JP2003318530A

JP2003318530A - リフロー半田付け装置

Info

Publication number: JP2003318530A
Application number: JP2002124557A
Authority: JP
Inventors: Kazuhisa Ikemi; 和尚池見; Keiichi Matsumura; 慶一松村; Hiroaki Sotozono; 洋昭外薗
Original assignee: Fuji Electric Co Ltd
Current assignee: Fuji Electric Co Ltd
Priority date: 2002-04-25
Filing date: 2002-04-25
Publication date: 2003-11-07

Abstract

(57)【要約】【課題】表面実装部品及び挿入実装部品を同時にリフロ
ー半田付けでき、且つそれらの特性劣化及び信頼性低下
のないリフロー半田付け装置を提供する。【解決手段】基板６に搭載される挿入実装部品の内の、
少なくとも、半田付け温度より低い耐熱温度の低耐熱性
挿入実装部品の本体を基板６の下側に配置してリフロー
半田付けするリフロー半田付け装置であって、本加熱ゾ
ーンの基板６のパスラインの下側にダンパ41及びファン
42等の下側空間温度制御手段を備え、予熱ゾーンと本加
熱ゾーンとの境界に熱遮蔽板５を備える。また、上側加
熱手段の赤外線加熱の比率を調節する手段を備えるこ
と、や昇温ゾーンの上側ヒータ32を無くすることによっ
て、表面実装部品の過熱を防止する。

Description

【発明の詳細な説明】

【０００１】

【発明の属する技術分野】この発明は、発展を続けてい
る電子機器の中核と位置付けられるプリント配線板ユニ
ット等の基板ユニットを製造するために基板に電子部品
を実装する実装技術に関する。

【０００２】

【従来の技術】プリント配線板ユニット等の基板ユニッ
トにおいて基板に実装される電子部品には、挿入実装部
品（以下ではＩＭＤと略称する）及び表面実装部品（以
下ではＳＭＤと略称する）の２種類がある。ＩＭＤは、
本体とリードとで構成され、基板に実装される時には、
リードが基板に形成されたスルーホールに挿入されて半
田付けされる。この半田付けには噴流式半田付け装置等
が使用されている。

【０００３】ＳＭＤは、基板上に形成されたメタライズ
層（通常パッドと呼ばれる）上に印刷されたクリーム半
田によって高温雰囲気炉等でリフロー半田付けされる。
基板に実装される電子部品はＩＭＤ及びＳＭＤの両方を
含むので、ＩＭＤを噴流半田方式で半田付けし、ＳＭＤ
をリフロー半田方式で半田付けするという方法で基板ユ
ニットを製造すると、２回の半田付け工程が必要である
から製造工数が多くなる。更に、噴流半田方式による半
田付けの不良発生率は、リフロー半田方式に比べて大幅
に高い。不良発生率の一例を示すと、噴流半田方式では
1000〜1500ppm であるのに対して、リフロー半田方式で
は100 ppm 以下である。

【０００４】このような状況から、製造工数の削減及び
半田付け不良発生率の低減を目的として、ＩＭＤをＳＭ
Ｄと同時にリフロー半田付けで実装しようとする方法が
幾つも開発されてきている。図６（ａ）は、このような
リフロー半田付け装置の一例であって、ＩＭＤもＳＭＤ
と同様に基板上に印刷されたクリーム半田によって半田
付けされる。図７は、リフロー半田付け前の基板６に電
子部品が搭載された状態を示し、基板６のＳＭＤ用メタ
ライズ層（パッド）61上、及びスルーホール62のＩＭＤ
用メタライズ層63の上側面上には、それぞれペースト半
田91及びペースト半田92が印刷されている。ペースト半
田91上にはＳＭＤ７が搭載され、スルーホール62にはＩ
ＭＤ８のリード82が下側から通され、その先端が曲げら
れてペースト半田92上に載せられている。以下では、こ
のようにＳＭＤ７及びＩＭＤ８を搭載した状態の基板６
をＳＭＤ７及びＩＭＤ８を含めて“基板６等、または基
板等”と総称する。

【０００５】なお、ＩＭＤ８の本体81が基板６の下側に
配置されているのは、ＩＭＤ８の中にはその耐熱温度が
半田付け温度未満のものが多いので、ＩＭＤ８の本体81
の温度上昇をできるだけ抑制するためである。図６
（ａ）に示されたリフロー半田付け装置は、筐体１と、
上側ヒータ32及び下側ヒータ31を一組として筐体１内に
並べられた４組のヒータと、上側ヒータ32の上部に配置
されて上側ヒータ32の熱を基板６等へ送るファン33と、
基板６等を搭載して上下のヒータ32及び31の間を移動す
るコンベア２と、で構成され、ほぼ密閉されたトンネル
方式の構造を有している。このリフロー半田付け装置に
おいては、基板６等は、ヒータ31及び32で加熱された雰
囲気気体に接触すること、及びヒータ31及び32から輻射
される赤外線を吸収することによって加熱される。

【０００６】４組のヒータの内のコンベア２の入口側
（図６の左側）の３組が予熱ゾーンを形成し、最終組が
半田付け部である本加熱ゾーンを形成している。予熱ゾ
ーンの初めの１組が、基板６等の温度を室温からペース
ト半田のフラックスを活性化させるフラックス活性化温
度（フラックスの種類によって異なるが、例えば 150℃
〜 190℃）まで昇温させるための昇温ゾーンであり、続
く２組が、フラックス活性化温度を維持してフラックス
を活性化させるためのフラックス活性化ゾーンである。
フラックス活性化ゾーンが、他のゾーンの２倍の長さに
構成されているのは、フラックスの活性化に必要な時間
（例えば60秒〜 120秒）を確保するためである。

【０００７】図８は、図７の状態の基板６等が図６
（ａ）に示すようなリフロー半田付け装置を通過して、
ＳＭＤ７がＳＭＤ用メタライズ層61に半田接合部93でリ
フロー半田付けされ、ＩＭＤ８のリード82がスルーホー
ル62のＩＭＤ用メタライズ層63に半田接合部94でリフロ
ー半田付けされた状態、すなわち実装された状態を示し
ている。

【０００８】

【発明が解決しようとする課題】図６（ａ）のような構
成のリフロー半田付け装置は、前述したように、ほぼ密
閉されたトンネル方式の空間内で基板６等が加熱される
ため、リフロー半田付けされる部分（基板６、ＳＭＤ７
及びＩＭＤ８のリード82の半田付け部）の温度を所定の
温度（例えば 230℃〜 240℃）まで加熱しようとする
と、基板６の下側の空間の温度も上昇して、ＩＭＤ８の
本体81の温度がその耐熱温度（例えば 183℃）を越えて
しまう、という状況になることが多く、その結果とし
て、耐熱温度の低い低耐熱性ＩＭＤの特性の劣化や信頼
性の低下を招くという問題点を有している。

【０００９】図６（ｂ）は、このような状況をモデル的
に示したリフロー半田付け装置内の基板搬送位置に対応
する温度プロフィールであって、太線で基板６の上面の
温度を、細線でＳＭＤ７の温度を、点線でＩＭＤ８の本
体81の温度を示す。所望のリフロー半田付け状態を得る
ためには、リフロー半田付けされる部分は、フラックス
が行き渡った状態で、所定のフラックス活性化温度に所
定の時間以上維持された後、所定の半田付け温度に加熱
されることが必要である。リフロー半田付けされる部分
は、図７における、基板６のＳＭＤ用メタライズ層61及
びＩＭＤ用メタライズ層63と、ＳＭＤ７と、ＩＭＤ８の
リード82のスルーホール62内の部分及び基板６の上部に
ある部分である。したがって、基板６の温度が望ましい
温度プロフィールになることを基準にして、ＩＭＤ８の
リード82の半田付け部の温度及びＳＭＤ７の温度が半田
付けに必要な条件を満たすように、各ゾーンの加熱条件
が設定される。

【００１０】昇温ゾーンにおいては、基板上面温度の昇
温を基準にして、ＩＭＤ８のリード82の半田付け部の温
度もほぼ同等に昇温させようとすると、ＩＭＤ８の本体
81の温度もほぼ同等に昇温させることとなり、図６
（ｂ）に示すように、ＩＭＤ本体温度は基板上面温度よ
りやや低い程度の昇温状態となる。一方、ＳＭＤ７は一
般的に熱容量が小さいものが多く、赤外線の吸収率が高
いものもあるので、図６（ｂ）に示すように、基板６よ
り早く昇温することがある。この傾向は、昇温速度の大
きい赤外線加熱の比率が多くなるとより顕著になり、場
合によっては、ＳＭＤ７の耐熱温度（例えば 240℃）を
越えることもある。

【００１１】フラックス活性化ゾーンはフラックス活性
化温度を維持するゾーンであって、急激な温度変化を必
要としないので、温度維持に必要な熱量を供給すればよ
く、ＩＭＤ８の本体81がその耐熱温度を越えないように
ヒータを制御すればよい。本加熱ゾーンにおいては、リ
フロー半田付けされる部分の温度を所定の温度まで加熱
することが必須条件である。しかし、このために、図６
（ａ）に示す構造のリフロー半田付け装置では、基板６
の下側の空間の温度も上昇して、ＩＭＤ８の本体81の温
度がその耐熱温度を越えてしまう。また、昇温速度の大
きい赤外線加熱の比率によっては、ＳＭＤ７の温度がそ
の耐熱温度を越える心配もある。

【００１２】この発明の課題は、基板６の下側に配置さ
れるＩＭＤ８の本体81の温度をその耐熱温度以下に維持
し、且つ基板６の上面に配置されるＳＭＤ７の温度をそ
の耐熱温度以下に維持して、これらの特性を劣化させた
り信頼性を低下させたりすることがなく、且つ昇温時間
の短縮が可能なリフロー半田付け装置を提供することで
ある。

【００１３】

【課題を解決するための手段】上記の説明から明らかな
ように、図６（ａ）に示すような従来のリフロー半田付
け装置においては、ほぼ密閉されたトンネル方式の空間
内を基板等が搬送されて加熱される。この発明の発明者
は、このようなほぼ密閉された空間内では、基板の上下
に大きな温度差つくり出すことが難しく、仮に下側ヒー
タを全く加熱しなくても、本加熱ゾーンで低耐熱性ＩＭ
Ｄの本体の温度をその耐熱温度以下に維持することが困
難であることを実測データで把握し、合わせて、基板の
上側から加熱する加熱手段の赤外線加熱の比率を制御す
ることがＳＭＤの温度をその耐熱温度以下に維持するた
めに重要であることを把握し、この発明に至った。

【００１４】請求項１の発明は、基板上に印刷されたペ
ースト半田によって、基板に搭載されたＩＭＤ及びＳＭ
Ｄを同時に基板にリフロー半田付けするリフロー半田付
け装置であって、ＩＭＤの内の、少なくとも、耐熱温度
が半田付け温度未満である低耐熱性ＩＭＤを、その本体
が基板の下側になるように配置して基板に搭載する方式
のリフロー半田付け装置において、基板等を通過させる
加熱ゾーンを、リフロー半田付け部をペースト半田のフ
ラックスを活性化させるフラックス活性化温度まで昇温
させる昇温ゾーンと、フラックス活性化温度を維持して
フラックスを活性化させるフラックス活性化ゾーンと、
リフロー半田付け部を半田付け温度まで加熱してリフロ
ー半田付けする本加熱ゾーンと、で構成し、本加熱ゾー
ンには、基板が通過するパスラインの上側から基板等を
加熱する本加熱用上側加熱手段と、基板の下側に配置さ
れた低耐熱性ＩＭＤの本体部の温度をその耐熱温度以下
に維持させる下側空間温度制御手段と、を備える。

【００１５】リフロー半田付けされる部分は、本加熱用
上側加熱手段によって半田付けに必要な温度まで加熱さ
れ、その際に、下側空間温度制御手段が、基板の下側に
配置された低耐熱性ＩＭＤの本体の温度をその耐熱温度
以下に維持する。請求項２の発明は、請求項１の発明に
おいて、昇温ゾーンの加熱手段として、基板のパスライ
ンの下側から基板等を加熱する昇温用下側加熱手段のみ
を備える。

【００１６】昇温ゾーンを下側からの加熱手段のみで加
熱するので、基板の上面に配置されるＳＭＤの温度が基
板より高温に加熱されることがなく、ＳＭＤの過熱を心
配することなく昇温速度を大きくすることができる。し
かも、ＳＭＤの熱容量は小さいので、フラックス活性化
温度に到達するのがそれほど遅れず、フラックスの活性
化に支障をきたすことはない。

【００１７】請求項３の発明は、請求項１の発明におい
て、フラックス活性化ゾーンと本加熱ゾーンとの境界部
にゾーン間熱遮蔽手段を備える。ゾーン間熱遮蔽手段が
フラックス活性化ゾーンと本加熱ゾーンとの熱干渉を防
止するので、本加熱ゾーンの本加熱用上側加熱手段の加
熱効率及び下側空間温度制御手段の冷却効率が高まりそ
れぞれがより有効に機能する。

【００１８】請求項４の発明は、請求項１の発明におい
て、前記下側空間温度制御手段として、外気を導入する
ダンパ、熱交換器等の冷却機構及び冷却ファンのいずれ
かまたはこれらの組み合わせを備える。冷却ファンで下
部のあまり加熱されていない気体を送って低耐熱性ＩＭ
Ｄの温度を下げることができるし、リフロー半田付けの
雰囲気が空気の場合には、ダンパで外気を導入すること
によって低耐熱性ＩＭＤの温度を下げることができ、リ
フロー半田付けの雰囲気が空気以外の場合には、外気と
遮蔽された構造の熱交換器等の冷却機構で低耐熱性ＩＭ
Ｄの温度を下げることができる。更に、ダンパまたは熱
交換器等にファンを併用すれば冷却効果をより高めるこ
とができる。

【００１９】請求項５の発明は、請求項１の発明におい
て、前記各ゾーンの加熱手段の内の少なくとも前記本加
熱用上側加熱手段として、熱風加熱方式の加熱手段及び
赤外線加熱方式の加熱手段を備える。熱風加熱方式は、
温度の均一性に優れているが、加熱に要する時間が長
い。この長い加熱所要時間は、熱風加熱方式に加熱所要
時間が短い赤外線加熱方式を併用することによって短縮
される。

【００２０】請求項６の発明は、請求項５の発明におい
て、前記赤外線加熱方式の加熱手段から基板及び搭載実
装部品に輻射される赤外線量を制御する赤外線量制御手
段を備える。加熱所要時間が短い赤外線加熱方式は、加
熱される対象物の熱容量や赤外線吸収率によって、加熱
対象物に温度差を生じさせるので、加熱所要時間を短縮
するために赤外線加熱方式を併用する場合には、基板上
に搭載されるＳＭＤの種類や配置状況等に合わせて、Ｓ
ＭＤがその耐熱温度を越える温度まで加熱されないよう
に、熱風加熱方式による熱量に対する赤外線加熱方式に
よる熱量の比率を調節することが必要であり、赤外線量
制御手段はその比率を調節する。

【００２１】請求項７の発明は、請求項６の発明におい
て、前記赤外線量制御手段として、赤外線加熱方式の加
熱手段と基板との距離を調節する赤外線源・基板間距離
調節手段、及び前記赤外線加熱方式の加熱手段が基板側
へ照射する赤外線の一部を遮蔽する赤外線通過量調節手
段、のいずれかまたは両方を備える。赤外線源・基板間
距離調節手段も赤外線通過量調節手段も基板等に到達す
る赤外線量を調節する一般的で有効な手段であり、両者
を併用するとその調節範囲が更に広がる。

【００２２】請求項８の発明は、請求項１の発明におい
て、前記下側空間温度制御手段が他の加熱手段からの熱
を遮蔽する本加熱ゾーン下側熱遮蔽手段を備える。本加
熱ゾーン下側熱遮蔽手段が他の加熱手段からの熱を遮蔽
するので、下側空間温度制御手段が本加熱ゾーンの基板
の下側の温度をより正確に制御することができる。

【００２３】請求項９の発明は、請求項８の発明におい
て、前記本加熱ゾーン下側熱遮蔽手段が、基板との距離
を調節する熱遮蔽手段・基板間距離調節手段及び上部開
口面積を調節する開口面積調節手段を備える。両調節手
段によって本加熱ゾーン下側熱遮蔽手段の効果が制御さ
れるので、下側空間温度制御手段が本加熱ゾーンの基板
の下側の温度を更に一層正確に制御することができる。

【００２４】請求項１０の発明は、基板上に印刷された
ペースト半田によって、基板に搭載されたＩＭＤ及びＳ
ＭＤを同時に基板にリフロー半田付けするリフロー半田
付け装置であって、ＩＭＤの内の、少なくとも、耐熱温
度が半田付け温度未満である低耐熱性ＩＭＤを、その本
体が基板の下側になるように配置して基板に搭載する方
式のリフロー半田付け装置において、熱風発生手段と、
基板等を覆って熱風発生手段からの熱風を基板等に導く
熱風ガイドと、熱風ガイドと基板との距離を調節する熱
源上下移動手段と、で構成される可動式熱風加熱手段の
一対を備え、一対の可動式熱風加熱手段の一方を基板の
上側から基板等を加熱する位置に配し、一対の可動式熱
風加熱手段の他方を基板の下側から基板等を加熱する位
置に配し、リフロー半田付け部をペースト半田のフラッ
クスを活性化させるフラックス活性化温度まで昇温させ
る際には、上側の可動式熱風加熱手段を基板から離し且
つ下側の可動式熱風加熱手段を基板に接近させて基板等
を加熱し、フラックス活性化温度を維持してフラックス
を活性化させる際には、上側の可動式熱風加熱手段を基
板に接近させて基板の上側からも基板等を加熱し、リフ
ロー半田付け部を半田付け温度まで加熱してリフロー半
田付けする際には、上側の可動式熱風加熱手段を基板に
更に接近させ且つ下側の可動式熱風加熱手段を基板から
離して基板等を加熱する。

【００２５】上記のような構成の可動式熱風加熱手段
は、熱風ガイドを基板に近づけた状態で熱風を送り出す
場合には、加熱手段として機能するが、熱風ガイドを基
板から離した状態では熱風を送り出している状態におい
ても、十分な加熱手段として機能せず、基板の周辺は開
放状態となって周囲の空気で冷却される状態となる。更
に、基板との距離及び吹き出す風の風量及び温度を調節
することによって、細かい温度調節機能をもたせること
もできる。言い換えれば、上下一対の可動式熱風加熱手
段を備えた装置で、上記のように可動式熱風加熱手段の
位置を調節すれば、昇温ゾーン、フラックス活性化ゾー
ン及び本加熱ゾーンを有するリフロー半田付け装置と同
じ機能をもたせることができる。リフロー半田付け部を
半田付け温度まで加熱してリフロー半田付けする本加熱
ゾーンに相当する熱処理においては、基板の下側の空間
の温度が下側の可動式熱風加熱手段の位置によって随意
に制御できるので、低耐熱性ＩＭＤの温度をその耐熱温
度以下に確実に維持することができる。また、リフロー
半田付け部をフラックス活性化温度まで昇温させる昇温
ゾーンに相当する熱処理においては、上側の可動式熱風
加熱手段を基板から離すとともに下側の可動式熱風加熱
手段を基板に接近させて基板等を加熱することによっ
て、基板の上面に配置されるＳＭＤは下側の可動式熱風
加熱手段によって間接的に加熱される状態となるので、
ＳＭＤの温度が基板の温度より遅れて上昇して、ＳＭＤ
が過熱されることがなく、ＳＭＤの過熱を心配すること
なく基板等の昇温速度を大きくすることができる。しか
も、ＳＭＤの熱容量は小さいので、フラックス活性化温
度に到達するのがそれほど遅れず、フラックスの活性化
に支障をきたすことはない。

【００２６】請求項１１の発明は、基板上に印刷された
ペースト半田によって、基板に搭載されたＩＭＤ及びＳ
ＭＤを同時に基板にリフロー半田付けするリフロー半田
付け装置であって、ＩＭＤの内の、少なくとも、耐熱温
度が半田付け温度未満である低耐熱性ＩＭＤを、その本
体が基板の下側になるように配置して基板に搭載する方
式のリフロー半田付け装置において、基板等を通過させ
る加熱ゾーンを、リフロー半田付け部をペースト半田の
フラックスを活性化させるフラックス活性化温度まで昇
温させる昇温ゾーンと、フラックス活性化温度を維持し
てフラックスを活性化させるフラックス活性化ゾーン
と、リフロー半田付け部を半田付け温度まで加熱してリ
フロー半田付けする本加熱ゾーンと、で構成し、少なく
とも昇温ゾーン及び本加熱ゾーンには、それぞれに、熱
風発生手段と、基板等を覆って熱風発生手段からの熱風
を基板等に導く熱風ガイドと、熱風ガイドと基板との距
離を調節する熱源上下移動手段と、で構成される可動式
熱風加熱手段の一対を備え、一対の可動式熱風加熱手段
の一方を基板が通過するパスラインの上側から基板等を
加熱する位置に配し、一対の可動式熱風加熱手段の他方
を基板が通過するパスラインの下側から基板等を加熱す
る位置に配する。

【００２７】この発明の可動式熱風加熱手段は、請求項
１０の発明の可動式熱風加熱手段と同じ構成であって、
同じ機能を備えており、基板との距離を調節することに
よって、ＳＭＤ及び低耐熱性ＩＭＤの本体の温度を制御
することができる。請求項１２の発明は、請求項１０の
発明または請求項１１の発明において、前記熱風ガイド
内に熱風を追加加熱する追加加熱手段を備える。

【００２８】熱風ガイド内に追加加熱手段を備えること
によって、基板に送られる熱風の温度の均一性が改善さ
れる。請求項１３の発明は、請求項１２の発明におい
て、前記追加加熱手段の少なくとも基板側の面を高い赤
外線輻射性能を有する面とする。追加加熱手段の基板側
の面が高い赤外線輻射性能を有するので、追加加熱手段
が赤外線ヒータとしても機能し、赤外線加熱の併用で加
熱時間を短縮することができる。

【００２９】

【発明の実施の形態】この発明によるリフロー半田付け
装置は、基板上に印刷されたペースト半田によって、基
板に搭載されたＩＭＤ及びＳＭＤを同時に基板にリフロ
ー半田付けするリフロー半田付け装置であって、ＩＭＤ
の内の、少なくとも、耐熱温度が半田付け温度未満であ
る低耐熱性ＩＭＤを、その本体が基板の下側になるよう
に配置して基板に搭載する方式のリフロー半田付け装置
であり、このリフロー半田付け装置でリフロー半田付け
される基板には、例えば図７に示すように電子部品が搭
載される。この発明の第１の特徴は、低耐熱性ＩＭＤの
本体の温度を本加熱時においてもその耐熱温度以下に維
持するために、本加熱ゾーンの基板のパスラインの下側
に下側空間温度制御手段を備えることであり、第２の特
徴は、赤外線加熱で昇温し易いＳＭＤが過熱されない範
囲で昇温時間を短縮するために、基板上に搭載されるＳ
ＭＤの種類や配置状況等に合わせて、熱風加熱方式によ
る熱量に対する赤外線加熱方式による熱量の比率を調節
する手段を備えることである。

【００３０】以下において、この発明によるリフロー半
田付け装置の実施の形態について実施例を用いてより詳
しく説明する。なお、従来技術と同じ機能の部分には同
じ符号を用いる。〔第１の実施例〕図１は、この実施例の構成と温度プロ
フィールとを示し、（ａ）はその構成を示す断面図、
（ｂ）はその温度プロフィールをモデル的に示す線図で
ある。図１からも明らかなように、この実施例は、図６
（ａ）に示した従来例と同様のほぼ密閉されたトンネル
方式のリフロー半田付け装置である。

【００３１】予熱ゾーンである昇温ゾーン及びフラック
ス活性化ゾーンは、図６（ａ）と全く同じ構成であり、
図６（ａ）と異なるのは、予熱ゾーンと本加熱ゾーンと
の境界に断熱材板、アルミ板またはステンレス鋼板製の
熱遮蔽板５が配置されていること、及び、本加熱ゾーン
の下側に下側ヒータを備えないで、筐体１にダンパ41を
取り付け、且つダンパ41の直上にファン42を備えている
こと、である。

【００３２】既述したように、従来技術においては、本
加熱ゾーンの基板の下側の温度が高くなって、低耐熱性
ＩＭＤの温度がその耐熱温度を越えて上昇してしまう。
この温度上昇を抑制して低耐熱性ＩＭＤの温度をその耐
熱温度以下に維持するために、この実施例では、熱遮蔽
板５で予熱ゾーンからの熱の流入を防止し、ダンパ41及
びファン42で外気を導入してこの空間の温度を低下させ
る。すなわち、ダンパ41及びファン42は、本加熱ゾーン
の下側空間温度制御手段である。ダンパ41の開け方及び
ファン42の送風能力を調節することによって、ＩＭＤの
本体の温度を耐熱温度以下に保ちながら、ＩＭＤのリー
ドの半田付け部の温度を半田付け温度にする。このよう
に調節した状態の温度プロフィールが図１（ｂ）であ
る。

【００３３】なお、熱遮蔽板５は、本加熱ゾーンの上部
ヒータ32の熱が予熱ゾーンへ逃げることを防止して、本
加熱ゾーンの上部ヒータ32の加熱熱効率を高める働きも
している。筐体１内の雰囲気を空気以外の雰囲気、例え
ば窒素雰囲気にする場合には、この実施例のダンパ41を
熱交換器に置き換えればよい。

【００３４】なお、この実施例においては、ダンパ41及
びファン42を併用しているが、いずれかだけで必要な冷
却効果が得られれば、他方を省略することもできる。〔第２の実施例〕この実施例は、第１の実施例の昇温ゾ
ーンに上部ヒータを備えないものであり、図５はその温
度プロフィールをモデル的に示す線図である。すなわ
ち、図１（ａ）の昇温ゾーンの加熱手段が下側ヒータ31
のみになった構成である。

【００３５】昇温ゾーンに上部ヒータ32を備えないこと
によって、基板６の上面に搭載されるＳＭＤは下側ヒー
タ31によって間接的に加熱される状態となるので、ＳＭ
Ｄの温度が基板６の温度より遅れて上昇し、過熱される
ことがない。しかも、ＳＭＤの熱容量は小さいので、フ
ラックス活性化温度に到達するのがそれほど遅れず、フ
ラックスの活性化に支障をきたすことはない。

【００３６】〔第３の実施例〕図２は、第３の実施例の
構成を示す本加熱ゾーンの断面図である。この実施例で
は、本加熱ゾーンの上側からの加熱手段として、熱風加
熱方式の加熱手段である熱風発生機34と赤外線加熱方式
の加熱手段である赤外線ヒータ35とを併用しており、本
加熱ゾーンの下側には、基板６の下側空間の温度を制御
して低耐熱性ＩＭＤの温度をその耐熱温度以下に維持す
るための下側空間温度制御手段として、ダンパ41及びフ
ァン42とこれらを囲う熱遮蔽部材44と冷却ガス導入管43
とを備えている。

【００３７】加熱手段として、熱風加熱方式と赤外線加
熱方式とを併用するのは、温度の均一性には優れるが昇
温所要時間が長い熱風加熱方式を、加熱の均一性には劣
るが昇温速度の速い赤外線加熱方式で補うことによっ
て、必要な温度の均一性を確保しながら昇温所要時間を
できるだけ短くして、リフロー半田付けの所要時間を短
くするのが目的である。

【００３８】基板６に搭載されるＩＭＤ及びＳＭＤの種
類や配置状況等に合わせて、赤外線加熱の導入比率を決
める。赤外線加熱によれば大きな温度差が発生するよう
な搭載部品の場合には、熱風加熱方式だけまたは熱風加
熱方式を主体とし、赤外線加熱によっても問題になるほ
どの温度差が発生しない搭載部品の場合には、赤外線加
熱方式だけまたは赤外線加熱方式を主体として加熱所要
時間を短縮し、両者の中間の状態の場合には、温度の均
一性と所要時間とのバランスを図って両加熱方式を適当
な比率で併用する。

【００３９】熱風発生機34は、筐体１の上面を貫通して
配置され、外部から吸い込んで加熱した空気を熱風とし
て基板６等へ送って基板６等を加熱する。赤外線ヒータ
35は、不図示の移動機構に保持されて、基板６と熱風発
生機34との中間位置に配置され、赤外線を基板６等へ輻
射して基板６等を加熱する。赤外線ヒータ35と基板６と
の中間位置には、赤外線量を制御するための赤外線量制
御部材36が必要に応じて取り付けられる。赤外線量制御
部材36としては、例えばステンレス鋼製メッシュや多孔
板が使用される。赤外線ヒータ35と基板６との距離、や
赤外線量制御部材36の遮光率及びその着脱等は、基板６
にリフロー半田付けされる電子部品（ＩＭＤ及びＳＭ
Ｄ）の種類や配置等によって、必要な半田付け条件を確
保しながら、それらの電子部品の耐熱温度に見合うよう
に選定される。

【００４０】下側空間のダンパ41及びファン42は、第１
の実施例と同じ目的で設置されるが、これらを含めた下
側空間を断熱材からなる熱遮蔽部材44で囲っているの
は、ダンパ41及びファン42等の冷却効果を高めるためで
ある。なお、熱遮蔽部材44を上下に移動させたり、その
上部の開口部の面積を調節したりすることによっても、
ダンパ41及びファン42等の冷却効果を制御することがで
きる。

【００４１】また、装置内の雰囲気を窒素等の雰囲気に
する場合には、熱風発生機34に窒素ガス等を送り込み、
且つ下側のダンパ41は閉じて冷却ガス導入管43から窒素
ガス等を送り込むことで対応できるし、ダンパ41を熱交
換機に置き換えることも有効である。この実施例によれ
ば、許容限度内の赤外線加熱を熱風加熱に併用できるの
で、リフロー半田付けの所要時間を第１の実施例または
第２の実施例の場合より短くすることができる。

【００４２】〔第４の実施例〕図３は、第４の実施例で
ある可動熱風源式のリフロー半田付け装置の構成を示す
側面図である。この実施例は、上記３つの実施例のよう
なほぼ密閉されたトンネル方式のリフロー半田付け装置
ではなく、筐体をもたず、基板６を挟んで上下に移動で
きる一対の熱風加熱手段（可動熱風源）37及び38を備え
たものである。上下一対の可動熱風源37及び38は、それ
ぞれにファン371 及び381 と、ファン371 及び381 が送
り込む空気を加熱する加熱源372 及び382 と、加熱され
た空気を基板６等へ均等に導く熱風ガイド373 及び383
と、これらを上下に移動させる上下移動機構374 及び38
4 と、基板６等を搬送するコンベア２とで構成されてい
る。

【００４３】なお、この実施例の場合には、コンベア２
を手動式の簡単な搬送手段に置き換えることも可能であ
る。熱風ガイド373 または383 を基板６に接近させた状
態で、熱風が送られると、基板６等は熱風で加熱され
る。一方、熱風ガイド373 または383 を基板６から離す
と、基板６等の周囲は開放状態となるので、熱風ガイド
373 または383 からの熱風が周囲の空気を巻き込む。そ
のため、熱風が基板６等へ到達した時には、その温度が
低下しており、離す距離が大きくなると、基板６等へ到
達しない場合もある。このように、熱風ガイド373 また
は383 と基板６との距離によって、基板６等の加熱状況
が大幅に変化するので、この実施例を用いると、以下に
説明するように、熱風ガイド373 または383 の位置を調
節することによって、リフロー半田付けに必要な予備加
熱から本加熱までの熱処理を実行することができる。

【００４４】このような熱風加熱手段をもつ装置におい
ては、運転の途中で熱風温度を急激に変化させることは
困難である。そのため、運転時には、上側の可動熱風源
37は、基板６等に接近させた状態では基板６等を本加熱
ゾーンと同じ温度まで加熱できる熱風を供給している状
態に設定され、下側の可動熱風源38は、基板６等に接近
させた状態では基板６等を昇温ゾーンと同じ温度まで加
熱できる熱風を供給している状態に設定される。

【００４５】このように設定された状態で、まず、上側
の可動熱風源37を上方に移動させ、且つ下側の可動熱風
源38をコンベア２に最も接近させた状態で、基板６等を
熱風ガイド383 の中央の直上にコンベア２で送り込ん
で、トンネル炉方式の昇温ゾーンに相当する熱処理を
し、次に、上側の可動熱風源37を基板６等にある程度ま
で近づけて基板６等を上側からも加熱できる状態とし、
且つ下側の可動熱風源38をコンベア２から幾らか離して
基板６等の昇温を止め、基板６等がフラックス活性化温
度を維持できる状態とし、その状態を所定のフラックス
活性化時間、例えば90秒、維持して、トンネル炉方式の
フラックス活性化ゾーンに相当する熱処理をし、続い
て、上側の可動熱風源37を基板６等に最も接近させ、且
つ下側の可動熱風源38をコンベア２から離して、トンネ
ル炉方式の本加熱ゾーンに相当する熱処理をし、基板６
に搭載された実装部品をリフロー半田付けし、最後に、
上側の可動熱風源37を基板６等から離して、リフロー半
田付けされた基板６等を冷却する。

【００４６】上記の方法によってリフロー半田付けする
と、本加熱ゾーンに相当する熱処理においては、基板６
の下側の空間の温度が下側の可動熱風源38の位置によっ
て随意に制御できるので、低耐熱性ＩＭＤの温度をその
耐熱温度以下に確実に維持することができる。また、昇
温ゾーンに相当する熱処理では、上側の可動熱風源37を
上方に移動させるとともに下側の可動熱風源38をコンベ
ア２に最も接近させることによって、コンベア２により
熱風ガイド383 の中央の直上に送り込まれた基板６の上
面に搭載されるＳＭＤは下側の可動熱風源38によって間
接的に加熱される状態となるので、ＳＭＤの温度が基板
６の温度より遅れて上昇し、ＳＭＤが過熱されることが
ない。しかも、ＳＭＤの熱容量は小さいので、フラック
ス活性化温度に到達するのがそれほど遅れず、フラック
スの活性化に支障をきたすことはない。

【００４７】この実施例においては、上記のように、上
下一対の可動熱風源37及び38を１組だけ用いることによ
ってリフロー半田付けを実行しているが、上下一対の可
動熱風源37及び38を３〜４組並べて、昇温ゾーンから本
加熱ゾーンまでを構成して、インラインのリフロー半田
付け装置とすることもできる。更に、図１の構成のリフ
ロー半田付け装置の本加熱ゾーンだけを上下一対の可動
熱風源37及び38に置き換えることも、昇温ゾーンと本加
熱ゾーンとを上下一対の可動熱風源37及び38に置き換え
ることも可能であり、更には、昇温ゾーンを下側の可動
熱風源38だけの構成にすることも、本加熱ゾーンを上側
の可動熱風源37だけの構成にすることも可能である。

【００４８】〔第５の実施例〕図４は、第５の実施例の
構成を示す部分図であり、この実施例は、第４の実施例
の熱風ガイド373 内に熱風の追加加熱手段であるセラミ
ックヒータ375 を備えたものである。図示していない
が、下側の熱風ガイド内にも同様のセラミックヒータを
備えてもよい。

【００４９】熱風ガイド373 内に熱風の追加加熱手段で
あるセラミックヒータ375 を備えることによって、基板
等に送られる熱風の温度の均一性が改善され、基板等の
加熱の均一性が向上する。更に、セラミックヒータ375
の基板側の面を赤外線輻射性能の優れた面にすることに
よって、熱風加熱に加えて赤外線加熱を利用できるよう
にすることもできる。

【００５０】

【発明の効果】請求項１の発明においては、リフロー半
田付けされる部分は、本加熱用上側加熱手段によって半
田付けに必要な温度まで加熱され、その際に、下側空間
温度制御手段が、基板の下側に配置された低耐熱性ＩＭ
Ｄの本体の温度をその耐熱温度以下に維持するので、低
耐熱性ＩＭＤの特性劣化や信頼性低下を生じさせること
がない。したがって、この発明によれば、基板の下側に
配置された低耐熱性ＩＭＤの特性を劣化させたり信頼性
を低下させたりすることがないリフロー半田付け装置を
提供することができる。

【００５１】請求項２の発明は、昇温ゾーンの加熱手段
として、基板のパスラインの下側から基板等を加熱する
昇温用下側加熱手段のみを備えるので、昇温ゾーンは下
側からの加熱手段のみで加熱され、基板の上面に配置さ
れるＳＭＤの温度が基板より高温に加熱されることがな
く、ＳＭＤの過熱を心配することなく昇温速度を大きく
することができる。したがって、この発明によれば、昇
温ゾーンにおいてＳＭＤがその耐熱温度を越えて加熱さ
れることがないリフロー半田付け装置を提供することが
できる。

【００５２】請求項３の発明においては、熱遮蔽手段が
フラックス活性化ゾーンと本加熱ゾーンとの熱干渉を防
止するので、本加熱ゾーンの本加熱用上側加熱手段の加
熱効率及び下側空間温度制御手段の冷却効率が高まり、
それぞれがより有効に機能する。請求項４の発明は、下
側空間温度制御手段として、外気を導入するダンパ、熱
交換器等の冷却機構及び冷却ファンのいずれかまたはこ
れらの組み合わせを備えるので、冷却ファンで下部のあ
まり加熱されていない気体を送って低耐熱性ＩＭＤの温
度を下げることができるし、リフロー半田付けの雰囲気
が空気の場合には、ダンパで外気を導入することによっ
て低耐熱性ＩＭＤの温度を下げることができ、リフロー
半田付けの雰囲気が空気以外の場合には、外気と遮蔽さ
れた構造の熱交換器等の冷却機構で低耐熱性ＩＭＤの温
度を下げることができる。更に、ダンパまたは熱交換器
等にファンを併用すれば冷却効果をより高めることがで
きる。下側空間温度制御手段に要求される冷却能力は、
リフロー半田付けの雰囲気や低耐熱性ＩＭＤの耐熱温
度、基板への取り付け状態、基板の下側への熱の侵入状
態等に応じて変わるので、この発明によれば、そのよう
な種々の状況に対応することができる。

【００５３】請求項５の発明は、各ゾーンの加熱手段の
内の少なくとも前記本加熱用上側加熱手段として、熱風
加熱方式の加熱手段及び赤外線加熱方式の加熱手段を備
えるので、温度の均一性に優れているが加熱所要時間の
長い熱風加熱方式を、加熱に要する時間が短い赤外線加
熱方式が補って、加熱所要時間を短縮することができ
る。

【００５４】請求項６の発明は、赤外線加熱方式の加熱
手段から基板等に輻射される赤外線量を制御する赤外線
量制御手段を備えるので、熱風加熱方式による熱量に対
する赤外線加熱方式による熱量の比率を調節することが
でき、基板上に搭載されるＳＭＤの種類や配置状況等に
合わせて、ＳＭＤがその耐熱温度を越える温度まで加熱
されないような加熱条件を設定することができる。

【００５５】請求項７の発明は、赤外線量制御手段とし
て、赤外線加熱方式の加熱手段と基板との距離を調節す
る赤外線源・基板間距離調節手段、及び前記赤外線加熱
方式の加熱手段が基板側へ照射する赤外線の一部を遮蔽
する赤外線通過量調節手段、のいずれかまたは両方を備
える。赤外線源・基板間距離調節手段も赤外線通過量調
節手段も基板等に到達する赤外線量を調節する一般的で
有効な手段であり、両者を併用するとその調節範囲が更
に広がる。

【００５６】請求項８の発明においては、下側空間温度
制御手段が他の加熱手段からの熱を遮蔽する本加熱ゾー
ン下側熱遮蔽手段を備えるので、下側空間温度制御手段
が本加熱ゾーンの基板の下側の温度をより正確に制御す
ることができる。請求項９の発明においては、本加熱ゾ
ーン下側熱遮蔽手段が、基板との距離を調節する熱遮蔽
手段・基板間距離調節手段及び上部開口面積を調節する
開口面積調節手段を備えるので、両調節手段によって本
加熱ゾーン下側熱遮蔽手段の冷却効果が制御され、下側
空間温度制御手段が本加熱ゾーンの基板の下側の温度を
更に一層正確に制御することができるようになる。

【００５７】請求項１０の発明においては、熱風発生手
段と、基板を覆って熱風発生手段からの熱風を基板に導
く熱風ガイドと、熱風ガイドと基板との距離を調節する
熱源上下移動手段と、で構成される可動式熱風加熱手段
の一対を備え、一対の可動式熱風加熱手段の一方を基板
の上方から加熱する位置に配し、一対の可動式熱風加熱
手段の他方を基板の下方位置から加熱する位置に配し、
少なくとも基板及び挿入実装部品のリードの半田付け部
をペースト半田のフラックスを活性化させるフラックス
活性化温度まで昇温させる際には、基板の上方に配した
可動式熱風加熱手段を基板から離して、基板の下方に配
した可動式熱風加熱手段で基板等を加熱し、フラックス
活性化温度を維持してフラックスを活性化させる際に
は、基板の上方に配した可動式熱風加熱手段を基板にあ
る程度接近させて、基板上面部もフラックス活性化温度
に加熱し、基板、挿入実装部品のリード部の半田付け部
及び表面実装部品を半田付け温度まで加熱してリフロー
半田付けする際には、基板の上方に配した可動式熱風加
熱手段を基板に更に接近させ、基板の下方に配した可動
式熱風加熱手段を基板から離して、基板の上方に配した
可動式熱風加熱手段で基板等を加熱する。

【００５８】上記のような構成の可動式熱風加熱手段
は、熱風ガイドを基板に近づけた状態で熱風を送り出す
場合には、加熱手段として機能するが、熱風ガイドを基
板から離した状態では熱風を送り出している状態におい
ても、十分な加熱手段として機能せず、基板の周辺は開
放状態となって周囲の空気で冷却される状態となる。更
に、基板との距離及び吹き出す風の風量及び温度を調節
することによって、細かい温度調節機能をもたせること
もできる。言い換えれば、上下一対の可動式熱風加熱手
段を備えた装置で、上記のように可動式熱風加熱手段の
位置を調節すれば、昇温ゾーン、フラックス活性化ゾー
ン及び本加熱ゾーンを有するリフロー半田付け装置と同
じ機能をもたせることができる。したがって、この発明
によれば、上下一対の可動式熱風加熱手段を備えた装置
で、昇温ゾーン、フラックス活性化ゾーン及び本加熱ゾ
ーンを有するリフロー半田付け装置と同様のリフロー半
田付けが可能である。

【００５９】請求項１１の発明においては、少なくとも
昇温ゾーン及び本加熱ゾーンに、熱風発生手段と、基板
を覆って熱風発生手段からの熱風を基板に導く熱風ガイ
ドと、熱風ガイドと基板との距離を調節する熱源上下移
動手段と、で構成される可動式熱風加熱手段を備える。
このような可動式熱風加熱手段は、熱風ガイドを基板に
近づけた状態で熱風を送り出す場合には、加熱手段とし
て機能するし、熱風ガイドを基板から離した状態で熱風
を送り出さなければ、基板の周辺が開放状態となるの
で、その部分は周囲の空気で冷却される空冷状態とな
る。更に、基板との距離及び吹き出す風の温度を調節す
ることによって、細かい温度調節機能をもたせることも
できる。したがって、この発明によれば、低耐熱性ＩＭ
Ｄを含めたリフロー半田付けを望ましい温度プロフィー
ルで実行することができるリフロー半田付け装置を提供
することができる。

【００６０】請求項１２の発明においては、熱風ガイド
内に熱風を追加加熱する追加加熱手段を備えるので、基
板に送られる熱風の温度の均一性が改善され、電子部品
をその耐熱温度を越えて加熱することがなく、且つより
望ましいリフロー半田付け条件を得ることができる。請
求項１３の発明においては、追加加熱手段の基板側の面
を高い赤外線輻射性能を有する面とするので、追加加熱
手段が赤外線ヒータとしても機能し、赤外線加熱の併用
で加熱時間を短縮することができる。

【図面の簡単な説明】

【図１】この発明によるリフロー半田付け装置の第１の
実施例の構成と温度プロフィールとを示し、（ａ）はそ
の構成を示す断面図、（ｂ）はその温度プロフィールを
モデル的に示す線図

【図２】第３の実施例の構成を示す本加熱ゾーンの断面
図

【図３】第４の実施例である可動熱風源式リフロー半田
付け装置の構成を示す側面図

【図４】第５の実施例の構成を示す部分図

【図５】第２の実施例の温度プロフィールをモデル的に
示す線図

【図６】従来のリフロー半田付け装置の構成と温度プロ
フィールとを示し、（ａ）はその構成を示す断面図、
（ｂ）はその温度プロフィールをモデル的に示す線図

【図７】リフロー半田付け前の基板に電子部品が搭載さ
れた状態を示す部分断面図

【図８】リフロー半田付けで、基板に電子部品が実装さ
れた状態を示す部分断面図

【符号の説明】

１筐体２コンベア 31 下側ヒータ 32 上側ヒータ 33 ファン 34 熱風発生機 35 赤外線ヒータ 36 赤外線量制御部材 37, 37a 上側可動熱風源 38 下側可動熱風源 371, 381 ファン 372, 382 加熱源 373, 383 熱風ガイド 374, 384 上下移動機構 375 セラミックヒータ 41 ダンパ 42 ファン 43 冷却ガス導入管 44 熱遮蔽部材５熱遮蔽板６基板 61 ＳＭＤ用メタライズ層 62 スルーホール 63 ＩＭＤ用メタライズ層７ＳＭＤ８ＩＭＤ 81 本体 82 リード 91 ペースト半田 92 ペースト半田 93 半田接合部 94 半田接合部

───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (51)Int.Cl.⁷ 識別記号ＦＩテーマコート゛(参考）Ｂ２３Ｋ 3/04 Ｂ２３Ｋ 3/04 Ｙ 31/02 ３１０ 31/02 ３１０Ｆ // Ｂ２３Ｋ 101:42 101:42 (72)発明者外薗洋昭神奈川県川崎市川崎区田辺新田１番１号富士電機株式会社内Ｆターム(参考） 5E319 AA03 AC01 BB05 CC36 CC58 CD04 CD21 CD31 CD35 GG03 GG11 GG15

Claims

【特許請求の範囲】

【請求項１】基板上に印刷されたペースト半田によっ
て、基板に搭載された挿入実装部品及び表面実装部品を
同時に基板にリフロー半田付けするリフロー半田付け装
置であって、挿入実装部品の内の、少なくとも、耐熱温
度が半田付け温度未満である低耐熱性挿入実装部品を、
その本体が基板の下側になるように配置して基板に搭載
する方式のリフロー半田付け装置において、実装部品が搭載された基板を通過させる加熱ゾーンを、
リフロー半田付け部をペースト半田のフラックスを活性
化させるフラックス活性化温度まで昇温させる昇温ゾー
ンと、フラックス活性化温度を維持してフラックスを活
性化させるフラックス活性化ゾーンと、リフロー半田付
け部を半田付け温度まで加熱してリフロー半田付けする
本加熱ゾーンと、で構成し、本加熱ゾーンには、基板が通過するパスラインの上側か
ら基板及び搭載実装部品を加熱する本加熱用上側加熱手
段と、基板の下側に配置された低耐熱性挿入実装部品の
本体部の温度をその耐熱温度以下に維持させる下側空間
温度制御手段と、を備えることを特徴とするリフロー半
田付け装置。
【請求項２】昇温ゾーンの加熱手段として、基板のパス
ラインの下側から基板及び搭載実装部品を加熱する昇温
用下側加熱手段のみを備えることを特徴とする請求項１
に記載のリフロー半田付け装置。
【請求項３】フラックス活性化ゾーンと本加熱ゾーンと
の境界部にゾーン間熱遮蔽手段を備えることを特徴とす
る請求項１に記載のリフロー半田付け装置。
【請求項４】前記下側空間温度制御手段として、外気を
導入するダンパ、熱交換器等の冷却機構及び冷却ファン
のいずれかまたはこれらの組み合わせを備えることを特
徴とする請求項１に記載のリフロー半田付け装置。
【請求項５】前記各ゾーンの加熱手段の内の少なくとも
前記本加熱用上側加熱手段として、熱風加熱方式の加熱
手段及び赤外線加熱方式の加熱手段のいずれかまたは両
者の組み合わせを備えることを特徴とする請求項１に記
載のリフロー半田付け装置。
【請求項６】前記赤外線加熱方式の加熱手段から基板及
び及び搭載実装部品に輻射される赤外線量を制御する赤
外線量制御手段を備えることを特徴とする請求項５に記
載のリフロー半田付け装置。
【請求項７】前記赤外線量制御手段として、赤外線加熱
方式の加熱手段と基板との距離を調節する赤外線源・基
板間距離調節手段、及び前記赤外線加熱方式の加熱手段
が基板側へ照射する赤外線の一部を遮蔽する赤外線通過
量調節手段、のいずれかまたは両方を備えることを特徴
とする請求項６に記載のリフロー半田付け装置。
【請求項８】前記下側空間温度制御手段が他の加熱手段
からの熱を遮蔽する本加熱ゾーン下側熱遮蔽手段を備え
ることを特徴とする請求項１に記載のリフロー半田付け
装置。
【請求項９】前記本加熱ゾーン下側熱遮蔽手段が、基板
との距離を調節する熱遮蔽手段・基板間距離調節手段及
び上部開口面積を調節する開口面積調節手段を備えるこ
とを特徴とする請求項８に記載のリフロー半田付け装
置。
【請求項１０】基板上に印刷されたペースト半田によっ
て、基板に搭載された挿入実装部品及び表面実装部品を
同時に基板にリフロー半田付けするリフロー半田付け装
置であって、挿入実装部品の内の、少なくとも、耐熱温
度が半田付け温度未満である低耐熱性挿入実装部品を、
その本体が基板の下側になるように配置して基板に搭載
する方式のリフロー半田付け装置において、熱風発生手段と、基板及び搭載実装部品を覆って熱風発
生手段からの熱風を基板及び搭載実装部品に導く熱風ガ
イドと、熱風ガイドと基板との距離を調節する熱源上下
移動手段と、で構成される可動式熱風加熱手段の一対を
備え、一対の可動式熱風加熱手段の一方を基板の上側から基板
及び搭載実装部品を加熱する位置に配し、一対の可動式
熱風加熱手段の他方を基板の下側から基板及び搭載実装
部品を加熱する位置に配し、リフロー半田付け部をペースト半田のフラックスを活性
化させるフラックス活性化温度まで昇温させる際には、
上側の可動式熱風加熱手段を基板から離し且つ下側の可
動式熱風加熱手段を基板に接近させて基板及び搭載実装
部品を加熱し、フラックス活性化温度を維持してフラックスを活性化さ
せる際には、上側の可動式熱風加熱手段を基板に接近さ
せて基板の上側からも基板及び搭載実装部品を加熱し、リフロー半田付け部を半田付け温度まで加熱してリフロ
ー半田付けする際には、上側の可動式熱風加熱手段を基
板に更に接近させ且つ下側の可動式熱風加熱手段を基板
から離して基板及び搭載実装部品を加熱することを特徴
とするリフロー半田付け装置。
【請求項１１】基板上に印刷されたペースト半田によっ
て、基板に搭載された挿入実装部品及び表面実装部品を
同時に基板にリフロー半田付けするリフロー半田付け装
置であって、挿入実装部品の内の、少なくとも、耐熱温
度が半田付け温度未満である低耐熱性挿入実装部品を、
その本体が基板の下側になるように配置して基板に搭載
する方式のリフロー半田付け装置において、実装部品が搭載された基板を通過させる加熱ゾーンを、
リフロー半田付け部をペースト半田のフラックスを活性
化させるフラックス活性化温度まで昇温させる昇温ゾー
ンと、フラックス活性化温度を維持してフラックスを活
性化させるフラックス活性化ゾーンと、リフロー半田付
け部を半田付け温度まで加熱してリフロー半田付けする
本加熱ゾーンと、で構成し、少なくとも昇温ゾーン及び本加熱ゾーンには、それぞれ
に、熱風発生手段と、基板及び搭載実装部品を覆って熱
風発生手段からの熱風を基板及び搭載実装部品に導く熱
風ガイドと、熱風ガイドと基板との距離を調節する熱源
上下移動手段と、で構成される可動式熱風加熱手段の一
対を備え、一対の可動式熱風加熱手段の一方を基板が通過するパス
ラインの上側から基板及び搭載実装部品を加熱する位置
に配し、一対の可動式熱風加熱手段の他方を基板が通過
するパスラインの下側から基板及び搭載実装部品を加熱
する位置に配することを特徴とするリフロー半田付け装
置。
【請求項１２】前記熱風ガイド内に熱風を追加加熱する
追加加熱手段を備えることを特徴とする請求項１０また
は請求項１１に記載のリフロー半田付け装置。
【請求項１３】前記追加加熱手段の少なくとも基板側の
面を高い赤外線輻射性能を有する面とすることを特徴と
する請求項１２に記載のリフロー半田付け装置。