CN116847720A - 十字交叉型高温三维霍尔传感器及其制备方法 - Google Patents
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Abstract
十字交叉型高温三维霍尔传感器及其制备方法，属于半导体器件技术领域。技术方案：X柱、Y柱、Z柱均为第三代半导体材料，X柱、Y柱、Z柱两两互相垂直连接，Z柱两端分别设置电极C1和电极C2，Y柱两侧分别设置电极C3和电极C4，X柱两侧分别设置电极C5和电极C6。有益效果：本发明利用第三代半导体优异的高温性能使传感器可以工作在高温环境中，新结构较之传统分立器件封装组合型霍尔传感器大大减小了体积，使传感器可以工作在极狭小的空间中，本发明提出的新结构各个方向的性能一致，有利于高温工作和后续信号的处理；本方案制作的高灵敏度霍尔传感器未来有望应用在各种微型可穿戴、核电站、医学、军事、航空航天等领域中。
Description
技术领域
本发明属于半导体器件技术领域，尤其涉及一种十字交叉型高温三维霍尔传感器及其制备方法。
背景技术
霍尔传感器是磁传感器中市场占比最高且应用最广泛的一种，可以用来测量磁场大小及其相关的其他物理量，如位移、流量、转速等。霍尔传感器具有精度高、功耗低、成本低、测量范围广等优点，被广泛应用在生物医学、汽车电子、航空航天、工业生产等各个领域。传统霍尔传感器大多由半导体硅基(Si)材料，或砷化镓(GaAs)、碲化铟(InSb)、砷化铟(InAs)等材料制作，但由于这些材料本身的禁带宽度较小，耐高温能力较弱，只能工作在150℃以下的环境中，在高温环境中由于本身散射机制会严重影响材料性能，使传感器无法正常工作。而在井下设备、太空飞行器中的电流检测等应用场景下需要可以在200℃温度以上正常工作的磁传感器。第三代半导体材料如氮化镓(GaN)、碳化硅(SiC)、氧化锌(ZnO)、金刚石等禁带宽度较高，耐高温能力强，以第三代半导体材料制作的霍尔传感器即使在400℃的高温环境中也可以正常稳定工作，可以满足在恶劣环境中测量的需求。
霍尔传感器大多分为可以检测垂直于或平行于传感器表面方向磁场大小的水平型结构和垂直型结构两种。单一器件可以满足部分测试要求，但是很多应用场景中需要三维磁场的测量，如汽车导航、人体血液磁性标签定位等。目前想要实现三维磁场的测量主要有两种方法，第一种是将测量单一方向的器件利用封装技术按X、Y、Z三个方向进行封装，可以实现对三维磁场的测量，这种方法三个方向灵敏度一致且布线较为简单，但要用的器件较多，传感器体积较大且封装精度要求较高。第二种方法是将水平型和两个垂直型器件进行集成，这种方法体积小，集成度高，但布线复杂且三个方向器件灵敏度和温漂系数等参数不一致。
现有技术制作的霍尔传感器主要由Si或GaAs、InSb、InAs等材料制作，无法正常工作在高于150℃的环境中，而在很多恶劣环境如核电站、井下、太空中测量磁场或相关量时均需传感器工作在超过200℃的温度中。
现有霍尔传感器技术测量三维磁场的方法主要有两种，第一种是将测量单一方向磁场的水平型或垂直型霍尔传感器通过封装技术封装在一起，此种方法存在的缺点有：1)需要至少三个水平型或垂直型传感器进行封装，这增加了制作的成本；2)封装难度较大，精度要求高，需要的引线也会较多；3)因为需要至少三个器件且需三维方向摆放，所以传感器的体积较大，不易减小，而很多应用场景需要极小的传感器体积，如医学诊断中检测人体血管中磁性标签等。第二种方法是将水平型和垂直型霍尔传感器进行组合集成，利用水平型器件测量垂直于器件表面方向磁场大小，垂直型器件测量两个平行于器件表面方向水平磁场大小，这种方法能部分解决单一器件封装集成的缺点，但也会带来如下问题：1)水平型和垂直型器件集成器件电极均在表面上，体积小的同时电极较多，所以布线会比较复杂；2)由于垂直型器件存在短路效应较大的问题，且工艺过程造成的结构不对称对测量结果的影响较水平型更大，所以和水平型器件有较大性能差距，这就导致三个方向测量时的灵敏度、温漂系数以及失调电压等参数上相差较大，在温度升高时三个维度性能变化的不一致使高温应用变得更加困难，灵敏度及失调电压的不一致使测试过程中还需对测量结果进行额外的处理。
发明内容
为了解决传统半导体材料霍尔传感器由于材料本身性能限制，无法工作在150℃以上的高温环境中的问题，本发明利用第三代半导体材料制作的霍尔传感器由于材料本身的宽禁带宽度，可以稳定的工作在400℃以上的高温环境中；
为了解决传统水平型和垂直型霍尔传感器单一组合或多个集成而成的三维结构存在传感器尺寸较大、布线复杂、封装难度高、三个方向传感器性能参数不一致等问题，本发明技术提出的新型三维十字交叉测量结构可以解决上述问题，该器件的优点是：1)采用第三代半导体材料制作，可以稳定工作在400℃以上的高温环境中；2)利用背电极结构，将十字型结构在三个方向集成在一起，使单一器件即可测量三个方向的磁场，大大减小了传感器的尺寸，使传感器可以工作在狭小的空间中；3)电极数量少，三个十字型结构集成为一个器件，仅仅需要6个电极就可以完成三维磁场的测量，这使布线更加简洁；4)十字型结构可以增加器件灵敏度且更方便电极的制作，十字型结构是单一方向测量结构中灵敏度较高而失调电压低的结构，集成在三维结构中也同样会使灵敏度增加，失调电压减小；5)三个方向的测量器件结构基本一致，所以三个方向的器件灵敏度、温漂系数、失调电压等参数也一致，后续信号处理更加方便。
技术方案如下：
一种十字交叉型高温三维霍尔传感器，包括：X柱、Y柱、Z柱、电极C1、电极C2、电极C3、电极C4、电极C5、电极C6，所述X柱、Y柱、Z柱均为第三代半导体材料，所述X柱、Y柱、Z柱两两互相垂直连接，所述Z柱两端分别设置电极C1和电极C2，所述Y柱两侧分别设置电极C3和电极C4，所述X柱两侧分别设置电极C5和电极C6。
进一步的，所述X柱、Y柱、Z柱为一体成型结构。
进一步的，所述第三代半导体材料为氮化镓、碳化硅、氧化锌、金刚石中的任意一种。
进一步的，通过电极C3、电极C4、电极C5、电极C6所在平面十字形结构检测垂直于此表面的磁场Bz，电极C3、电极C4做为激励输入端，输入电压或电流激励，电极C5和C6检测输出电势差信号；或者将电极C5、电极C6作为激励输入端，输入电压或电流激励，电极C3和电极C4之间检测输出电势差信号。
进一步的，在检测水平方向的磁场时，通过电极C1、电极C2、电极C5、电极C6检测By方向磁场大小，电极C1、电极C2或电极C5、电极C6为激励输入端，输入电压或电流激励，通过检测电极C5、电极C6或电极C1、电极C2间的电势差大小测量By磁场大小。
进一步的，通过电极C1、电极C2、电极C3、电极C4检测Bx方向磁场大小，电极C1、电极C2或电极C3、电极C4为激励输入端，输入电压或电流激励，通过检测电极C3、电极C4或电极C1、电极C2间的电势差大小测量Bx磁场大小。
本发明还包括一种十字交叉型高温三维霍尔传感器制备方法，步骤如下：
S1、材料准备：准备第三代半导体材料，对材料进行清洗，用丙酮、乙醇、去离子水、盐酸去除材料表面杂质；
S2、结构刻蚀：第三代半导体材料经过光刻显影后，采用感应耦合等离子体刻蚀设备，对第三代半导体材料进行刻蚀，两面分别刻蚀相同深度，保留电子活动区域；
S3、器件隔离：光刻显影后，利用等离子体刻蚀或离子注入对器件区域形成隔离；
S4、电极制作：光刻显影后用电子束蒸发系统沉积复合金属，第三代半导体材料表面利用快速热退火工艺形成欧姆接触；
S5、表面钝化：采用电子束蒸发法、磁控溅射法、等离子体增强化学气相淀积法、原子层沉积法其中的任一方式淀积介质层进行器件钝化；
S6、窗口开启：光刻显影后对电极处钝化层进行刻蚀开窗口，采用磁控溅射法、电子束蒸发法、热蒸发法中的任一种方法在电极处沉积金属，制作焊盘并进行引线。
进一步的，步骤S1中：
准备SiC材料，电子浓度1e15～1e18 cm-3，对材料进行氢刻蚀处理平整表面，利用化学方法清洗衬底，用丙酮、乙醇、去离子水、去除衬底表面有机物，用盐酸去除表面的氧化物、金属，再用去离子水清洗，用高纯氮气吹干；
或者
准备GaN材料，电子浓度1e16～1e18 cm-3，利用化学方法清洗衬底，用丙酮、乙醇、去离子水、去除衬底表面有机物，用盐酸去除表面的氧化物、金属，再用去离子水清洗，用高纯氮气吹干。
进一步的，步骤S4中：
光刻显影后，先用电子束蒸发系统在SiC表面沉积Ni/Ti/Al金属，之后在氮气环境中利用快速退火工艺形成欧姆接触；在电极外围保留2～5μm富余范围；
或者
光刻显影后，先用电子束蒸发系统在GaN表面沉积Ti/Al金属，之后在氮气环境中利用快速退火工艺形成欧姆接触；在电极外围保留2～5μm富余范围。
进一步的，步骤S5中：
采用等离子体增强化学气相淀积法淀积SiO2钝化层，以削弱环境气氛对器件特性的影响；
或者
采用等离子体增强化学气相淀积法淀积Si3N4钝化层，以削弱环境气氛对器件特性的影响。
本发明的有益效果是：
本发明所述的十字交叉型高温三维霍尔传感器及其制备方法主要有五方面的技术优势：1)采用第三代半导体材料制作，可以稳定工作在400℃以上的高温环境中；2)利用背电极结构，将十字型结构在三个方向集成在一起，使单一器件即可测量三个方向的磁场，大大减小了传感器的尺寸，使传感器可以工作在狭小的空间中；3)电极数量少，三个十字型结构集成为一个器件，仅仅需要6个电极就可以完成三维磁场的测量，这使布线更加简洁；4)十字型结构可以增加器件灵敏度且更方便电极的制作，十字型结构是单一方向测量结构中灵敏度较高而失调电压低的结构，集成在三维结构中也同样会使灵敏度增加，失调电压减小；5)三个方向的测量器件结构基本一致，所以三个方向的器件灵敏度、温漂系数、失调电压等参数也一致，后续信号处理更加方便。
本发明技术方案带来的有益效果，一方面可以利用第三代半导体优异的高温性能使传感器可以工作在高温环境中，另一方面提出了一种新型的三维霍尔传感器结构，新结构较之传统分立器件封装组合型霍尔传感器大大减小了体积，使传感器可以工作在极狭小的空间中，对比传统水平和垂直型集成器件，本发明提出的新结构各个方向的性能一致，有利于高温工作和后续信号的处理。本方案制作的高灵敏度霍尔传感器未来有望应用在各种微型可穿戴、核电站、医学、军事、航空航天等领域中。
附图说明
为了更清楚地说明本发明实施方式的技术方案，下面将结合附图和详细实施方式对本发明进行详细说明，显而易见地，下面描述中的附图仅仅是本发明的一些实施方式，对于本领域普通技术人员来讲，在不付出创造性劳动的前提下，还可以根据这些附图获得其它的附图。其中：
图1为本发明提出的一种新型三维十字交叉型高温三维霍尔传感器结构示意图；
图2为本发明提出的一种新型三维十字交叉型高温三维霍尔传感器三维测量工作原理图；
图3为本发明工艺实现过程示意图；
图4(a)为本发明提出的一种新型三维十字交叉型高温三维霍尔传感器的霍尔电压与磁场强度的关系图；
图4(b)为本发明提出的一种新型三维十字交叉型高温三维霍尔传感器的电流相关灵敏度与磁场强度关系图；
图5为本发明提出的一种新型三维十字交叉型高温三维霍尔传感器电流相关灵敏度与温度关系仿真验证结果图。
具体实施方式
为了使本发明的目的、技术方案及优点更加清楚明白，以下结合附图及实施例，对本发明进行进一步详细说明。应当理解，此处所描述的具体实施例仅仅用以解释本发明，并不用于限定本发明。下面结合附图1～5对十字交叉型高温三维霍尔传感器及其制备方法做进一步说明。
本发明申请提出一种新型十字交叉型高温三维霍尔传感器，采用第三代半导体材料制备，可以满足在高温环境中使用。该类型传感器利用单一器件即可测量三维磁场，体积小，封装难度低，三个方向上的测量结构近似，所以三维方向上的器件性能几乎一致，且布线容易，集合了背景技术的两种传统方法的优势。
为了实现在三维方向上器件性能一致的小尺寸三维霍尔传感器，本发明申请提出了一种新型三维十字交叉型霍尔传感器结构，可以兼顾小尺寸和三维方向性能一致的要求。器件结构示意图如图1所示。
本发明申请提出的器件由第三代半导体材料制作，从正面侧面和上面观察都是十字形形状，其中C1～C6的电极形状不做特殊限定。通过C3、C4、C5、C6电极所在平面十字形结构检测垂直于此表面的磁场Bz。电极C3、C4为激励输入端，可以使用电压或电流激励，电极C5和C6检测输出电势差信号。也可将C5、C6作为激励输入端，输入电压或电流激励，电极C3、C4之间检测输出电势差信号。在检测水平方向的磁场时，C1、C2、C5、C6电极用于检测By方向磁场大小，C1、C2或C5、C6为激励输入端，输入电压或电流激励，通过检测C5、C6或C1、C2间的电势差大小测量By磁场大小。C1、C2、C3、C4电极用于检测Bx方向磁场大小，C1、C2或C3、C4为激励输入端，输入电压或电流激励，通过检测C3、C4或C1、C2间的电势差大小测量Bx磁场大小。通过上述测量方法，本发明提出的霍尔传感器可以利用单一器件检测三个方向的磁场大小，且三个方向均为十字型结构，灵敏度较高，失调电压较低，测量磁场时三个方向的灵敏度、温漂系数、失调电压也基本一致。
图2为本发明申请提出的新型三维十字交叉型高温三维霍尔传感器测量工作原理图，其中X,Y,Z三个方向测量磁场时输入和输出端口均可交换，图2给出了其中一种测量方法。
本发明申请目标器件的实现过程说明如下：
1)材料准备：准备第三代半导体材料,对材料进行清洗，用丙酮、乙醇、去离子水、盐酸等去除材料表面杂质。
2)结构刻蚀：第三代半导体材料经过光刻显影后，采用感应耦合等离子体刻蚀(ICP)设备，对第三代半导体材料进行刻蚀，两面分别刻蚀相同深度，保留电子活动区域。
3)器件隔离：光刻显影后，利用等离子体刻蚀或离子注入对器件区域形成隔离。4)电极制作：光刻显影后用电子束蒸发系统沉积复合金属，第三代半导体材料表面利用快速热退火(RTA)工艺形成良好的欧姆接触。
5)表面钝化：采用电子束蒸发(EB)、磁控溅射、等离子体增强化学气相淀积(PECVD)、原子层沉积(ALD)其中的任一方式淀积介质层进行器件钝化。6)窗口开启：光刻显影后对电极处钝化层进行刻蚀开窗口，采用磁控溅射、电子束蒸发(EB)、热蒸发中的一种方法在电极处沉积金属，制作焊盘并进行引线。
图4给出了本发明申请设计的霍尔传感器在室温下从X，Y，Z三个方向分别施加磁场时霍尔电压、电流相关灵敏度与磁场之间的关系。从图4(a)中看出，从X，Y，Z三个方向分别施加磁场时得到的霍尔电压随磁场强度变化几乎一致，全量程最大差值小于1％，对于三个方向的测量具有很好的一致性，方便后续数据的处理及三维磁场的测量，从图4(b)中可以看出电流相关灵敏度三个方向基本一致，分别为129.8V/AT，130.4V/AT，129.4V/AT。
图5给出了本发明申请设计的霍尔传感器在X，Y，Z三个方向分别施加磁场时电流相关灵敏度与温度的关系，可以看出三个方向温漂系数较小且基本一致，分别为27.4ppm/K，31.2ppm/K，30.3ppm/K，说明在高温时本发明设计的传感器三个方向的测试性能也是一致的，有利于在高温条件下三维磁场的测量。
本发明的技术关键点在于三维霍尔传感器器件性能的提升和结构的创新。利用新型三维十字交叉的结构，大大减小了三维霍尔传感器的体积并保证了三个方向磁场测量的性能一致以及高灵敏度，采用第三代半导体材料制备可以使传感器工作在高温环境中，本设计传感器结构简单，性能较好且各方向一致，工作稳定，器件的制备工艺简单。本发明申请主要保护提出的器件结构设计和器件制作工艺。
本发明申请目标器件提供两种具体实施例制作流程，说明如下：
实施例1
1)材料准备：准备SiC材料，电子浓度1e15～1e18 cm-3。对材料进行氢刻蚀处理平整表面，利用化学方法清洗衬底。用丙酮、乙醇、去离子水、去除衬底表面有机物，用盐酸去除表面的氧化物、金属等，再用去离子水清洗，用高纯氮气吹干。
2)结构刻蚀：准备好的样品经过涂胶、匀胶后，在适合光强下曝光，之后进行显影。经曝光和显影后再进行坚膜，采用感应耦合等离子体刻蚀设备，对SiC进行刻蚀，两面分别刻蚀相同厚度，刻蚀多余材料保留电子活动区域。
3)器件隔离：光刻显影后，在器件间活动区域外采用感应耦合等离子体设备刻蚀一定厚度，进行器件隔离。
4)电极制作：光刻显影后，先用电子束蒸发系统在SiC表面沉积Ni(80nm)/Ti
(30nm)/Al(80nm)金属，之后利用快速退火(RTA)工艺在950℃的氮气环境下退火6min，形成欧姆接触。此步骤中上下柱状结构两个电极套刻精度较为关键，实际器件制作过程在电极外围保留2～5μm富余范围。
5)表面钝化：采用等离子体增强化学气相淀积(PECVD)在300℃的环境下淀积100nm厚的SiO2钝化层，削弱环境气氛对器件特性的影响。
6)窗口开启：对电极处钝化层刻蚀并开窗口引线。样品经过光刻显影后，利用ICP刻蚀在表面钝化后的电极处刻蚀，形成窗口，之后采用磁控溅射的方法在电极处沉积500nm的Al，之后再进行引线，将电极引出。
实施例2
1)衬底准备：准备GaN材料，电子浓度1e16～1e18 cm-3。利用化学方法清洗衬底。
用丙酮、乙醇、去离子水、去除衬底表面有机物，用盐酸去除表面的氧化物、金属等，再用去离子水清洗，用高纯氮气吹干。
2)台面刻蚀：准备好的样品经过涂胶、匀胶后，在适合光强下曝光，之后进行显影。经曝光和显影后再进行坚膜，采用感应耦合等离子体刻蚀设备，利用
Cl基气体对GaN进行刻蚀，两面分别相同深度，刻蚀多余材料保留电子活动区域。
3)离子注入：光刻显影后，在非器件区域注入氟离子或感应耦合等离子体刻蚀，进行器件隔离。
4)电极制作：光刻显影后，先用电子束蒸发系统在GaN表面沉积Ti(30nm)/Al(80nm)金属，之后利用快速退火(RTA)工艺在600℃的氮气环境下退火80s，形成欧姆接触。此步骤中上下柱状结构两个电极套刻精度较为关键，实际器件制作过程在电极外围保留2～5μm富余范围。
5)表面钝化：采用等离子体增强化学气相淀积(PECVD)在300℃环境中淀积
100nm厚的Si3N4钝化层，削弱环境气氛对器件特性的影响。
6)窗口开启：对电极处钝化层刻蚀并开窗口引线。样品经过光刻显影后，利用ICP刻蚀在表面钝化后的电极处刻蚀，形成窗口，之后采用磁控溅射的方法在电极处沉积500nm的Al，之后再进行引线，将电极引出。
以上所述，仅为本发明较佳的具体实施方式，但本发明的保护范围并不局限于此，任何熟悉本技术领域的技术人员在本发明披露的技术范围内，根据本发明的技术方案及其发明构思加以等同替换或改变，都应涵盖在本发明的保护范围之内。本发明的技术方案使用第三代宽禁带半导体材料，也可拓展到其他硅、碲化铟、砷化镓、氧化镓、钪铝氮、氮化硼半导体，在使用本方案近似器件结构范畴内，都应涵盖在本发明的保护范围之内。
Claims (10)
1.一种十字交叉型高温三维霍尔传感器，其特征在于，包括：X柱、Y柱、Z柱、电极C1、电极C2、电极C3、电极C4、电极C5、电极C6，所述X柱、Y柱、Z柱均为第三代半导体材料，所述X柱、Y柱、Z柱两两互相垂直连接，所述Z柱两端分别设置电极C1和电极C2，所述Y柱两侧分别设置电极C3和电极C4，所述X柱两侧分别设置电极C5和电极C6。
2.如权利要求1所述的十字交叉型高温三维霍尔传感器，其特征在于，所述X柱、Y柱、Z柱为一体成型结构。
3.如权利要求1所述的十字交叉型高温三维霍尔传感器，其特征在于，所述第三代半导体材料为氮化镓、碳化硅、氧化锌、金刚石中的任意一种。
4.如权利要求1或2所述的十字交叉型高温三维霍尔传感器，其特征在于，通过电极C3、电极C4、电极C5、电极C6所在平面十字形结构检测垂直于此表面的磁场Bz，电极C3、电极C4做为激励输入端，输入电压或电流激励，电极C5和C6检测输出电势差信号；或者将电极C5、电极C6作为激励输入端，输入电压或电流激励，电极C3和电极C4之间检测输出电势差信号。
5.如权利要求1或2所述的十字交叉型高温三维霍尔传感器，其特征在于，在检测水平方向的磁场时，通过电极C1、电极C2、电极C5、电极C6检测By方向磁场大小，电极C1、电极C2或电极C5、电极C6为激励输入端，输入电压或电流激励，通过检测电极C5、电极C6或电极C1、电极C2间的电势差大小测量By磁场大小。
6.如权利要求1或2所述的十字交叉型高温三维霍尔传感器，其特征在于，通过电极C1、电极C2、电极C3、电极C4检测Bx方向磁场大小，电极C1、电极C2或电极C3、电极C4为激励输入端，输入电压或电流激励，通过检测电极C3、电极C4或电极C1、电极C2间的电势差大小测量Bx磁场大小。
7.一种十字交叉型高温三维霍尔传感器制备方法，其特征在于，步骤如下：
S1、材料准备：准备第三代半导体材料，对材料进行清洗，用丙酮、乙醇、去离子水、盐酸去除材料表面杂质；
S2、结构刻蚀：第三代半导体材料经过光刻显影后，采用感应耦合等离子体刻蚀设备，对第三代半导体材料进行刻蚀，两面分别刻蚀相同深度，保留电子活动区域；
S3、器件隔离：光刻显影后，利用等离子体刻蚀或离子注入对器件区域形成隔离；
S4、电极制作：光刻显影后用电子束蒸发系统沉积复合金属，第三代半导体材料表面利用快速热退火工艺形成欧姆接触；
S5、表面钝化：采用电子束蒸发法、磁控溅射法、等离子体增强化学气相淀积法、原子层沉积法其中的任一方式淀积介质层进行器件钝化；
S6、窗口开启：光刻显影后对电极处钝化层进行刻蚀开窗口，采用磁控溅射法、电子束蒸发法、热蒸发法中的任一种方法在电极处沉积金属，制作焊盘并进行引线。
8.如权利要求7所述的十字交叉型高温三维霍尔传感器制备方法，其特征在于，步骤S1中：
准备SiC材料，电子浓度1e15～1e18cm-3，对材料进行氢刻蚀处理平整表面，利用化学方法清洗衬底，用丙酮、乙醇、去离子水、去除衬底表面有机物，用盐酸去除表面的氧化物、金属，再用去离子水清洗，用高纯氮气吹干；
或者
准备GaN材料，电子浓度1e16～1e18cm-3，利用化学方法清洗衬底，用丙酮、乙醇、去离子水、去除衬底表面有机物，用盐酸去除表面的氧化物、金属，再用去离子水清洗，用高纯氮气吹干。
9.如权利要求8所述的十字交叉型高温三维霍尔传感器制备方法，其特征在于，步骤S4中：
光刻显影后，先用电子束蒸发系统在SiC表面沉积Ni/Ti/Al金属，之后在氮气环境中利用快速退火工艺形成欧姆接触；在电极外围保留2～5μm富余范围；或者
光刻显影后，先用电子束蒸发系统在GaN表面沉积Ti/Al金属，之后利用在氮气环境中快速退火工艺形成欧姆接触；在电极外围保留2～5μm富余范围。
10.如权利要求9所述的十字交叉型高温三维霍尔传感器制备方法，其特征在于，步骤S5中：
采用等离子体增强化学气相淀积法淀积SiO2钝化层，以削弱环境气氛对器件特性的影响；
或者
采用等离子体增强化学气相淀积法淀积Si3N4钝化层，以削弱环境气氛对器件特性的影响。
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