JP2013115175A - 半導体装置、半導体装置の製造装置、および半導体装置の製造方法 - Google Patents

Abstract

【課題】ボイドの発生を有効に防止しつつ、良好な冷却機能を有する半導体装置を提供する。
【解決手段】半導体素子１，２が配置される主面を有する第１の電極３と、第１の電極３の主面に配置された半導体素子１，２と、半導体素子１，２を介して、第１の電極３と対向するように配置された第２の電極４と、第１の電極３の周囲を覆う第１の樹脂からなる樹脂枠部５と、第１の電極３、第２の電極４、および樹脂枠部５により形成される空間に充填された第２の樹脂６１からなる樹脂封止部６と、を備え、樹脂枠部５には、第２の樹脂６１が充填された空間から外部へと、樹脂枠部５を貫通する１以上の連通路５１が形成されていることを特徴とする半導体装置。
【選択図】 図１

Description

本発明は、半導体装置、半導体装置の製造装置、および半導体装置の製造方法に関するものである。

従来より、半導体素子と、該半導体素子に接続した一対の電極とを、樹脂で封止してなる半導体装置が知られている。このような半導体装置において、半導体素子が配置される一対の電極の間に樹脂を注入する際に、ボイドが発生してしまうことを防止するため、一対の電極のそれぞれに空気を抜くための貫通孔を形成した半導体装置が開示されている（たとえば、特許文献１）。

特開２００８−１８６８９０号公報

しかしながら、半導体素子に接続する一対の電極は、半導体素子に電気を通電させる機能に加えて、半導体素子から伝達された熱を放熱する放熱板としての機能も有するものであり、上記特許文献１では、この電極に貫通孔を形成するものであるため、半導体素子から伝達された熱の放熱が行われる面積が小さくなってしまい、良好な冷却性能を得られない場合があった。

本発明が解決しようとする課題は、ボイドの発生を有効に防止しつつ、良好な冷却性能が得られる半導体装置を提供することである。

本発明は、半導体素子を介して、第１の電極と第２の電極とを対向するように配置した半導体装置において、第１の電極の周囲を覆う第１の樹脂からなる樹脂枠部と、第１の電極、第２の電極、および樹脂枠部により形成される空間に充填された第２の樹脂からなる樹脂封止部とを設け、樹脂枠部に、第２の樹脂が充填された空間から外部へと、樹脂枠部を貫通する１以上の連通路を形成することにより、上記課題を解決する。

本発明によれば、第１の樹脂からなる樹脂枠部を予め形成し、この樹脂枠部に連通路を予め設けておくことで、第１の電極、第２の電極、および樹脂枠部により形成される空間に、第２の樹脂を充填する際に、樹脂枠部に形成された連通路から、上記空間内の空気を抜くことができるため、ボイドの発生を有効に防止することができるとともに、放熱板として機能する一対の電極に貫通孔を設けるものではないため、良好な冷却性能を得ることができる。

本実施形態に係る半導体装置の断面図である。 本実施形態に係る半導体装置の側面図、および平面図である。 本実施形態に係る半導体装置から、樹脂枠部を抜き出して示した側面図、および平面図である。 本実施形態に係る半導体装置の製造方法を説明するための図（その１）である。 本実施形態に係る半導体装置の製造方法を説明するための図（その２）である。 本実施形態に係る半導体装置の製造方法を説明するための図（その３）である。 図４（Ａ）に示す第１の電極および樹脂枠部を示す平面図である。 図５（Ａ）のVIII-VIII線に沿う断面図である。 第２の樹脂を金型内に注入する際の金型内の空気の流れを説明するための図である。 第２の樹脂を注入するための注入口と、樹脂枠部に形成される連通路との位置関係を説明するための図である。 第２の樹脂が連通路を流動する流動距離と、連通路の連通溝深さＤとの関係のシミュレーション結果を示すグラフである。 連通路の他の構成例を示す断面図である。 連通路が形成される位置の他の例を説明するための図である。 連通路が形成される位置の他の例を説明するための図である。 半導体装置の他の製造方法を説明するための図である。

以下、本発明の本実施形態を図面に基づいて説明する。

図１は、本発明の半導体装置の一例を示す断面図であり、図２（Ａ）は、図１に示す半導体装置を示す側面図、図２（Ｂ）は、図１に示す半導体装置を示す平面図である。なお、図１は、図２（Ｂ）のＩ−Ｉ線に沿う断面図である。

本実施形態に係る半導体装置１００は、図１に示すように、三相インバータブリッジ回路を個別に構成するＩＧＢＴ（絶縁ゲートバイポーラトランジスタ）などのトランジスタやダイオード（整流素子）からなる半導体素子１，２を有している。そして、この半導体装置１００は、スイッチング素子の導通／非導通を制御することにより、直流電源からの直流電流を三相交流電流に変換することが可能となっており、例えば、電気自動車、ハイブリッド車、燃料電池車等の電動車両用駆動モーターへ電力を供給するインバータ装置に用いることができる。

図１に示すように、半導体素子１，２は、その一方の主面が、はんだ付けにより形成されたはんだ層１１，２１を介して、第１の電極３に電気的に接続されており、また、他方の主面が、はんだ付けにより形成されたはんだ層１２，２２を介して、第２の電極４に電気的に接続されている。また、半導体素子１，２と一対の電極３，４とは、電気的に接続されているだけではなく、半導体素子１，２の通電により発熱した熱が、半導体素子１，２から各電極３，４へと伝達されるようになっている。

第１の電極３および第２の電極４は、銅等の導電性の材料で構成された板状の部材であり、特に図示しないが、モーター、コンデンサ又はバッテリー等の強電回路に電気的に接続されている。また、図１および図２に示すように、一対の電極３，４は、それぞれ、半導体装置１００の外部に露出しており、半導体素子１，２から伝達された熱を半導体装置１００の外部に放熱する放熱板としての機能も有している。

第１の電極３の周囲には、第１の電極３を覆うように、樹脂枠部５が形成されている。樹脂枠部５は、たとえば、エポキシ樹脂やフェノール樹脂などの熱硬化性の樹脂（第１の樹脂）からなり、たとえば、第１の電極３を成形型にセットした状態で樹脂枠部５を射出成形することにより、第１の電極３と一体的に形成される。

また、樹脂枠部５は、図１に示すように、Ｚ軸方向の高さが、第１の電極３のＺ軸方向の高さよりも高く形成されており、これにより、第１の電極３と、第２の電極４と、樹脂枠部５とにより囲われた空間が形成されている。この空間内には、半導体素子１，２が配置されているとともに、半導体素子１，２を封止するように、樹脂封止部６が形成されている。

樹脂封止部６は、たとえば、エポキシ樹脂やシリコーン樹脂などの熱硬化性の樹脂（第２の樹脂）からなり、半導体素子１，２、第１の電極３、および第２の電極４を封止している。樹脂封止部６は、たとえば、樹脂封止部６を形成するための第２の樹脂を、第１の電極３と、第２の電極４と、樹脂枠部５とにより囲われた空間内に注入し、該空間内を第２の樹脂で充填した後に、充填した第２の樹脂を熱硬化させることで形成される。

また、樹脂枠部５には、図１〜図３に示すように、Ｘ軸方向において、樹脂枠部５を貫通する溝状の連通路５１が形成されている。連通路５１は、樹脂封止部６を形成するための第２の樹脂を、第１の電極３、第２の電極４、および樹脂枠部５により囲われた空間内に注入する際に、該空間内の空気を外部に排出するための通路となる。ここで、図３（Ａ）は、図１および図２に示す半導体装置１００から、樹脂枠部５のみを抜き出して示した側面図であり、図３（Ｂ）は、図１および図２に示す半導体装置１００から、樹脂枠部５のみを抜き出して示した平面図である。なお、図３（Ａ）に示す連通路５１のＹ軸方向における幅である連通溝幅Ｗ、連通路５１のＺ軸方向における深さである連通溝深さＤ、および、図３（Ｂ）に示すＸ軸方向における連通路５１の長さである連通溝長さＬの具体的な設計例については、後述する。

次いで、図４〜図６を参照して、本実施形態に係る半導体装置１００の製造方法について説明する。図４〜図６は、本実施形態に係る半導体装置１００の製造方法を説明するための断面図であり、図１と同様に、図２のＩ−Ｉ線に沿う断面位置に対応する断面を示している。

まず、図４（Ａ）に示す工程では、第１の電極３の周囲を覆うように、樹脂枠部５が形成される。特に限定されないが、たとえば、第１の電極３を成形型にセットした状態で、第１の樹脂からなる樹脂枠部５を射出成形することにより、第１の電極３の周囲を覆うように、樹脂枠部５が、第１の電極３と一体的に成形される。

ここで、図７は、図４（Ａ）に示す第１の電極３および樹脂枠部５を示す平面図である。なお、図７においては、第１の電極３のうち、樹脂枠部５の下側（Ｚ軸負方向側）に位置する部分を破線で示している。図４（Ａ）に示す工程により、図７に示すように、第１の電極３の周囲を覆うように樹脂枠部５が形成される。また、図４（Ａ）に示すように、樹脂枠部５は、Ｚ軸方向における高さが、第１の電極３のＺ軸方向における高さよりも高くなるように形成される。このように、樹脂枠部５のＺ軸方向における高さを、第１の電極３のＺ軸方向における高さよりも高くなるように形成することで、樹脂封止部６を形成する第２の樹脂を注入するための空間を形成することができる。

また、図４（Ａ）に示す工程では、樹脂枠部５に、樹脂枠部５を貫通する連通路５１が形成される。連通路５１の形成方法は、特に限定されず、たとえば、成形型に連通路５１に対応する突出部を予め設けておき、樹脂枠部５の成形と同時に、連通路５１を形成する構成としてもよいし、あるいは、まず、連通路５１が形成されていない状態で、樹脂枠部を成形し、次いで、樹脂枠部５の連通路５１に対応する部分を削り取り、樹脂枠部５に連通路５１を形成する構成としてもよい。

図４（Ｂ）に示す工程では、半導体素子１，２を、第１の電極３および第２の電極４に接続することで、半導体素子１，２、第１の電極３、第２の電極４、および樹脂枠部５からなる半導体モジュール１１０が作製される。具体的には、半導体素子１，２と第１の電極３との間、および、半導体素子１，２と第２の電極４との間に、それぞれ、はんだを載置して積層し、はんだ付け炉ではんだを融解および凝固させる。これにより、はんだ層１１，１２，２１，２２が形成され、半導体素子１，２と第１の電極３、および、半導体素子１，２と第２の電極４が、それぞれ電気的に接続され、半導体モジュール１１０が作製される。なお、半導体素子１，２と各電極３，４とを接続する方法は、はんだ付けに限定されず、たとえば、ワイヤーボンディングにより、半導体素子１，２と、第１の電極３および第２の電極４とを接続する構成としてもよい。

図４（Ｃ）に示す工程では、図４（Ｂ）に示す工程で製作した半導体モジュール１１０が、半導体装置１００を製造するための下金型２０２にセットされる。そして、図５に進み、図５（Ａ）に示す工程では、半導体モジュール１１０を下金型２０２にセットした状態で、下金型２０２に上金型２０１が被せられ、下金型２０２と上金型２０１との型締めが行われる。

ここで、図８は、図５（Ａ）のVIII−VIII線に沿う断面図である。本実施形態では、金型２０１，２０２の型締めが行われることにより、図８に示すように、樹脂枠部５に形成された溝状の連通路５１の開口部分が、上金型２０１により塞がれて、連通路５１と上金型２０１とにより、第１の電極３、第２の電極４、および樹脂枠部５により形成された空間から外部へと、樹脂枠部５を貫通する貫通孔が形成される。

なお、上金型２０１は、ばねにより、半導体モジュール１１０をＺ軸負方向に押圧する押圧部２０３を備えており、金型２０１，２０２の型締めを行うことにより、この押圧部２０３が、半導体モジュール１１０をＺ軸負方向に押圧することで、半導体モジュール１１０が、金型２０１，２０２内において適切に保持されることとなる。

次いで、図５（Ｂ）に示す工程では、半導体素子１，２を封止するために、第２の樹脂６１の注入が行われる。具体的には、上金型２０１に設けられた不図示の注入口から、第２の樹脂６１が、金型２０１，２０２内に高圧力で注入される。

ここで、図９は、図５（Ｂ）に示す工程における、金型２０１，２０２内の空気の流れを説明するための図であり、第２の樹脂６１を金型２０１，２０２内に注入する際の金型２０１，２０２内の空気の流れを矢印で示している。本実施形態では、上金型２０１の右側（Ｘ軸正方向側）に設けられた不図示の注入口から、第２の樹脂６１が金型２０１，２０２内に注入され、図９に示すように、第２の樹脂６１が、第１の電極３、第２の電極４、および樹脂枠部５により形成された空間を、左方向（Ｘ軸負方向）に向かって流動する。そして、第２の樹脂６１の注入に伴い、第１の電極３、第２の電極４、および樹脂枠部５により形成された空間内の空気が、上金型２０１と連通路５１とにより形成された貫通孔、および排出孔２０４を通じて、金型２０１，２０２の外部へと押し出される。

また、図１０は、図５（Ｂ）のX−X線に沿う断面図であり、上金型２０１に設けられた注入口から注入された第２の樹脂６１が、金型２０１，２０２内を流動する際の流動経路を示している。なお、図１０においては、説明の便宜のため、第１の電極３、樹脂枠部５、および、はんだ層１２，２２のみを表示するとともに、金型２０１，２０２内における第２の樹脂６１の流動経路を矢印で表示している。なお、後述する図１３および図１４においても同様である。

本実施形態では、第２の樹脂６１を金型２０１，２０２内に注入するための注入口が、図１０中の右側上部に設けられており、連通路５１が、この注入口から最も離れた場所に位置するように形成されている。このように、連通路５１を、注入口から最も離れた場所に位置するように形成することで、図１０に示すように、第１の電極３、第２の電極４、および樹脂枠部５により形成された空間全体を、注入口から注入された第２の樹脂６１が流れるため、第１の電極３、第２の電極４、および樹脂枠部５により形成された空間内の空気を、外部に適切に排出することができ、ボイドの発生を有効に防止することができる。

なお、図５（Ｂ）に示す工程において、第１の電極３、第２の電極４、および樹脂枠部５により形成された空間内の空気を、より効率的に金型２０１，２０２の外部に排出するために、第２の樹脂６１を金型２０１，２０２内に注入する前に、金型２０１，２０２の内部気圧を減圧する工程を行う構成としてもよい。

そして、第２の樹脂６１の注入を続けることで、図６（Ａ）に示すように、第１の電極３、第２の電極４、および樹脂枠部５により形成された空間内の全ての空気が、上金型２０１と連通路５１とにより形成された貫通孔および排出孔２０４を通って外部に排出され、第１の電極３、第２の電極４、および樹脂枠部５により形成された空間内が、第２の樹脂６１で充填される。

続く図６（Ｂ）に示す工程では、第２の樹脂６１を加熱して硬化させることで、第２の樹脂６１からなる樹脂封止部６が形成され、これにより、半導体素子１，２および一対の電極３，４が、第２の樹脂６１からなる樹脂封止部６によって封止される。そして、樹脂封止部６の形成により、図１および図２に示す半導体装置１００が作製される。

そして、図６（Ｂ）に示す工程で、半導体装置１００が作製された後は、金型２０１，２０２の型開きが行われ、金型２０１，２０２内から作製された半導体装置１００が取り出される。このように、半導体装置１００は製造される。

次に、樹脂枠部５に形成される連通路５１の設計方法について説明する。ここで、図１１は、第２の樹脂６１を金型２０１，２０２内に注入した際に、第２の樹脂６１が連通路５１を流動する流動距離と、連通路５１の連通溝深さＤとの関係のシミュレーション結果を示すグラフである。

具体的には、図１１に示すグラフでは、図３（Ａ）に示す連通路５１の連通溝幅Ｗを５ｍｍとして、１８０℃における粘度が５０Ｐａ・ｓｅｃの第２の樹脂６１を、圧力８５ｋｇｆ／ｃｍ^２で注入する成形条件において、連通路５１の連通溝深さＤごとにおける第２の樹脂６１の流動距離のシミュレーション結果を示している。図１１に示すシミュレーション結果では、連通路５１の連通溝深さＤを２００ｍｍとした場合は、第２の樹脂６１の流動距離は２．５ｍｍ未満となっている。そのため、１８０℃における粘度が５０Ｐａ・ｓｅｃの第２の樹脂６１を圧力８５ｋｇｆ／ｃｍ^２で注入する成形条件において、第２の樹脂６１が連通路５１から外部へと溢れ出てしまうことを防止するために、たとえば、連通路５１の連通溝幅Ｗを５ｍｍ、連通溝深さＤを２００ｍｍ、連通溝長さＬを２．５ｍｍとなるように設計することができる。なお、上記の設計例は一例であり、半導体装置１００の成形条件などにより適宜設計することができる。

以上のように、本実施形態では、図１および図２に示すように、半導体素子１，２と一対の電極３，４とを有する半導体装置１００において、図７に示すように、第１の電極３の周囲を覆うように樹脂枠部５を設け、さらに、図３に示すように、この樹脂枠部５に、樹脂枠部５を貫通する連通路５１を形成する。これにより、本実施形態では、半導体装置１００を製造するために、半導体素子１，２、一対の電極３，４、および樹脂枠部５からなる半導体モジュール１１０を、金型２０１，２０２内にセットしたした際に、図８に示すように、樹脂枠部５に形成された連通路５１の開口部分が、上金型２０１により塞がれ、連通路５１と上金型２０１とにより、樹脂枠部５を貫通する貫通孔が形成される。そして、第１の電極３、第２の電極４、および樹脂枠部５により囲まれた空間内に、第２の樹脂６１を注入した際に、図９に示すように、第１の電極３、第２の電極４、および樹脂枠部５により囲まれた空間内の空気を、連通路５１と上金型２０１とにより形成された貫通孔、および上金型２０１に設けられた排出孔２０４を通して、外部へと排出することができる。これにより、本実施形態では、第１の電極３、第２の電極４、および樹脂枠部５により囲まれた空間内に気泡が残ってしまうボイドの発生を有効に防止することができる。

なお、従来では、ボイドの発生を防止するために、半導体素子１，２から伝達された熱を放熱する放熱板としての機能を有する各電極３，４に貫通孔を設けており、そのため、半導体素子１，２から伝達された熱を放熱するための面積が小さくなってしまい、半導体装置１００の冷却性能を良好に得ることができない場合があった。これに対して、本実施形態では、一対の電極３，４に貫通孔を設けることなく、樹脂枠部５に連通路５１を設けることで、ボイドの発生を有効に防止する構成のため、従来と比べて、半導体装置１００の冷却性能を良好なものとすることもできる。

なお、以上説明した実施形態は、本発明の理解を容易にするために記載されたものであって、本発明を限定するために記載されたものではない。したがって、上記の実施形態に開示された各要素は、本発明の技術的範囲に属する全ての設計変更や均等物をも含む趣旨である。

たとえば、上述した実施形態では、図３に示すように、連通路５１を溝状に形成する構成を例示したが、この構成に限定されず、たとえば、図１２に示すように、連通路５１ａ自体を、樹脂枠部５ａを貫通する貫通孔となるように形成する構成としてもよい。このように、図１２に示す連通路５１ａでは、連通路５１ａ自体が、樹脂枠部５ａを貫通する貫通孔となっているため、第２の樹脂６１を金型２０１，２０２内に注入した際に、金型２０１，２０２内の空気を、連通路５１ａを介して外部に適切に排出することができる。

また、上述した実施形態では、図１０に示すように、連通路５１を、第２の樹脂６１を金型２０１，２０２内に注入するための注入口（不図示）から最も離れた場所に位置するように形成する構成を例示したが、この構成に限定されるものではなく、たとえば、図１３に示すように、注入口が複数存在する場合には、それぞれの注入口から連通路５１ｂまでの距離が等しくなるような位置に、連通路５１ｂを形成する構成としてもよい。すなわち、図１３に示す例では、図１３の右側上部に設けられた注入口から連通路５１ｂまでの距離と、図１３の右側下部に設けられた注入口から連通路５１ｂまでの距離とが等しくなるような位置に、連通路５１ｂが設けられており、これにより、第１の電極３、第２の電極４、および樹脂枠部５により形成された空間全体を、複数の注入口から注入された第２の樹脂６１が適切に流れることができ、第１の電極３、第２の電極４、および樹脂枠部５により形成された空間内の空気を、外部に適切に排出することができる。

さらに、図１４に示すように、連通路５１ｃを、第２の樹脂６１の流動経路が合流するような位置に形成する構成としてもよい。たとえば、半導体素子１と半導体素子２との間を流れる第２の樹脂６１の流動経路と、半導体素子２の周囲を流れる第２の樹脂６１の流動経路とが合流する位置では、他の位置と比べて、第２の樹脂６１の流れが淀み易く、ボイドが発生し易い傾向にある。そのため、図１４に示すように、半導体素子１，２の近傍であり、複数の第２の樹脂６１の流動経路が合流する半導体素子１，２よりも下流側の位置に、連通路５１ｃを形成することで、第１の電極３、第２の電極４、および樹脂枠部５により形成された空間内に気泡が残りにくくすることができ、ボイドの発生をより有効に防止することができる。

また、上述した実施形態では、連通溝５１を設けた樹脂枠部５を形成し、第２の樹脂６１を金型２０１，２０２内に注入する際に、金型２０１，２０２内の空気を、樹脂枠部５に形成した連通路５１を通じて排出する構成を例示したが、図１５に示すように、樹脂枠部５を形成することなく、下金型２０２ａに連通路２０５を形成し、金型２０１，２０２ａ内に第２の樹脂６１を注入する際に、金型２０１，２０２ａ内の空気を、下金型２０２ａに形成した連通路２０５を通じて排出させる構成としてもよい。すなわち、図１５に示すように、下金型２０２ａに溝状の連通路２０５を形成することで、下金型２０２ａと上金型２０１とを型締めした際に、溝状の連通路２０５の開口部分が上金型２０１により塞がれて、金型２０１，２０２ａ内から外部へと貫通する貫通孔が形成される。そのため、第２の樹脂６１を金型２０１，２０２ａ内に注入した際に、金型２０１，２０２ａ内の空気を、連通路２０５と上金型２０１とにより形成された貫通孔および排出孔２０４を通じて、金型２０１，２０２ａに排出することができる。このように、図１５に示す構成では、金型２０１，２０２ａ内の空気を、下金型２０２ａに形成した連通路５１を通じて外部に排出することができるため、ボイドの発生を有効に防止するとともに、一対の電極３，４に貫通孔を形成する場合と比較して、良好な冷却性能を得ることができる。

なお、上述した実施形態の半導体素子１，２は本発明の半導体素子に、第１の電極３は本発明の第１の電極に、第２の電極４は本発明の第２の電極に、樹脂枠部５は本発明の樹脂枠部に、第２の樹脂６１は本発明の第２の樹脂に、樹脂封止部６は本発明の樹脂封止部に、連通路５１は本発明の連通路に、金型２０１，２０２は本発明の型に、排出孔２０４は本発明の排出孔に、それぞれ相当する。

１００…半導体装置
１１０…半導体モジュール
１，２…半導体素子
１１，１２，２１，２２…はんだ層
３…第１の電極
４…第２の電極
５…樹脂枠部
５１…連通路
６…樹脂封止部
６１…第２の樹脂
上金型…２０１
下金型…２０２
押圧部…２０３
排出孔…２０４

Claims (9)

1. 半導体素子が配置される主面を有する第１の電極と、
   前記第１の電極の主面に配置された半導体素子と、
   前記半導体素子を介して、前記第１の電極と対向するように配置された第２の電極と、
   前記第１の電極の周囲を覆う第１の樹脂からなる樹脂枠部と、
   前記第１の電極、前記第２の電極、および前記樹脂枠部により形成される空間に充填された第２の樹脂からなる樹脂封止部と、を備え、
   前記樹脂枠部には、前記第２の樹脂が充填された前記空間から外部へと、前記樹脂枠部を貫通する１以上の連通路が形成されていることを特徴とする半導体装置。
2. 請求項１に記載の半導体装置であって、
   前記樹脂封止部は、前記第２の樹脂を注入するための１以上の注入口を備えた型内に、前記第１の電極、前記第２の電極、および前記半導体素子からなる半導体モジュールを内包させ、前記型に備えられた前記注入口から、前記半導体モジュールが内包された前記型内に前記第２の樹脂を注入することにより形成されることを特徴とする半導体装置。
3. 請求項２に記載の半導体装置であって、
   前記連通路は、前記樹脂枠部の表面に形成された溝状の通路であり、
   前記第２の樹脂封止部を形成するための前記型内に前記半導体モジュールを内包させた際に、前記型により、前記溝状の通路の開口部分が塞がれることによって、前記連通路と前記型とにより、前記第２の樹脂が充填された前記空間から外部へと貫通する貫通孔が形成されるようになっていることを特徴とする半導体装置。
4. 請求項２に記載の半導体装置であって、
   前記連通路は、前記第２の樹脂が充填された前記空間から外部へと、前記樹脂枠部を貫通して形成された貫通孔であることを特徴とする半導体装置。
5. 請求項２〜４のいずれかに記載の半導体装置であって、
   前記連通路は、前記第２の樹脂を注入するための前記型内に前記半導体モジュールを内包させた際に、前記型に形成された前記注入口から最も離れた場所に位置するように形成されていることを特徴とする半導体装置。
6. 請求項２〜４のいずれかに記載の半導体装置であって、
   前記連通路は、前記第２の樹脂を注入するための注入口を複数有する前記型内に前記半導体モジュールを内包させた際に、前記型に形成されたそれぞれの前記注入口から前記連通路までの距離が等しくなるような位置に形成されていることを特徴とする半導体装置。
7. 請求項２〜６のいずれかに記載の半導体装置であって、
   前記連通路は、前記第２の樹脂を注入するための前記型内に前記半導体モジュールを内包させ、前記型に形成された前記注入口から前記第２の樹脂を注入した際に、前記前記第２の樹脂が前記型内で流動する流動経路が合流する合流地点に対応する位置に形成されていることを特徴とする半導体装置。
8. 半導体素子と一対の電極とを有する半導体モジュールを内包させるための型と、
   前記半導体素子を封止するための樹脂を、前記型内に注入するための注入口と、
   前記注入口から前記型内に前記樹脂を注入し、前記樹脂からなる樹脂封止部を形成する際に、前記型内の空気を外部に排出するための排出孔と、を備えることを特徴とする半導体装置の製造装置。
9. 第１の電極の周囲を覆うように、第１の樹脂からなる樹脂枠部を形成する工程と、
   前記樹脂枠部に１以上の連通路を形成する工程と、
   前記第１の電極の主面に半導体素子を実装する工程と、
   前記第１の電極と対向する位置に第２の電極を配置し、前記第２の電極と前記半導体素子とを接続する工程と、
   前記第１の電極、前記第２の電極、および前記樹脂枠部により形成される空間に、第２の樹脂を充填して、前記第２の樹脂からなる樹脂封止部を形成する工程と、を有し、
   前記連通路を形成する工程において、前記連通路を、前記第２の樹脂が充填される前記空間から外部へと、前記樹脂枠部を貫通するように形成することを特徴とする半導体装置の製造方法。

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