JP2013085003A - 半導体装置の製造装置 - Google Patents
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Abstract
【解決手段】チャンバ1内の上部に設けられた、第1の加熱温度を制御する第1の加熱制御機構3と、チャンバ1内の下部に設けられた、第1の加熱制御機構3と独立して第2の加熱温度を制御する第2の加熱制御機構4と、第1の加熱制御機構3を上下方向に移動させる第1の移動機構5と、第2の加熱制御機構4を、第1の移動機構5とは独立して上下方向に移動させる第2の移動機構6とを含む。
【選択図】図1
Description
本発明者は、バンプのリフロー時における隣接バンプ間の短絡が、当該バンプの下方から加熱することに起因して生じることに着目し、本発明に想到した。本発明では、リフロー時において、先ずバンプの上部を当該バンプの溶融温度以上の所定温度に加熱し、当該上部から先に溶融を開始させる。続いて、バンプの下部を当該バンプの溶融温度以上の所定温度に加熱し、当該下部を溶融させる。このとき、バンプの上部は既に溶融が開始してハンダ粘性が低下した状態とされており、当該下部が溶融した段階で当該バンプは偏りなく略均一に溶融し、略球状(或いは半球状)の安定形状をとる。従って、熱振動等が生じても、既に安定形状とされているためにバンプが傾倒等する懸念はなく、各バンプは隣接間で短絡することなく所期の良好なリフロー状態が得られる。
図1は、本実施形態による半導体装置の製造装置の概略構成を示す模式図である。
この半導体装置の製造装置は、被処理対象となる基板、ここでは半導体ウェーハを収容する加熱処理チャンバ1と、加熱処理チャンバ1に収容された基板を支持する支持ピン2と、加熱手段である上部ヒータ3及び下部ヒータ4と、上部ヒータ3及び下部ヒータ4をそれぞれ移動させる移動機構5,6と、加熱処理チャンバ1内を真空引きする真空ポンプ7と、加熱処理チャンバ1内に雰囲気ガスを導入するガス導入機構8とを備えて構成されている。
なお、上部ヒータ3及び下部ヒータ4は、それぞれ独立に、又は同時に(協働して)加熱制御することができる構成を採る。
図2A〜図2Dは、本実施形態で用いるハンダバンプを形成する方法を工程順に示す概略断面図である。図3A〜図5Bは、本実施形態による基板処理方法を工程順に示す模式図である。ここで、図3C,図4A〜図4Cでは、上側の図が加熱処理チャンバ内の様子を、下側の図が上側の図内における矩形枠内のハンダバンプを拡大した様子をそれぞれ示す。
先ず、図2Aに示すように、トランジスタや半導体メモリ等の半導体素子が形成され、これら半導体素子と外部接続するための電極端子11が表面に複数形成されてなる半導体ウェーハ(シリコンウェーハ)10を用意する。
先ず、図3Aに示すように、表面の各電極端子11上にそれぞれハンダバンプ12が形成された状態の半導体ウェーハ10を、図1の半導体装置の製造装置の加熱処理チャンバ1内に導入する。
2 支持ピン
3 上部ヒータ
4 下部ヒータ
5,6 移動機構
7 真空ポンプ
8 ガス導入機構
10 半導体ウェーハ
11 電極端子
Claims (5)
- チャンバ内の上部に設けられた、第1の加熱温度を制御する第1の加熱制御機構と、
前記チャンバ内の下部に設けられた、前記第1の加熱制御機構と独立して第2の加熱温度を制御する第2の加熱制御機構と、
前記第1の加熱制御機構を上下方向に移動させる第1の移動機構と、
前記第2の加熱制御機構を、前記第1の移動機構とは独立して上下方向に移動させる第2の移動機構と
を含むことを特徴とする半導体装置の製造装置。 - 前記第2の加熱制御機構は、前記チャンバ内において、前記第1の加熱制御機構と対向するように設けられていることを特徴とする請求項1に記載の半導体装置の製造装置。
- 前記チャンバ内において、ハンダバンプが設けられている半導体ウェーハを支持し、前記半導体ウェーハを上下方向に移動させる移動機構を有する支持部を更に含むことを特徴とする請求項1又は2に記載の半導体装置の製造装置。
- 前記チャンバ内に還元性ガスを導入するガス導入機構を更に含むことを特徴とする請求項1〜3のいずれか1項に記載の半導体装置の製造装置。
- 前記還元性ガスが蟻酸であることを特徴とする請求項4に記載の半導体装置の製造装置。
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