JP2013149727A - 半導体素子 - Google Patents
半導体素子 Download PDFInfo
- Publication number
- JP2013149727A JP2013149727A JP2012008042A JP2012008042A JP2013149727A JP 2013149727 A JP2013149727 A JP 2013149727A JP 2012008042 A JP2012008042 A JP 2012008042A JP 2012008042 A JP2012008042 A JP 2012008042A JP 2013149727 A JP2013149727 A JP 2013149727A
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- protective film
- semiconductor element
- semiconductor
- semiconductor layer
- less
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Granted
Links
Images
Landscapes
- Measuring Magnetic Variables (AREA)
- Hall/Mr Elements (AREA)
Abstract
【解決手段】本発明が提供する半導体素子は、基板4と、基板4上に形成された半導体層1と、半導体層1上に形成された保護膜3を備える。保護膜3は、膜密度が2.29g/cm3以上、2.90g/cm3以下である。
【選択図】図1
Description
厚さ0.63mmの半絶縁性GaAs単結晶基板に、加速電圧250keVトでSiイオン注入を行って半導体層1である導電層となる部分を形成後、注入したイオンの活性化のためのアニールを行った。このときのシート抵抗は400Ω/□であった。
保護膜3を形成する際の基板4の温度を300℃としたこと以外実施例1と同様に磁電変換素子を作成した。保護膜3の窒化シリコンの膜応力は182MPa程度となった。得られた膜密度は2.32g/cm3であった。121℃99%200時間の信頼性評価を22個のサンプル素子について行った結果、その特性変動は、定電流感度は5mA印加で平均0.3%、2σで0.2%、オフセット電圧は2σで0.25mVと非常に小さな値が得られた。
保護膜3を形成する際の基板4の温度を280℃とし、原料ガスにおけるSiH4とNH3の比率を1.4:1としたこと以外実施例1と同様に磁電変換素子を作成した。保護膜3の窒化シリコンの膜応力は274MPa程度となった。このときの保護膜3の膜密度は2.8g/cm3であった。121℃99%200時間の信頼性評価を22個のサンプル素子について行った結果、その特性変動は、定電流感度は5mA印加で平均0.3%、2σで0.28%、オフセット電圧は2σで0.44mVと非常に小さな値が得られた。
保護膜3を形成する際の基板4の温度を240℃とし、膜密度を2.28g/cm3としたこと以外は、実施例1と同様に磁電変換素子を作成した。保護膜3の窒化シリコンの膜応力は205MPa程度となった。121℃99%200時間の信頼性評価を22個のサンプル素子について行った結果、その特性変動は、定電流感度は5mA印加で平均0.4%、2σで1.7%、オフセット電圧は2σで0.8mVと非常に大きな値であった。
2 電極
3 保護膜
4 基板
5 パッケージ
6 リードフレーム
7 金属線
Claims (12)
- 基板、
該基板上に形成された半導体層、及び、
該半導体層上に形成された保護膜であって、膜密度が2.29g/cm3以上、2.90g/cm3以下となる保護膜
を備えたことを特徴とする半導体素子。 - 前記半導体層が、InSb、InAs、GaAs、InaAlbGa(1−a−b)AsxSb(1−x)(0≦a+b≦1、0≦x≦1)からなることを特徴とする請求項1に記載の半導体素子。
- 前記保護膜の膜応力が30MPa以上、450MPa以下であることを特徴とする請求項1または2に記載の半導体素子。
- 前記保護膜の膜厚が100nm以上、400nm以下であることを特徴とする請求項1乃至3のいずれかに記載の半導体素子。
- 前記半導体層に不純物がドープされており、該不純物は、Si、Sn、S、Se、Te、Ge、Cの少なくとも1つを含むことを特徴とする請求項1乃至4のいずれかに記載の半導体素子。
- 前記半導体層がGaAsからなることを特徴とする請求項1乃至5のいずれかに記載の半導体素子。
- 前記保護膜が窒化シリコンからなることを特徴とする請求項1乃至6のいずれかに記載の半導体素子。
- 前記保護膜が窒化シリコンからなり、シリコンに対する窒素の組成比が0.7以上、1.1以下であることを特徴とする請求項1乃至7のいずれかに記載の半導体素子。
- 前記保護膜が窒化シリコンからなり、屈折率が2乃至2.3であることを特徴とする請求項1乃至8のいずれかに記載の半導体素子。
- 前記半導体層のシート抵抗が600Ω/□以上、2000Ω/□以下であることを特徴とする請求項1乃至9に記載の半導体素子。
- 請求項1乃至10のいずれか一項に記載の半導体素子を含んで構成される磁気センサーであって、
前記半導体層により構成される感磁部を備え、該感磁部の形状がメサ形状であることを特徴とする磁気センサー。 - 半導体素子の製造方法であって、
基板上に半導体層を形成するステップ、及び、該半導体層上に、高周波プラズマCVD法により保護膜を形成するステップを有し、
該保護膜を形成するステップにおいて、13.56MHz以上、2.45GHz以下の高周波を印加し、260℃以上、300℃以下で、かつ原料ガスにおける、NH3に対するSiH4の流量の比率を1.4乃至2.5として保護膜を形成することを特徴とする半導体素子の製造方法。
Priority Applications (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP2012008042A JP6082521B2 (ja) | 2012-01-18 | 2012-01-18 | 半導体素子 |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP2012008042A JP6082521B2 (ja) | 2012-01-18 | 2012-01-18 | 半導体素子 |
Publications (2)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JP2013149727A true JP2013149727A (ja) | 2013-08-01 |
JP6082521B2 JP6082521B2 (ja) | 2017-02-15 |
Family
ID=49046961
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP2012008042A Active JP6082521B2 (ja) | 2012-01-18 | 2012-01-18 | 半導体素子 |
Country Status (1)
Country | Link |
---|---|
JP (1) | JP6082521B2 (ja) |
Citations (7)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JPH03126698A (ja) * | 1989-10-11 | 1991-05-29 | Hitachi Electron Eng Co Ltd | GaAs半導体の保護膜の形成方法 |
JPH0629222A (ja) * | 1992-07-09 | 1994-02-04 | Nippondenso Co Ltd | 半導体装置の製造方法 |
JPH0677556A (ja) * | 1991-07-16 | 1994-03-18 | Asahi Chem Ind Co Ltd | 半導体センサおよびその製造方法 |
JPH09116207A (ja) * | 1995-10-18 | 1997-05-02 | Asahi Chem Ind Co Ltd | ホール素子とその製造方法 |
WO2004077585A1 (ja) * | 2003-02-26 | 2004-09-10 | Asahi Kasei Electronics Co., Ltd. | 半導体センサ及びその製造方法 |
WO2004100273A1 (ja) * | 2003-05-09 | 2004-11-18 | Shin-Etsu Handotai Co., Ltd. | 太陽電池及びその製造方法 |
US20080254203A1 (en) * | 2007-03-01 | 2008-10-16 | Lisong Zhou | Silicon nitride passivation for a solar cell |
-
2012
- 2012-01-18 JP JP2012008042A patent/JP6082521B2/ja active Active
Patent Citations (14)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JPH03126698A (ja) * | 1989-10-11 | 1991-05-29 | Hitachi Electron Eng Co Ltd | GaAs半導体の保護膜の形成方法 |
JPH0677556A (ja) * | 1991-07-16 | 1994-03-18 | Asahi Chem Ind Co Ltd | 半導体センサおよびその製造方法 |
JPH0629222A (ja) * | 1992-07-09 | 1994-02-04 | Nippondenso Co Ltd | 半導体装置の製造方法 |
JPH09116207A (ja) * | 1995-10-18 | 1997-05-02 | Asahi Chem Ind Co Ltd | ホール素子とその製造方法 |
US20060246692A1 (en) * | 2003-02-26 | 2006-11-02 | Yoshihiko Shibata | Semiconductor sensor and method for manufacturing same |
EP1598876A1 (en) * | 2003-02-26 | 2005-11-23 | Asahi Kasei Electronics Co., Ltd. | Semiconductor sensor and method for manufacturing same |
WO2004077585A1 (ja) * | 2003-02-26 | 2004-09-10 | Asahi Kasei Electronics Co., Ltd. | 半導体センサ及びその製造方法 |
WO2004100273A1 (ja) * | 2003-05-09 | 2004-11-18 | Shin-Etsu Handotai Co., Ltd. | 太陽電池及びその製造方法 |
JP2004335867A (ja) * | 2003-05-09 | 2004-11-25 | Shin Etsu Handotai Co Ltd | 太陽電池及びその製造方法 |
EP1630873A1 (en) * | 2003-05-09 | 2006-03-01 | Shin-Etsu Handotai Company Limited | Solar cell and process for producing the same |
US20070186970A1 (en) * | 2003-05-09 | 2007-08-16 | Masatoshi Takahashi | Solar cell and method of fabricating the same |
US20080254203A1 (en) * | 2007-03-01 | 2008-10-16 | Lisong Zhou | Silicon nitride passivation for a solar cell |
WO2008127920A2 (en) * | 2007-04-12 | 2008-10-23 | Applied Materials, Inc. | Silicon nitride passivation for a solar cell |
JP2010532086A (ja) * | 2007-04-12 | 2010-09-30 | アプライド マテリアルズ インコーポレイテッド | 太陽電池の窒化シリコンパッシベーション |
Also Published As
Publication number | Publication date |
---|---|
JP6082521B2 (ja) | 2017-02-15 |
Similar Documents
Publication | Publication Date | Title |
---|---|---|
US10636776B2 (en) | Methods of manufacturing RF filters | |
US5198795A (en) | Magnetoelectric transducer and process for producing the same | |
CN102738067A (zh) | 半导体器件以及用于形成半导体封装的方法 | |
WO2017004906A1 (zh) | 基于超薄膜的电容式压力传感器的制作方法 | |
CN108376735A (zh) | 一种电桥式GaN压力传感器制备方法及器件 | |
KR940009999B1 (ko) | 자전 변환 소자 및 그의 제조법 | |
CN108598253B (zh) | Si基GaN压力传感器的制备方法 | |
JP6082521B2 (ja) | 半導体素子 | |
JP6017160B2 (ja) | ホール素子 | |
CN108400235B (zh) | Si基GaN压力传感器的制备方法 | |
JP2013197386A (ja) | ホール素子 | |
CN116847720A (zh) | 十字交叉型高温三维霍尔传感器及其制备方法 | |
JP6130672B2 (ja) | ホール素子及びその製造方法、並びに、磁気センサー | |
KR101808679B1 (ko) | 초박형 홀 센서 및 그 제조방법 | |
TW200910546A (en) | Thin-film aluminum nitride encapsulant for metallic structures on integrated circuits and method of forming same | |
JP6144505B2 (ja) | 磁気センサ装置 | |
JP6301608B2 (ja) | 磁気センサ及び磁気センサの製造方法 | |
TW201545291A (zh) | 導電墊結構及其製作方法 | |
CN210429826U (zh) | 功率半导体器件 | |
US10204877B2 (en) | Corrosion resistant aluminum bond pad structure | |
JP2010080655A (ja) | 半導体素子 | |
JP2012204539A (ja) | 磁気抵抗素子 | |
JP5135612B2 (ja) | 半導体素子 | |
TWI818562B (zh) | 用於濕度穩定性及高加速應力測試之多層封裝及相關製造方法 | |
KR102449792B1 (ko) | 유연 자기 센서 제조방법 및 이에 의해 제조된 유연 자기 센서 |
Legal Events
Date | Code | Title | Description |
---|---|---|---|
A621 | Written request for application examination |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A621 Effective date: 20150115 |
|
A977 | Report on retrieval |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A971007 Effective date: 20160311 |
|
A131 | Notification of reasons for refusal |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A131 Effective date: 20160322 |
|
A521 | Request for written amendment filed |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A523 Effective date: 20160518 |
|
A131 | Notification of reasons for refusal |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A131 Effective date: 20160906 |
|
A521 | Request for written amendment filed |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A523 Effective date: 20161104 |
|
TRDD | Decision of grant or rejection written | ||
A01 | Written decision to grant a patent or to grant a registration (utility model) |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A01 Effective date: 20170117 |
|
A61 | First payment of annual fees (during grant procedure) |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A61 Effective date: 20170123 |
|
R150 | Certificate of patent or registration of utility model |
Ref document number: 6082521 Country of ref document: JP Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R150 |
|
S531 | Written request for registration of change of domicile |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R313531 |
|
R350 | Written notification of registration of transfer |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R350 |