール後、基板101に素子分離膜108を形成する。素子分離膜108の形成は、基板101上に窒化膜(図示せず)を形成した後、酸化膜を形成し、窒化膜を剥離することによって実現される。
さらに、本実施形態では、素子分離膜108をマスクにして、基板101の電気抵抗を低下させるための不純物注入を行って、コンタクト層102a、103aを形成する(図2(c))。そして、図2(c)に示した構成上に絶縁膜(図示せず)を形成し、この絶縁膜にスルーホールを形成する。絶縁膜上から金属膜をスパッタリング等することによってスルーホール内に金属が付着し、入力端子102、103が作成される(図2(d))。なお、図1に示した出力端子104、105も、入力端子102、103と同様の工程によって作成されている。
本発明は、ホール素子全般に適用することができるが、特に、消費電流抑えることが必要な携帯型の機器や、他の素子と混載されるホール素子に用いることによって顕著な効果を奏する。
基板 1、15、101 基板
2 n-層
3、6 サブストレート端子
4、5、102、103 入力端子
14、109 空乏層
102a、103a コンタクト層
104、105 出力端子
106 第1ウェル層
107 第2ウェル層
108 素子分離膜
2 n-層
3、6 サブストレート端子
4、5、102、103 入力端子
14、109 空乏層
102a、103a コンタクト層
104、105 出力端子
106 第1ウェル層
107 第2ウェル層
108 素子分離膜
Claims (4)
- 基板に形成され、該基板中の不純物と極性が異なる不純物が注入されている第1の不純物層と、
前記第1の不純物層の外側に形成され、前記第1の不純物層中の不純物と同じ極性の不純物が、前記第1の不純物層よりも低い濃度で注入されている第2不純物層と、
を含むことを特徴とするホール素子。 - 前記第1の不純物層と電気的にコンタクトする一対の入力端子と、
前記第1の不純物層と電気的にコンタクトする一対の出力端子と、
をさらに含むことを特徴とする請求項1に記載のホール素子。 - 前記第1の不純物層と前記第2の不純物層との境界から、前記第2の不純物層と前記基板との境界までの距離と、前記第1の不純物層の濃度及び前記第2の不純物層の濃度とは、前記第2の不純物層と前記基板との境界に生じる空乏層が、前記第1の不純物層と前記第2の不純物層との境界に達することがないように決定されることを特徴とする請求項1または2に記載のホール素子。
- 基板に第1の不純物層を形成する工程と、
前記第1の不純物層の外側に、前記第1の不純物層中の不純物と同じ極性の不純物が、前記第1の不純物層よりも低い濃度で注入されている第2不純物層を形成する工程と、
前記第1の不純物層と電気的にコンタクトする一対の入力端子及び一対の出力端子を形成する工程と、を含み、
前記第1の不純物層と前記第2の不純物層との境界から、前記第2の不純物層と前記基板との境界までの距離と、前記第1の不純物層の濃度及び前記第2の不純物層の濃度とは、前記第2の不純物層と前記基板との境界に生じる空乏層が、前記第1の不純物層と前記第2の不純物層との境界に達することがないように決定されることを特徴とするホール素子の製造方法。
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US20120001279A1 (en) * | 2010-07-05 | 2012-01-05 | Takaaki Hioka | Hall sensor |
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