JP2013125746A - 有機電界発光表示素子及びその製造方法 - Google Patents
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Abstract
【解決手段】有機電界発光表示素子は、複数の画素を含む第1基板16及び第2基板50と、第1基板16の各画素に形成された薄膜トランジスタと、前記各画素に形成されたカラーフィルタ層17R、17G、17Bと、カラーフィルタ層17R、17G、17B上に形成された絶縁層26と、絶縁層26上に形成され、水素非含有物質からなる光学補償層27と、前記各画素の光学補償層27上に形成された画素電極21R、21G、21Bと、画素電極21R、21G、21B上に形成されて発光する有機発光部23と、有機発光部23上に形成された共通電極25とを含む。
【選択図】図2
Description
50 第2基板
17R,17G,17B カラーフィルタ層
21R,21G,21B 画素電極
23 有機発光部
24 第1絶縁層
26 第2絶縁層
25 共通電極
27 光学補償層
28 バンク層
42 接着層
116 第1基板
150 第2基板
117R,117G,117B カラーフィルタ層
121R,121G,121B 画素電極
123 有機発光部
124 第1絶縁層
126 第2絶縁層
125 共通電極
127 光学補償層
128 バンク層
142 接着層
Claims (15)
- 複数の画素を含む第1基板及び第2基板と、
前記第1基板上に形成された薄膜トランジスタと、
前記薄膜トランジスタを含む前記第1基板上に形成された第1絶縁層と、
画素領域における前記第1絶縁層上に形成されたカラーフィルタ層と、
前記カラーフィルタ層を含む前記第1基板上に形成された第2絶縁層と、
前記第2絶縁層上に形成され、水素非含有物質からなる光学補償層であって、前記薄膜トランジスタのドレインのパッドに接した光学補償層と、
前記各画素領域における前記光学補償層上に形成された画素電極と、
前記画素電極上に形成されて発光する有機発光部と、
前記有機発光部上に形成された共通電極と
を含む、有機電界発光表示素子。 - 前記光学補償層に形成されて異物を排出する複数の孔をさらに含み、前記複数の穴は各画素領域における外周壁に形成されることを特徴とする請求項1に記載の有機電界発光表示素子。
- 前記光学補償層は、透明物質からなることを特徴とする請求項2に記載の有機電界発光表示素子。
- 前記光学補償層は、SiNx、ITO(Indium Tin Oxide)、IZO(Indium Zinc Oxide)からなる群から選択された物質で形成されることを特徴とする請求項3に記載の有機電界発光表示素子。
- 前記SiNxは、1500〜2000Åの厚さで積層されることを特徴とする請求項4に記載の有機電界発光表示素子。
- 前記複数の孔は、カラーフィルタに対応する領域に形成されることを特徴とする請求項5に記載の有機電界発光表示素子。
- 前記複数の孔は、カラーフィルタに対応する領域及びカラーフィルタ領域内に形成されることを特徴とする請求項5に記載の有機電界発光表示素子。
- 複数の画素を含む第1基板及び第2基板を準備する段階と、
前記第1基板の各画素に薄膜トランジスタを形成する段階と、
前記薄膜トランジスタを含む前記第1基板上に第1絶縁層を形成する段階と、
画素領域における前記第1絶縁層上にカラーフィルタ層を形成する段階と、
前記カラーフィルタ層を含む前記第1基板上に第2絶縁層を形成する段階と、
SiH4とN2を混合したガス雰囲気でSiNxからなるとともに水素非含有物質からなる光学補償層を前記第2絶縁層上に形成する段階であって、前記光学補償層は前記薄膜トランジスタのドレインのパッドに接する段階と、
前記各画素領域における前記光学補償層上に画素電極を形成する段階と、
前記光学補償層上に光を発光する有機発光部を形成する段階と、
前記有機発光部上に共通電極を形成する段階と、
前記第1基板と前記第2基板とを貼り合わせる段階と
を含む、有機電界発光表示素子の製造方法。 - 前記光学補償層をエッチングして複数の孔を形成する段階をさらに含むことを特徴とする請求項8に記載の有機電界発光表示素子の製造方法。
- 前記SiNxは、透明性を有することを特徴とする請求項9に記載の有機電界発光表示素子の製造方法。
- SiH4とNH3を混合したガス雰囲気でSiNx層を形成する段階をさらに含み、SiH4とN2を混合したガス雰囲気及びSiH4とNH3を混合したガス雰囲気に交互に切り替えてSiNx層を形成することを特徴とする請求項10に記載の有機電界発光表示素子の製造方法。
- 前記画素電極を形成する段階の後に、形成された層を所定時間の間真空状態で真空キュアして、前記形成された層に含まれる異物を前記孔から排出する段階をさらに含むことを特徴とする請求項11に記載の有機電界発光表示素子の製造方法。
- 前記光学補償層は透明物質からなることを特徴とする請求項8に記載の有機電界発光表示素子の製造方法。
- 前記光学補償層は、SiNx、ITO(Indium Tin Oxide)、IZO(Indium Zinc Oxide)からなる群から選択された物質で形成されることを特徴とする請求項8に記載の有機電界発光表示素子の製造方法。
- 前記画素電極を形成する段階の後に、形成された層を所定時間の間真空状態で真空キュアして、前記形成された層に含まれる異物を前記孔から排出する段階をさらに含むことを特徴とする請求項8に記載の有機電界発光表示素子の製造方法。
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