JP2013110407A - レチクルアセンブリ、リソグラフィ装置、リソグラフィプロセスにおけるその使用、およびリソグラフィプロセスの単一スキャン移動において2つ以上のイメージフィールドを投影する方法 - Google Patents
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Abstract
【解決手段】第1イメージフィールドおよび第2イメージフィールドが基板上の第1ターゲット部分および第2ターゲット部分上に投影されるリソグラフィプロセスにおいて使用されるレチクルアセンブリMTであって、第1イメージフィールドと第2イメージフィールドとの距離が第1ターゲット部分と第2ターゲット部分との距離に対応するように、第1イメージフィールドを有する第1レチクルMA1および第2イメージフィールドを有する第2レチクルMA2を保持するように配置される、レチクルアセンブリMTである。
【選択図】図4
Description
1.ステップモードにおいては、サポート構造(例えば、マスクテーブル)MTまたは「マスクサポート」ならびに基板テーブルWTまたは「基板サポート」を基本的に静止状態に保ちつつ、放射ビームに付けられたパターン全体を一度にターゲット部分C上に投影する(すなわち、単一静的露光)。その後、基板テーブルWTまたは「基板サポート」は、Xおよび/またはY方向に移動され、それによって別のターゲット部分Cを露光することができる。ステップモードにおいては、露光フィールドの最大サイズによって、単一静的露光時に結像されるターゲット部分Cのサイズが限定される。
2.スキャンモードにおいては、サポート構造(例えば、マスクテーブル)MTまたは「マスクサポート」ならびに基板テーブルWTまたは「基板サポート」を同期的にスキャンする一方で、放射ビームに付けられたパターンをターゲット部分C上に投影する(すなわち、単一動的露光)。サポート構造(例えば、マスクテーブル)MTまたは「マスクサポート」に対する基板テーブルWTまたは「基板サポート」の速度および方向は、投影システムPSの(縮小)拡大率および像反転特性によって決めることができる。スキャンモードにおいては、露光フィールドの最大サイズによって、単一動的露光時のターゲット部分の幅(非スキャン方向)が限定される一方、スキャン動作の長さによって、ターゲット部分の高さ(スキャン方向)が決まる。
3.別のモードにおいては、プログラマブルパターニングデバイスを保持した状態で、サポート構造(例えば、マスクテーブル)MTまたは「マスクサポート」を基本的に静止状態に保ち、また基板テーブルWTまたは「基板サポート」を動かす、またはスキャンする一方で、放射ビームに付けられているパターンをターゲット部分C上に投影する。このモードにおいては、通常、パルス放射源が採用されており、さらにプログラマブルパターニングデバイスは、基板テーブルWTまたは「基板サポート」の移動後ごとに、またはスキャン中の連続する放射パルスと放射パルスとの間に、必要に応じて更新される。この動作モードは、前述の型のプログラマブルミラーアレイといったプログラマブルパターニングデバイスを利用するマスクレスリソグラフィに容易に適用することができる。
Claims (14)
- 第1イメージフィールドおよび第2イメージフィールドが基板上の第1ターゲット部分および第2ターゲット部分上に投影されるリソグラフィプロセスにおいて使用されるレチクルアセンブリであって、前記第1イメージフィールドと前記第2イメージフィールドとの距離が前記第1ターゲット部分と前記第2ターゲット部分との距離に対応するように、前記第1イメージフィールドを有する第1レチクルおよび前記第2イメージフィールドを有する第2レチクルを保持するように配置される、レチクルアセンブリ。
- 前記リソグラフィプロセスの単一スキャン移動において用いることで、前記第1イメージフィールドおよび前記第2イメージフィールドを前記第1ターゲット部分および前記第2ターゲット部分上に続いて投影することができるように配置される、請求項1に記載のレチクルアセンブリ。
- 前記第1イメージフィールドと前記第2イメージフィールドとの前記距離は、単一スキャン移動中、前記第1イメージフィールドを前記第1ターゲット部分上に、かつ、前記第2イメージフィールドを前記第2ターゲット部分上に投影するように構成され、それによって第3ターゲット部分が前記第1ターゲット部分と前記第2ターゲット部分との間に配置される、請求項1または2に記載のレチクルアセンブリ。
- 前記第1レチクルおよび前記第2レチクルの隣接するエッジ間のギャップを覆って光が該ギャップを通過することを避けるように配置された不透明材料のカバーエレメントを備える、請求項1乃至3のいずれか1項に記載のレチクルアセンブリ。
- 前記カバーエレメントは、前記第1イメージフィールドと前記第2イメージフィールドとの間で前記第1レチクルおよび前記第2レチクルのうちの少なくとも1つの一部を覆うように配置される、請求項4に記載のレチクルアセンブリ。
- 前記第1イメージフィールドと前記第2イメージフィールドとの前記距離は5mm未満である、請求項1乃至5のいずれか1項に記載のレチクルアセンブリ。
- 前記第1レチクルおよび前記第2レチクルを保持するホルダを備える、請求項1乃至6のいずれか1項に記載のレチクルアセンブリ。
- 前記ホルダを保持するレチクルサポートを備え、前記ホルダは、前記第1レチクルおよび前記第2レチクルを保持しながら前記レチクルサポート上に載置されるように配置される、請求項7に記載のレチクルアセンブリ。
- 前記ホルダは、前記第1レチクルおよび前記第2レチクルの一方を前記第1レチクルおよび前記第2レチクルの他方に対して位置決めするように構成されたアクチュエータのセットを備える、請求項7または8に記載のレチクルアセンブリ。
- 請求項1乃至9のいずれか1項に記載のレチクルアセンブリを備えるリソグラフィ装置。
- 前記第1レチクルと前記第2レチクルとの間のアライメントを測定するように構成されたアライメントセンサを備える、請求項10に記載のリソグラフィ装置。
- 前記基板ステージの位置決めデバイスが、前記第1レチクルと前記第2レチクルとの間のミスアライメントを補正するように構成される、請求項10または11に記載のリソグラフィ装置。
- 第1イメージフィールドおよび第2イメージフィールドが基板上の第1ターゲット部分および第2ターゲット部分上に投影されるリソグラフィプロセスにおける、該第1イメージフィールドを有する第1レチクルおよび該第2イメージフィールドを有する第2レチクルの使用であって、前記第1イメージフィールドと前記第2イメージフィールドとの距離が前記第1ターゲット部分と前記第2ターゲット部分との距離に対応する、使用。
- リソグラフィプロセスの単一スキャン移動において2つ以上のイメージフィールドを基板上の第1ターゲット部分および第2ターゲット部分上に投影する方法であって、
前記第1イメージフィールドを有する第1レチクルおよび前記第2イメージフィールドを有する第2レチクルを設けるステップと、
前記第1ターゲット部分と前記第2ターゲット部分との距離に対応する前記第1イメージフィールドと前記第2イメージフィールドとの距離を設けるステップと、
を含む、方法。
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