CN110071165B - 一种阵列基板及其制作方法、显示面板 - Google Patents

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Abstract

一种阵列基板及其制作方法、显示面板，其中，阵列基板包括：第一基板以及设置在第一基板上的薄膜晶体管和发光器件，第一基板包括：显示区域和非显示区域；发光器件位于显示区域和/或非显示区域；发光器件，与薄膜晶体管和低电平信号端连接，用于在低电平信号端和处于导通状态的薄膜晶体管的控制下发光。本申请实施例通过在第一基板上设置发光器件，通过发光器件发光来提高薄膜晶体管的开态电流，不仅延长了阵列基板的使用寿命，还提升了阵列基板的稳定性和显示品质。

Description

一种阵列基板及其制作方法、显示面板
技术领域
本文涉及显示技术领域，具体涉及一种阵列基板及其制作方法、显示面板。
背景技术
近年来，平板显示器，如薄膜晶体管液晶阵列基板(Thin Film Transistor-Liquid Crystal Display，简称TFT-LCD)和有源矩阵有机发光二极管阵列基板(ActiveMatrix Organic Light Emitting Diode，简称AMOLED)，由于具有重量轻，厚度薄以及低功耗等优点，因而被广泛应用于电视、手机等电子产品中。随着科技的进步，高分辨率、窄边框的阵列基板成为发展的趋势，阵列基板的显示区域和非显示区域中均包括薄膜晶体管，位于非显示区域的薄膜晶体管用于构成栅极驱动电路以提供栅极驱动信号，位于显示区域的薄膜晶体管用于向像素单元提供数据信号。
经发明人研究发现，在低温或者高温环境下，位于阵列基板中的薄膜晶体管特性会发生漂移导致薄膜晶体管的开态电流下降，进而使得阵列基板的充电率较低，不仅降低了阵列基板的使用寿命和稳定性，还影响了阵列基板的显示品质。
发明内容
本申请提供了一种阵列基板及其制作方法、显示面板，能够提高薄膜晶体管的开态电流，不仅延长了阵列基板的使用寿命，还提升了阵列基板的稳定性和显示品质。
第一方面，本申请实施例提供一种阵列基板，包括：第一基板以及设置在所述第一基板上的薄膜晶体管和发光器件，所述第一基板包括：显示区域和非显示区域；所述发光器件位于显示区域和/或非显示区域；
所述发光器件，与薄膜晶体管和低电平信号端连接，用于在低电平信号端和处于导通状态的薄膜晶体管的控制下发光。
可选地，所述发光器件还用于在低电平信号端和处于截止状态的薄膜晶体管的控制下不发光。
可选地，所述发光器件包括：第一电极、第二电极和有机发光层；
所述第一电极位于所述有机发光层靠近所述第一基板的一侧，所述第二电极位于所述有机发光层远离所述第一基板的一侧，所述第一电极和所述第二电极用于向所述有机发光层施加电场，所述有机发光层用于在所述电场的作用下发光。
可选地，所述薄膜晶体管在所述第一基板上的正投影覆盖所述发光器件在所述第一基板上的正投影。
可选地，所述第一基板还包括像素电极，所述发光器件位于所述薄膜晶体管远离所述第一基板的一侧；
所述第一电极与所述像素电极采用同一制程形成，且与薄膜晶体管的漏电极连接，所述第二电极与低电平信号端连接；
所述第一电极为透射电极，所述第二电极为反射电极。
可选地，所述薄膜晶体管在所述第一基板上的正投影与所述发光器件在所述第一基板上的正投影不存在重叠区域。
可选地，所述第一电极与薄膜晶体管的栅电极采用同一制程形成，且与低电平信号端连接，所述第二电极与薄膜晶体管的源漏电极采用同一制程形成，且薄膜晶体管的漏电极连接；
所述第一电极为反射电极，所述第二电极为透射电极。
可选地，所述第一电极与薄膜晶体管的源漏电极采用同一制程形成，且与薄膜晶体管的漏电极连接，所述第二电极与像素电极采用同一制程形成，且与低电平信号端连接；
所述第一电极为反射电极，所述第二电极为透射电极。
可选地，所述第一电极位于薄膜晶体管的钝化层远离第一基板的一侧，且与薄膜晶体管的栅电极或者漏电极连接，所述第二电极与像素电极采用同一制程形成，且与低电平信号端连接；
所述第一电极为反射电极，所述第二电极为透射电极。
第二方面，本申请实施例提供一种显示面板，包括：上述阵列基板和与阵列基板相对设置的彩膜基板。
可选地，所述彩膜基板包括：第二基板以及设置在所述第二基板上的黑矩阵层和保护层；
所述保护层位于所述黑矩阵层靠近所述第一基板的一侧，所述黑矩阵层在所述第一基板上的正投影覆盖所述发光器件在所述第一基板上的正投影。
第三方面，本申请实施例提供一种阵列基板的制作方法，用于制作上述阵列基板，所述方法包括：
提供第一基板；所述第一基板包括：显示区域和非显示区域；
在所述第一基板上形成薄膜晶体管和发光器件，所述发光器件位于显示区域和/或非显示区域；所述发光器件，与薄膜晶体管和低电平信号端连接，用于在低电平信号端和处于导通状态的薄膜晶体管的控制下发光。
可选地，所述在所述第一基板上形成薄膜晶体管和发光器件包括：
在第一基板上形成薄膜晶体管；
在薄膜晶体管远离第一基板的一侧依次形成第一电极、有机发光层和第二电极，以形成发光器件。
可选地，所述在所述第一基板上形成薄膜晶体管和发光器件包括：
在第一基板上采用同一制程形成栅电极和第一电极；
在栅电极远离第一基板的一侧依次形成栅绝缘层和有源层；
在第一电极远离第一基板的一侧形成有机发光层；
在有机发光层远离第一基板的一侧采用同一制程形成源漏电极和第二电极。
可选地，所述在所述第一基板上形成薄膜晶体管和发光器件包括：
在第一基板上形成栅电极；
在栅电极远离第一基板的一侧依次形成栅绝缘层和有源层；
在有源层远离第一基板的一侧采用同一制程形成源漏电极和第一电极；
在源漏电极远离第一基板的一侧形成钝化层；
在第一电极远离第一基板的一侧形成有机发光层；
在有机发光层远离第一基板的一侧采用同一制程形成像素电极和第二电极。
可选地，所述在所述第一基板上形成薄膜晶体管和发光器件包括：
在第一基板上形成栅电极；
在栅电极远离第一基板的一侧依次形成栅绝缘层、有源层、源漏电极和钝化层；
在钝化层远离第一基板的一侧形成依次形成第一电极和有机发光层；
在有机发光层远离第一基板的一侧采用同一制程形成像素电极和第二电极。
本申请实施例提供一种阵列基板及其制作方法、显示面板，其中，阵列基板包括：第一基板以及设置在第一基板上的薄膜晶体管和发光器件，第一基板包括：显示区域和非显示区域；发光器件位于显示区域和/或非显示区域；发光器件，与薄膜晶体管和低电平信号端连接，用于在低电平信号端和处于导通状态的薄膜晶体管的控制下发光。本申请实施例通过在第一基板上设置发光器件，通过发光器件发光来提高薄膜晶体管的开态电流，不仅延长了阵列基板的使用寿命，还提升了阵列基板的稳定性和显示品质。
本申请的其它特征和优点将在随后的说明书中阐述，并且，部分地从说明书中变得显而易见，或者通过实施本申请而了解。本申请的其他优点可通过在说明书、权利要求书以及附图中所描述的方案来实现和获得。
附图说明
附图用来提供对本申请技术方案的理解，并且构成说明书的一部分，与本申请的实施例一起用于解释本申请的技术方案，并不构成对本申请技术方案的限制。
图1为本申请实施例提供的阵列基板的俯视图一；
图2为图1对应的截面图；
图3为本申请实施例提供的阵列基板的俯视图二；
图4为图3对应的截面图；
图5为本申请实施例提供的发光器件的结构示意图；
图6为本申请实施例提供的阵列基板的结构示意图一；
图7为本申请实施例提供的阵列基板的结构示意图二；
图8为本申请实施例提供的阵列基板的结构示意图三；
图9为本申请实施例提供的阵列基板的结构示意图四；
图10A为图9对应的结构示意图一；
图10B为图9对应的结构示意图二；
图11为本申请实施例提供的阵列基板的制作方法的流程图；
图12为本申请实施例提供的显示面板的结构示意图。
具体实施方式
本申请描述了多个实施例，但是该描述是示例性的，而不是限制性的，并且对于本领域的普通技术人员来说显而易见的是，在本申请所描述的实施例包含的范围内可以有更多的实施例和实现方案。尽管在附图中示出了许多可能的特征组合，并在具体实施方式中进行了讨论，但是所公开的特征的许多其它组合方式也是可能的。除非特意加以限制的情况以外，任何实施例的任何特征或元件可以与任何其它实施例中的任何其他特征或元件结合使用，或可以替代任何其它实施例中的任何其他特征或元件。
本申请包括并设想了与本领域普通技术人员已知的特征和元件的组合。本申请已经公开的实施例、特征和元件也可以与任何常规特征或元件组合，以形成由权利要求限定的独特的发明方案。任何实施例的任何特征或元件也可以与来自其它发明方案的特征或元件组合，以形成另一个由权利要求限定的独特的发明方案。因此，应当理解，在本申请中示出和/或讨论的任何特征可以单独地或以任何适当的组合来实现。因此，除了根据所附权利要求及其等同替换所做的限制以外，实施例不受其它限制。此外，可以在所附权利要求的保护范围内进行各种修改和改变。
此外，在描述具有代表性的实施例时，说明书可能已经将方法和/或过程呈现为特定的步骤序列。然而，在该方法或过程不依赖于本文所述步骤的特定顺序的程度上，该方法或过程不应限于所述的特定顺序的步骤。如本领域普通技术人员将理解的，其它的步骤顺序也是可能的。因此，说明书中阐述的步骤的特定顺序不应被解释为对权利要求的限制。此外，针对该方法和/或过程的权利要求不应限于按照所写顺序执行它们的步骤，本领域技术人员可以容易地理解，这些顺序可以变化，并且仍然保持在本申请实施例的精神和范围内。
除非另外定义，本发明实施例公开使用的技术术语或者科学术语应当为本发明所属领域内具有一般技能的人士所理解的通常意义。本发明实施例中使用的“第一”、“第二”以及类似的词语并不表示任何顺序、数量或者重要性，而只是用来区分不同的组成部分。“包括”或者“包含”等类似的词语意指出现该词前面的元件或物件涵盖出现在该词后面列举的元件或者物件及其等同，而不排除其他元件或者物件。“连接”或者“相连”等类似的词语并非限定于物理的或者机械的连接，而是可以包括电性的连接，不管是直接的还是间接的。“上”、“下”、“左”、“右”等仅用于表示相对位置关系，当被描述的对象的绝对位置改变后，则该相对位置关系也可能相应地改变。
本领域技术人员可以理解，本申请所有实施例中采用的薄膜晶体管可以为P型薄膜晶体管还可以为N型薄膜晶体管，本发明实施例中使用的薄膜晶体管可以是氧化物半导体晶体管。薄膜晶体管具体可以选择底栅结构的薄膜晶体管或者顶栅结构的，只要能够实现开关功能即可。
实施例一
本申请实施例提供一种阵列基板，图1为本申请实施例提供的阵列基板的俯视图一，图2为图1对应的截面图，图3为本申请实施例提供的阵列基板的俯视图二，图4为图3对应的截面图，如图1～4所示，本申请实施例提供的阵列基板，包括：第一基板100以及设置在第一基板100上的薄膜晶体管10和发光器件20，第一基板100包括：显示区域和非显示区域；发光器件20位于显示区域和/或非显示区域，发光器件20，与薄膜晶体管10和低电平信号端VGL连接，用于在低电平信号端VGL和处于导通状态的薄膜晶体管10的控制下发光。
可选地，第一基板100可以为刚性衬底或柔性衬底，其中，刚性衬底可以为但不限于玻璃、金属萡片中的一种或多种；柔性衬底可以为但不限于聚对苯二甲酸乙二醇酯、对苯二甲酸乙二醇酯、聚醚醚酮、聚苯乙烯、聚碳酸酯、聚芳基酸酯、聚芳酯、聚酰亚胺、聚氯乙烯、聚乙烯、纺织纤维中的一种或多种。
可选地，在本申请实施例中，薄膜晶体管10均可以为N型薄膜晶体管或P型薄膜晶体管，可以统一工艺流程，能够减少工艺制程，有助于提高产品的良率。此外，考虑到低温多晶硅薄膜晶体管的漏电流较小，因此，本发明实施例优选所有晶体管为低温多晶硅薄膜晶体管，薄膜晶体管具体可以选择底栅结构的薄膜晶体管或者顶栅结构的薄膜晶体管，只要能够实现开关功能即可。
可选地，低电平信号端VGL用于持续提供低电平信号。需要说明的是，为了保证发光器件能够正常发光，低电平信号端VGL的信号的电压值与处于导通状态的薄膜晶体管的漏电极的信号的电压值之间存在压差。
具体的，薄膜晶体管包括：栅电极12、栅绝缘层、有源层、源电极15和漏电极16，本申请实施例中，发光器件20具体可以与薄膜晶体管10的栅电极或者漏电极连接，需要说明的是，图1是以发光器件20与薄膜晶体管中的漏电极16连接为例进行说明的，图3是以发光器件与薄膜晶体管中栅电极连接为例进行说明的，本申请实施例对此不作任何限定。
本实施例中的阵列基板可以为液晶显示基板，还可以为有机发光二极管显示基板。当阵列基板为液晶显示基板时，发光器件20可以位于非显示区域，可以位于显示区域，还可以位于显示区域和非显示区域中；当阵列基板为有机发光二极管显示基板时，发光器件20仅位于非显示区域，用于向栅极驱动电路中的薄膜晶体管提供光线。
可选地，本实施例中，发光器件20与发光器件20连接的薄膜晶体管10位于同一区域，用于向发光器件20连接的薄膜晶体管10提供光线，即当发光器件20连接的薄膜晶体管10位于显示区域，则发光器件20位于显示区域，当发光器件20连接的薄膜晶体管10位于非显示区域，则发光器件20位于非显示区域。
另外，本申请实施例通过发光器件提高了薄膜晶体管的开态电流，一方面，提高了阵列基板的显示区域的透过率，另一方面，在制作薄膜晶体管时，可以适当的减小薄膜晶体管的沟道比，以降低薄膜晶体管的尺寸，进而实现阵列基板的窄边框。
本申请实施例提供的阵列基板包括：第一基板以及设置在第一基板上的薄膜晶体管和发光器件，第一基板包括：显示区域和非显示区域；发光器件位于显示区域和/或非显示区域；发光器件，与薄膜晶体管和低电平信号端连接，用于在低电平信号端和处于导通状态的薄膜晶体管的控制下发光。本申请实施例通过在第一基板上设置发光器件，通过发光器件发光来提高薄膜晶体管的开态电流，不仅延长了阵列基板的使用寿命，还提升了阵列基板的稳定性和显示品质。
进一步地，为了在提升薄膜晶体管的开态电流的同时不影响薄膜晶体管的漏电流，发光器件20还用于在低电平信号端VGL和处于截止状态的薄膜晶体管10的控制下不发光。
可选地，低电平信号端VGL的信号的电压值与处于截止状态的薄膜晶体管的漏电极的信号的电压值相等。
进一步地，图5为本申请实施例提供的发光器件的结构示意图，如图5所示，本申请实施例提供的发光器件20包括：第一电极21、有机发光层22和第二电极23。
第一电极21位于有机发光层22靠近第一基板的一侧，第二电极23位于有机发光层22远离第一基板的一侧，第一电极21和第二电极23用于向有机发光层22施加电场，有机发光层22用于在电场的作用下发光。
本申请实施例中，第一电极，第二电极和有机发光层的尺寸可以比薄膜晶体管的栅电极尺寸稍小，考虑工艺制作对位偏差，不会对其他区域造成影响。
具体的，有机发光层22能够将电能转化为光能，其中，如图5所示，有机发光层22包括：空穴注入层221、空穴传输层222，发光层223，电子传输层224和电子注入层225，其发光原理是分别从第一电极21和第二电极23注入的空穴和电子在有机发光层中复合产生激子从而实现发光。
可选地，空穴注入层221的主体材料包括：三氧化钼、三氧化钨或五氧化二钒，本申请实施例并不以此为限。
可选地，空穴传输层222的主体材料可以为聚对苯撑乙烯类、聚噻吩类、聚硅烷类、三苯甲烷类、三芳胺类、腙类、吡唑啉类、嚼唑类、咔唑类、丁二烯类或其他类似具有空穴传输性质的材料，本申请实施例并不以此为限。
可选地，发光层223的主体材料包括4-(二腈甲基)-2-丁基-6-(1,1,7,7-四甲基久洛呢啶-9-乙烯基)-4H-吡喃(DCJTB)、9,10-二(β-萘基)蒽(ADN)、4,4’-双(9-乙基-3-咔唑乙烯基)-1,1’-联苯(BCzVBi)或8-羟基喹啉铝，本申请实施例并不以此为限。
可选地，电子传输层224的厚度为40～80纳米，电子传输层的主体材料包括4,7-二苯基-1,10-菲罗啉(Bphen)、1,2,4-三唑衍生物或1,3,5-三(1-苯基-1H-苯并咪唑-2-基)苯(TPBi)，电子传输层的材质为具有较高的电子迁移率、能有效传导电子的有机分子材料，本申请实施例并不以此为限。
可选地，电子注入层225的主体材料包括：碳酸铯、氟化铯、叠氮铯或氟化锂。
需要说明的是，有机发光层的各个膜层可以通过蒸镀工艺制成。
具体的，本申请实施例提供的阵列基板还包括设置在显示区域的像素电极，像素电极位于显示区域，且与位于显示区域的薄膜晶体管的漏电极连接。
本申请实施例提供的阵列基板中，薄膜晶体管与发光器件存在两种位置关系，第一种位置关系为薄膜晶体管在第一基板上的正投影覆盖发光器件在第一基板上的正投影，即发光器件位于薄膜晶体管远离第一基板的一侧，第二种位置关系为薄膜晶体管在第一基板上的正投影与发光器件在第一基板上的正投影不存在重叠区域，即发光器件位于薄膜晶体管的侧面，本申请实施例对此不作任何限定。需要说明的是，图1是以第二种位置关系为例进行说明的，图3是以第一种位置关系为例进行说明的，本申请实施例对此不作任何限定。
可选地，图6为本申请实施例提供的阵列基板的结构示意图一，如图6所示，当薄膜晶体管10与发光器件20为第一种位置关系时，本申请实施例提供的阵列基板中，发光器件20位于薄膜晶体管10远离第一基板100的一侧，其中，第一电极21与像素电极采用同一制程形成，且与薄膜晶体管10的漏电极16连接，第二电极23与低电平信号端(图中未示出)连接。
具体的，为了保证发光器件发射的光线尽可能多的照射到连接的薄膜晶体管上，第一电极21为透射电极，第二电极23为反射电极，第一电极21用于使得有机发光层22发射的光线透射到薄膜晶体管上，第二电极23用于将有机发光层射向第二电极23的光线反射回去，以增加光线的利用率。
如图6所述，薄膜晶体管包括：栅电极12、栅绝缘层13、有源层14、源电极15、漏电极16和钝化层17，其中，钝化层17设置有过孔，第一电极21通过钝化层过孔与薄膜晶体管的漏电极16连接。
可选地，由于第一电极21与像素电极采用同一制程形成，第一电极21的厚度为400～1500埃，第一电极21的制作材料为透明导电材料，例如氧化铟锡，氧化锌锡等，本申请实施例对此不作任何限定。
可选地，有机发光层22的厚度为4000～9000埃。
可选地，第二电极23的制作材料为银或铝，第二电极23的厚度为400～1500埃。
本申请实施例中，图6提供的阵列基板的具体工作原理包括：向第一电极21提供薄膜晶体管的漏电极的信号，向第二电极23提供低电平信号端VGL的低电平信号，当薄膜晶体管导通时，第一电极21的信号为高电平信号，第二电极23的信号为低电平信号，此时，第一电极21和第二电极23之间存在压差，一般压差大于20伏特，有机发光层22在压差的作用下发光，产生光线强度大于8000尼特的光线，该光线射入薄膜晶体管上，使得薄膜晶体管的开态电流提升70％以上，当薄膜晶体管处于截止状态时，第一电极21的信号被拉低至低电平信号，第二电极23的信号仍为低电平信号，此时，第一电极和第二电极之间无压差，有机发光层22不会发光，因此不会影响薄膜晶体管的漏电流。
可选地，图7为本申请实施例提供的阵列基板的结构示意图二，如图7所示，当薄膜晶体管10与发光器件20为第二种位置关系时，本申请实施例提供的阵列基板中，第一电极21与薄膜晶体管的栅电极12采用同一制程形成，且与低电平信号端(图中未示出)连接，第二电极23与薄膜晶体管的源漏电极采用同一制程形成，且薄膜晶体管的漏电极16连接。
具体的，为了保证发光器件发射的光线尽可能多的照射到连接的薄膜晶体管上，第一电极21为反射电极，第二电极23为透射电极，第一电极21用于将有机发光层射向第一电极21的光线反射回去，第二电极23用于使得有机发光层22发射的光线透射到彩膜基板上通过彩膜基板的反射射向薄膜晶体管，以增加光线的利用率。
如图7所示，薄膜晶体管包括：栅电极12、栅绝缘层13、有源层14、源电极15、漏电极16和钝化层17。
可选地，第一电极21的厚度为400～1500埃，薄膜晶体管的栅电极12和第一电极21的制作材料均为银或铝，本申请实施例对此不作任何限定。
可选地，有机发光层22的厚度为4000～9000埃。
可选地，第二电极23的厚度为400～1500埃，薄膜晶体管的源电极15以及漏电极16与第二电极23的制作材料可以为透明导电材料，例如氧化铟锡，氧化锌锡等，还可以为金属材料。
需要说明的是，当第二电极23的制作材料为透明导电材料时，第二电极23为面状电极；当第二电极23的制作材料为金属时，第二电极23包括多个条状电极和连接电极，连接电极用于连接多个条状电极，还用于连接薄膜晶体管的漏电极。需要说明的是，图7是以第二电极的制作材料为金属为例进行说明的，本申请实施例对此不作任何限定。
如图7所示，本申请实施例提供的发光器件还包括：第一绝缘层24，其中，第一绝缘层24与薄膜晶体管的钝化层17采用同一制程形成，且为同一膜层，其中，第一绝缘层24在第一基板100上的正投影覆盖有机发光层22在第一基板100上的正投影。
本申请实施例中，图7提供的阵列基板的具体工作原理包括：向第一电极21提供低电平信号端VGL的低电平信号，向第二电极23提供薄膜晶体管的漏电极的信号，当薄膜晶体管导通时，第一电极21的信号为低电平信号，第二电极23的信号为高电平信号，此时，第一电极21和第二电极23之间存在压差，一般压差大于20伏特，有机发光层22在压差的作用下发光，产生光线强度大于8000尼特的光线，该光线射入薄膜晶体管上，使得薄膜晶体管的开态电流提升70％以上，当薄膜晶体管处于截止状态时，第一电极21的信号仍为低电平信号，第二电极23的信号被拉低至低电平信号，此时，第一电极和第二电极之间无压差，有机发光层22不会发光，因此不会影响薄膜晶体管的漏电流。
可选地，图8为本申请实施例提供的阵列基板的结构示意图三，如图8所示，当薄膜晶体管10与发光器件20为第二种位置关系时，本申请实施例提供的阵列基板中，第一电极21与薄膜晶体管的源漏电极采用同一制程形成，且与薄膜晶体管的漏电极16连接，第二电极23与像素电极采用同一制程形成，且与低电平信号端(图中未示出)连接。
具体的，为了保证发光器件发射的光线尽可能多的照射到连接的薄膜晶体管上，第一电极21为反射电极，第二电极23为透射电极，第一电极21用于将有机发光层射向第一电极21的光线反射回去，第二电极23用于使得有机发光层22发射的光线透射到彩膜基板上通过彩膜基板的反射射向薄膜晶体管，以增加光线的利用率。
如图8所示，薄膜晶体管包括：栅电极12、栅绝缘层13、有源层14、源电极15、漏电极16和钝化层17。
可选地，第一电极21的厚度为400～1500埃，薄膜晶体管的源漏电极和第一电极21的制作材料均为银或铝，本申请实施例对此不作任何限定。
可选地，有机发光层22的厚度为4000～9000埃。
可选地，第二电极23的厚度为400～1500埃，像素电极与第二电极23的制作材料可以为透明导电材料，例如氧化铟锡，氧化锌锡等，本申请实施例对此不作任何限定。
如图8所示，本申请实施例提供的发光器件还包括：第二绝缘层25，其中，第二绝缘层25与薄膜晶体管的栅绝缘层13采用同一制程形成，且为同一膜层，其中，第二绝缘层25在第一基板100上的正投影覆盖有机发光层22在第一基板100上的正投影。
本申请实施例中，图8提供的阵列基板的具体工作原理包括：向第一电极21提供薄膜晶体管的漏电极的信号，向第二电极23提供低电平信号端VGL的低电平信号，当薄膜晶体管导通时，第一电极21的信号为高电平信号，第二电极23的信号为低电平信号，此时，第一电极21和第二电极23之间存在压差，一般压差大于20伏特，有机发光层22在压差的作用下发光，产生光线强度大于8000尼特的光线，该光线射入薄膜晶体管上，使得薄膜晶体管的开态电流提升70％以上，当薄膜晶体管处于截止状态时，第一电极21的信号被拉低至低电平信号，第二电极23的信号仍为低电平信号，此时，第一电极和第二电极之间无压差，有机发光层22不会发光，因此不会影响薄膜晶体管的漏电流。
可选地，图9为本申请实施例提供的阵列基板的结构示意图四，如图9所示，当薄膜晶体管10与发光器件20为第二种位置关系时，本申请实施例提供的阵列基板中，第一电极21位于薄膜晶体管的钝化层17远离第一基板的一侧，且与薄膜晶体管的栅电极或者漏电极连接，第二电极23与像素电极采用同一制程形成，且与低电平信号端(图中未示出)连接。
具体的，为了保证发光器件发射的光线尽可能多的照射到连接的薄膜晶体管上，第一电极21为反射电极，第二电极23为透射电极，第一电极21用于将有机发光层射向第一电极21的光线反射回去，第二电极23用于使得有机发光层22发射的光线透射到彩膜基板上通过彩膜基板的反射射向薄膜晶体管，以增加光线的利用率。
如图9所示，薄膜晶体管包括：栅电极12、栅绝缘层13、有源层14、源电极15、漏电极16和钝化层17。
可选地，第一电极21的厚度为400～1500埃，薄膜晶体管的源漏电极和第一电极21的制作材料均为银或铝，本申请实施例对此不作任何限定。
可选地，有机发光层22的厚度为4000～9000埃。
可选地，第二电极23的厚度为400～1500埃，像素电极与第二电极23的制作材料可以为透明导电材料，例如氧化铟锡，氧化锌锡等，本申请实施例对此不作任何限定。
如图9所示，本申请实施例提供的发光器件还包括：位于第一电极靠近第一基板的一侧的第一绝缘层24和第二绝缘层25，第二绝缘层25位于第一绝缘层24靠近第一基板100的一侧，其中，第一绝缘层24与薄膜晶体管的钝化层17采用同一制程形成，且为同一膜层，第二绝缘层25与薄膜晶体管的栅绝缘层13采用同一制程形成，且为同一膜层。
本申请实施例中，图9提供的阵列基板的具体工作原理包括：向第一电极21提供薄膜晶体管的栅电极或者漏电极的信号，向第二电极23提供低电平信号端VGL的低电平信号，当薄膜晶体管导通时，第一电极21的信号为高电平信号，第二电极23的信号为低电平信号，此时，第一电极21和第二电极23之间存在压差，一般压差大于20伏特，有机发光层22在压差的作用下发光，产生光线强度大于8000尼特的光线，该光线射入薄膜晶体管上，使得薄膜晶体管的开态电流提升70％以上，当薄膜晶体管处于截止状态时，第一电极21的信号被拉低至低电平信号，第二电极23的信号仍为低电平信号，此时，第一电极和第二电极之间无压差，有机发光层22不会发光，因此不会影响薄膜晶体管的漏电流。
图10A为图9对应的结构示意图一，图10B为图9对应的结构示意图二，如图10A所示，第一电极与薄膜晶体管的栅电极连接，本申请实施例提供的发光器件还包括：第三电极26，第三电极26与薄膜晶体管的栅电极12采用同一制程形成，且第三电极26与薄膜晶体管的栅电极12相连，第一绝缘层24和第二绝缘层25设置有过孔，第一电极21通过第一绝缘层24、第二绝缘层25和第三电极26与薄膜晶体管的栅电极12连接。如图10B所示，第一电极与薄膜晶体管的漏电极连接，本申请实施例提供的发光器件还包括：第四电极27，第四电极27与薄膜晶体管的漏电极16采用同一制程形成，且第四电极27与薄膜晶体管的源漏电极相连，第一绝缘层24设置有过孔，第一电极21通过第一绝缘层24和第四电极27与薄膜晶体管的漏电极16连接。
需要说明的是，图6～图9是以薄膜晶体管为底栅结构为例进行说明的，本申请实施例中的薄膜晶体管还可以为底栅结构，本申请实施例对此不作任何限定。
实施例二
基于上述实施例的发明构思，本申请实施例提供一种阵列基板的制作方法，用于制作实施例一提供的阵列基板，图11为本申请实施例提供的阵列基板的制作方法的流程图，如图11所示，本申请实施例提供的阵列基板的制作方法具体包括以下步骤：
步骤S1、提供第一基板。
具体的，第一基板包括：显示区域和非显示区域。
步骤S2、在第一基板上形成薄膜晶体管和发光器件。
具体的，发光器件位于显示区域和/或非显示区域；发光器件，与薄膜晶体管和低电平信号端连接，用于在低电平信号端和处于导通状态的薄膜晶体管的控制下发光。
本申请实施例提供的阵列基板的制作方法包括：提供第一基板，第一基板包括：显示区域和非显示区域，在第一基板上形成薄膜晶体管和发光器件，发光器件位于显示区域和/或非显示区域；发光器件，与薄膜晶体管和低电平信号端连接，用于在低电平信号端和处于导通状态的薄膜晶体管的控制下发光。本申请实施例通过在第一基板上设置发光器件，通过发光器件发光来提高薄膜晶体管的开态电流，不仅延长了阵列基板的使用寿命，还提升了阵列基板的稳定性和显示品质。
作为一种实施方式，步骤S2具体包括：在第一基板上形成薄膜晶体管；在薄膜晶体管远离第一基板的一侧依次形成第一电极、有机发光层和第二电极，以形成发光器件。
在该种实施方式中，第一电极与薄膜晶体管的漏电极连接，第二电极与低电平信号端连接。
作为另一种实施方式，步骤S2具体包括：在第一基板上采用同一制程形成栅电极和第一电极；在栅电极远离第一基板的一侧依次形成栅绝缘层和有源层；在第一电极远离第一基板的一侧形成有机发光层；在有机发光层远离第一基板的一侧采用同一制程形成源漏电极和第二电极。
在该种实施方式中，第一电极与低电平信号端连接，第二电极为薄膜晶体管的漏电极连接。
可选地，在有机发光层远离第一基板的一侧采用同一制程形成源漏电极和第二电极之后，本申请实施例提供的阵列基板的制作方法还包括：在源漏电极远离第一基板的一侧采用同一制程形成钝化层和第一绝缘层。
作为又一种实施方式，在第一基板上形成栅电极；在栅电极远离第一基板的一侧依次形成栅绝缘层和有源层；在有源层远离第一基板的一侧采用同一制程形成源漏电极和第一电极；在源漏电极远离第一基板的一侧形成钝化层；在第一电极远离第一基板的一侧形成有机发光层；在有机发光层远离第一基板的一侧采用同一制程形成像素电极和第二电极。
在该种实施方式中，第一电极与薄膜晶体管的漏电极连接，第二电极与低电平信号端连接。
可选地，本申请实施例提供的阵列基板的制作方法还包括：在第一基板上形成第二绝缘层，其中，在第一基板上形成第二绝缘层与在栅电极远离第一基板的一侧形成栅绝缘层采用同一制程。
作为再一种实施方式，步骤S2具体包括：在第一基板上形成栅电极；在栅电极远离第一基板的一侧依次形成栅绝缘层、有源层、源漏电极和钝化层；在钝化层远离第一基板的一侧形成依次形成第一电极和有机发光层；在有机发光层远离第一基板的一侧采用同一制程形成像素电极和第二电极。
在该种实施方式中，第一电极与薄膜晶体管的栅电极或者漏电极连接，第二电极与低电平信号端连接。
可选地，本申请实施例提供的阵列基板的制作方法还包括：在第一基板上形成第二绝缘层，在第二绝缘层上形成第一绝缘层，其中，在第一基板上形成第二绝缘层与在栅电极远离第一基板的一侧形成栅绝缘层采用同一制程，在第二绝缘层上形成第一绝缘层与在源漏电极上形成钝化层采用同一制程。
可选地，本申请实施例提供的阵列基板的制作方法在第一基板上形成第二绝缘层之前还包括：在第一基板上形成第三电极，其中，在第一基板上形成第三电极与在第一基板上形成栅电极采用同一制程，或者，在形成钝化层之前，还包括：在第二绝缘层上形成第四电极，其中，在第二绝缘层上形成第四电极与形成源漏电极采用同一制程。
实施例三
基于上述实施例的发明构思，本申请实施例提供一种显示面板，本申请实施例提供的显示面板还包括：阵列基板和彩膜基板。
其中，阵列基板为本申请实施例提供的阵列基板，其实现原理和实现效果类似，在此不再赘述。
可选地，图12为本申请实施例提供的显示面板的结构示意图，如图12所示，彩膜基板包括：第二基板200以及设置在第二基板200上的黑矩阵层30和保护层40。
具体的，保护层40位于黑矩阵层30靠近第一基板100的一侧，黑矩阵层30在第一基板100上的正投影覆盖发光器件20在第一基板100上的正投影。
本实施例通过黑矩阵层在第一基板上的正投影覆盖发光器件在第一基板上的正投影，能够保证用于增大薄膜晶体管的开态电流的发光器件发射的光线不影响阵列基板的显示。
需要说明的是，本申请实施例中所述的显示面板可以为扭曲向列(TwistedNematic，简称TN)模式、垂直(Vertical Alignment，简称VA)模式、平面转换技术(In-planeSwitching，简称IPS)模式、高级超维场转换技术(Advance super Dimension Switch，简称ADS)模式或高开口率且高级超维场转换技术(HighAdvance super Dimension Switch，简称HADS)模式，本申请实施例对此不做任何限定。
本申请实施例附图只涉及本申请实施例涉及到的结构，其他结构可参考通常设计。
为了清晰起见，在用于描述本发明的实施例的附图中，层或微结构的厚度和尺寸被放大。可以理解，当诸如层、膜、区域或基板之类的元件被称作位于另一元件“上”或“下”时，该元件可以“直接”位于另一元件“上”或“下”，或者可以存在中间元件。
虽然本发明所揭露的实施方式如上，但所述的内容仅为便于理解本发明而采用的实施方式，并非用以限定本发明。任何本发明所属领域内的技术人员，在不脱离本发明所揭露的精神和范围的前提下，可以在实施的形式及细节上进行任何的修改与变化，但本发明的专利保护范围，仍须以所附的权利要求书所界定的范围为准。

Claims (15)

1.一种阵列基板，其特征在于，包括：第一基板以及设置在所述第一基板上的薄膜晶体管和发光器件，所述第一基板包括：显示区域和非显示区域；所述发光器件位于非显示区域；
所述发光器件，与薄膜晶体管和低电平信号端连接，用于在低电平信号端和处于导通状态的薄膜晶体管的控制下发光，向所述发光器件连接的薄膜晶体管提供光线；与所述发光器件连接的薄膜晶体管位于所述非显示区域；
所述薄膜晶体管在所述第一基板上的正投影覆盖所述发光器件在所述第一基板上的正投影。
2.根据权利要求1所述的阵列基板，其特征在于，所述发光器件还用于在低电平信号端和处于截止状态的薄膜晶体管的控制下不发光。
3.根据权利要求1或2所述的阵列基板，其特征在于，所述发光器件包括：第一电极、第二电极和有机发光层；
所述第一电极位于所述有机发光层靠近所述第一基板的一侧，所述第二电极位于所述有机发光层远离所述第一基板的一侧，所述第一电极和所述第二电极用于向所述有机发光层施加电场，所述有机发光层用于在所述电场的作用下发光。
4.根据权利要求3所述的阵列基板，其特征在于，所述第一基板还包括像素电极，所述发光器件位于所述薄膜晶体管远离所述第一基板的一侧；
所述第一电极与所述像素电极采用同一制程形成，且与薄膜晶体管的漏电极连接，所述第二电极与低电平信号端连接；
所述第一电极为透射电极，所述第二电极为反射电极。
5.根据权利要求3所述的阵列基板，其特征在于，所述薄膜晶体管在所述第一基板上的正投影与所述发光器件在所述第一基板上的正投影不存在重叠区域。
6.根据权利要求5所述的阵列基板，其特征在于，所述第一电极与薄膜晶体管的栅电极采用同一制程形成，且与低电平信号端连接，所述第二电极与薄膜晶体管的源漏电极采用同一制程形成，且薄膜晶体管的漏电极连接；
所述第一电极为反射电极，所述第二电极为透射电极。
7.根据权利要求5所述的阵列基板，其特征在于，所述第一电极与薄膜晶体管的源漏电极采用同一制程形成，且与薄膜晶体管的漏电极连接，所述第二电极与像素电极采用同一制程形成，且与低电平信号端连接；
所述第一电极为反射电极，所述第二电极为透射电极。
8.根据权利要求5所述的阵列基板，其特征在于，所述第一电极位于薄膜晶体管的钝化层远离第一基板的一侧，且与薄膜晶体管的栅电极或者漏电极连接，所述第二电极与像素电极采用同一制程形成，且与低电平信号端连接；
所述第一电极为反射电极，所述第二电极为透射电极。
9.一种显示面板，其特征在于，包括：如权利要求1～8任一项所述的阵列基板和与阵列基板相对设置的彩膜基板。
10.根据权利要求9所述的显示面板，其特征在于，所述彩膜基板包括：第二基板以及设置在所述第二基板上的黑矩阵层和保护层；
所述保护层位于所述黑矩阵层靠近所述第一基板的一侧，所述黑矩阵层在所述第一基板上的正投影覆盖所述发光器件在所述第一基板上的正投影。
11.一种阵列基板的制作方法，其特征在于，用于制作如权利要求1～8任一项所述的阵列基板，所述方法包括：
提供第一基板；所述第一基板包括：显示区域和非显示区域；
在所述第一基板上形成薄膜晶体管和发光器件，所述发光器件位于非显示区域；所述发光器件，与薄膜晶体管和低电平信号端连接，用于在低电平信号端和处于导通状态的薄膜晶体管的控制下发光，向所述发光器件连接的薄膜晶体管提供光线；与所述发光器件连接的薄膜晶体管位于所述非显示区域；所述薄膜晶体管在所述第一基板上的正投影覆盖所述发光器件在所述第一基板上的正投影。
12.根据权利要求11所述的方法，其特征在于，所述在所述第一基板上形成薄膜晶体管和发光器件包括：
在第一基板上形成薄膜晶体管；
在薄膜晶体管远离第一基板的一侧依次形成第一电极、有机发光层和第二电极，以形成发光器件。
13.根据权利要求11所述的方法，其特征在于，所述在所述第一基板上形成薄膜晶体管和发光器件包括：
在第一基板上采用同一制程形成栅电极和第一电极；
在栅电极远离第一基板的一侧依次形成栅绝缘层和有源层；
在第一电极远离第一基板的一侧形成有机发光层；
在有机发光层远离第一基板的一侧采用同一制程形成源漏电极和第二电极。
14.根据权利要求11所述的方法，其特征在于，所述在所述第一基板上形成薄膜晶体管和发光器件包括：
在第一基板上形成栅电极；
在栅电极远离第一基板的一侧依次形成栅绝缘层和有源层；
在有源层远离第一基板的一侧采用同一制程形成源漏电极和第一电极；
在源漏电极远离第一基板的一侧形成钝化层；
在第一电极远离第一基板的一侧形成有机发光层；
在有机发光层远离第一基板的一侧采用同一制程形成像素电极和第二电极。
15.根据权利要求11所述的方法，其特征在于，所述在所述第一基板上形成薄膜晶体管和发光器件包括：
在第一基板上形成栅电极；
在栅电极远离第一基板的一侧依次形成栅绝缘层、有源层、源漏电极和钝化层；
在钝化层远离第一基板的一侧形成依次形成第一电极和有机发光层；
在有机发光层远离第一基板的一侧采用同一制程形成像素电极和第二电极。
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