JP2013149837A - 炭化珪素半導体装置およびその製造方法 - Google Patents
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Abstract
【解決手段】半導体装置100は、p型のウェル領域13の表層部に形成されたn型のソース領域14と、ソース領域14とJFET領域18との間に形成されたn型のチャネル領域16と、JFET領域18の表層部においてウェル領域13に隣接して形成されたn型の電流拡張領域17と、ソース領域14、チャネル領域16、電流拡張領域17およびJFET領域18に跨って延在するゲート電極22とを備える。電流拡張領域17は、JFET領域18の中央部には形成されておらず、電流拡張領域17およびチャネル領域16のn型不純物の濃度は、ドリフト層12のn型不純物の濃度よりも高い。
【選択図】図1
Description
図1は、本発明の実施の形態1に係る半導体装置、具体的にはnチャネル型のSiC−MOSFETの断面図である。図1の如く、半導体装置100は、n型(第1導電型)のSiC基板11と、その上に成長させたn型のSiCエピタキシャル層であるドリフト層12とを備えている。ドリフト層12の表層部には、p型(第2導電型)のウェル領域13が複数形成されている。ドリフト層12におけるウェル領域13間の領域は「JFET(Junction Field Effect Transistor)領域」と呼ばれる。
図10は、実施の形態2に係る半導体装置の断面図である。本実施の形態では、チャネル領域16および電流拡張領域17を形成するためのイオン注入工程(図5)において、ウェル領域13の底よりも深い位置にまで、n型不純物(Nイオン)を注入する。チャネル領域16および電流拡張領域17の形成工程以外の工程は、実施の形態1と同様である。
実施の形態1においては、ウェル領域13形成後にマスク31をシュリンクさせることにより、ウェル領域13に隣接する電流拡張領域17を、ウェル領域13の形成で用いたものと同じマスク31を用いて形成できるようにした。これに対し本実施の形態では、マスク31のシュリンクを行わずに、n型不純物(例えばNイオン)を斜め方向からイオン注入することによって、ウェル領域13に隣接する電流拡張領域17を形成する。
図15は、実施の形態4に係る半導体装置の断面図である。本実施の形態の半導体装置100では、n型の電流拡張領域17が、不純物濃度が互いに異なる第1電流拡張領域17aと第2電流拡張領域17bとによって構成されている。
図16は、実施の形態5に係る半導体装置の断面図である。本実施の形態でも、実施の形態4と同様に、n型の電流拡張領域17は、不純物濃度が互いに異なる第1電流拡張領域17aと第2電流拡張領域17bとによって構成されている。
電流拡張領域17によって半導体装置100のオン抵抗を大きく低減させる目的で、マスク31をシュリンクさせる際の後退量(ΔW)を大きくすると、それに伴ってマスク31の縦方向の後退量(ΔH)も大きくなる。そのため、実施の形態2のように電流拡張領域17を深く形成する場合には、それを形成するためのイオン注入工程で、n型の不純物がマスク31を突き抜けてJFET領域18の中央部にも注入される懸念がある。実施の形態6では、実施の形態2に実施の形態4を組み合わせることにより、この問題を解決する。
Claims (15)
- 第1導電型のSiC基板と、
前記SiC基板上に形成された第1導電型のSiCドリフト層と、
前記SiCドリフト層の表層部に形成された複数の第2導電型のウェル領域と、
前記SiCドリフト層における前記ウェル領域間の領域であるJFET領域と、
前記ウェル領域の表層部に形成された第1導電型のソース領域と、
前記ウェル領域の表層部において、前記ソース領域と前記JFET領域との間に形成された第1導電型のチャネル領域と、
前記JFET領域の表層部において、前記ウェル領域に隣接して形成された第1導電型の電流拡張領域と、
前記SiCドリフト層上に絶縁膜を介して配設され、前記ソース領域、前記チャネル領域、前記電流拡張領域および前記JFET領域に跨って延在するゲート電極と、
前記SiC基板の下面に形成されたドレイン電極を備え、
前記電流拡張領域は、前記JFET領域の中央部には形成されておらず、
前記電流拡張領域および前記チャネル領域の第1導電型不純物の濃度は、前記SiCドリフト層の第1導電型不純物の濃度よりも高い
ことを特徴とする炭化珪素半導体装置。 - 前記電流拡張領域は、前記ウェル領域の側方および下方を取り囲むように形成されている
請求項1記載の炭化珪素半導体装置。 - 前記電流拡張領域の底部における第1導電型不純物の濃度は、当該電流拡張領域の表層部における第1導電型不純物の濃度よりも低い
請求項2記載の炭化珪素半導体装置。 - 前記電流拡張領域における第1導電型不純物の濃度は、前記JFET領域の中央部に向けて段階的に減少する
請求項1から請求項3のいずれか一項記載の炭化珪素半導体装置。 - 前記電流拡張領域における第1導電型不純物の濃度は、当該電流拡張領域の底部に向けて段階的に減少する
請求項4記載の炭化珪素半導体装置。 - 前記電流拡張領域の厚さは、前記JFET領域の中央部に向けて段階的に薄くなる
請求項1または請求項2記載の炭化珪素半導体装置。 - (a)第1導電型のSiC基板上に、エピタキシャル成長により第1導電型のSiCドリフト層を形成する工程と、
(b)第1のマスクを用いた選択的なイオン注入により、前記SiCドリフト層の表層部に第2導電型の複数のウェル領域を形成する工程と、
(c)前記第1のマスクをシュリンクさせる工程と、
(d)シュリンクされた前記第1のマスクを用いた選択的なイオン注入より、前記ウェル領域の表層部に第1導電型のチャネル領域を形成すると同時に、前記ウェル領域に隣接する第1導電型の電流拡張領域を形成する工程と、
(e)第2のマスクを用いた選択的なイオン注入により、前記ウェル領域の表層部に前記第1導電型のソース領域を形成する工程と、
(f)SiC基板上に絶縁膜を形成する工程と、
(g)前記絶縁膜上に、前記ソース領域、前記チャネル領域、前記電流拡張領域および前記JFET領域上を跨るゲート電極を形成する工程と、を備える
ことを特徴とする炭化珪素半導体装置の製造方法。 - 前記工程(d)において、第1導電型不純物が前記ウェル領域の底よりも深い位置まで注入される
請求項7記載の炭化珪素半導体装置の製造方法。 - 前記工程(d)において、前記ウェル領域の底よりも深い位置には、当該ウェル領域の表層部よりも低い濃度で第1導電型不純物が注入される
請求項8記載の炭化珪素半導体装置の製造方法。 - 前記工程(c)および(d)が、交互に複数回行われる
請求項7から請求項9のいずれか一項記載の炭化珪素半導体装置の製造方法。 - 後に行われる前記工程(d)ほど、第1導電型不純物が深く注入される
請求項10記載の炭化珪素半導体装置の製造方法。 - 後に行われる前記工程(d)ほど、第1導電型不純物が浅く注入される
請求項10記載の炭化珪素半導体装置の製造方法。 - 前記工程(c)は、酸素と堆積効果ガスとの混合ガスをエッチングガスとして用いて、前記第1のマスクをドライエッチングすることによって行われる
請求項7から請求項12のいずれか一項記載の炭化珪素半導体装置の製造方法。 - (a)第1導電型のSiC基板上に、エピタキシャル成長により第1導電型のSiCドリフト層を形成する工程と、
(b)第1のマスクを用いた略垂直方向からの選択的なイオン注入により、前記SiCドリフト層の表層部に第2導電型の複数のウェル領域を形成する工程と、
(c)前記第1のマスクを用いた斜め方向からの選択的なイオン注入より、前記ウェル領域の表層部に第1導電型のチャネル領域を形成すると同時に、前記ウェル領域に隣接する第1導電型の電流拡張領域を形成する工程と、
(d)第2のマスクを用いた選択的なイオン注入により、前記ウェル領域の表層部に前記第1導電型のソース領域を形成する工程と、
(e)SiC基板上に絶縁膜を形成する工程と、
(f)前記絶縁膜上に、前記ソース領域、前記チャネル領域、前記電流拡張領域および前記JFET領域上を跨るゲート電極を形成する工程と、を備える
ことを特徴とする炭化珪素半導体装置の製造方法。 - 前記工程(c)は、4以上の方向からのイオン注入または注入方向を回転させながらのイオン注入によって行われる
請求項14記載の炭化珪素半導体装置の製造方法。
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