JP2013145917A5 - 固体撮像装置の製造方法 - Google Patents

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本発明は固体撮像装置の製造方法に係るものである。
上記課題に鑑み、本発明は、固体撮像装置の製造方法であって、半導体基板に設けられた受光部の上に第１の反射防止膜を形成する工程と、前記反射防止膜の上に、複数の配線層と、平坦化が施された最上の層間絶縁膜を含む複数の層間絶縁膜とを形成する工程と、前記複数の配線層と前記複数の層間絶縁膜を形成する工程の後に、第２の反射防止膜を形成する工程と、前記第２の反射防止膜を形成する工程の後に、前記最上の層間絶縁膜よりも高い屈折率を有する第１の絶縁膜を形成する工程を有する。また、本発明は、固体撮像装置の製造方法であって、半導体基板に設けられた受光部の上に、第１の酸化シリコン膜と第１の窒化シリコン膜を形成する工程と、前記第１の窒化シリコン膜の上に、複数の配線層と、平坦化が施された最上の層間絶縁膜を含む複数の層間絶縁膜とを形成する工程と、前記複数の配線層と前記複数の層間絶縁膜を形成する工程の後に、酸窒化シリコン膜を形成する工程と、前記酸窒化シリコン膜を形成する工程の後に、第２の窒化シリコン膜を形成する工程を有する。

Claims (17)

  1. 固体撮像装置の製造方法であって、
    半導体基板に設けられた受光部の上に第１の反射防止膜を形成する工程と、
    前記反射防止膜の上に、複数の配線層と、平坦化が施された最上の層間絶縁膜を含む複数の層間絶縁膜とを形成する工程と、
    前記複数の配線層と前記複数の層間絶縁膜の上に、第２の反射防止膜を形成する工程と、
    前記第２の反射防止膜の上に、前記最上の層間絶縁膜よりも高い屈折率を有する第１の絶縁膜を形成する工程を有する固体撮像装置の製造方法。
  2. 前記第１の反射防止膜を形成する工程とは、少なくとも窒化シリコン膜を形成する工程を含み、
    前記第２の反射防止膜を形成する工程とは、少なくとも酸窒化シリコン膜を形成する工程を含む請求項１に記載の固体撮像装置の製造方法。
  3. 前記第１の反射防止膜を形成する工程は、前記窒化シリコン膜を形成する工程の前に、酸化シリコン膜を形成する工程を含む請求項２に記載の固体撮像装置の製造方法。
  4. 前記第１の反射防止膜を形成する工程は、前記窒化シリコン膜を形成する工程と、酸窒化シリコン膜を形成する工程とを含む請求項２に記載の固体撮像装置の製造方法。
  5. 前記最上の層間絶縁膜は酸化シリコン膜であり、前記第１の絶縁膜は窒化シリコン膜である請求項１乃至４のいずれか１項に記載の固体撮像装置の製造方法。
  6. 前記第１の絶縁膜の前記窒化シリコン膜は、プラズマＣＶＤ法によって形成される請求項５に記載の固体撮像装置の製造方法。
  7. 前記第１の絶縁膜の上に、前記第３の反射防止膜を形成する工程を有する請求項１乃至６のいずれか１項に記載の固体撮像装置の製造方法。
  8. 前記第３の反射防止膜を形成する工程は、酸窒化シリコン膜を形成する工程を含む請求項７に記載の固体撮像装置の製造方法。
  9. 前記第３の反射防止膜を形成する工程の後に、カラーフィルター膜を形成する工程を有する請求項８に記載の固体撮像装置の製造方法。
  10. 固体撮像装置の製造方法であって、
    半導体基板に設けられた受光部の上に、第１の酸化シリコン膜と第１の窒化シリコン膜を形成する工程と、
    前記第１の窒化シリコン膜の上に、複数の配線層と、平坦化が施された最上の層間絶縁膜を含む複数の層間絶縁膜とを形成する工程と、
    前記複数の配線層と前記複数の層間絶縁膜の上に、酸窒化シリコン膜を形成する工程と、
    前記酸窒化シリコン膜の上に、第２の窒化シリコン膜を形成する工程を有する固体撮像装置の製造方法。
  11. 前記最上の層間絶縁膜は酸化シリコン膜である請求項１０に記載の固体撮像装置の製造方法。
  12. 前記第２の窒化シリコン膜は、プラズマＣＶＤ法によって形成される請求項１０または１１に記載の固体撮像装置の製造方法。
  13. 前記第２の窒化シリコン膜の上に、前記酸窒化シリコン膜とは別の酸窒化シリコン膜を形成する工程を有する請求項１０乃至１２のいずれか１項に記載の固体撮像装置の製造方法。
  14. 前記別の酸窒化シリコン膜を形成する工程の後に、カラーフィルター膜を形成する工程を有する請求項１３に記載の固体撮像装置の製造方法。
  15. 前記複数の配線層のうち最上の配線層は、前記最上の層間絶縁膜の上に配されている請求項１乃至１４のいずれか１項に記載の固体撮像装置の製造方法。
  16. 前記最上の配線層の端部はテーパ形状である請求項１５に記載の固体撮像装置の製造方法。
  17. 前記第１の反射防止膜を形成する工程において、前記半導体基板には、ＭＯＳトランジスタが配された周辺回路部と、前記受光部を含み、ＭＯＳトランジスタが配され、前記周辺回路部よりもＭＯＳトランジスタの配置密度が低い画素部が設けられている請求項１乃至１６のいずれか１項に記載の固体撮像装置の製造方法。
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