CN104733491B - 一种有机发光显示装置及其制备方法 - Google Patents

Abstract

本发明所述的一种有机发光显示装置，在形成薄膜晶体管的过程中同时形成一个包括第一台阶层、第二台阶层、第三绝缘层以及薄膜晶体管中延伸至第一台阶层、第二台阶层上的第一绝缘层和\或第二绝缘层的平台区域；将源\漏电极层中的源极或漏极延伸覆盖在所述第三绝缘层上，用以减小设置在平坦化层中连接第一电极层与源\漏电极层的通孔的深度，可有效实现第一电极层局部的平坦化，使得像素设计不再受设置在通孔中的第一电极层不平坦的影响，可有效增大像素面积（即设置在有机发光显示装置中有机发光二极管的发光面积），提高有机发光显示装置开口率和使用寿命。

Description

一种有机发光显示装置及其制备方法

技术领域

本发明涉及平板显示技术领域，具体涉及一种可提高第一电极层表面平坦度并防止边缘漏电的有机发光显示装置及其制备方法。

背景技术

有机发光显示装置按照其驱动方式可以分为有源矩阵有机发光显示装置（英文全称Active Matrix Organic Lighting Emitting Display，简称AMOLED）和无源矩阵有机发光显示装置（英文全称Passive Matrix Organic Lighting Emitting Display，简称AMOLED），有源矩阵有机发光显示装置利用薄膜晶体管（英文全称Thin Film Transistor，简称TFT），搭配电容存储信号，来控制有机发光二极管（英文全称Organic LightingEmitting Display，简称OLED）的亮度和灰阶表现。每个单独的有机发光二极管具有完整的阴极、有机功能层和阳极，阳极接入薄膜晶体管阵列，形成一个矩阵。有源矩阵有机发光显示装置具有可大尺寸化，较省电，高解析度，面板寿命较长以及可实现柔性等特点，因此在显示技术领域得到了高度重视。

现有技术中的有源矩阵有机发光显示装置如图1所示，薄膜晶体管阵列与有机发光二极管之间设置有平坦化层117，有机发光二极管的第一电极层121通过设置在平坦化层117中的通孔与薄膜晶体管阵列中的驱动晶体管的源极116b或漏极116a电连接。平坦化层117不但可以使两者绝缘，还可以为有机发光二极管提供一个平整的衬底，是有源矩阵有机发光显示装置中必不可少的一个元件。在第一电极层121的制备过程，由于通孔存在，如图1中虚线圈所示，第一电极层121的常会出现尖锐的转角，极易出现尖端放电效应，若直接在包括尖锐转角的第一电极层121上继续制备有机发光二极管的发光层122和第二电极层123，转角处极易出现漏电流过大的现象，不但会减少显示装置的寿命，也容易导致显示画面出现像素暗点或死点的缺陷，从而影响显示品质。

为了避免上述问题，第一电极层121需要极佳的平整度，如图1所示，现有技术中常采用在第一电极层层121的不平整区域设置像素限定层130的方法以避开这些尖锐的转角，减小像素单元的面积，在第一电极层层121上较平整的区域设置有机发光二极管，从而避免上述由于尖端放电效应带来的问题。但是，上述解决方法会浪费大量的第一电极区域，大大减小了有机发光二极管的发光面积（即像素单元的面积），从而减小了显示装置的显示亮度。为此，现有技术往往采用增大电流和电压的方式以提高显示装置的亮度，而这一方法又会造成有机发光显示装置寿命的缩减，影响正常使用。

发明内容

为此，本发明所要解决的有机发光显示装置为了保证第一电极的平整度，从而使得发光区域面积过小、影响显示亮度和显示寿命的问题，提供一种第一电极平整度高、发光区域面积大的有机发光显示装置及其制备方法。

为解决上述技术问题，本发明采用的技术方案如下：

本发明所述的一种有机发光显示装置，包括

基板；

薄膜晶体管，包括半导体层、栅极层、源\漏电极层以及将半导体层、栅极层、源\漏电极层彼此分开的第一绝缘层和/或第二绝缘层；

平坦化层，直接设置在薄膜晶体管上；

有机发光二极管，直接设置在平坦化层上，包括第一电极层、有机发光层和第二电极层；

第一电极层通过设置在平坦化层中的通孔与源\漏电极层接触电连接；

所述有机发光显示装置还包括直接设置在基板上的平台区域，所述平台区域包括与所述半导体层同层以同种材料形成的第一台阶层、与所述栅极层同层以同种材料形成的第二台阶层，所述半导体层和所述第一台阶层不相连，所述栅极层与所述第二台阶层不相连，所述第一绝缘层和/或所述第二绝缘层延伸覆盖至所述平台区域；

所述第一台阶层和所述第二台阶层中远离所述基板的一层在所述基板上的投影落入另一层在所述基板上的投影范围内；

所述第一台阶层和所述第二台阶层中远离所述基板的一层上设置第三绝缘层；

所述源\漏电极层中的源极或漏极延伸覆盖在所述第三绝缘层上；

所述通孔设置在所述平台区域对应的所述平坦化层中。

所述第一台阶层与所述第二台阶层中远离所述基板的一层上设置有第三台阶层，所述第三台阶层在所述基板上的投影落在所述第一台阶层与所述第二台阶层中面积较小的一层在所述基板上的投影范围内；所述第三绝缘层覆盖在所述第三台阶层远离所述基板的表面和侧面。

所述薄膜晶体管包括在垂直方向上自下而上依次设置的所述半导体层、所述第一绝缘层、所述栅极层、所述第二绝缘层和所述源\漏电极层。

所述薄膜晶体管包括在垂直方向上自下而上依次设置的所述栅极层、所述第一绝缘层或所述第二绝缘层、所述半导体层和所述源\漏电极层。

所述通孔的侧壁与所述源\漏电极层所在平面的夹角小于或等于45°。

所述有机发光显示装置的制备方法，包括如下步骤：

S11、在基板上形成半导体化合物层，并图案化形成不连接的半导体层和第一台阶层；

S12、在基板上直接形成覆盖半导体层和第一台阶层的第一绝缘层；

S13、在第一绝缘层上形成第一金属层，并图案化形成不连续的栅极层和第二台阶层，第二台阶层在基板上的投影落入第一台阶层在基板上投影范围内；

S14、在第一绝缘层上直接形成覆盖栅极层和第二台阶层的第二绝缘层；

S15、在第二绝缘层上形成第三绝缘层；

S16、在第一绝缘层和第二绝缘层中形成2个暴露半导体层部分区域的通孔，在第二绝缘层上形成源\漏电极层，并图案化形成与半导体层接触连接的源极或漏极，源极或漏极延伸覆盖在第三绝缘层上；

S17、在图案化后的源\漏电极层上直接形成覆盖基板区域的平坦化层；

S18、在第三绝缘层离基板最远的表面对应的平坦化层区域设置暴露部分源\漏电极层的通孔；

S19、在平坦层上直接形成覆盖平坦化层和步骤S8形成的部分源\漏电极层表面的第一电极层。

步骤S15中还包括在第二绝缘层上直接形成第二金属层并图案化形成第三台阶层的步骤，所述第三台阶层远离所述基板的表面和侧壁被所述第三绝缘层覆盖。

所述有机发光显示装置的制备方法，包括如下步骤：

S21、在基板上形成第一金属层，并图案化形成不连续的栅极层和第一台阶层；

S22、在基板上直接形成覆盖栅极层和第一台阶层的第一绝缘层；

S23、在第一绝缘层上形成半导体化合物层，并图案化形成不连接的半导体层和第二台阶层，第二台阶层在基板上的投影落入第一台阶层在基板上投影范围内；

S24、在第二台阶层上形成第三绝缘层；

S25、在半导体层上直接形成源\漏电极层，并图案化形成不相连的分别与半导体层两端接触连接的源极或漏极，源极或漏极延伸覆盖在第三绝缘层上；

S26、在图案化后的源\漏电极层上直接形成覆盖基板区域的平坦化层；

S27、在第三绝缘层离基板最远表面对应的平坦化层区域设置暴露部分源\漏电极层的通孔；

S28、在平坦层上直接形成覆盖平坦化层和步骤S27形成的部分源\漏电极层表面的第一电极层。

步骤S24中还包括在第二台阶层上直接形成第二金属层并图案化形成第三台阶层的步骤，所述第三台阶层远离所述基板的表面和侧壁被所述第三绝缘层覆盖。

步骤S18和步骤S27中的所述通孔通过干法刻蚀工艺制备。

本发明的上述技术方案相比现有技术具有以下优点：

1、本发明所述的一种有机发光显示装置，在形成薄膜晶体管的过程中同时形成一个包括第一台阶层、第二台阶层、第三绝缘层以及薄膜晶体管中延伸至第一台阶层、第二台阶层上的第一绝缘层和/或第二绝缘层的平台区域；将源\漏电极层中的源极或漏极延伸覆盖在所述第三绝缘层上，用以减小设置在平坦化层中连接第一电极层与源\漏电极层的通孔的深度，可有效实现第一电极层局部的平坦化，使得像素设计不再受设置在通孔中的第一电极层不平坦的影响，可有效增大像素面积（即设置在有机发光显示装置中有机发光二极管的发光面积），提高有机发光显示装置开口率和使用寿命。

2、本发明所述的一种有机发光显示装置，设置在平坦化层中的通孔的侧壁与所述源\漏电极层所在平面的夹角小于或等于45°，可进一步平坦化第一电极层，以减少第一电极层中小角度转角的出现，避免尖端放电效应，提高所述有机发光显示装置的使用寿命，避免显示画面出现暗点或死点的缺陷，提高显示品质。

3、本发明所述的一种有机发光显示装置的制备方法，设置在平台区域中的各膜层可以与薄膜晶体管中的各层同层制备，在不增加工艺步骤和工艺难度的情况下，即可实现增大像素面积以及提高显示装置使用寿命的目的，工艺简单、易实现大规模生产应用，可以产生可观的经济效益。

附图说明

为了使本发明的内容更容易被清楚的理解，下面根据本发明的具体实施例并结合附图，对本发明作进一步详细的说明，其中

图1是现有技术中有机发光显示装置的剖视图；

图2-11是本发明实施例1中所述有机发光显示装置在制备流程中装置的剖视图；

图12是本发明实施例2中所述有机发光显示装置的剖视图。

图中附图标记表示为：110-基板、111-半导体层、112-第一绝缘层、113-栅极层、114-第二绝缘层、115-第三绝缘层、116a-漏极、116b-源极、117-平坦化层、121-第一电极层、122-有机发光层、123-第二电极层、130-像素限定层、141-第一台阶层、142-第二台阶层、143-第三台阶层。

具体实施方式

为了使本发明的目的、技术方案和优点更加清楚，下面将结合附图对本发明的实施方式作进一步地详细描述。

本发明可以以许多不同的形式实施，而不应该被理解为限于在此阐述的实施例。相反，提供这些实施例，使得本公开将是彻底和完整的，并且将把本发明的构思充分传达给本领域技术人员，本发明将仅由权利要求来限定。在附图中，为了清晰起见，会夸大层和区域的尺寸和相对尺寸。应当理解的是，当元件例如层、区域或基板被称作“形成在”或“设置在”另一元件“上”时，该元件可以直接设置在所述另一元件上，或者也可以存在中间元件。相反，当元件被称作“直接形成在”或“直接设置在”另一元件上时，不存在中间元件。

实施例1

本实施例提供一种有机发光显示装置，如图11所示，包括基板110，设置在基板110上的薄膜晶体管，直接设置在所述薄膜晶体管上的平坦化层117，直接设置在平坦化层117上的有机发光二极管。

所述薄膜晶体管沿垂直于基板方向进一步包括半导体层111，直接设置在基板110上并覆盖所述半导体层111的第一绝缘层112；直接设置在所述第一绝缘层112上的栅极层113；直接设置在所述第一绝缘层112上，并覆盖所述栅极层113的第二绝缘层114；直接设置在所述第二绝缘层114上的第三绝缘层115，设置在第三绝缘层115上的源\漏电极层，所述源\漏电极层包括源极116b和漏极116a，所述源极116b和所述漏极116a通过贯通在所述第一绝缘层112、第二绝缘层113和第三绝缘层115中通孔与所述半导体层111接触连接。

所述有机发光二极管，包括第一电极层121。

所述第一电极层121通过设置在平坦化层117中的通孔与源极116b接触电连接。

作为本发明的其他实施例，源极116b和漏极116a可以互换。

所述有机发光显示装置还包括直接设置在基板110上的平台区域，所述平台区域包括与所述半导体层111同层以同种材料形成的第一台阶层141、与所述栅极层113同层以同种材料形成的第二台阶层142，所述半导体层111和所述第一台阶层141不相连，所述栅极层113与所述第二台阶层142不相连，所述第一绝缘层112、所述第二绝缘层114分别延伸覆盖至所述平台区域的所述第一台阶层141和所述第二台阶层142上。

所述第一台阶层141和所述第二台阶层142中远离所述基板110的一层，即，所述第二台阶层142，在所述基板110上的投影落入所述第一台阶层141在所述基板110上的投影范围内。

所述第一台阶层141和所述第二台阶层142中远离所述基板110的一层上设置第三台阶层143和第三绝缘层115，所述第三绝缘层115延伸覆盖至所述第二绝缘层114上。

所述第三台阶层143在所述基板110上的投影落在所述第一台阶层141与所述第二台阶层142中面积较小的一层，即所述第二台阶层142，在所述基板110上的投影范围内；所述第三绝缘层115覆盖在所述第三台阶层143远离所述基板110的表面和侧面。

所述第三台阶层143可以为金属层或非金属层，为了降低材料成本和工艺成本，优选有机发光显示装置中常用的金属或非金属材料，本实施例进一步优选金属材料；所述第三台阶层143的厚度可以与薄膜晶体管中其他各层厚度相仿，本实施例优选为所述第三绝缘层115的厚度也可以与薄膜晶体管中其他各层厚度相仿，本实施例优选为所述第三台阶层143的厚度与所述第三绝缘层115的厚度和需小于或者等于所述平坦化层117远离所述基板110的表面与所述源极116b远离所述基板110的表面的最小间距。

本发明中，所述第三绝缘层115在起到抬高延伸设置在平台区域的源\漏电极层高度的同时，更重要的目的是，绝缘所述第三台阶层143与所述源\漏电极层。因此，作为本发明的其他实施例，若所述第三台阶层143为非导电层，所述有机发光显示装置中也可以不含所述第三绝缘层143。

所述第三绝缘层115所用材料与制备方法可以与所述第一绝缘层112或所述第二绝缘层114相同。

所述源\漏电极层中的源极116b延伸覆盖在所述第三绝缘层115上。

通过在形成薄膜晶体管的过程中同时形成包括第一台阶层141、第二台阶层142的平台区域，在平台区域还形成第三台阶层143和第三绝缘层115，用以减小设置在平坦化层117中连接第一电极层121与源\漏电极层的通孔的深度，可有效实现第一电极层121局部的平坦化，使得像素设计不再受设置在通孔中的第一电极层121不平坦的影响，可有效增大像素面积（即设置在有机发光显示装置中有机发光二极管的发光面积），提高有机发光显示装置开口率和使用寿命。而且，各台阶层沿远离所述基板110的方向，面积递减（即相邻台阶层中，远离所述基板110的台阶层在所述基板110上的投影落在另一层在所述基板110上的投影范围内），可在各所述平台层边缘形成平滑的阶梯，有利于所述源极116b平滑延伸覆盖在所述第三绝缘层115上，以减少所述源极116b中形成不平整夹角从而导致膜层断裂的可能，保证产品的良品率。

所述通孔设置所述平台区域对应的所述平坦化层117中，所述通孔的侧壁与所述源\漏电极层所在平面的夹角小于或等于45°，可进一步平坦化第一电极层121，以减少第一电极层121中小角度转角的出现，避免尖端放电效应，提高所述有机发光显示装置的使用寿命，避免显示画面出现暗点或死点的缺陷，提高显示品质。

所述的有机发光显示装置的制备方法，包括如下步骤：

S11、如图2所示，在基板110上形成半导体化合物层，并图案化形成不连接的半导体层111和第一台阶层141。

S12、如图3所示，在基板110上直接形成覆盖半导体层111和第一台阶层141的第一绝缘层112。

S13、如图4所示，在第一绝缘层112上形成第一金属层，并图案化形成不连续的栅极层113和第二台阶层142，第二台阶层142在基板110上的投影落入第一台阶层141在基板110上投影范围内。

S14、如图5所示，在第一绝缘层112上直接形成覆盖栅极层113和第二台阶层142的第二绝缘层114。

S15、如图6所示，在第二绝缘层114上直接形成第二金属层并图案化形成第三台阶层143，在第二绝缘层114上直接形成覆盖第三台阶层的第三绝缘层115，即第三台阶层143远离所述基板110的表面和侧壁被所述第三绝缘层覆盖。

S16、如图7所示，在第一绝缘层112、第二绝缘层114、第三绝缘层115中形成2个暴露半导体层111部分区域的通孔，第三绝缘层115上直接形成源\漏电极层，并图案化形成与半导体层111接触连接的源极116b或漏极116a，源极116b延伸覆盖在第三绝缘层115上。

S17、如图8所示，在图案化后的源\漏电极层上直接形成覆盖基板区域的平坦化层117。

S18、如图9所示，通过干法刻蚀工艺，在第三绝缘层离基板110最远的表面对应的平坦化层117区域设置暴露部分源\漏电极层的通孔。

S19、如图10所示，在平坦层117上直接形成覆盖平坦化层117和步骤S8形成的部分源\漏电极层表面的第一电极层121；如图11所示，在平坦化层117上直接形象覆盖第一电极层121边缘用以限定像素单元的像素限定层130。

本实施例上述制备方法中，各层所用材料和具体实施工艺均同现有技术。设置在平台区域中的各膜层可以与薄膜晶体管中的各层同层制备，在不增加工艺步骤和工艺难度的情况下，即可实现增大像素面积以及提高显示装置使用寿命的目的，工艺简单、易实现大规模生产应用，可以产生可观的经济效益。

实施例2

本实施例提供一种有机发光显示装置，如图12所示，包括基板110，设置在基板110上的薄膜晶体管，直接设置在所述薄膜晶体管上的平坦化层117，直接设置在平坦化层117上的有机发光二极管。

所述薄膜晶体管沿垂直于基板方向进一步包括栅极层113，直接设置在基板110上并覆盖所述栅极层113的第一绝缘层112；直接设置在所述第一绝缘层112上的半导体层111；直接设置所述半导体层111上的源\漏电极层，所述源\漏电极层包括源极116b和漏极116a。

所述有机发光二极管，包括第一电极层121，所述第一电极层121通过设置在平坦化层117中的通孔与源极116b接触电连接。

作为本发明的其他实施例，源极116b和漏极116a可以互换。

所述有机发光显示装置还包括直接设置在基板110上的平台区域，所述平台区域包括与所述半导体层111同层以同种材料形成的第一台阶层141、与所述栅极层113同层以同种材料形成的第二台阶层142，所述半导体层111和所述第一台阶层141不相连，所述栅极层113与所述第二台阶层142不相连，所述第一绝缘层112延伸覆盖至所述平台区域的所述第一台阶层141上。

所述第一台阶层141和所述第二台阶层142中远离所述基板110的一层，即，所述第二台阶层142，在所述基板110上的投影落入所述第一台阶层141在所述基板110上的投影范围内。

所述第一台阶层141和所述第二台阶层142中远离所述基板110的一层上设置第三台阶层143和第三绝缘层115。

所述第三台阶层143在所述基板110上的投影落在所述第一台阶层141与所述第二台阶层142中面积较小的一层，即所述第二台阶层142，在所述基板110上的投影范围内；所述第三绝缘层115覆盖在所述第三台阶层143远离所述基板110的表面和侧面。

所述第三台阶层143可以为金属层或非金属层，为了降低材料成本和工艺成本，优选有机发光显示装置中常用的金属或非金属材料，本实施例进一步优选金属材料；所述第三台阶层143的厚度可以与薄膜晶体管中其他各层厚度相仿，本实施例优选为所述第三绝缘层115的厚度也可以与薄膜晶体管中其他各层厚度相仿，本实施例优选为所述第三台阶层143的厚度与所述第三绝缘层115的厚度和需小于或者等于所述平坦化层117远离所述基板110的表面与所述源极116b远离所述基板110的表面的最小间距。

本发明中，所述第三绝缘层115在起到抬高延伸设置在平台区域的源\漏电极层高度的同时，更重要的目的是，绝缘所述第三台阶层143与所述源\漏电极层。因此，作为本发明的其他实施例，若所述第三台阶层143为非导电层，所述有机发光显示装置中也可以不含所述第三绝缘层143。

所述第三绝缘层115所用材料与制备方法可以与所述第一绝缘层112相同。

所述源\漏电极层中的源极116b延伸覆盖在所述第三绝缘层115上。

通过在形成薄膜晶体管的过程中同时形成包括第一台阶层141、第二台阶层142的平台区域，在平台区域还形成第三台阶层143和第三绝缘层115，用以减小设置在平坦化层117中连接第一电极层121与源\漏电极层的通孔的深度，可有效实现第一电极层121局部的平坦化，使得像素设计不再受设置在通孔中的第一电极层121不平坦的影响，可有效增大像素面积（即设置在有机发光显示装置中有机发光二极管的发光面积），提高有机发光显示装置开口率和使用寿命。而且，各台阶层沿远离所述基板110的方向，面积递减（即相邻台阶层中，远离所述基板110的台阶层在所述基板110上的投影落在另一层在所述基板110上的投影范围内），可在各所述平台层边缘形成平滑的阶梯，有利于所述源极116b平滑延伸覆盖在所述第三绝缘层115上，以减少所述源极116b中形成不平整夹角从而导致膜层断裂的可能，保证产品的良品率。

所述通孔设置所述平台区域对应的所述平坦化层117中，所述通孔的侧壁与所述源\漏电极层所在平面的夹角小于或等于45°，可进一步平坦化第一电极层121，以减少第一电极层121中小角度转角的出现，避免尖端放电效应，提高所述有机发光显示装置的使用寿命，避免显示画面出现暗点或死点的缺陷，提高显示品质。

所述的有机发光显示装置的制备方法，包括如下步骤：

S21、在基板110上形成第一金属层，并图案化形成不连续的栅极层113和第一台阶层141。

S22、在基板110上直接形成覆盖栅极层113和第一台阶层141的第一绝缘层112。

S23、在第一绝缘层112上形成半导体化合物层，并图案化形成不连接的半导体层111和第二台阶层142，第二台阶层142在基板110上的投影落入第一台阶层141在基板110上投影范围内。

S24、在第二台阶层142上直接形成第二金属层，并图案化形成第三台阶层143，在第二台阶层142上形成覆盖第三台阶层142的第三绝缘层115，即第三台阶层143远离所述基板110的表面和侧壁被所述第三绝缘层115覆盖。

S25、在半导体层111上直接形成源\漏电极层，并图案化形成不相连的分别与半导体层111两端接触连接的源极116b或漏极116a，源极116b延伸覆盖在第三绝缘层115上。

S26、在图案化后的源\漏电极层上直接形成覆盖基板区域的平坦化层117。

S27、通过干法刻蚀工艺，在第三绝缘层115离基板110最远表面对应的平坦化层117区域设置暴露部分源极116b的通孔。

S28、在平坦层117上直接形成覆盖平坦化层117和步骤S27形成的部分源\漏电极层表面的第一电极层121；在平坦化层117上直接形象覆盖第一电极层121边缘用以限定像素单元的像素限定层130。

本实施例上述制备方法中，各层所用材料和具体实施工艺均同现有技术。设置在平台区域中的各膜层可以与薄膜晶体管中的各层同层制备，在不增加工艺步骤和工艺难度的情况下，即可实现增大像素面积以及提高显示装置使用寿命的目的，工艺简单、易实现大规模生产应用，可以产生可观的经济效益。

显然，上述实施例仅仅是为清楚地说明所作的举例，而并非对实施方式的限定。对于所属领域的普通技术人员来说，在上述说明的基础上还可以做出其它不同形式的变化或变动。这里无需也无法对所有的实施方式予以穷举。而由此所引伸出的显而易见的变化或变动仍处于本发明的保护范围之中。

Claims (11)

1.一种有机发光显示装置，包括

基板；

薄膜晶体管，包括半导体层、栅极层、源\漏电极层以及将半导体层、栅极层、源\漏电极层彼此分开的第一绝缘层和\或第二绝缘层；

平坦化层，直接设置在薄膜晶体管上；

有机发光二极管，直接设置在平坦化层上，包括第一电极层、有机发光层和第二电极层；

第一电极层通过设置在平坦化层中的通孔与源\漏电极层接触电连接；

其特征在于，

所述有机发光显示装置还包括直接设置在基板上的平台区域，所述平台区域包括与所述半导体层同层以同种材料形成的第一台阶层、与所述栅极层同层以同种材料形成的第二台阶层，所述半导体层和所述第一台阶层不相连，所述栅极层与所述第二台阶层不相连，所述第一绝缘层和/或所述第二绝缘层延伸覆盖至所述平台区域；

所述第一台阶层和所述第二台阶层中远离所述基板的一层在所述基板上的投影落入另一层在所述基板上的投影范围内；

所述第一台阶层和所述第二台阶层中远离所述基板的一层上设置第三绝缘层；

所述源\漏电极层中的源极或漏极延伸覆盖在所述第三绝缘层上；

所述通孔设置在所述平台区域对应的所述平坦化层中。

2.根据权利要求1所述的有机发光显示装置，其特征在于，所述第一台阶层与所述第二台阶层中远离所述基板的一层上设置有第三台阶层，所述第三台阶层在所述基板上的投影落在所述第一台阶层与所述第二台阶层中面积较小的一层在所述基板上的投影范围内；所述第三绝缘层覆盖在所述第三台阶层远离所述基板的表面和侧面。

3.根据权利要求2所述的有机发光显示装置，其特征在于，所述薄膜晶体管包括在垂直方向上自下而上依次设置的所述半导体层、所述第一绝缘层、所述栅极层、所述第二绝缘层和所述源\漏电极层。

4.根据权利要求2所述的有机发光显示装置，其特征在于，所述薄膜晶体管包括在垂直方向上自下而上依次设置的所述栅极层、所述第一绝缘层或所述第二绝缘层、所述半导体层和所述源\漏电极层。

5.根据权利要求1-4任一项所述的有机发光显示装置，其特征在于，所述通孔的侧壁与所述源\漏电极层所在平面的夹角小于或等于45°。

6.一种权利要求1或2或3或5所述的有机发光显示装置的制备方法，其特征在于，包括如下步骤：

S11、在基板上形成半导体化合物层，并图案化形成不连接的半导体层和第一台阶层；

S12、在基板上直接形成覆盖半导体层和第一台阶层的第一绝缘层；

S13、在第一绝缘层上形成第一金属层，并图案化形成不连续的栅极层和第二台阶层，第二台阶层在基板上的投影落入第一台阶层在基板上投影范围内；

S14、在第一绝缘层上直接形成覆盖栅极层和第二台阶层的第二绝缘层；

S15、在第二绝缘层上形成第三绝缘层；

S16、在第一绝缘层和第二绝缘层中形成2个暴露半导体层部分区域的通孔，在第二绝缘层上形成源\漏电极层，并图案化形成与半导体层接触连接的源极或漏极，源极或漏极延伸覆盖在第三绝缘层上；

S17、在图案化后的源\漏电极层上直接形成覆盖基板区域的平坦化层；

S18、在第三绝缘层离基板最远的表面对应的平坦化层区域设置暴露部分源\漏电极层的通孔；

S19、在平坦层上直接形成覆盖平坦化层和步骤S16形成的部分源\漏电极层表面的第一电极层。

7.根据权利要求6所述的有机发光显示装置的制备方法，其特征在于，步骤S15中还包括在第二绝缘层上直接形成第二金属层并图案化形成第三台阶层的步骤，所述第三台阶层在所述基板上的投影落在所述第一台阶层与所述第二台阶层中面积较小的一层在所述基板上的投影范围内，所述第三台阶层远离所述基板的表面和侧壁被所述第三绝缘层覆盖。

8.根据权利要求6或7所述的有机发光显示装置的制备方法，其特征在于，步骤S18中的所述通孔通过干法刻蚀工艺制备。

9.一种权利要求1或2或4或5所述的有机发光显示装置的制备方法，其特征在于，包括如下步骤：

S21、在基板上形成第一金属层，并图案化形成不连续的栅极层和第一台阶层；

S22、在基板上直接形成覆盖栅极层和第一台阶层的第一绝缘层；

S23、在第一绝缘层上形成半导体化合物层，并图案化形成不连接的半导体层和第二台阶层，第二台阶层在基板上的投影落入第一台阶层在基板上投影范围内；

S24、在第二台阶层上形成第三绝缘层；

S25、在半导体层上直接形成源\漏电极层，并图案化形成不相连的分别与半导体层两端接触连接的源极或漏极，源极或漏极延伸覆盖在第三绝缘层上；

S26、在图案化后的源\漏电极层上直接形成覆盖基板区域的平坦化层；

S27、在第三绝缘层离基板最远表面对应的平坦化层区域设置暴露部分源\漏电极层的通孔；

S28、在平坦层上直接形成覆盖平坦化层和步骤S27形成的部分源\漏电极层表面的第一电极层。

10.根据权利要求9所述的有机发光显示装置的制备方法，其特征在于，步骤S24中还包括在第二台阶层上直接形成第二金属层并图案化形成第三台阶层的步骤，所述第三台阶层在所述基板上的投影落在所述第一台阶层与所述第二台阶层中面积较小的一层在所述基板上的投影范围内，所述第三台阶层远离所述基板的表面和侧壁被所述第三绝缘层覆盖。

11.根据权利要求9或10所述的有机发光显示装置的制备方法，其特征在于，步骤S27中的所述通孔通过干法刻蚀工艺制备。