JP2013133500A - 電極焼結体、積層電子部品、内部電極ペースト、電極焼結体の製造方法、積層電子部品の製造方法 - Google Patents

Abstract

【課題】熱処理時に内部電極層の焼結を促進し、導電性が良好な電極焼結体を提供すること。
【解決手段】電極焼結体が、ニッケル及びアルミニウムからなる金属間化合物を含み、さらにＳｉ及びＢのうち少なくともいずれか一方を含むことにより、比較的低温で焼結することによる導電性が良好な電極焼結体を提供する。さらに、焼成後に内部電極層となる内部電極シートを構成する導体粒子原料の焼結を促進させ、内部電極層を比較的低温で焼結させることができる内部電極ペーストを提供する。さらに、この電極ペーストを内部電極に用いた、高機能な積層電子部品を提供する。
【選択図】図１

Description

本発明は、電極焼結体、積層電子部品、内部電極ペースト、該内部電極ペーストを用いた電極焼結体の製造方法および積層電子部品の製造方法に関する。

現在の積層電子部品は高機能・小型化の傾向が顕著である。特に積層セラミックコンデンサにおいては、大容量・小型化の傾向が強い。積層セラミックコンデンサは誘電体層と内部電極層が交互に複数積層された構造であり、大容量・小型化に伴いそれぞれの層は薄層化されていく。

積層セラミックコンデンサの製造方法の一つに、焼成後に内部電極層となる内部電極シートと、焼成後に誘電体層となるグリーンシートと、を交互に積層した積層体を焼成する方法がある。

内部電極シートには、主にニッケル金属粒子が含まれ、グリーンシートには、誘電体粉末が含まれている。

内部電極シートは、例えば、ニッケル金属粒子を含む内部電極ペーストをグリーンシートに塗布することにより形成される。

しかし、薄層化に伴い誘電体層を形成するグリーンシートは非常に薄くなる。誘電体層の厚みは薄くなればなるほど、誘電体層の欠陥による内部電極のショートが多発し、また信頼性等の諸電気特性が悪化する傾向となってしまう。

一方で、信頼性等の諸電気特性を改善する手法として、誘電体及び電極を焼結させた後の、誘電体層の再酸化熱処理が挙げられる。誘電体を焼結させる際は、電極として主に用いられているニッケル金属粒子が酸化しない低酸素分圧下で、焼成を行うのが一般的である。しかしながら、低酸素分圧下で焼成を行った場合、誘電体層を構成している酸化物中の酸素欠陥量が多くなる。このような酸素欠陥を補うため、焼成後に焼成時よりも高い酸素分圧下にて再酸化熱処理を行う。

しかし、再酸化熱処理を行ったとしても、焼成時に発生した誘電体層の酸素欠陥を十分に補うことが難しく、またより高い酸素分圧下における再酸化熱処理では、電極層を形成しているニッケル金属が酸化してしまい、電極層が十分な導電性を得ることができない。

このような電極層の酸化を防止する一般的な手法としては、パラジウム、白金といった貴金属を電極として用いることが考えられる。しかし、これらの貴金属は高価であることから、材料に掛かるコストが顕著に上昇するという問題がある。

再酸化熱処理による内部電極層の酸化防止に対応した試みとして特許文献１に、ニッケル金属粒子の結晶性を高め、より単結晶に近い粒子を用いることにより、結晶子界面で発生する酸化を抑制する手法が開示されている。

しかしながら、特許文献１に記載されている手法においては、低結晶性ニッケル金属粒子に比べ耐酸化効果は認められるが、通常の焼成及び再酸化熱処理時の雰囲気条件をより高い酸素分圧へ変更することは難しい。

また、内部電極層を構成するニッケル金属粒子の熱処理時の酸化を防ぐ他の方法としては、ニッケル金属粒子に酸化物等を被覆させ、酸素分子がニッケル金属粒子と接触するのを防ぐ手法がとられている。酸化物等を被覆させる一般的な手法は、ニッケル金属粒子を溶液中に分散させ、被覆させたい化合物若しくはその前駆体等を付着させる。それらの熱処理等を行い、ニッケル金属粒子に酸化物等の被覆膜を付与する。

このような観点から、特許文献２には、ニッケル金属粒子に酸化マンガン等を被覆することにより、熱処理時にニッケル金属粒子の酸化を防止する方法が開示されている。

しかしながら、特許文献２に開示の方法では、溶液中のニッケル金属粒子の分散状態で被覆性にバラつきが発生し、加えて被覆時にニッケル金属粒子が凝集してしまうという課題がある。また、このような方法においては、被覆されたニッケル金属粒子をペースト化する際、分散工程にて被覆された酸化物等が剥がれ落ちることが懸念される。これらのことより、酸化防止効果としては十分とはいえない。

また、特許文献３および４には、電極層を形成する導体金属粒子に微量の異種元素を加えた合金粒子を用いることにより、導体金属の酸化を抑制する手法が開示されている。

しかし、特許文献３および４に記載されている手法では、導体金属粒子の酸化防止に効果は認められるものの、大気雰囲気に近い酸素分圧下においては、十分な酸化防止効果を得ることは難しい。

特許文献５には、ニッケル金属粒子にアルミニウム金属粒子を配合した外部電極が開示されている。

しかしながら、この手法を内部電極に用いた場合、還元雰囲気下においてもアルミニウム粉末は酸化し酸化アルミニウムとなるため、大気雰囲気に近い酸素分圧下においても、十分な酸化防止効果が得られることは難しい。

さらに、内部電極の耐酸化性を向上させる技術課題に対する解決手法として特許文献６にはＮｉＡｌ合金粉末を用いた電極を焼成することにより、内部電極としてＮｉＡｌ合金を有する積層セラミック素子の開示がある。しかし、ニッケルとアルミニウムからなる合金には各組成比にて特定の結晶構造があるが、特許文献６には焼結抑制に効果的な結晶構造が明確に示されていない。これにより特定の結晶構造を有していないＮｉＡｌ合金では、通常の積層セラミックコンデンサの焼成に用いられる還元雰囲気下においても、ＮｉＡｌ合金中のアルミニウムが酸化し酸化アルミニウムなり易いため、大気雰囲気に近い酸素分圧下においても一定の酸化防止効果は認められるものの、生成した酸化アルミニウムによって内部電極層が十分な導電性を確保できない可能性がある。

一方、ＮｉＡｌ金属間化合物（結晶構造：Ｂ２構造）は、それ自体に比較的良好な耐酸化性を有しているが、融点が高いため、ＮｉＡｌ粒子を緻密に焼結させるためには、１３５０℃以上の高温が必要となる。そのため、それ以下の温度で異材同時焼成を行う場合、ＮｉＡｌ粒子を十分に焼結できず、不十分な焼結状態で再酸化熱処理を行うと、焼結体中の空隙の影響により、電極層の比表面積が大きくなり、内部電極層が酸化し、十分な導電性を確保できない。

以上より、いずれの手法を試みたとしても、大気雰囲気に近い酸素分圧下で熱処理を行う積層セラミックコンデンサや積層PTC等の電子部品においては、内部電極層の十分な酸化抑制効果は期待できず、焼成後の内部電極層が導体としての機能を消失してしまう。

特開平１１−１２４６０７号公報 特開平１１−０４５６１７号公報 特開平５−０７４６４８号公報 特開２００２−２４１８７６号公報 特開昭６１−１２１２０５号公報 特開平６−８４６０８号公報

本発明は、このような実状に鑑みてなされ、その目的は、優れた耐酸化性を示すＮｉＡｌ金属間化合物粒子を比較的低い温度にて十分に焼結させ、熱処理時に内部電極層を形成する導体の酸化が抑制され、導電性が良好な電極焼結体を提供することである。また、本発明のその他の目的は、ＮｉＡｌ金属間化合物粒子を比較的低い温度にて十分に焼結させ、熱処理時に内部電極層を形成する導体の酸化が抑制された内部電極層を含む積層電子部品を提供することである。さらに、本発明のその他の目的は、ＮｉＡｌ金属間化合物を比較的低い温度にて十分に焼結させ、熱処理時に内部電極層を形成する導体の酸化を抑制することができる内部電極ペースト、該内部電極ペーストを用いた電極焼結体の製造方法および積層電子部品の製造方法を提供することである。

本発明者等は、電極焼結体または内部電極層の一部を、ＮｉＡｌ系金属間化合物とし、さらに該電極焼結体または内部電極層に特定の元素を含有させた構成とすることで、比較的低い温度にて十分に焼結し、再酸化熱処理時に内部電極層を形成する導体の酸化が抑制された電極焼結体を提供できることを見出し、本発明を完成させるに至った。

すなわち、上記課題を解決する本発明は、
電極焼結体が、ニッケルおよびアルミニウムからなる金属間化合物を含む。

本発明の電極焼結体によれば、再酸化熱処理時に内部電極層を形成する導体の酸化が抑制され、導電性が良好な電極焼結体を得ることができる。

本発明の電極焼結体は、好ましくは、前記金属間化合物が、ＮｉＡｌ金属間化合物（結晶構造：Ｂ２構造）を含む。

本発明の電極焼結体は、好ましくは、前記金属間化合物が、Ｎｉ３Ａｌ金属間化合物（結晶構造：Ｌ１２構造）を含む。

本発明の電極焼結体は、好ましくは、前記金属間化合物が、ＮｉＡｌ金属間化合物（結晶構造：Ｂ２構造）およびＮｉ３Ａｌ金属間化合物（結晶構造：Ｌ１２構造）を含む。

本発明の電極焼結体は、好ましくは、Ｓｉ及びＢの少なくともいずれか一方を含む。

本発明の電極焼結体によれば、前記電極焼結体にニッケルおよびアルミニウムからなる金属間化合物を含み、さらにＳｉ及びＢの少なくともいずれか一方を含むことにより、焼成時に内部電極層を形成する導体の焼結を促進させ、比較的低い焼結温度で内部電極層を形成する導体を焼結させることができ、緻密な焼結体を得ることにより、導電性が良好な電極焼結体を得ることができる。

本発明の電極焼結体は、好ましくは、前記金属間化合物がＮｉＡｌ系金属間化合物を含み、前記電極焼結体に含まれるニッケル及びアルミニウムの含有量を１００質量部としたときに、Ｓｉ含有量が、０．１質量部〜１０質量部である。

本発明の電極焼結体は、好ましくは、前記金属間化合物がＮｉＡｌ系金属間化合物を含み、前記電極焼結体に含まれるニッケル及びアルミニウムの含有量を１００質量部としたときに、Ｂ含有量が、０．２質量部〜１５質量部である。

前記電極焼結体に含まれるニッケル及びアルミニウムの含有量を１００質量部としたときに、ＳｉとＢの含有総量が、０．１質量部〜２０質量部であってもよい。

本発明は、
誘電体層と、内部電極層と、が交互に複数重ねられた積層体を有する積層電子部品であって、
前記内部電極層が、ニッケルおよびアルミニウムからなる金属間化合物を含み、さらにSi及びBのうち少なくともいずれか一つを含む積層電子部品である。

本発明によれば、比較的低い温度にて十分に焼結し、熱処理時に内部電極層を形成する導体の酸化が抑えられた内部電極層を得ることができるため、酸化体積膨張による内部電極層と誘電体層の間のデラミネーションの発生率が低く、クラックの発生率が低く、構造欠陥が抑えられた積層電子部品を得ることができる。

本発明の積層電子部品は、好ましくは、前記内部電極層の金属間化合物が、ＮｉＡｌ金属間化合物（結晶構造：Ｂ２構造）を含む。

本発明の積層電子部品は、好ましくは、前記内部電極層が、Ｎｉ３Ａｌ金属間化合物（結晶構造：Ｌ１２構造）を含む。

本発明の積層電子部品は、好ましくは、前記内部電極層が、ＮｉＡｌ金属間化合物（結晶構造：Ｂ２構造）およびＮｉ３Ａｌ金属間化合物（結晶構造：Ｌ１２構造）を含む。

本発明の電極焼結体は、好ましくは、Ｓｉ及びＢの少なくともいずれか一方を含む。

本発明の積層電子部品は、前記内部電極層にＳｉ及びＢの少なくともいずれか一方を含むことにより、焼成時に内部電極層を形成する導体の焼結を促進させ、比較的低い焼結温度で内部電極層を形成する導体を焼結させることができ、緻密な焼結体を得ることにより、導電性が良好な内部電極層を得ることができる。

本発明の積層電子部品は、好ましくは、前記金属間化合物がＮｉＡｌ系金属間化合物を含み、
前記内部電極層に含まれるニッケル及びアルミニウムの含有量を１００質量部としたときに、Ｓｉ含有量が、０．１質量部〜１０質量部である。

本発明の積層電子部品は、好ましくは、前記金属間化合物がＮｉＡｌ系金属間化合物を含み、
前記内部電極層に含まれるニッケル及びアルミニウムの含有量を１００質量部としたときに、Ｂ含有量が、０．２質量部〜１５質量部である。

前記内部電極層に含まれるニッケル及びアルミニウムの含有量を１００質量部としたときに、ＳｉとＢの総含有量が、０．１質量部〜２０質量部であってもよい。

本発明は、
導体粒子原料と、バインダと、溶剤と、を含み、
前記導体粒子原料が、ニッケル及びアルミニウムからなる金属間化合物を含み、さらに前記導体粒子原料は、Ｓｉ若しくはＢのうち少なくともいずれか一方を含む内部電極ペーストである。

本発明の内部電極ペーストを用いることで、導体粒子原料の焼結温度を低下させ、比較的低温で緻密な焼結体を得ることにより、内部電極層の熱処理時に内部電極層を形成する導体の酸化を抑えることができ、なおかつ緻密な電極焼結体を得ることにより内部電極層の導電性を良好にすることができる。

本発明の内部電極ペーストは、好ましくは、導体粒子原料として前記金属間化合物がＮｉＡｌ金属間化合物（結晶構造：Ｂ２構造）を含む。

本発明の内部電極ペーストは、好ましくは、導体粒子原料として前記金属間化合物がＮｉ３Ａｌ金属間化合物（結晶構造：Ｌ１２構造）を含む。

本発明の内部電極ペーストは、好ましくは、導体粒子原料として前記金属間化合物がＮｉＡｌ金属間化合物（結晶構造：Ｂ２構造）及びＮｉ３Ａｌ金属間化合物（結晶構造：Ｌ１２構造）を含む。

本発明の内部電極ペーストは、好ましくは、前記金属間化合物がＮｉＡｌ系金属間化合物を含み、さらにＳｉ及びＢのうち少なくともいずれか一方を含む。

本発明の内部電極ペーストは、内部電極ペースト中の導体粒子中にＳｉ及びＢの少なくともいずれか一方を含むことにより、焼成時に内部電極層を形成する導体の焼結を促進させ、比較的低い焼結温度で内部電極層を形成する導体を焼結させることができ、緻密な焼結体を得ることにより、導電性が良好な電極焼結体を得ることができる。

本発明の内部電極ペーストは、好ましくは、前記金属間化合物がＮｉＡｌ系金属間化合物を含み、
前記導体粒子原料に含まれるニッケル及びアルミニウムの含有量を１００質量部としたときに、Ｓｉ含有量が、０．１質量部〜１０質量部である。

本発明の内部電極ペーストは、好ましくは、前記金属間化合物がＮｉＡｌ系金属間化合物を含み、
前記導体粒子原料に含まれるニッケル及びアルミニウムの含有量を１００質量部としたときに、Ｂ含有量が、０．２質量部〜１５質量部である。

前記導体粒子原料に含まれるニッケル及びアルミニウムの含有量を１００質量部としたときに、ＳｉとＢの含有総量が、０．１質量部〜２０質量部であってもよい。

また、本発明は、
電極焼結体の製造方法であって、
前記内部電極ペーストを被印刷体の上に溶工し、電極成形体を得る工程と、
前記電極成形体を焼成する工程と、
を有する。

また、本発明は、
積層電子部品の製造方法であって、
誘電体粉末とバインダとを含むグリーンシートと、前記内部電極ペーストから得られる内部電極シートと、を交互に複数重ねて、積層体を得る工程と、
前記積層体を焼成する工程と、
を有する。

図１は、本発明の一実施形態に係る積層セラミックコンデンサの概略断面図である。 図２は、ニッケルおよびアルミニウムからなる金属化合物の相図である。

以下、本発明を、図面に示す実施形態に基づき説明する。

積層セラミックコンデンサ１
図１に示すように、本発明の一実施形態に係る積層セラミックコンデンサ１は、誘電体層２と内部電極層３とが交互に積層された構成のコンデンサ素子本体１０を有する。このコンデンサ素子本体１０の両端部には、コンデンサ素子本体１０の内部で交互に配置された内部電極層３と各々導通する一対の外部電極４が形成してある。コンデンサ素子本体１０の形状に特に制限はないが、通常、直方体状とされる。また、その寸法にも特に制限はなく、用途に応じて適当な寸法とすればよい。

内部電極層３は、各端面がコンデンサ素子本体１０の対向する２端部の表面に交互に露出するように積層してある。また、一対の外部電極４は、コンデンサ素子本体１０の両端部に形成され、交互に配置された内部電極層３の露出端面に接続されて、コンデンサ回路を構成する。

誘電体層２
誘電体層２は、後述するグリーンシートが焼成されて形成され、その材質は特に限定されず、例えば、チタン酸バリウム、チタン酸バリウムカルシウム、チタン酸ジルコン酸バリウムカルシウム、チタン酸バリウムストロンチウム、チタン酸ジルコン酸バリウムなどを主成分とした誘電体材料で構成される。

図１に示す誘電体層２の厚みは、特に限定されないが、１．０μｍ以下であることが好ましく、より好ましくは０．９〜０．４μｍである。誘電体層２をこの厚みとすることで、小型化しても容量が大きい電子部品を得ることができる。

内部電極層３
本実施形態の内部電極層は、ニッケルおよびアルミニウムからなる金属間化合物（以下では、「ＮｉＡｌ系金属間化合物」とする。）を含む。ＮｉＡｌ系金属間化合物としては、ＮｉＡｌ、Ｎｉ３Ａｌから選ばれる少なくとも１種であることが好ましく、より好ましくは、ＮｉＡｌである。

さらに上記内部電極層がＳｉ及びＢのうち少なくともいずれか一方を含む。

通常、焼成後に内部電極層となる内部電極シートと、焼成後に誘電体層となるグリーンシートと、は、交互に積層した後、還元雰囲気下にて同時焼成される。この際の焼成温度は誘電体層を構成する誘電体粉末の焼結温度の１２００℃〜１３５０℃程度に設定される。その後再酸化熱処理を、焼成時より高い酸素分圧下で行い、その再酸化熱処理温度は９５０℃〜１１００℃程度に設定される。しかし、内部電極シートを構成する導体粒子原料は一定以上の酸素分圧下で焼成若しくは再酸化熱処理を行うと、上記導体粒子原料が酸化してしまう。特に０．１Pa以上の酸素分圧下での焼成若しくは熱処理においては、一般的に内部電極を構成する導体粒子として用いられているニッケル金属粒子は酸化してしまい、その結果十分な導電性が得られなくなっていた。

しかし、本実施形態では、内部電極層を構成する導体粒子原料が、ＮｉＡｌ系金属間化合物を含み、さらにＳｉ及びＢのうち少なくともいずれか一方を含むことにより、導体粒子原料が比較的低い温度にて十分に焼結し、再酸化熱処理時に内部電極層を形成する導体の酸化が抑えられ、その結果、内部電極層の十分な導電性を確保することが可能となる。これにより、コンデンサ容量を向上させることができるとともに、酸化体積膨張による内部電極層と誘電体層の間のデラミネーションや積層体中のクラックといった構造欠陥を抑えることができる。

本実施形態では、前記内部電極層に含まれるニッケル及びアルミニウムの含有量を１００質量部としたときに、Ｓｉ含有量が０．１質量部〜１０質量部であることが好ましい。内部電極層に含まれるニッケル及びアルミニウムの含有量を１００質量部としたときに、Ｓｉの含有比率をこの範囲にすることで、内部電極層を比較的低い温度にて十分に焼結させ、内部電極層に十分な導電性を確保することができる。このような観点から、前記内部電極層に含まれるニッケル及びアルミニウムの含有量を１００質量部としたときに、Ｓｉ含有量が、より好ましくは、０．５質量部〜７質量部、さらに好ましくは１質量部〜５質量部である。

本実施形態では、前記内部電極層に含まれるニッケル及びアルミニウムの含有量を１００質量部としたときに、Ｂ含有量が、０．２質量部〜１５質量部であることが好ましい。内部電極層に含まれるニッケル及びアルミニウムの含有量を１００質量部としたときに、Ｂの含有比率をこの範囲にすることで、内部電極層を比較的低い温度にて十分に焼結させ、内部電極層に十分な導電性を確保することができる。このような観点から、前記内部電極層に含まれるニッケル及びアルミニウムの含有量を１００質量部としたときに、Ｂ含有量が、より好ましくは、０．７質量部〜１０質量部、さらに好ましくは１質量部〜５質量部である。

本実施形態では、前記内部電極層に含まれるニッケル及びアルミニウムの含有量を１００質量部としたときに、ＳｉとＢの含有総量が、０．１質量部〜２０質量部であることが好ましい。内部電極層に含まれるニッケル及びアルミニウムの含有量を１００質量部としたときに、ＳｉとＢの含有総量の比率をこの範囲にすることで、内部電極層を比較的低い温度にて十分に焼結させ、内部電極層に十分な導電性を確保することができる。このような観点から、前記内部電極層に含まれるニッケル及びアルミニウムの含有量を１００質量部としたときに、ＳｉとＢの含有総量が、より好ましくは、１質量部〜１５質量部である。

さらに、本実施形態では、前記内部電極層に微量のＡｌ２Ｏ３（酸化アルミニウム）が含まれていてもよい。後述する導体粒子原料が、ニッケル及びアルミニウムを含むことで、焼結後に、結果として、ＮｉＡｌ金属間化合物、Ｎｉ３Ａｌ金属間化合物や、微量のＡｌ２Ｏ３を含む。導体粒子原料として用いているニッケル及びアルミニウムが焼成中に変化し、ＮｉＡｌ系金属間化合物の形態を安定的にとるためである。なお、内部電極層中のＡｌ２Ｏ３の含有量としては、内部電極層１００ｍｏｌ％に対して、１０ｍｏｌ％以下であることが好ましい。

内部電極層３の厚みは特に限定されないが、２．０μｍ以下であることが好ましい。

外部電極４
図１に示す外部電極４に含有される導電材は特に限定されないが、本発明では安価なニッケル、銅や、これらの合金を用いることができる。外部電極４の厚さは用途等に応じて適宜決定すればよい。

積層セラミックコンデンサの製造方法
次に、本実施形態に係る積層セラミックコンデンサの製造方法を説明する。

まず、焼成後に図１に示す誘電体層２を構成することになるグリーンシートを製造するために、誘電体ペーストを準備する。

本実施形態では、誘電体ペーストは、誘電体粉末と、バインダと、溶剤と、必要に応じて、各種分散剤、可塑剤、副成分化合物、ガラスフリット、絶縁体などから選択される添加物と、をボールミルなどで混練し、スラリー化することにより得られる。

次に、焼成後に図１に示す内部電極層３を構成することになる内部電極シートを形成するために、内部電極ペーストを準備する。

本実施形態の内部電極ペーストは、導体粒子原料と、バインダと、溶剤と、をボールミルなどで混練し、スラリー化することに得られる。なお、内部電極ペーストには、必要に応じて粘着付与剤や誘電体粉末などを添加してもよい。

本実施形態の内部電極ペーストに含まれる前記導体粒子原料は、ニッケル及びアルミニウムを含有し、さらにＮｉＡｌ系金属間化合物を含み、該ＮｉＡｌ系金属間化合物は特にＮｉＡｌ金属間化合物であることが好ましい。本実施形態では、導体粒子原料中がＮｉＡｌ系金属間化合物を含んで構成されることにより、導体粒子の耐酸化性が上昇し、熱処理時の内部電極の酸化が抑えられ、内部電極層の導電性の低下を防止することができる。

また、前記導体粒子原料は、Ｓｉ及びＢのうち少なくともいずれか一方を含むことが好ましい。

本発明の内部電極ペーストは、内部電極ペースト中の導体粒子中にＳｉ及びＢの少なくともいずれか一方を含むことにより、焼成時に内部電極層を形成する導体の焼結を促進させ、比較的低い温度にて十分に焼結させ、導電性が良好な電極焼結体を得ることができる。

前記導体粒子原料の、ニッケル及びアルミニウムの含有量を１００質量部としたときに、Ｓｉ含有量が、０．１質量部〜１０質量部である。Ｓｉの含有比率をこの範囲にすることで、内部電極層を比較的低い温度にて十分に焼結させ、緻密な焼結体を得ることにより、熱処理時に内部電極の酸化を抑え、内部電極層に十分な導電性を確保することができる。

前記導体粒子原料の、ニッケル及びアルミニウムの含有量を１００質量部としたときに、Ｂ含有量が、０．２質量部〜１５質量部である。Ｂの含有比率をこの範囲にすることで、内部電極層を比較的低い温度にて十分に焼結させ、緻密な焼結体を得ることにより、熱処理時に内部電極の酸化を抑え、内部電極層に十分な導電性を確保することができる。

前記導体粒子原料の、ニッケル及びアルミニウムの含有量を１００質量部としたときに、ＳｉとＢの含有総量が、０．１質量部〜２０質量部である。ＳｉとＢの含有総量の比率をこの範囲にすることで、内部電極層を比較的低い温度にて十分に焼結させ、緻密な焼結体を得ることにより、熱処理時に内部電極の酸化を抑え、内部電極層に十分な導電性を確保することができる。

次いで、誘電体ペーストからなるグリーンシートと、内部電極ペーストからなる内部電極シートと、を交互に積層してグリーンチップを得る。

得られたグリーンチップは、脱バインダされ、焼成され、必要に応じて再酸化熱処理されて、焼結体で構成されるコンデンサ素子本体となる。

なお、本実施形態における脱バインダの昇温速度は、５〜３００℃／時間であることが好ましい。脱バインダの昇温速度をこの範囲にすることで、急激な脱ガスによって素子に発生するクラックを防止することができる。このような観点から、脱バインダの昇温速度は１０〜５０℃／時間であることがより好ましい。

また、脱バインダの保持温度は、好ましくは２００〜４００℃であることが好ましい。脱バインダの保持温度をこの範囲にすることで、脱バインダ処理時に内部電極粒子の焼結を防ぐことができる。このような観点から、脱バインダの保持温度は２５０〜３５０℃であることがより好ましい。

さらに、脱バインダの保持時間は、０．５〜２０時間であることが好ましく、脱バインダの保持時間をこの範囲にすることで、グリーンチップを十分に脱脂することができる。このような観点から、脱バインダの保持時間は１〜１０時間であることがより好ましい。

脱バインダの雰囲気ガスとしては、大気雰囲気若しくはＮ２とＨ２の混合ガスのいずれも使用できる。

本実施形態における焼成の昇温速度は５〜５００℃／時間であることが好ましい。焼成の昇温速度をこの範囲にすることで、誘電体層と電極層の焼成収縮差を低減し、クラックの防止をすることができる。このような観点から、焼成の昇温速度は２００〜３００℃／時間であることがより好ましい。

焼成の保持温度は１２００〜１３５０℃であることが好ましい。焼成の保持温度をこの範囲にすることで、誘電体を十分に焼成することができる。このような観点から、焼成の保持温度は、１２００〜１３００℃であることがより好ましい。本実施形態によれば、焼成の保持温度をこのように設定しても、導体粒子原料が比較的低温で焼結するため、内部電極層に十分な導電性が確保できる。

焼成の保持時間は０．５〜８時間であることが好ましい。焼成の保持時間をこの範囲にすることで、誘電体を十分に焼成することができる。このような観点から、焼成の保持時間は、１〜３時間であることがより好ましい。

焼成の雰囲気ガスとしては、大気雰囲気若しくはＮ２とＨ２の混合ガスのいずれも使用できるが、導体粒子の酸化防止よりＮ２とＨ２の混合ガスが好ましい。

本実施形態における再酸化熱処理の昇温速度は５〜５００℃／時間であることが好ましい。再酸化熱処理の昇温速度をこの範囲にすることで、誘電体層と電極層の熱膨張を低減し、クラックの発生を防止することができる。このような観点から、再酸化熱処理の昇温速度は２００〜３００℃／時間であることがより好ましい。

再酸化熱処理の保持温度は９５０〜１１００℃であることが好ましい。再酸化熱処理の保持温度をこの範囲にすることで、誘電体層中の酸素欠陥を十分に補うことができる。このような観点から、再酸化熱処理の保持温度は、９５０〜１０５０℃であることがより好ましい。本実施形態によれば、再酸化熱処理の保持温度をこのように高温に設定しても、内部電極層を構成している導体が緻密に焼結しているため、内部電極層の酸化が抑えられる。

再酸化熱処理の保持時間は０．５〜８時間であることが好ましい。再酸化熱処理の保持時間をこの範囲にすることで、誘電体層中の酸素欠陥を十分に補うことができる。このような観点から、再酸化熱処理の保持時間は、１〜３時間であることがより好ましい。

再酸化熱処理の雰囲気ガスとしては、大気雰囲気若しくはＮ２とＨ２の混合ガス等のいずれも使用できる。

そして、得られたコンデンサ素子本体に、外部電極を形成して、積層セラミックコンデンサが製造される。

このようにして製造された本実施形態の積層セラミックコンデンサは、ハンダ付等によりプリント基板上などに実装され、各種電子機器等に使用される。

以上、本発明の実施形態について説明してきたが、本発明は、上述した実施形態に何等限定されるものではなく、本発明の要旨を逸脱しない範囲内において種々に改変することができる。

たとえば、上述した実施形態では、本発明に係る内部電極層（電極焼結体）を適用した電子部品または内部電極ペーストを適用して得られる電子部品として積層セラミックコンデンサを例示したが、本発明に係る内部電極層（電極焼結体）または内部電極ペーストを適用する電子部品としては、積層セラミックコンデンサに限定されず、上記構成の内部電極層（電極焼結体）を有する電子部品または、内部電極ペーストを適用して得られる電子部品であれば何でも良い。

本発明によれば、内部電極ペーストに含まれている導体粒子原料が、ＮｉＡｌ系金属間化合物を含んだニッケル及びアルミニウムからなり、さらにＳｉ及びＢのうち少なくともいずれか一方を含むので、導体粒子原料を比較的低い温度にて十分に焼結させ、内部電極ペーストから形成された内部電極シートを焼成し再酸化熱処理を施す際に、再酸化熱処理温度領域（１０００℃以上）においても内部電極層を構成する導体の酸化を十分に抑制することができる。これにより、十分な導電性を確保した内部電極層を形成することができる。その結果、コンデンサ容量を向上させ、酸化体積膨張による内部電極層と誘電体層の間のデラミネーションや積層体中のクラックといった構造欠陥を抑えることができる。

（第１の実施形態）
第１の実施形態では、実施例１〜１８および比較例１〜６として、以下の方法で電極焼結体を製造し、比抵抗を測定することにより導電性を評価した。

内部電極ペーストの作製
導体粒子原料として、表１〜表３の分量でＳｉおよびＢを含有した平均粒径約０．４μｍのニッケル及びアルミニウムからなる粒子を準備した。次いで前記導体粒子原料１００質量部に対し、分散剤としてアニオン系分散剤を０．２質量部、溶剤としてジヒドロターピネオールを１０質量部添加しペンティングナイフで十分に攪拌したものを導体スラリーとする。

ジヒドロターピネオールにディゾルバーで攪拌させながらエチルセルロース（平均分子量：約１７万）が１０質量部となるようにゆっくりと溶解させ、エチルセルロース樹脂ラッカーとした。エチルセルロースが導体粒子原料に対し２．０質量部となるようにエチルセルロース樹脂ラッカーを導体スラリーに添加しペンティングナイフで十分に攪拌し電極スラリーとした。

上述で得られた電極スラリーを３本ロールミルを用い、低シェアから中シェア、高シェア、高大シェアと各シェアで計６回混練し、粒ゲージを用い十分に分散されていることを確認した。

３本ロールで高大シェアまで混練された電極スラリーに導体粒子に対してアニオン系分散剤を０．５質量部、エチルセルロースを４質量部分添加し、３本ロールの低シェアで混合し内部電極ペーストとした。
上述で得られた内部電極ペーストをアルミホイル上に適量とり、２２０℃で３０分乾燥させ、固形分重量を測定した。次いで、この固形分重量の測定値から、内部電極ペースト中の導体粒子の重量を求め、最終的な内部電極ペーストに対し、導体粒子重量が４５質量部となるようにジヒドロターピネオールで希釈し、ペンティングナイフで十分に攪拌し、続けて自転・公転ミキサーで攪拌し、最終的な内部電極ペーストとした。

内部電極シートの作製
上述で得られた内部電極ペーストをアプリケーターを用い、剥離ＰＥＴフィルム上に成膜する。成膜された内部電極ペーストを１００℃で１時間乾燥し、乾燥内部電極シートを得る。尚乾燥内部電極シートの厚さは約３０〜１００μｍに調整する。

電極成形体の作製
作製した乾燥内部電極シートを所定の大きさに金型で打ち抜き、ＰＥＴフィルムを剥離して所定枚数重ね合わせた。その後、熱プレス機を用いて６０℃、２．０〜９．８MPaで圧着させた。得られた電極バルク体をダイシングソーを用い切断し、５ｍｍ×５ｍｍ×５ｍｍの電極成形体を得た。

熱処理工程
得られた電極成形体を脱バインダ処理し、焼成および再酸化熱処理を行って電極焼結体を作製した。脱バインダ処理、焼成および再酸化熱処理の条件は下記の通りであった。

《脱バインダ》
・昇温速度：５〜３００℃／時間
・保持温度：２００〜４００℃
・保持時間：０．５〜２０時間
・雰囲気ガス：Ｎ２とＨ２の混合ガス

《焼成》
・昇温速度：５〜５００℃/時間
・保持温度：表１〜表３参照
・保持時間：０．５〜８時間
・雰囲気ガス：Ｎ２とＨ２の混合ガス

《再酸化熱処理》
・昇温速度：５〜５００℃/時間
・保持温度：表１〜表３参照
・保持時間：０．５〜８時間
・雰囲気ガス：大気雰囲気ガス

評価
このようにして得られた電極焼結体の導電性（比抵抗）を以下の手法により行った。結果を表１〜表３に示す。また、得られた試料の組成は以下の方法により調べた。

《酸化度（耐酸化性）》
導体粒子原料の酸化度をＴＧ−ＤＴＡを用い、各サンプルにおいて全量酸化の１％重量が増加する温度を、酸化開始温度として測定した。この結果を表１〜表３に示す。
尚、本実施例では酸化開始温度の好ましい範囲を７９０℃以上として評価した。

《焼結性（線収縮率）》
脱バインダ処理後の電極成形体の寸法長さ（Ｌ）、幅（Ｗ）、厚み（Ｔ）をマイクロゲージを用いて測定した。測定後、焼成を行い、焼結された電極成形体（電極焼結体）の寸法を上記同様にマイクロゲージで測定した。焼成前後における電極成形体の長さ、幅、厚み、それぞれの寸法変化率を算出し、その平均値を線収縮率（％）とした。本実施例では、線収縮率が８．０％以上、１５．０％未満の場合を好ましい範囲として評価した。

《導電性（比抵抗）》
再酸化熱処理後に得られた電極焼結体を四探針法を用い、各サンプルの抵抗値を測定した。得られた抵抗値を以下の式に代入し、比抵抗（μΩｃｍ）を測定した。この結果を表１〜表３に示す。
比抵抗ρ（μΩｃｍ）＝抵抗値（μΩ）×抵抗補正係数４．５３２４×試料厚み（ｃｍ）
尚、本実施例では比抵抗値の好ましい範囲を６０μΩｃｍ未満として評価した。

《電極焼結体の組成の測定》
電極焼結体中の組成は、XRDのリートベルト解析を行うことにより、測定した。尚、再酸化熱処理後電極焼結体に含まれるＮｉＡｌ系金属間化合物はＮｉＡｌ単一相若しくはＮｉＡｌとＮｉ３Ａｌの二相で構成されていることが確認されている。また、電極焼結体に含まれるＳｉ及びＢの含有量はＩＣＰによる元素分析を行うことにより、測定した。

表1〜表３より、すべての実施例で比抵抗が６０μΩｃｍ未満になることが確認できた。

表１〜表３より、電極焼結体に含まれるニッケル及びアルミニウムの含有量を１００質量部としたときに、前記電極焼結体に含まれるＳｉ含有量が、０．１質量部〜１０質量部の場合は（実施例１〜５）、前記電極焼結体のＳｉ含有量が前記０．１質量部〜１０質量部の範囲外にある場合（比較例１〜２）に比べ耐酸化性が良好な（酸化開始温度が高い）ことが確認できた。

表１〜表３より、電極焼結体に含まれるニッケル及びアルミニウムの含有量を１００質量部としたときに、前記電極焼結体に含まれるＢ含有量が、０．２質量部〜１５質量部の場合は（実施例６〜１０）、前記電極焼結体のＢ含有量が前記０．２質量部〜１５質量部の範囲外にある場合（比較例１、４）に比べ耐酸化性が良好な（酸化開始温度が高い）ことが確認できた。

表１〜表３より、電極焼結体に含まれるニッケル及びアルミニウムの含有量を１００質量部としたときに、前記電極焼結体に含まれるＳｉ含有量が、０．１質量部〜１０質量部の場合は（実施例１〜５）、前記電極焼結体のＳｉ含有量が前記０．１質量部〜１０質量部の範囲外にある場合（比較例１〜２）に比べ焼結性が良好な（線収縮率が比較的大きい）ことが確認できた。

表１〜表３より、電極焼結体に含まれるニッケル及びアルミニウムの含有量を１００質量部としたときに、前記電極焼結体に含まれるＢ含有量が、０．２質量部〜１５質量部の場合は（実施例６〜１０）、前記電極焼結体のＢ含有量が前記０．２質量部〜１５質量部の範囲外にある場合（比較例１、４）に比べ焼結性が良好な（線収縮率が比較的大きい）ことが確認できた。

また、表１〜表３より、電極焼結体に含まれるニッケル及びアルミニウムの含有量を１００質量部としたときに、前記電極焼結体に含まれるＳｉ含有量が、０．１質量部〜１０質量部の場合は（実施例１〜５）、前記電極焼結体のＳｉ含有量が前記０．１質量部〜１０質量部の範囲外にある場合（比較例１〜３）に比べ導電性が良好な（比抵抗が低い）ことが確認できた。

さらに、表１〜表３より、電極焼結体に含まれるニッケル及びアルミニウムの含有量を１００質量部としたときに、前記電極焼結体に含まれるＢ含有量が、０．２質量部〜１５質量部の場合は（実施例６〜１０）、前記電極焼結体のＢ含有量が前記０．２質量部〜１５質量部の範囲外にある場合（比較例１、４〜５）に比べ導電性が良好な（比抵抗が低い）ことが確認できた。

表１〜表３より、電極焼結体に含まれるニッケル及びアルミニウムの含有量を１００質 量部としたときに、前記電極焼結体に含まれるＳｉとＢの含有総量が０．１質量部〜２０質量部の場合は（比較例１１〜１４）、ＳｉとＢの含有総量が０．１質量部〜２０質量部の範囲外にある場合（比較例６）と比べ、導電性が良好な（比抵抗が低い）ことが確認できた。

図２より、ＮｉＡｌ系金属間化合物のうちＮｉＡｌは、融点が１６３８℃と、アルミニウム金属の融点（６６０℃）はもちろんのこと、ニッケル金属の融点（１４５５℃）に比べて高い。このため、導体粒子原料としてＮｉＡｌが含まれることにより、導体粒子原料の焼結が進み難く、所定の温度で良好な導電性が得られ難い（比較例１）。一方で、ＮｉＡｌ系金属間化合物がＳｉもしくはＢを含むことにより、ＮｉＡｌ系金属間化合物同士の焼結を促進するため、緻密な焼結体が得られ、各焼成温度（１２００〜１３００℃）において、比抵抗が低くなったと考えられる（実施例４、１５〜１６）。

一方で、ニッケル及びアルミニウムからなる導体粒子原料に、ＳｉもしくはＢの含有量が少ない場合は（比較例１〜２、４）、内部電極層が十分な耐酸化性を得ることが出来ないため酸化開始温度が低く、所定の温度で十分に焼結しないため、焼成、再酸化熱処理後に十分な導電性を得るに至っていない。

一方で、ニッケル及びアルミニウムからなる導体粒子原料に、ＳｉもしくはＢの含有量が多い場合は（比較例３、５〜６）、内部電極層が十分に焼結しかつ、耐酸化性を得ているものの、焼成、再酸化熱処理後に十分な導電性を得るに至っていない。これは、ＳｉもしくはＢを過剰に含有しているため、それらの元素から構成される酸化物が析出し、導電性を阻害しているためと考えられる。

また、ニッケル及びアルミニウムからなる導体粒子原料に、Ｓｉが含まれている場合は（実施例４、１７〜１８）、再酸化熱処理の温度が高温であっても、内部電極層が十分に焼結し、耐酸化性を得ているため、十分な導電性を有していることが確認できた。

（第２の実施形態）
第２の実施形態では、実施例２１〜２７、比較例１１〜１３として、以下の方法により積層セラミックコンデンサを作製し、積層体を得て、クラック発生率、静電容量を測定し、さらにＨＡＬＴ（ｈｉｇｈｌｙ ａｃｃｅｌｅｒａｔｅｄ ｌｉｆｅ ｔｅｓｔｉｎｇ）試験（ＭＴＴＦ）を行った。

各内部電極ペーストの作製
第２の実施形態（実施例２１〜２７、比較例１１〜１３）では、導体粒子として、表４の分量でＳｉおよびＢを調合した平均粒径約０．４μｍのニッケル及びアルミニウムからなる粒子（比較例として平均粒径約０．４μｍのニッケル金属粒子を追加）を準備した以外は、第１の実施形態と同様にして内部電極ペーストを作製した。

グリーンシートを形成するための誘電体ペーストは以下の方法で作製した。ＢａＴｉＯ３系誘電体粉末と、有機バインダとしてのポリビニルブチラール樹脂（ＰＶＢ）（重合度：８００）と、溶剤としてのプロピルアルコール、キシレン、メチルエチルケトン、２−ブトキシエチルアルコール、可塑剤としてのフタル酸ジオクチルを準備した。

次に、誘電体粉末１００質量部に対して、６質量部のＰＶＢと、１５０質量部の溶剤と、可塑剤をそれぞれ秤量し、直径２ｍｍのジルコニアボールとともにボールミルで２１時間混練し、スラリー化して誘電体ペーストを得た。なお、可塑剤は、ポリビニルブチラール１００質量部に対して５０質量部添加した。

ＰＥＴフィルム上に前記誘電体ペーストを塗布して得られたグリーンシートに、スクリーン印刷機を用いて、前記内部電極ペーストを１６０ｍｍ×１６０ｍｍ／パターンで印刷した。印刷された内部電極ペーストを１００℃の熱風乾燥により１００秒乾燥させ、内部電極印刷体とし、リールに巻き取った。

作製した内部電極印刷体を１６０ｍｍ×１６０ｍｍでグリーンシートごとＰＥＴフィルムから剥離し、剥離熱圧着積層機を用いて、６０℃、２．０〜９．８MPaで１００枚積層して積層体を得た。

積層体の脱バインダと焼成および再酸化熱処理は第１の実施形態と同様の方法により行い、積層体を得た。
このようにして得られた積層セラミックコンデンサの外形寸法は、幅、１．６ｍｍ、長さ３．２ｍｍ、厚さ１．０ｍｍであり、内部電極層の厚みは２．０μｍであった。

《静電容量の測定》
各試料について、温度２５℃下、周波数１ｋＨｚ、印加電圧１Ｖｒｍｓを印加し静電容量を測定し、その平均を求めた。この結果を表４に示す。

《ＨＡＬＴ試験（ＭＴＴＦ）》
静電容量を測定した試料について、ＨＡＬＴ（ｈｉｇｈｌｙ ａｃｃｅｌｅｒａｔｅｄ ｌｉｆｅ ｔｅｓｔｉｎｇ）試験（ＭＴＴＦ）を行った。試験条件は、温度１５０℃、電圧４０Ｖ印加し、故障が生じるまでの時間を評価。この結果を表４に示す。

《クラック（デラミネーション）発生率の測定》
静電容量を測定した試料について、各試料１００個ずつ樹脂で固めて研磨し、金属顕微鏡観察を行い、クラック（デラミネーション）の有無を検査した。この結果を表４に示す。

表４より、内部電極ペーストに導体粒子としてＮｉＡｌ系金属間化合物が含まれ、かつＳｉ及びＢのうち少なくともいずれか一方を含む場合（実施例２１〜２５）は、内部電極ペーストに導体粒子としてニッケル及びアルミニウム（ＮｉＡｌ系金属間化合物を含む）のみの場合（比較例１１）に比べ、また、内部電極ペーストに導体粒子としてニッケル金属を用いた場合（比較例１２〜１３）に比べ、クラック発生率が低く、十分な静電容量と信頼性（ＭＴＴＦ）が得られることが確認できた。

以上のように、本発明に係る、ＮｉＡｌ系金属間化合物を含みかつＳｉ及びＢのうち少なくともいずれか一方を含有する電極焼結体、積層電子部品、内部電極ペースト、電極焼結体の製造方法および積層電子部品の製造方法は、積層電子部品の大容量化・高信頼性化に有用である。

１ 積層セラミックコンデンサ
２ 誘電体層
３ 内部電極層
４ 外部電極
１０ コンデンサ素子本体

Claims (17)

1. 電極焼結体が、ニッケルおよびアルミニウムからなる金属間化合物を含み、前記電極焼結体１００質量部に対する前記ニッケル及びアルミニウムからなる金属間化合物の合計の比率が５質量部以上、１００質量部未満であり、ＳｉおよびＢのうち少なくともいずれか一方を含む電極焼結体。
2. 前記金属間化合物が、ＮｉＡｌ及びＮｉ３Ａｌのうち少なくともいずれか一方を含む請求項１に記載の電極焼結体。
3. 前記電極焼結体に含まれるニッケル及びアルミニウムの含有量を１００質量部としたときに、Ｓｉ含有量が、０．１質量部〜１０質量部である請求項１又は２に記載の電極焼結体。
4. 前記電極焼結体に含まれるニッケル及びアルミニウムの含有量を１００質量部としたときに、Ｂ含有量が、０．２質量部〜１５質量部である請求項１から３のいずれかに記載の電極焼結体。
5. 前記電極焼結体に含まれるニッケル及びアルミニウムの含有量を１００質量部としたときに、ＳｉとＢの含有総量が、０．１質量部〜２０質量部である請求項１から４のいずれかに記載の電極焼結体。
6. 誘電体層と、内部電極層と、が交互に複数重ねられた積層体を有する積層電子部品であって、
   前記内部電極層がニッケルおよびアルミニウムからなる金属間化合物を含み、前記内部電極層１００質量部に対する前記ニッケル及びアルミニウムからなる金属間化合物の合計の比率が５質量部以上、１００質量部未満であり、ＳｉおよびＢのうち少なくともいずれか一方を含む積層電子部品。
7. 前記金属間化合物が、ＮｉＡｌ及びＮｉ３Ａｌのうち少なくともいずれか一方を含む請求項６に記載の積層電子部品。
8. 前記内部電極層に含まれるニッケル及びアルミニウムの含有量を１００質量部としたときに、Ｓｉ含有量が、０．１質量部〜１０質量部である請求項６又は７に記載の積層電子部品。
9. 前記内部電極層に含まれるニッケル及びアルミニウムの含有量を１００質量部としたときに、Ｂ含有量が、０．２質量部〜１５質量部である請求項６から８のいずれかに記載の積層電子部品。
10. 前記内部電極層に含まれるニッケル及びアルミニウムの含有量を１００質量部としたときに、ＳｉとＢの含有総量が、０．１質量部〜２０質量部である請求項６から９のいずれかに記載の積層電子部品。
11. 導体粒子原料と、バインダと、溶剤と、を含み、
    前記導体粒子原料が、ニッケルおよびアルミニウムからなる金属間化合物を含み、前記導体粒子原料１００質量部に対する前記ニッケル及びアルミニウムからなる金属間化合物の合計の比率が５質量部以上、１００質量部未満であり、ＳｉおよびＢのうち少なくともいずれか一方を含む導体粒子原料を用いた内部電極ペースト。
12. 前記金属間化合物が、前記金属間化合物が、ＮｉＡｌ及びＮｉ３Ａｌのうち少なくともいずれか一方を含む請求項１１に記載の内部電極ペースト。
13. 前記導体粒子原料に含まれるニッケル及びアルミニウムの含有量を１００質量部としたときに、Ｓｉ含有量が、０．１質量部〜１０質量部である請求項１１又は１２に記載の内部電極ペースト。
14. 前記導体粒子原料に含まれるニッケル及びアルミニウムの含有量を１００質量部としたときに、Ｂ含有量が、０．２質量部〜１５質量部である請求項１１から１３のいずれかに記載の内部電極ペースト。
15. 前記導体粒子原料に含まれるニッケル及びアルミニウムの含有量を１００質量部としたときに、ＳｉとＢの含有総量が、０．１質量部〜２０質量部である請求項１１から１４のいずれかに記載の内部電極ペースト。
16. 電極焼結体の製造方法であって、
    請求項１１から１５のいずれかに記載の内部電極ペーストを被印刷体の上に溶工し、電極成形体を得る工程と、
    前記電極成形体を焼成する工程と、
    を有する電極焼結体の製造方法。
17. 積層電子部品の製造方法であって、
    誘電体粉末とバインダとを含むグリーンシートと、請求項１１から１５のいずれかに記載の内部電極ペーストから得られる内部電極シートと、を交互に複数重ねて、積層体を得る工程と、
    前記積層体を焼成する工程と、
    を有する積層電子部品の製造方法。
    

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