JP2013136474A - 基板の再生方法及び該再生方法を用いた窒化物半導体素子の製造方法 - Google Patents
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Abstract
【解決手段】本発明は、窒化物半導体とは異なる基板(10)の上面(11)に窒化物半導体(20)が成長されたウエハ(30)から前記窒化物半導体(20)を除去して前記基板(10)を再利用可能な状態に再生する方法であって、第1の方法で前記窒化物半導体(20)の一部を除去する第1の工程と、前記第1の工程の後、前記第1の方法とは異なる第2の方法で前記窒化物半導体(20)の少なくとも一部を除去する第2の工程と、を含み、前記第2の方法は、前記ウエハを加熱炉で加熱することであることを特徴とする。
【選択図】図1
Description
図1は、実施の形態1に係る基板の再生方法の各工程(a)〜(e)を説明する概略断面図である。図1に示すように、本実施の形態1では、窒化物半導体とは異なる基板10の上面11に窒化物半導体20が成長されたウエハ30から窒化物半導体20を除去して基板10を再利用可能な状態に再生する。
基板10は、窒化物半導体より融点の高い材料で構成されていることが好ましい。基板10の具体的な材料としては、サファイア、スピネル、炭化珪素などが挙げられ、特にサファイアが好ましい。基板10の上面視形状は、矩形や三角形、扇形などでもよいが、円形が好ましい。オリエンテーションフラットやインデックスフラット、ノッチなどが形成されていてもよい。基板10の大きさは、例えば1インチ以上8インチ以下、好ましくは2インチ以上6インチ以下、より好ましくは2インチ以上4インチ以下とする。基板10の厚さは、例えば0.1mm以上3mm以下、好ましくは0.3mm以上2mm以下、より好ましくは0.5mm以上1mm以下とする。基板の上面11は、C面(0001)を有することが好ましいが、M面{1−100}、A面{11−20}、R面{1−102}などを有してもよい。また、基板の上面11が、これらの結晶面から、例えば0.5°以下、好ましくは0.1°以上0.2°以下の範囲で傾斜した(オフ角を有する)ものでもよい。なお、本実施の形態1では、基板の上面11は、上記のような結晶面に略平行な平坦面である。
図2(a)及び(b)は、各々、第1及び第2の工程における窒化物半導体の状態の一例を示す概略上面図である。図1(b)及び図2(a)に示すように、第1の工程では、第1の方法で、窒化物半導体20の一部を除去して窒化物半導体20に凹部25を形成する。凹部25の上面視形状は、点状、線状、枠状、格子状(四角格子のほか、三角格子、六角格子、ランダム格子なども含む)などが挙げられ、なかでも窒化物半導体20の露出面が多く設けられやすい格子状であることが好ましい。また、凹部25の底面は、窒化物半導体20の表面であってもよいが、窒化物半導体20の露出面がより大きく設けられるように、基板の上面11が露出されていることが好ましい。特に、図2(a)に示すように、凹部25によって、窒化物半導体20を複数の島状領域に分断することが好ましい。これにより、図2(b)に示すように、第2の工程において、各島状領域の窒化物半導体20を熱分解により速やかに除去しやすく、基板10の再生に要する工数を大幅に削減することができる。第1の工程と第2の工程で除去する窒化物半導体20の割合は、工数や基板の品質の維持などを考慮して決めればよい。第1の工程で除去する窒化物半導体20の割合は、例えば全体の10%以上90%以下、好ましくは20%以上80%以下とする。
図1(c)及び図2(b)に示すように、第2の工程では、ウエハ30を加熱炉50で加熱することにより、第1の工程で残された窒化物半導体20の少なくとも一部、好ましくはその略全部、を除去する。加熱炉50内は、窒素雰囲気、水素雰囲気、又はこれらの混合雰囲気であることが好ましい。加熱の温度は、高いほど窒化物半導体20の熱分解を促進しやすいが、基板10に与えるダメージを考慮して、例えば1000℃以上2000℃以下とし、好ましくは1200℃以上1800℃以下とし、より好ましくは1400℃以上1600℃以下とする。加熱の時間は、窒化物半導体20の少なくとも一部、好ましくはその略全部が除去されるまでの時間であり、温度にも依存するため特に限定されないが、短いほど良い。なお、窒化物半導体20が除去された後、基板10にクラックや割れが発生するのを抑制するため、加熱炉内を徐冷することが好ましく、降温速度は、例えば0.5℃/分以上3℃/分以下、好ましくは1℃/分以上2℃/分以下とする。
図1(d)に示すように、第3の工程では、基板の上面11を化学機械的研磨する。具体的には、例えば、砥粒と薬液を含むスラリーを回転する定盤上に滴下しながら、基板の上面11を研磨する。本再生方法では、第2の工程後、基板10のダメージは比較的少ないため、基板の上面11を少ない研磨量で鏡面に仕上げることが可能である。このため、研削又はラップ研磨など粗研磨を省略して、工数を削減することができる。したがって、基板10は、第1〜3の工程により再利用可能な状態に再生されることが好ましい。無論、必要であれば、研削及び/又はラップ研磨を介してもよい。そして、この第3の工程により、図1(e)に示すように、基板の上面11を鏡面に仕上げ、結晶成長用の下地基板として利用可能な基板10に再生することができる。
図3は、実施の形態2に係る基板の再生方法の各工程(a)〜(f)を説明する概略断面図である。本実施の形態2では、基板10の複数の凸部15を有する上面11に、窒化物半導体の素子構造21が成長されたウエハ31を使用する。素子構造21の一例としては、n型半導体層、活性層、p型半導体層がこの順に積層された発光素子構造がある。
本実施の形態の基板の再生方法は、図3(f)に示すように、第3の工程の後、基板の上面11に凹凸加工を施す第4の工程を含んでもよい。この凹凸は、例えば、基板の上面11に、保護膜をパターン形成した後、ウエットエッチング又はドライエッチングを施すことにより形成できる。特に、ウエットエッチングが、簡便且つ安価であり、好ましい。第4の工程は、第3の工程を省略して、第2の工程の後に行うこともできるが、第2の工程の後、基板の上面11に残存する金属ガリウムなどの残渣を第3の工程で予め除去し、第3の工程の後に行うことが好ましい。
以上、実施の形態1,2に記述するような再生方法を用いて再生された基板10は、窒化物半導体の結晶成長用基板として利用することができる。すなわち、この再生された基板の上面11に窒化物半導体の素子構造を形成して、窒化物半導体素子を製造することができる。本再生方法では、高い品質を維持しながら基板10を再生することができる。ひいては、新品の基板(初めてその上に窒化物半導体が成長される基板)を使用する場合とほぼ同等の特性を有する窒化物半導体素子を製造することができる。
直径3インチ、厚さ0.55mmのサファイア基板のC面(0001)を有する上面に、窒化物半導体の多層膜(厚さ5μm程度)が成長されたウエハを準備する。なお、この多層膜は、発光ダイオードの製造用MOCVD装置を調整するため、試験的に成長されたものである。また、このサファイア基板は、片面研磨品、より詳細には上面が鏡面に研磨され、下面が梨地状に加工されているものである。
Claims (6)
- 窒化物半導体とは異なる基板の上面に窒化物半導体が成長されたウエハから前記窒化物半導体を除去して前記基板を再利用可能な状態に再生する方法であって、
第1の方法で前記窒化物半導体の一部を除去する第1の工程と、
前記第1の工程の後、前記第1の方法とは異なる第2の方法で前記窒化物半導体の少なくとも一部を除去する第2の工程と、を含み、
前記第2の方法は、前記ウエハを加熱炉で加熱することである基板の再生方法。 - 前記第1の工程において、前記窒化物半導体の一部を除去することにより形成される凹部の底面に前記基板の上面を露出させる請求項1に記載の基板の再生方法。
- 前記第1の工程において、前記窒化物半導体を複数の島状領域に分断する請求項2に記載の基板の再生方法。
- 前記第1の方法は、レーザ照射である請求項1乃至3のいずれか一項に記載の基板の再生方法。
- 前記第2の工程の後、前記基板の上面を化学機械的研磨する第3の工程を含み、
前記基板は、前記第1〜3の工程により再利用可能な状態に再生される請求項1乃至4のいずれか一項に記載の基板の再生方法。 - 請求項1乃至5のいずれか一項に記載の方法を用いて再生された基板の上面に窒化物半導体の素子構造を形成する窒化物半導体素子の製造方法。
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