JP2013093420A - サファイア基板の研削方法 - Google Patents
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Abstract
【解決手段】被研削面と被研削面と反対側の支持面とを有し外周部に被研削面および支持面に対してそれぞれ45度の角度を持った面取り部が形成されたサファイア基板の被研削面を研削する研削方法であって、サファイア基板の支持面に保護テープを貼着する保護テープ貼着工程と、保護テープ側を研削装置のチャックテーブルの保持面上に保持し、サファイア基板の被研削面を研削する研削工程とを含み、研削工程は、サファイア基板の支持面側に形成された面取り部の外周面側端部から50μm以上被研削面側の位置で研削を終了する。
【選択図】図3
Description
サファイア基板の支持面に保護テープを貼着する保護テープ貼着工程と、
保護テープ側を研削装置のチャックテーブルの保持面上に保持し、サファイア基板の被研削面を研削する研削工程と、を含み、
該研削工程は、サファイア基板の支持面側に形成された面取り部の外周面側端部から50μm以上被研削面側の位置で研削を終了する、
ことを特徴とするサファイア基板の研削方法が提供される。
図1の(a)および(b)には、本発明によるサファイア基板の研削方法によって研削される光デバイスウエーハの斜視図および要部を拡大して示す断面図が示されている。図1の(a)および(b)に示す光デバイスウエーハ2は、例えば厚みが1300μmのサファイア基板の表面2aに複数のストリート21が格子状に配列されているとともに、該複数のストリート21によって区画された複数の領域に発光ダイオード、レーザーダイオード等の光デバイス22が形成されている。このように形成された光デバイスウエーハ2は、裏面2bを研削して所定の厚みに形成される。従って、光デバイスウエーハ2は、裏面2bが被研削面となり、該被研削面と反対側の表面2aが支持面となる。このように構成された光デバイスウエーハ2は、外周端部が不用意に受ける衝撃によって割れや欠けが発生することを防ぐために、外周部に表面2a(支持面)および裏面2b(被研削面)に対してそれぞれ45度の角度を持った面取り部2cおよび2dが形成されている。なお、面取り部2cおよび2dは、図示の実施形態においては厚み方向の幅(A)と表面2a(支持面)および裏面2b(被研削面)側の幅(B)は、それぞれ50μmに設定されている。
3:環状のフレーム
4:保護テープ
6:研削装置
7:チャックテーブル
72:吸着チャック
8:研削手段
82:回転スピンドル
83:マウンター
84:研削ホイール
86:研削砥石
Claims (2)
- 被研削面と被研削面と反対側の支持面とを有し外周部に被研削面および支持面に対してそれぞれ45度の角度を持った面取り部が形成されたサファイア基板の被研削面を研削する研削方法であって、
サファイア基板の支持面に保護テープを貼着する保護テープ貼着工程と、
保護テープ側を研削装置のチャックテーブルの保持面上に保持し、サファイア基板の被研削面を研削する研削工程と、を含み、
該研削工程は、サファイア基板の支持面側に形成された面取り部の外周面側端部から50μm以上被研削面側の位置で研削を終了する、
ことを特徴とするサファイア基板の研削方法。 - サファイア基板の支持面側に形成された面取り部の厚み方向の幅は50μm以下に設定されており、該研削工程はサファイア基板の被研削面を研削して厚みを100〜120μmに形成する、請求項1記載のサファイア基板の研削方法。
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