KR101808679B1 - 초박형 홀 센서 및 그 제조방법 - Google Patents

Abstract

본 발명은 초박형 홀 센서 및 그 제조방법에 관한 것이다.
본 발명의 제1 실시예에 따른 초박형 홀 센서의 제조방법은, 웨이퍼 기판상에 희생층을 형성하는 단계; 희생층 위에 n형 컨택층을 형성하는 단계; n형 컨택층 위에 홀 센서 활성층을 형성하는 단계; 홀 센서 활성층 위에 버퍼층을 형성하는 단계; 버퍼층 상면에 전사(transfer) 대상 기판을 접합하는 단계; 및 희생층을 제거하여 상기 웨이퍼 기판을 상기 희생층 상부의 적층 구조체로부터 분리하는 단계를 포함한다.
이와 같은 본 발명에 의하면, 홀 센서에 역구조의 박막 홀 센서층 성장을 통해 한 번에 홀 센서 소자를 대상 기판에 전사함으로써, 전사 횟수를 줄이고 공정을 단순화하여 수율을 향상시키고 제조비용을 감축할 수 있다.

Description

초박형 홀 센서 및 그 제조방법{Super-thin hall sensor and manufacturing method thereof}

본 발명은 초박형 홀 센서 및 그 제조방법에 관한 것으로서, 더 상세하게는 홀 센서에 희생층 삽입과 역구조의 박막 성장을 통해 한 번에 홀 센서 소자를 전사함으로써, 전사 횟수를 줄이고 기판의 재사용을 가능하게 하여 공정을 단순화하고 제조비용을 감축할 수 있는 초박형 홀 센서 및 그 제조방법에 관한 것이다.

홀 센서는 홀 효과를 이용하여 외부 자기장의 세기를 전기적 신호(전압)로 변환하는 소자로서 주로 위치를 검출하는 부분에 사용된다. 이와 같은 홀 센서의 제조에는 화합물 반도체가 많이 사용되고 있는데, 화합물 반도체는 실리콘에 비해 전자이동도가 커서 큰 값의 홀 전압을 발생시킬 수 있다. 따라서 고감도 홀 센서에는 주로 화합물 반도체가 사용된다.

최근에 전자기기의 박형화에 따라 홀 센서도 박형화가 요구되고 있다. 종래에는 홀 센서의 박형화를 위해 기판을 연마하는 방식을 사용했다. 그러나 이러한 연마방식은 소자의 신뢰성 및 내구성에 좋지 않은 영향을 미칠 수 있는 문제가 있다. 이러한 연마방식에 대한 대안으로 종래에는 도 8에 도시된 바와 같이, 웨이퍼 기판(810)에서 분리한 홀 센서층(830) 소자를 스탬프(835)로 대상 기판(840)에 전사하는 방식을 제시했다. 그러나 이와 같은 스탬프를 이용한 전사방식은 홀 센서 제조 완료까지 제조 공정이 복잡하고, 재현성이 떨어지며, 제조비용이 많이 소요된다는 것이 문제점으로 지적되고 있다. 도 8에서 참조 번호 820은 희생층을 나타낸다.

한편, 공개특허공보 제10-2014-0077590호(특허문헌 1)에는 "홀 센서 및 그 제조 방법"이 개시되어 있는바, 이에 따른 홀 센서 제조 방법은, 캐리어 기판에 희생층을 개재한 센서 소자를 형성하는 단계; 자계 플럭스 집중기를 구비한 플렉서블 기판을 준비하는 단계; 센서 소자를 플렉서블 기판으로 향하도록 하여 플렉서블 기판에 센서 소자를 실장하는 단계; 및 캐리어 기판과 희생층을 제거하는 단계를 포함하는 것을 특징으로 한다.

이상과 같은 특허문헌 1의 경우, 센서 소자의 증착을 리지드 기판 위에서 수행하고, 완성된 센서 소자를 플렉서블 기판 위에 실장하여 홀 센서를 제조함으로써, 어느 정도는 홀 센서의 성능을 향상시킬 수 있는 효과가 있다. 그러나 캐리어 기판을 분리할 때 LLO(Laser Lift-Off) 방식을 이용하기 때문에 고온의 열이 발생하고, 최종적으로 센서 소자에 붙은 희생층을 이온 밀링(ion milling)을 통해 제거함에 따라 센서 소자에 이온 빔에 의한 미세 손상을 초래할 수 있다.

제10-2014-0077590호(2014.06.24 공개)

본 발명은 이상과 같은 사항을 감안하여 창출된 것으로서, 홀 센서에 희생층 삽입과 역구조의 박막 성장을 통해 한 번에 홀 센서 소자를 전사함으로써, 전사 횟수를 줄이고 기판의 재사용을 가능하게 하여 공정을 단순화하고 제조비용을 감축할 수 있는 초박형 홀 센서 및 그 제조방법을 제공함에 그 목적이 있다.

본 발명의 다른 목적은 역구조의 박막 성장을 통해 한 번에 홀 센서 소자를 전사함으로써, 전사 횟수를 줄이고 공정을 단순화하여 제조비용을 감축할 수 있는 초박형 홀 센서 및 그 제조방법을 제공함에 그 목적이 있다.

상기의 목적을 달성하기 위하여 본 발명의 실시예에 따른 초박형 홀 센서는,

n형 컨택층;

상기 n형 컨택층 위에 적층 형성되는 홀 센서 활성층;

상기 홀 센서 활성층 위에 적층 형성되는 버퍼층; 및

상기 버퍼층의 상면에 접합되는 전사(transfer) 대상 기판을 포함하는 점에 그 특징이 있다.

여기서, 상기 전사 대상 기판으로는 페라이트(ferrite) 기판 또는 고분자 유연(flexible) 기판이 사용될 수 있다.

또한, 상기 n형 컨택층, 홀 센서 활성층 및 버퍼층으로 구성되는 홀 센서층과 전사 대상 기판을 합한 전체 두께는 0.07mm 이하로 형성될 수 있다.

또한, 상기의 목적을 달성하기 위하여 본 발명의 제1 실시예에 따른 초박형 홀 센서의 제조방법은,

a) 웨이퍼 기판상에 희생층을 형성하는 단계;

b) 상기 희생층 위에 n형 컨택층을 형성하는 단계;

c) 상기 n형 컨택층 위에 홀 센서 활성층을 형성하는 단계;

d) 상기 홀 센서 활성층 위에 버퍼층을 형성하는 단계;

e) 상기 버퍼층 상면에 전사(transfer) 대상 기판을 접합하는 단계; 및

f) 상기 희생층을 제거하여 상기 웨이퍼 기판을 상기 희생층 상부의 적층 구조체로부터 분리하는 단계를 포함하는 점에 그 특징이 있다.

여기서, 상기 단계 a)에서 상기 희생층은 In, Ga, Al, P를 포함하는 화합물 반도체층으로 구성될 수 있다.

또한, 상기 단계 c)에서 상기 홀 센서 활성층은 n형 GaAs 화합물 반도체 또는 2DEG(two-dimensional electron gas)를 이용한 화합물 반도체로 형성될 수 있다.

또한, 상기 단계 e)에서 상기 전사 대상 기판으로는 페라이트(ferrite) 기판 또는 고분자 유연 기판이 사용될 수 있다.

또한, 상기 단계 f)에서 상기 희생층은 식각액(chemical etchant)을 이용한 습식 식각 방식에 의해 제거할 수 있다.

또한, 상기의 목적을 달성하기 위하여 본 발명의 제2 실시예에 따른 초박형 홀 센서의 제조방법은,

m) 웨이퍼 기판상에 식각 중지층을 형성하는 단계;

n) 상기 식각 중지층 위에 n형 컨택층을 형성하는 단계;

o) 상기 n형 컨택층 위에 홀 센서 활성층을 형성하는 단계;

p) 상기 홀 센서 활성층 위에 버퍼층을 형성하는 단계;

q) 상기 버퍼층 상면에 전사(transfer) 대상 기판을 접합하는 단계; 및

r) 상기 웨이퍼 기판 및 식각 중지층을 순차적으로 제거하는 단계를 포함하는 점에 그 특징이 있다.

여기서, 상기 단계 m)에서 상기 식각 중지층은 In, Ga, Al, P를 포함하는 화합물 반도체층으로 구성될 수 있다.

또한, 상기 단계 o)에서 상기 홀 센서 활성층은 n형 GaAs 화합물 반도체 또는 2DEG(two-dimensional electron gas)를 이용한 화합물 반도체로 형성될 수 있다.

또한, 상기 단계 q)에서 상기 전사 대상 기판으로는 페라이트(ferrite) 기판 또는 고분자 유연 기판이 사용될 수 있다.

또한, 상기 단계 r)에서 상기 웨이퍼 기판 및 식각 중지층은 식각액 (chemical etchant)을 이용한 습식 식각 방식에 의해 제거할 수 있다.

이와 같은 본 발명에 의하면, 홀 센서에 역구조의 박막 홀 센서층 성장을 통해 한 번에 홀 센서 소자를 대상 기판에 전사함으로써, 전사 횟수를 줄이고 공정을 단순화하여 수율을 향상시키고 제조비용을 감축할 수 있는 장점이 있다.

도 1은 본 발명의 실시예에 따른 초박형 홀 센서의 구조를 개략적으로 나타낸 도면이다.
도 2는 본 발명의 제1 실시예에 따른 초박형 홀 센서의 제조방법의 실행 과정을 나타낸 흐름도이다.
도 3은 본 발명의 제1 실시예에 따른 초박형 홀 센서의 제조방법에 따라 홀 센서층을 역구조로 성장하는 과정을 나타낸 도면이다.
도 4는 본 발명의 제1 실시예에 따른 초박형 홀 센서의 제조방법에 따라 홀 센서층을 대상 기판에 전사하는 과정을 나타낸 도면이다.
도 5는 본 발명의 제2 실시예에 따른 초박형 홀 센서의 제조방법의 실행 과정을 나타낸 흐름도이다.
도 6은 본 발명의 제2 실시예에 따른 초박형 홀 센서의 제조방법에 따라 홀 센서층을 역구조로 성장하는 과정을 나타낸 도면이다.
도 7은 본 발명의 제2 실시예에 따른 초박형 홀 센서의 제조방법에 따라 홀 센서층을 대상 기판에 전사하는 과정을 나타낸 도면이다.
도 8은 종래의 스탬프를 이용한 홀 센서층의 대상 기판에의 전사 과정을 나타낸 도면이다.

본 명세서 및 청구범위에 사용된 용어나 단어는 통상적이거나 사전적인 의미로 한정되어 해석되지 말아야 하며, 발명자는 그 자신의 발명을 가장 최선의 방법으로 설명하기 위해 용어의 개념을 적절하게 정의할 수 있다는 원칙에 입각하여 본 발명의 기술적 사상에 부합하는 의미와 개념으로 해석되어야 한다.

명세서 전체에서, 어떤 부분이 어떤 구성요소를 "포함"한다고 할 때, 이는 특별히 반대되는 기재가 없는 한 다른 구성요소를 제외하는 것이 아니라 다른 구성요소를 더 포함할 수 있다는 것을 의미한다.

이하 첨부된 도면을 참조하여 본 발명의 실시예를 상세히 설명한다.

도 1은 본 발명의 실시예에 따른 초박형 홀 센서의 구조를 개략적으로 나타낸 도면이다.

도 1을 참조하면, 본 발명에 따른 초박형 홀 센서(100)는 크게 홀 센서층(330)과 전사 대상 기판(340)을 포함하여 구성된다.

상기 홀 센서층(330)은 n형 컨택층(331)과, 그 n형 컨택층(331) 위에 적층 형성되는 홀 센서 활성층(332)과, 그 홀 센서 활성층(332) 위에 적층 형성되는 버퍼층(333)으로 구성될 수 있다. 여기서, n형 컨택층(331)은 GaAs, InGaAs 등의 화학적 조성을 가지는 화합물 반도체로 구성될 수 있다. 그리고 홀 센서 활성층(332)은 벌크(bulk)형 또는 2DEG(Two-Dimensional Electron Gas)형으로 형성될 수 있다. 홀 센서 활성층(332)이 벌크형일 경우는 GaAs 화합물 반도체로 구성될 수 있다. 또한, 홀 센서 활성층(332)이 2DEG(Two-Dimensional Electron Gas)형일 경우, AlGaAs/GaAs, AlGaAs/InGaAs/AlGaAs, InAlAs/InGaAs/InAlAs 등의 화합물 반도체로 구성될 수 있다. 또한, 버퍼층(333)은 GaAs, InGaAs 등의 화합물 반도체로 구성될 수 있다.

상기 전사 대상 기판(340)은 대상 기판에 전사된 상기 홀 센서층(330)을 지지 및 유지하는 역할을 한다. 이와 같은 전사 대상 기판(340)으로는 페라이트(ferrite) 기판 또는 고분자 유연(flexible) 기판이 사용될 수 있다.

또한, 바람직하게는 상기 n형 컨택층(331), 홀 센서 활성층(332) 및 버퍼층(333)으로 구성되는 홀 센서층(330)과 전사 대상 기판(340)을 합한 전체 두께는 0.07mm 이하로 형성한다. 이는 최근의 전자기기의 박형화에 따라 그러한 전자기기에 적용하기 위해서는 홀 센서 소자의 두께도 박형화되어야 하기 때문이다.

그러면, 이하에서는 이상과 같은 본 발명에 따른 초박형 홀 센서의 제조방법에 대해 설명해 보기로 한다.

도 2 내지 도 4는 본 발명의 제1 실시예에 따른 초박형 홀 센서의 제조방법을 나타낸 것으로서, 도 2는 홀 센서의 제조방법의 실행 과정을 나타낸 흐름도이고, 도 3은 역구조의 홀 센서층의 성장 과정을 나타낸 도면이며, 도 4는 홀 센서층을 대상 기판에 전사하는 과정을 나타낸 도면이다.

도 2 및 도 3을 참조하면, 본 발명의 제1 실시예에 따른 초박형 홀 센서의 제조방법에 따라, 먼저 도 3의 (A)와 같이, 웨이퍼 기판(310) 상에 희생층(320)을 형성한다(단계 S201). 여기서, 희생층(320)은 In, Ga, Al, P를 포함하는 화합물 반도체층으로 구성될 수 있다.

희생층(320)의 형성이 완료되면, 도 3의 (B)와 같이 n형 컨택층(331), 홀 센서 활성층(332) 및 버퍼층(333)으로 구성되는 홀 센서층(330)을 종래 방식의 홀센서 성장 구조와는 반대의 역구조로 성장하여 형성한다. 즉, 종래 방식의 홀 센서 구조에서의 버퍼층과 n형 컨택층의 위치를 본 발명에서는 서로 바꾸어 형성하는 것이다. 이와 같이 역구조로 형성함으로써 후속 공정에서 홀 센서층(330)을 한 번에 전사 대상 기판(340)에 전사할 수 있게 된다.

여기서, 상기 홀 센서층(330)의 형성에 대해 조금 더 구체적으로 설명해 보기로 한다.

먼저 희생층(320) 위에 n형 컨택층(331)을 형성한다(단계 S202). 이때, n형 컨택층(331)은 GaAs, InGaAs 등의 화학적 조성을 가지는 화합물 반도체로 구성될 수 있다.

n형 컨택층(331)의 형성이 완료되면, 그 n형 컨택층(331) 위에 홀 센서 활성층(332)을 형성한다(단계 S203). 여기서, 홀 센서 활성층(332)은 n형 GaAs 화합물 반도체 또는 2DEG(two-dimensional electron gas)를 이용한 화합물 반도체로 형성될 수 있다.

즉, 홀 센서 활성층(332)은 벌크(bulk)형 또는 2DEG(Two-Dimensional Electron Gas)형으로 형성될 수 있으며, 홀 센서 활성층(332)이 벌크형일 경우는 GaAs 화합물 반도체로 구성될 수 있고, 홀 센서 활성층(332)이 2DEG(Two-Dimensional Electron Gas)형일 경우, AlGaAs/GaAs, AlGaAs/InGaAs/AlGaAs, InAlAs/InGaAs/InAlAs 등의 화합물 반도체로 구성될 수 있다.

이렇게 하여 홀 센서 활성층(332)의 형성이 완료되면, 그 홀 센서 활성층 (332) 위에 버퍼층(333)을 형성한다(단계 S204). 이때, 버퍼층(333)은 GaAs, InGaAs 등의 화합물 반도체로 구성될 수 있다.

이상에 의해 홀 센서층(330)의 형성이 완료된다. 여기서, 이상과 같은 홀 센서층(330)의 형성을 위해 MBE(Molecular Beam Epitaxy), MOVPE(Metalorganic Vapor Phase Epitaxy) 등이 사용될 수 있다.

홀 센서층(330)의 형성 후, 도 3의 (C)와 같이 웨이퍼 기판(310)을 분리한 후 홀 센서층(330)을 전사 대상 기판(340)에 전사하게 된다. 이에 대해서는 도 4를 참조하여 설명한다.

도 4를 참조하면, 홀 센서층(330)의 상면, 즉 버퍼층(333)의 상면에 전사(transfer) 대상 기판(340)을 접합한다(단계 S205). 이때, 전사 대상 기판(340)으로는 페라이트(ferrite) 기판 또는 고분자 유연(flexible) 기판이 사용될 수 있다. 특히, 유연 기판이 사용될 경우 초박형 홀 센서를 구현하여 가장 감도가 좋은 위치에 홀 센서를 위치시킬 수 있고, 유연 전자기기에 적용이 가능하다.

버퍼층(333)의 상면에 전사 대상 기판(340)의 접합이 완료되면, 희생층(320)을 제거하여 웨이퍼 기판(310)을 희생층(320) 상부의 적층 구조체, 즉, 홀 센서층(330)으로부터 분리한다(단계 S206). 이때, 희생층(320)은 식각액(chemical etchant)을 이용한 습식 식각 방식에 의해 제거할 수 있다. 또한, 희생층(320)의 식각으로 분리된 웨이퍼 기판(310)은 재사용이 가능하며, 이에 따라 홀 센서 소자의 제조비용을 감축할 수 있다.

이렇게 하여 전사 대상 기판(340)에 홀 센서층(330)이 전사된 상태의 최종 홀 센서 소자가 얻어진다. 즉, 도 1에서 설명한 초박형 홀 센서(100)가 얻어지는 것이다.

다음에, 도 5 내지 도 7은 본 발명의 제2 실시예에 따른 초박형 홀 센서의 제조방법을 나타낸 것으로서, 도 5는 홀 센서의 제조방법의 실행 과정을 나타낸 흐름도이고, 도 6은 역구조의 홀 센서층의 성장 과정을 나타낸 도면이며, 도 7은 홀 센서층을 대상 기판에 전사하는 과정을 나타낸 도면이다.

도 5 및 도 6을 참조하면, 본 발명의 제2 실시예에 따른 초박형 홀 센서의 제조방법에 따라, 먼저 도 6의 (A)와 같이 웨이퍼 기판(610) 상에 식각 중지층(620)을 형성한다(단계 S501). 여기서, 상기 식각 중지층(620)은 In, Ga, Al, P를 포함하는 화합물 반도체층으로 구성될 수 있다.

식각 중지층(620)의 형성이 완료되면, 도 6의 (B)와 같이 n형 컨택층(631), 홀 센서 활성층(632) 및 버퍼층(633)으로 구성되는 홀 센서층(630)을 종래 방식의 홀센서 성장 구조와는 반대의 역구조로 성장하여 형성한다. 즉, 종래 방식의 홀 센서 구조에서의 버퍼층과 n형 컨택층의 위치를 본 발명에서는 서로 바꾸어 형성하는 것이다. 이와 같이 역구조로 형성함으로써 후속 공정에서 홀 센서층(630)을 한 번에 전사 대상 기판(640)에 전사할 수 있게 된다.

여기서, 상기 홀 센서층(630)의 형성에 대해 조금 더 구체적으로 설명해 보기로 한다.

먼저 식각 중지층(620) 위에 n형 컨택층(631)을 형성한다(단계 S502). 이때, n형 컨택층(631)은 GaAs, InGaAs 등의 화학적 조성을 가지는 화합물 반도체로 구성될 수 있다.

n형 컨택층(631)의 형성이 완료되면, 그 n형 컨택층(631) 위에 홀 센서 활성층(632)을 형성한다(단계 S503). 여기서, 홀 센서 활성층(632)은 n형 GaAs 화합물 반도체 또는 2DEG(two-dimensional electron gas)를 이용한 화합물 반도체로 형성될 수 있다.

즉, 전술한 바와 같이 홀 센서 활성층(632)은 벌크(bulk)형 또는 2DEG(Two-Dimensional Electron Gas)형으로 형성될 수 있고, 홀 센서 활성층(332)이 벌크형일 경우는 GaAs 화합물 반도체로 구성될 수 있으며, 홀 센서 활성층(332)이 2DEG(Two-Dimensional Electron Gas)형일 경우, AlGaAs/GaAs, AlGaAs/InGaAs/AlGaAs, InAlAs/InGaAs/InAlAs 등의 화합물 반도체로 구성될 수 있다.

이렇게 하여 홀 센서 활성층(632)의 형성이 완료되면, 그 홀 센서 활성층 (632) 위에 버퍼층(633)을 형성한다(단계 S504). 이때, 버퍼층(633)은 GaAs, InGaAs 등의 화합물 반도체로 구성될 수 있다.

이상에 의해 홀 센서층(630)의 형성이 완료된다. 여기서, 이상과 같은 홀 센서층(630)의 형성을 위해 MBE(Molecular Beam Epitaxy), MOVPE(Metalorganic Vapor Phase Epitaxy) 등이 사용될 수 있다.

홀 센서층(630)의 형성 후, 도 6의 (C)와 같이 웨이퍼 기판(310)을 분리한 후 홀 센서층(630)을 전사 대상 기판(640)에 전사하게 된다. 이에 대해서는 도 7을 참조하여 설명한다.

도 7을 참조하면, 홀 센서층(630)의 상면, 즉 버퍼층(633)의 상면에 전사(transfer) 대상 기판(640)을 접합한다(단계 S505). 이때, 전사 대상 기판(640)으로는 페라이트(ferrite) 기판 또는 고분자 유연(flexible) 기판이 사용될 수 있다. 특히, 유연 기판이 사용될 경우 초박형 홀 센서를 구현하여 가장 감도가 좋은 위치에 홀 센서를 위치시킬 수 있고, 유연 전자기기에 적용이 가능하다.

이렇게 하여 버퍼층(633)의 상면에 전사 대상 기판(640)의 접합이 완료되면, 상기 웨이퍼 기판(610) 및 식각 중지층(620)을 순차적으로 제거한다(단계 S506).여기서, 상기 웨이퍼 기판(610) 및 식각 중지층(620)은 식각액(chemical etchant)을 이용한 습식 식각 방식에 의해 제거할 수 있다.

이렇게 하여 전사 대상 기판(640)에 홀 센서층(630)이 전사된 상태의 최종 홀 센서 소자가 얻어진다. 즉, 도 1에서 설명한 초박형 홀 센서(100)가 얻어지는 것이다.

이상의 설명과 같이, 본 발명에 따른 초박형 홀 센서의 제조방법은 홀 센서에 역구조의 박막 홀 센서층 성장을 통해 한 번에 홀 센서 소자를 대상 기판에 전사함으로써, 전사 횟수를 줄이고 공정을 단순화하여 수율을 향상시키고 제조비용을 감축할 수 있다. 특히, 희생층을 삽입하여 웨이퍼 기판을 분리하는 방식을 적용할 경우 웨이퍼 기판의 재사용을 가능하게 하여 제조비용을 더욱 감축할 수 있는 장점이 있다.

이상, 바람직한 실시 예를 통하여 본 발명에 관하여 상세히 설명하였으나, 본 발명은 이에 한정되는 것은 아니며, 본 발명의 기술적 사상을 벗어나지 않는 범위 내에서 다양하게 변경, 응용될 수 있음은 당해 기술분야의 통상의 기술자에게 자명하다. 따라서, 본 발명의 진정한 보호 범위는 다음의 청구범위에 의하여 해석되어야 하며, 그와 동등한 범위 내에 있는 모든 기술적 사상은 본 발명의 권리 범위에 포함되는 것으로 해석되어야 할 것이다.

310,610,810: 웨이퍼 기판 320,820: 희생층
330,630,830: 홀 센서층 331,631: n형 컨택층
332,632: 홀 센서 활성층 333,633: 버퍼층
340,640,840: 전사 대상 기판 620: 식각 중지층
835: 스탬프

Claims (20)

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5. 삭제
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7. 삭제
8. 삭제
9. a) 웨이퍼 기판상에 희생층을 형성하는 단계;
   b) 상기 희생층 위에 n형 컨택층을 형성하는 단계;
   c) 상기 n형 컨택층 위에 홀 센서 활성층을 형성하는 단계;
   d) 상기 홀 센서 활성층 위에 버퍼층을 형성하는 단계;
   e) 상기 버퍼층 상면에 전사(transfer) 대상 기판을 접합하는 단계; 및
   f) 상기 희생층을 제거하여 상기 웨이퍼 기판을 상기 희생층 상부의 적층 구조체로부터 분리하는 단계를 포함하고,
   상기 단계 a)에서 상기 희생층은 In, Ga, Al, P를 포함하는 화합물 반도체층으로 구성되며,
   상기 단계 c)에서 상기 홀 센서 활성층은 n형 GaAs 화합물 반도체 또는 2DEG(two-dimensional electron gas)를 이용한 화합물 반도체로 형성되고,
   상기 2DEG(two-dimensional electron gas)를 이용한 화합물 반도체는AlGaAs/GaAs, AlGaAs/InGaAs/AlGaAs, InAlAs/InGaAs/InAlAs 중 어느 하나를 포함하며,
   상기 n형 컨택층, 홀 센서 활성층 및 버퍼층으로 구성되는 홀 센서층을 종래의 홀 센서층 성장 구조와는 반대의 역구조로 성장하여 형성하는 것을 특징으로 하는 초박형 홀 센서의 제조방법.
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