JP2013077714A - 半導体チップ突き上げ駒，半導体チップ突き上げ装置，及び半導体チップの突き上げ方法 - Google Patents

Abstract

【課題】半導体チップが小さくても不具合なくダイシングテープから剥離させることができる半導体チップ突き上げ駒を提供する。
【解決手段】半導体チップ突き上げ駒(2)は、粘着テープ(DT)上に貼着された半導体チップ(51a)を前記粘着テープ(DT)から剥離させるために、粘着テープ(DT)の下面(DTb)に対し中心軸線(CL)方向に突き上げられる。また、中心軸線(CL2)に直交する第１の平面の一部であって、縁部が、隣接する辺同士が互いに直交する四つの辺(2ta〜2td)を含んでなる平坦面(2t)と、平坦面(2t)における四つの隅部それぞれに立設し、最先端部が第１の平面に平行な第２の平面に含まれる四つの凸部(2b1〜2b4)と、四つの辺(2ta〜2td)それぞれを含み、中心軸線(CL2)から離れるに従って第１の平面から遠ざかる方向に傾斜した四つの平面(2h1〜2h4)と、を有する。
【選択図】図３

Description

本発明は、半導体チップ突き上げ駒，半導体チップ突き上げ装置及び半導体チップの突き上げ方法に係り、ダイシングテープ上に貼付配置された半導体チップを、ダイシングテープの下方側から突き上げることでダイシングテープを剥離させて取り外し可能な状態にする半導体チップ突き上げ駒，半導体チップ突き上げ装置，及び半導体チップの突き上げ方法に関する。

従来、半導体装置の製造工程において、粘着テープであるダイシングテープに貼着された半導体ウエハをダイシング加工によって半導体チップに個片化し、個片化した半導体チップをダイシングテープから剥離させて吸引保持装置（コレット）に受け渡し、チップボンディング等の後工程へ移載することが行われている。
この内の、半導体チップのダイシングテープからの剥離工程については、半導体チップに割れや欠けなどの不具合が生じないようにするための種々の工夫が行われてきている。

その工夫の一例が特許文献１に記載されている。特許文献１には、ダイシングテープから半導体チップを剥離分離する際に、ダイシングテープを下方から上方に突き上げる３つのブロックを内外方向に設け、外側のブロックから順次内側のブロックへと突き上げタイミングをずらして突き上げる方法が記載されている。これにより、ダイシングテープに貼着した極めて薄いチップを、割れや欠けが生じることなく速やかに剥離することができる、とされている。
また、他の例が特許文献２に記載されている。特許文献２には、ダイシングテープ上に貼着固定された半導体チップを、ダイシングテープの下側から突き上げ棒で突き上げる構成を有し、半導体チップの四角部近傍を突き上げる第１の突き上げと、その後に中央部近傍を突き上げる第２の突き上げを含む多段回突き上げをする方法及び装置が記載されている。これにより、半導体チップをダイシングテープから、その端部から中央部へ容易に剥離させることができる、とされている。

特開２００５−１１７０１９号公報 特開平１０−１８９６９０号公報

特許文献１及び特許文献２に記載された突き上げ方法を行うための装置は、半導体チップをダイシングテープから剥離させて分離する突き上げの際に、時間経過と共に半導体チップの異なる位置をダイシングテープを介して突き上げるための各突き上げ位置に対応したブロック又は突き上げ棒を備え、それらを互いに独立して突き上げ可能に構成されたものである。

一方、半導体チップは小型化が進み、寸法は１ｍｍ角程度にまで小さくなってきている。また、将来は更なる小型化が進むことが予想されている。１ｍｍ角程度の極小の半導体チップは、厚さも外形寸法の１／１０程度の例えば１００μｍとされ、極めて割れやすいものである。
半導体チップのダイシングテープから保持装置への受け渡しにおいて、割れや欠けなどの不具合を伴わずに剥離が良好に行われなければならないことは、チップサイズがいかに小さくなろうとも同様である。
しかしながら、極小の半導体チップのダイシングテープからの剥離において、特許文献１及び特許文献２に記載された突き上げ技術を適用しようとすると、ブロックや突き上げ棒は極細（例えば直径０．３ｍｍ以下）となって極めて座屈し易く、また、それら極細のブロックや突き上げ棒を１ｍｍ角の狭い範囲に複数個配置して保持し、さらに互いに独立して上下動させるという保持構造及び駆動構造自体、薄肉化に伴う強度維持の観点で実現が極めて困難となる。

そこで、本発明が解決しようとする課題は、半導体チップが小さくても、半導体チップを不具合なくダイシングテープから剥離させてコレットへ受け渡し可能な状態にできる半導体チップ突き上げ駒，半導体チップ突き上げ装置，及び半導体チップの突き上げ方法を提供することにある。

上記の課題を解決するために、本発明は手段として次の構成を有する。
１） 粘着テープ(DT)上に貼着された半導体チップ(51a)を前記粘着テープ(DT)から剥離させるために、前記粘着テープ(DT)の下面(DTb)に対し中心軸線(CL)方向に突き上げられる半導体チップ突き上げ駒であって、
前記中心軸線(CL2)に直交する第１の平面の一部であって、縁部が、隣接する辺同士が互いに直交する四つの辺(2ta〜2td)を含んでなる平坦面(2t)と、
前記平坦面(2t)における四つの隅部それぞれに立設し、最先端部が前記第１の平面に平行な第２の平面に含まれる四つの凸部(2b1〜2b4)と、
前記四つの辺(2ta〜2td)それぞれを含み、前記中心軸線(CL2)から離れるに従って前記第１の平面から遠ざかる方向に傾斜した四つの平面(2h1〜2h4)と、
を有することを特徴とする半導体チップ突き上げ駒(2)である。
２） 突き上げ駒(2)を備え、粘着テープ(DT)上に貼着された矩形の半導体チップ(51a)を前記粘着テープ(DT)の下面(DTb)から前記突き上げ駒(2)を突き上げることで前記粘着テープ(DT)から剥離させる半導体チップ突き上げ装置であって、
前記突き上げ駒(2)は、中心軸線(CL2)に直交する第１の平面の一部であって、縁部が、隣接する辺同士が互いに直交する四つの辺(2ta〜2td)を含んでなる平坦面(2t)と、前記平坦面(2t)における四つの隅部それぞれに立設し、最先端部が前記第１の平面に平行な第２の平面に含まれる四つの凸部(2b1〜2b4)と、前記四つの辺(2ta〜2td)それぞれを含み前記中心軸線(CL2)から離れるに従って前記第１の平面から遠ざかる方向に傾斜した四つの平面(2h1〜2h4)と、を有し、
突き上げ方向を前記中心軸線(CL)に沿った方向にし、
前記四つの凸部(2b1〜2b4)の各前記最先端部が、前記粘着テープ(DT)の下面(DTb)における前記半導体チップ(51a)の外形線から内側に寄った四つの角部(K1〜K4)近傍に対応する突き上げ位置をそれぞれ突き上げると共に、前記四つの平面(2h1〜2h4)が、前記突き上げ駒(2)の突き上げにおいて、前記粘着テープ(DT)に接触しない傾斜角度(θ)で形成されていることを特徴とする半導体チップ突き上げ装置(50)である。
３） 前記突き上げ駒(2)は、前記平坦面(2t)に空気を吸引する吸引口(SP2)を有することを特徴とする２）に記載の半導体チップの突き上げ装置(50)である。
４） 前記突き上げ位置は、前記半導体チップ(51a)における前記突き上げ位置が対応する前記角部(K1)に連結する第１及び第２の辺(51a1,51a4)からの距離(L5a,L5b)が、それぞれ第２及び第１の辺(51a4,51a1)の長さの０．０１〜０．２倍の範囲(AR1)内にあることを特徴とする２）又は３）に記載の半導体チップ突き上げ装置(50)である。
５） 粘着テープ(DT)上に貼着された矩形の半導体チップ(51a)を前記粘着テープ(DT)から剥離させるために、前記半導体チップ(51a)を前記粘着テープ(DT)の下方から突き上げ駒(2)により突き上げる半導体チップの突き上げ方法であって、
前記突き上げ駒(2)を、中心軸線(CL2)に直交する第１の平面の一部であって、縁部が、隣接する辺同士が直交する四つの辺(2ta〜2td)を含んでなる平坦面(2t)と、前記平坦面(2t)における四つの隅部それぞれに立設し、最先端部が前記第１の平面に平行な第２の平面に含まれる四つの凸部(2b1〜2b4)と、前記四つの辺(2ta〜2td)それぞれを含み前記中心軸線(CL2)から離れるに従って前記第１の平面から遠ざかる方向に傾斜した四つの平面(2h1〜2h4)と、を有するものとし、
突き上げ方向を前記中心軸線(CL)に沿った方向にすると共に、
前記四つの凸部(2b1〜2b4)の各前記最先端部によって、前記粘着テープ(DT)の下面(DTb)における前記半導体チップ(51a)の外形線から内側に寄った四つの角部(K1〜K4)近傍に対応する突き上げ位置をそれぞれ突き上げる工程を含むことを特徴とする半導体チップの突き上げ方法である。

本発明によれば、半導体チップが小さくても、半導体チップを不具合なくダイシングテープから剥離して保持装置へ受け渡し可能な状態にできる、という効果が得られる。

本発明の半導体チップ突き上げ装置の実施例を用いた突き上げ動作を説明するための平面図である。 本発明の半導体チップ突き上げ装置の実施例を説明するための上面図及び縦断面図である。 本発明の半導体チップ突き上げ駒の実施例を説明するための上面図及び部分平面図である。 本発明の半導体チップ突き上げ装置の実施例における要部の動作を説明するための部分平面図である。 本発明の半導体チップ突き上げ装置の実施例における突き上げ位置を説明するための図である。 本発明の半導体チップ突き上げ方法の実施例を説明するための図である。 本発明の半導体チップ突き上げ装置の実施例で突き上げた際のダイシングテープの剥離を説明するための図である。 本発明の半導体チップ突き上げ駒の実施例を形成する方法を説明する図である。

本発明の実施の形態を、好ましい実施例により図１〜図８を用いて説明する。
まず、図１及び図２を参照し、本発明の半導体チップ突き上げ装置の実施例である突き上げ装置５０について説明する。
図１は、突き上げ装置５０の使用状態を説明するための正面図であり、図２（ａ）は、突き上げ装置５０の上面図であり、図２（ｂ）は突き上げ装置１の先端側の一部についての断面図である。
突き上げ装置５０の使用姿勢における上下方向は、図１の上下方向である。

図１において、ダイシングテープＤＴの上面ＤＴａには、ダイシング加工により個片化された複数の半導体チップ５１が整列して貼着されている。
ダイシングテープＤＴの端部は、チャック部５２により保持されている。チャック部５２は、図１における紙面に対して左右方向に延在して直交する平面（以下、ＸＹ平面と称する）上を移動可能にされており、半導体チップ５１はＸＹ平面上の任意の位置に移動可能とされている。また、チャック部５２により、ダイシングテープＤＴの上下位置も調整可能とされている。
ダイシングテープＤＴの下方側には、複数の半導体チップ５１の内の一つを上方に突き上げてダイシングテープＤＴから剥離させる突き上げ機構ＴＫを有する突き上げ装置５０が配置されている。
突き上げ装置５０は、ダイシングテープＤＴと対向するケース１の先端面１ａ側に、ダイシングテープＤＴを吸引するための吸引部ＫＩ〔図２（ａ）参照〕が形成されている。

図１は、突き上げ装置５０の先端面１ａがダイシングテープＤＴの下面ＤＴｂと同じ高さに位置しダイシングテープＤＴを吸引保持した状態を示している。この状態を第１状態と称する。
ダイシングテープＤＴの上方側には、突き上げ機構ＴＫの突き上げ動作と連動して上下動作及び吸引動作を行い、ダイシングテープＤＴから剥離した半導体チップ５１を吸引保持するコレット５３が配置されている。突き上げ装置５０の第１状態において、コレット５３は、半導体チップ５１に対して所定距離隔てた上方で待機するようになっている。

図１及び図２において、突き上げ装置５０は、フランジ１ｂと先端壁部１ｃとを有して有底円筒状を呈するケース１と、先端壁部１ｃの中心に形成された貫通孔１ｃ１に挿通されケース１の中心軸線ＣＬ上を所定のストロークで上下動する突き出し駒２と、を有している。
突き出し駒２は、中心に貫通孔２ａを有して少なくとも軸方向の中央から上方側が丸棒状に形成されている。貫通孔２ａには、突き出しピン３が上下動自在に挿通されている。
突き出し駒２と突き出しピン３とは、直接又は間接的に駆動部ＫＤ（図１参照）に連結されており、駆動部ＫＤによってそれぞれ独立に上下動可能とされている。
ケース１に対する突き出し駒２及び突き出しピン３の上下方向位置は、駆動部ＫＤによって制御される。

図１に示される第１状態では、突き出し駒２及び突き出しピン３は、共に先端面１ａから突出しない位置にある。
第１状態から突き出し駒２を先端面１ａから上方に突出するように移動させ、最も突出した位置に達した状態を第２状態と称する。第２状態は図２（ｂ）に示される。突き出し駒２の、先端面１ａからの突出量をｄ２とし、図２（ｂ）に示される最大の突出量をｄ２ｍａｘとする。ここで突き出し駒２で最も高く突出した部位は、凸部２ｂ１〜２ｂ４（図３参照：詳細は後述する）の先端面である。
突き出し駒２と突き出しピン３とは、メンテナンスが容易にできるように交換可能とされている。

次に、ケース１の先端壁部１ｃにおける先端面１ａ側に設けられている吸引部ＫＩについて詳述する。
図２（ａ）において、先端面１ａには、外周側から異径なる４つの円周溝１ｄ１〜１ｄ４が形成されている。
円周溝１ｄ１〜１ｄ４は、概ね９０°間隔で形成された径溝１ｄ５〜１ｄ８により溝として連結されている。
円周溝１ｄ４と、突き出し駒２が挿通された貫通孔１ｃ１と、の間には、複数の吸引孔１ｅが形成されており、径溝１ｄ５〜１ｄ８は吸引孔１ｅと連結している。
吸引孔１ｅからは、図示しない吸引ポンプにより空気が吸引されている。従って、先端面１ａに当接したダイシングテープＤＴは、吸引孔１ｅ，径溝１ｄ５〜１ｄ８，及び円周溝１ｄ１〜１ｄ４を介して吸引され、先端面１ａに対して面当たりで保持される。
また、貫通孔１ｃ１と突き出し駒２との隙間ＳＰ１から及び貫通孔２ａと突き出しピン３との隙間からも空気が吸引されるようになっており、ダイシングテープＤＴは、第１状態で先端面１ａの中央部分においても吸引保持される。

次に、図３（ａ）〜図３（ｃ）を参照し、突き出し駒２及び突き出し駒２から突出する突き出しピン３について詳述する。
図３（ａ）は、突き出し駒２の上面図であり、図３（ｂ）は、突き出し駒２の正面図である。また、図３（ｃ）は、図３（ｂ）における突き出し駒２から突き出しピン３が最も突出した状態を示す正面図である。

突き出し駒２は、上端部が平坦な上面２ｔとされている。上面２ｔは、中心軸線ＣＬ２に直交する平面（第１の平面）に含まれる面を有する。上面２ｔは矩形であり、その四隅には、上方に突出する凸部２ｂ１〜２ｂ４がそれぞれ設けられている。凸部２ｂ１〜２ｂ４は、例えば四角柱である。凸部２ｂ１〜２ｂ４の最先端部は、第１の平面に平行な第２の平面に含まれる平坦面として形成されている。
各辺２ｔａ〜２ｔｄは、隣接する辺同士が互いに直交する四つの辺であり、上面２ｔは、その縁部が四つの辺２ｔａ〜２ｔｄを含むように形成されている。
各辺２ｔａ〜２ｔｄよりも径方向で外側となる部分は、各辺２ｔａ〜２ｔｄを含む平面であって、外方に向かうに従って下方に向かうよう傾斜した平面２ｈ１〜２ｈ４とされている。換言するならば、中心軸線ＣＬ２から離れるに従って、上面２ｔが含まれる平面から遠ざかるように傾斜している。
平面２ｈ１〜２ｈ４は、上面２ｔに対して傾斜角度θで傾斜している。この傾斜角度θは、各平面２ｈ１〜２ｈ４について同じ値に設定されている。

図３（ａ）において、上面２ｔは、その対角線が、突き出し駒２の中心軸線ＣＬ２と交わるように形状及び位置が設定されている。突き出し装置５０において、
突き出し駒２は、ケース１に対し、中心軸線ＣＬ２がケース１の中心軸線ＣＬと一致するように配置されている。
上面２ｔには、中心軸線ＣＬ２を軸心として貫通孔２ａが設けられており、貫通孔２ａには突き出しピン３が上下動可能なように挿通されている。
突き出しピン３の外径は貫通孔２ａの内径よりも所定量小さく設定し、突き出しピン３の外周面と貫通孔２ａの内周面との間には隙間ＳＰ２を生じさせている。これは、この隙間を吸引口として空気を吸引してダイシングテープＤＴを先端面１ａにより良好に吸引保持させるためである。
上面２ｔからの凸部２ｂ１〜２ｂ４の突出量（高さ）ｄ２ｂは、四つの凸部２ｂ１〜２ｂ４がすべて同じ値になっている。
また、貫通孔２ａから出没するように上下動する突き出しピン３は、その中心軸線ＣＬ３がケース１の中心軸線ＣＬと一致するように配置されている。

突き出しピン３は、先端側が徐々に縮径する先すぼまり形状とされ、その最突端は滑らかな曲面で形成されている。
突き出しピン３が上面２ｔから最も突出した状態を、第３状態と称する。第３状態は、図３（ｃ）に示される。
突き出しピン３の上面２ｔからの突出量（高さ）ｄ３は、第３状態において最大のｄ３ｍａｘとなる。そして、ｄ２ｂ＜ｄ３ｍａｘと設定されている。

図４（ａ）〜図４（ｃ）はそれぞれ第１〜第３状態に対応し、各状態における突き出し駒２及び突き出しピン３の、ケース１における先端面１ａからの突出状態を示した図である。
図４（ａ）に示される第１状態では、先端面１ａから突き出し駒２及び突き出しピン３は突出していない。
図４（ｂ）に示される第２状態では、先端面１ａから突き出し駒２が突出し、突き出しピン３は突き出し駒２から突出していない。先端面１ａから突き出し駒２における凸部２ｂ１〜２ｂ４の先端まで距離が最大となる最大突出量Ｈｔ１は、上述のｄ２ｍａｘである。
第３状態では、突き出し駒２が最大突出量Ｈｔ１だけ突出した状態で、さらに、突き出しピン３が突き出し駒２から突出した状態である。先端面１ａから突き出しピン３の先端までの距離が最大となる最大突出量Ｈｔ２は、ｄ２ｍａｘ−ｄ２ｂ＋ｄ３ｍａｘで示される。
図４（ａ）〜図４（ｃ）の各図面間に示される両矢印のように、動作は、第１状態→第２状態→第３状態の順、又はその逆の順のみ可能とされている。換言するならば、第２状態を経ずに第１状態と第３状態との間を移行する動作は禁止されている。

次に、半導体チップ５１と上面２ｔとの対応について図５を参照して説明する。図５は、図３（ａ）における上面２ｔと凸部２ｂ１〜２ｂ４と半導体チップ５１の外形とを重ねて示した図である。半導体チップ５１は、第１状態でその中心が上面２ｔの中心と合致し、上面２ｔの各辺とそれに対応する半導体チップ５１の辺とが平行になるように位置と姿勢がチャック部５２により決められる。ここでは、Ｘ方向，Ｙ方向を、それぞれ図５の左右方向、上下方向として規定する。
図５に示されるように、矩形の上面２ｔの各頂点を頂点Ｐ１〜Ｐ４、半導体チップ５１の各角部を角部Ｋ１〜Ｋ４とし、半導体チップ５１が平面視でＸ方向長さがＷ５１ｈ、Ｙ方向長さがＷ５１ｖの矩形であるとする。

頂点Ｐ１〜Ｐ４の内、代表として頂点Ｐ２について説明すると、頂点Ｐ２の位置は、半導体チップ５１の外形線上及び外形よりも外側にはなく、半導体チップ５１の外形よりも内側の角部Ｋ２近傍に位置している。また、頂点Ｐ２の位置は、Ｗｈ，Ｗｖのいずれかが、各５１ｈ，Ｗ５１ｖの１％〜２０％の範囲となる位置に設定されていると好ましい。
すなわち、０．０１ ≦ Ｗｈ／Ｗ５１ｈ ≦ ０．２０、かつ、０．０１ ≦ Ｗｖ／Ｗ５１ｖ ≦ ０．２０ である頂点が存在することが望ましい。この理由は後述する。
この好ましい位置は、他の頂点Ｐ１，Ｐ３，Ｐ４の各角部Ｋ１，Ｋ３，Ｋ４からの位置においても同様である。頂点Ｐ１〜Ｐ４の位置として好ましい各範囲ＡＲ１は、図５においてハッチングした範囲として示されている。

次に、図６（ａ）〜図６（ｃ）を参照し、上述した突き上げ装置５０によってダイシングテープＤＴから半導体チップ５１を剥離する工程について詳述する。
工程は、代表的な第１〜第３段階の三つの段階に分け、それぞれ図６（ａ）〜図６（ｃ）を参照して説明する。図６（ａ）〜図６（ｃ）は、それぞれ突き上げ装置５０の第１状態〜第３状態に対応している。
説明に際し、ダイシングテープＤＴの上面ＤＴａには、予めダイシング加工により個片化された複数の半導体チップ５１が整列して貼着されているものとする。
ここでは、複数の半導体チップ５１の内、剥離する半導体チップに符号５１ａを付与して説明する。
尚、図面の都合上、凸部２ｂ１〜２ｂ４については凸部２ｂ２，２ｂ３のみを、角部Ｋ１〜Ｋ４についてはＫ２，Ｋ３のみを、頂点Ｐ１〜Ｐ４については頂点Ｐ２，Ｐ３のみが図示されている。

＜第１段階〔図６（ａ）参照〕＞
チャック部５２（図１参照）の移動により、半導体チップ５１ａを、その中心位置が突き上げ装置５０におけるケース１の中心軸線ＣＬ上に位置するように移動する。
上下位置を調整し、ダイシングテープＤＴの下面ＤＴｂを、突き上げ装置５０に当接させると共に吸引部ＫＩによって吸引保持する。コレット５３は、半導体チップ５１ａの直上の近接した位置に待機している。この状態が図６（ａ）に示されている。

＜第２段階〔図６（ｂ）参照〕＞
次に、突き上げ装置５０を、第１状態から第２状態へ移行させる。具体的には、突き上げ駒２を、上方へ向け突出量が最大突出量Ｈｔ１となるまで移動させる。
この突き上げ駒２の上方への移動に伴い、凸部２ｂ１〜２ｂ４が、ダイシングテープＤＴの下面ＤＴｂにおける半導体チップ５１ａの外形線より内側に寄った角部Ｋ１〜Ｋ４近傍に対応する部位を突き上げる。
中心軸線ＣＬから最も遠い突き上げ位置となる頂点Ｐ１〜Ｐ４が、半導体チップ５１ａの外形線よりも所定量内側に位置していることから、この突き上げにより、ダイシングテープＤＴの剥離は確実に角部Ｋ１〜Ｋ４から開始し、徐々に内側に進行し頂点Ｐ１〜Ｐ４に達する。この状態が図６（ｂ）に示されている。

図６（ｂ）に示される状態でのダイシングテープＤＴの剥離状態を図７を参照して詳細に説明すると、図７に示される平面視において、頂点Ｐ１〜Ｐ４を繋ぐ四つの辺２ｔａ〜２ｔｄ（二点鎖線で図示）によりなる矩形の外側の範囲が、剥離範囲ＨＫ１として半導体チップ５１ａから剥離している。
図７は、図６（ｂ）の状態においてダイシングテープＤＴが剥離した範囲を説明するための平面図である。図７において、半導体チップ５１ａの外形線が矩形の実線で、凸部２ｂ１〜２ｂ４が破線で、辺２ｔａ〜２ｔｄが二点鎖線で、剥離範囲ＨＫ１がハッチングにて示されている。

図６（ｂ）に戻り、ダイシングテープＤＴは、凸部２ｂ１〜２ｂ４の突き上げに伴い、吸引部ＫＩによって先端面１ａに吸引により保持されている部分と、突き上げにより持ち上げられた部分と、の間の範囲ＡＲ２が、引き延ばされつつ傾斜した状態となる。
このダイシングテープＤＴの傾斜した範囲ＡＲ２には、突き上げ駒２が接触しないようになっている。これは、範囲ＡＲ２に突き上げ駒２が接触すると、ダイシングテープＤＴが持ち上げられて頂点Ｐ１〜Ｐ４を繋ぐ矩形より外側の部分の傾斜角度が緩くなり、剥離が良好に行われ難くなる虞が生じるからである。
そのため、突き上げ駒２の平面２ｈ１〜２ｈ４は傾斜面とされ、その角度θ及び突き出し駒２の最大突出量Ｈｔ１は、平面２ｈ１〜２ｈ４とダイシングテープＤＴとが接触しないように設定されている。

＜第３段階〔図６（ｃ）参照〕＞
次に、突き上げ装置５０を、第２状態から第３状態へ移行させる。具体的には、突き上げ駒２が最大突出量Ｈｔ１となっている状態で、突き上げピン３を上方へ向けて突出量が最大突出量Ｈｔ２となるまで突き上げる。
この突き上げ動作に伴い、ダイシングテープＤＴの剥離がさらに進行し、剥離範囲ＨＫ１は、突き上げピン３が突き上げている中央部分に向けて拡大する。拡大した剥離範囲は、剥離範囲ＨＫ２として図７においてクロスハッチングで示されている。
一方、突き上げピン３の突き上げ動作及びダイシングテープＤＴの剥離の進行に連動して、半導体チップ５１ａの直上に近接して待機していたコレット５３が吸引を開始し半導体チップ５１ａはダイシングテープＤＴから離れてコレット５３に吸引保持される。
コレット５３の上下方向位置は、突き上げピン３の最大突出量Ｈｔ２，ダイシングテープＤＴの厚さ，及び半導体チップ５１ａの厚さを考慮し、剥離から吸引という受け渡しがスムースに行えるように設定される。

半導体チップ５１ａがダイシングテープＤＴから離れてコレット５３へ受け渡される際にも、突き出し駒２の貫通孔２ａと突き出しピン３との間の隙間から空気が吸引されている。
この吸引を行わずに突き出し駒２の突き上げを行うと、その突き上げに伴ってダイシングテープＤＴを外方に引っ張るように生じる外向き張力の分布によっては、突き出し駒２の凸部２ｂ１〜２ｂ４に対してダイシングテープＤＴがずれてしまうことが考えられる。
これに対し、吸引を行うと、ダイシングテープＤＴに凸部２ｂ１〜２ｂ４で囲まれた範囲内へ引っ張る方向の内方向きの張力が生じる。そして、吸引力を調整し、凸部２ｂ１〜２ｂ４との接触部において、この内方向きの張力によって突き出しによって生じる外方向きの張力をキャンセルさせることで、接触部でのダイシングテープＤＴのずれを良好に防止することができる。
すなわち、半導体チップ５１ａのコレット５３への受け渡し直前まで、ダイシングテープＤＴがずれたり捩れたりすることがない。従って、半導体チップ５１ａの姿勢が中心軸線ＣＬ回りに回転し難くくなっている。
従って、半導体チップ５１ａは、姿勢が回転してコレット５３に受け渡されることがなく、ダイシングテープＤＴに保持されていた姿勢そのままでコレット５３に保持される。
コレット５３は、半導体チップ５１ａを保持したら、半導体チップ５１ａと共にワイヤーボンディング等の次工程へ移動する。

上述の突き上げ装置５０と半導体チップのダイシングテープＤＴからの剥離工程とによれば、まず、ダイシングテープＤＴを、半導体チップ５１ａの四隅から内側に寄った所定の範囲ＡＲ１内に形成された凸部２ｂ１〜２ｂ４で突き上げることにより、ダイシングテープＤＴの半導体チップ５１ａからの剥離が、確実にその角部Ｋ１〜Ｋ４から開始するようになっている。
発明者らの検討によれば、凸部２ｂ１〜２ｂ４の設置位置が範囲ＡＲ１内から外れていると、剥離が半導体チップ５１ａの角部から開始しない場合が生じ、半導体チップ５１ａのダイシングテープＤＴからの分離に支障が生じる可能性が高くなる。
図５に示されるＷｈ，Ｗｖについて、Ｗｈ／Ｗ５１ｈ又はＷｖ／Ｗ５１ｖが０．２０を越える場合、実質的に半導体チップ５１ａの中央部分のみを突き上げているのと同等となり、剥離の開始位置が誘導され難く剥離開始が遅れる。剥離開始が遅れる分、半導体チップ５１ａに高い応力が負荷されて割れなどが生じる可能性が急激に高まる。
逆に、Ｗｈ／Ｗ５１ｈ又はＷｖ／Ｗ５１ｖが０．０１未満の場合、突き上げる位置と半導体チップ５１ａの外形縁との距離が近すぎ、実質的に半導体チップ５１ａ全体を突き上げているのと同等となり、剥離の開始位置が誘導されず良好な剥離が行われないばかりか、隣接する半導体チップへの悪影響が生じ易くなる。
このように、突き上げる半導体チップ５１ａに対する凸部２ｂ１〜２ｂ４の設置として好ましい範囲ＡＲ１が存在する。

好ましい範囲ＡＲ１の内、凸部２ｂ１〜２ｂ４のいずれかが、半導体チップ５１ａの対角線上に位置すると更に好ましい。
例えば、凸部２ｂ１が半導体チップ５１ａの対角線上にあると、次のような効果が得られる。
図５において、半導体チップ５１ａの角部Ｋ１と角部Ｋ２とを繋ぐ辺を辺５１ａ１、角部Ｋ１と角部Ｋ４とを繋ぐ辺を辺５１ａ４とし、凸部２ｂ１の最も外側の位置である頂点Ｐ１と角部Ｋ１との距離をＬ５，頂点Ｐ１と辺５１ａ１との距離をＬ５ａ，及び頂点Ｐ１と辺５１ａ４との距離をＬ５ｂとするならば、距離Ｌ５が最も長く、かつ、距離Ｌ５ａと距離Ｌ５ｂとが等しくなる。
これは、距離Ｌ５が、距離Ｌ５ａと距離Ｌ５ｂとの両方に対して等しく最も遠くなる関係にあることを示している。
従って、凸部２ｂ１が対角線上にあると、その凸部２ｂ１に対して角部Ｋ１が剥離の開始位置として極めて誘導され易くなる。

次に、図３を参照して突き出し駒２の先端部分の加工方法について、寸法例を含めて説明する。突き出す半導体チップ５１ａの大きさは、例えば１ｍｍ角とする。従ってＷ５１ｈ＝Ｗ５１ｖである。
この寸法例では、突き出し駒２の外径Ｄを２．５ｍｍとし、凸部２ｂ１〜２ｂ４における頂点Ｐ１〜Ｐ４の位置を、領域ＡＲ１の内、Ｗｈ／Ｗ５１ｈ，Ｗｖ／Ｗ５１ｖ共に０．１として設定している。従って、突き出し駒２の上面２ｔは、一辺が０．８ｍｍの正方形となっている。
凸部２ｂ１〜２ｂ４は、それぞれ０．１ｍｍ角で、上面２ｔからの突出高さｄ２ｂを０．１ｍｍとしている。
貫通孔２ａは直径０．６ｍｍで形成し、突き出しピン３の直径は、実用上座屈の可能性がない太さとして０．５ｍｍとしている。
従って、貫通孔２ａと突き出しピン３との間で行う空気の吸引は、両者の隙間、すなわち、半径分で０．０５ｍｍの隙間を介して行う。
平面２ｈ１〜２ｈ４のダイシングテープＤＴに対する逃げ角度である傾斜角度θは、１３．２°としている。

突き出し駒２は、例えば、ステンレスの丸棒から切削加工で形成する。
図８（ａ）〜図８（ｄ）は、切削加工で突き出し駒２の先端を加工する手順例を示している。
図８（ａ）に示す直径２．５ｍｍのステンレスの丸棒３０の先端に対し、横断面形状が一辺０．８ｍｍの正方形となる高さ０．１ｍｍの角柱部３１と、角柱部３１の各側面の所定の軸方向位置からそれぞれ傾斜角度θ（＝１３．２°）で傾斜する平面２ｈ１〜２ｈ４を形成する〔図８（ｂ）〕。
図８（ｂ）の角柱部３１に対し、その一面に直交する送り方向ＤＲ８１でエンドミルＥを送り、０．１ｍｍ幅の突状部３２，３３を残すように切削する〔図８（ｃ）〕。
次に、図８（ｃ）の突状部３２，３３に対し、送り方向ＤＲ８１に直交する送り方向ＤＲ８２にエンドミルＥを送り、０．１ｍｍ角の凸部２ｂ１〜２ｂ４を残すように切削する。
以上により、突き出し駒２の先端部が形成される。

切削加工の手順は、上述の手順に限定されない。
角柱部３１を、高さ方向の削りしろを含めた形状で形成し、エンドミルによる２回の切削で四つの凸部を残し、その後にそれらが所定の高さになるよう切削加工してもよい。

実施例の突き出し装置５０によれば、半導体チップ５１ａの角部Ｋ１〜Ｋ４近傍のダイシングテープＤＴを突き出す凸部２ｂ１〜２ｂ４が、稼働部である上下動するピンで形成されていないので、半導体チップ５１ａが小型であっても、良好にダイシングテープＤＴからの剥離が行える。
また、凸部２ｂ１〜２ｂ４に囲まれた矩形範囲内に、貫通孔２ａと突き出しピン３との隙間を介してダイシングテープＤＴを吸引する吸引部が備えられているので、ダイシングテープＤＴからコレット５３への受け渡しにおいて半導体チップ５１ａ回転などの姿勢変化をする可能性が極めて低く、受け渡しが良好に行える。
突き出し駒２が備える稼働部材は、中心に位置する突き出しピン３のみなので、メンテナンスが容易で、維持管理も楽である。
大きさの異なる半導体チップを突き出す場合は、突き出しピン３はそのままで突き出し駒のみを別仕様の突き出し駒に交換するだけで対応が可能である。従って、半導体装置の他品種生産における効率が向上する。
凸部２ｂ１〜２ｂ４の上面２ｔからの突出高さは、切削加工によって高精度に決定される。従って、離れた場所にある複数の凸部の高さの差を極めて小さくすることができる。これにより、移動ピンにより突き出しを行う場合と比べ各突き出し高さがより一定となるので、半導体チップの剥離が極めて安定して行われ、半導体装置の生産効率が向上する。

本発明の実施例は、上述した構成及び手順に限定されるものではなく、本発明の要旨を逸脱しない範囲において変形例としてもよいのは言うまでもない。

凸部２ｂ１〜２ｂ４の横断面形状は、四角形に限るものではない。
半導体チップの角部に最も近い部位は、剥離の起点を確実に誘導する観点から、滑らかな形状ではなく、実施例のような頂点Ｐ１〜Ｐ４を有する形状であることが望ましい。例えば、直角三角錐である。直角三角錐の場合は、最先端部は面ではなく点（頂点）であり、各頂点は第２の平面に含まれる。
また、形成工程において、角柱部３１を形成せず、丸棒３０の先端を四角錐台形状に形成し、その四角錐台の先端部分をエンドミルにより、直交する送り方向で２回切削加工し、四箇所の凸部を残すように加工してもよい。
実施例で説明した寸法例は、限定されるものではなく適宜設定することができる。
実施例で説明したダイシングテープＤＴは、汎用品を適用することができる。ダイシングテープＤＴが、例えば粘着力がＵＶ照射による低下する等の特性を有していても、実施例の効果は同様に発揮されることは言うまでもない。

１ ケース
１ａ 先端面、１ｂ フランジ、１ｃ 先端壁部、１ｃ１ 貫通孔
１ｄ１〜１ｄ４ 円周溝、１ｄ５〜１ｄ８ 径溝、１ｅ 吸引孔
２ 突き出し駒
２ａ 貫通孔、２ｂ１〜２ｂ４ 凸部、２ｈ１〜２ｈ４ 平面、２ｔ 上面
２ｔａ〜２ｔｄ 辺
３ 突き出しピン
３０ 丸棒、３１ 角柱部、３２，３３ 突状部
５０ 半導体チップ突き上げ装置（突き上げ装置）
５１，５１ａ 半導体チップ
５２ チャック部、５３ コレット
ＡＲ１，ＡＲ２ 範囲
ＨＫ１，ＨＫ２ 剥離範囲
ＣＬ，ＣＬ２，ＣＬ３ 中心軸線
ｄ２，ｄ２ｂ，ｄ３ 突出量
ｄ２ｍａｘ，ｄ３ｍａｘ，Ｈｔ１，Ｈｔ２ 最大突出量
ＤＲ８１，ＤＲ８２ 送り方向
ＤＴ ダイシングテープ
ＤＴａ 上面、ＤＴｂ 下面
Ｅ エンドミル
ＫＩ 吸引部、ＳＰ１，ＳＰ２ 隙間、ＫＤ 駆動部、ＴＫ 突き上げ機構
Ｗ５１ｈ Ｘ方向長さ、Ｗ５１ｖ Ｙ方向長さ
θ 傾斜角度

Claims (5)

1. 粘着テープ上に貼着された半導体チップを前記粘着テープから剥離させるために、前記粘着テープの下面に対し中心軸線方向に突き上げられる半導体チップ突き上げ駒であって、
   前記中心軸線に直交する第１の平面の一部であって、縁部が、隣接する辺同士が互いに直交する四つの辺を含んでなる平坦面と、
   前記平坦面における四つの隅部それぞれに立設し、最先端部が前記第１の平面に平行な第２の平面に含まれる四つの凸部と、
   前記四つの辺それぞれを含み、前記中心軸線から離れるに従って前記第１の平面から遠ざかる方向に傾斜した四つの平面と、
   を有することを特徴とする半導体チップ突き上げ駒。
2. 突き上げ駒を備え、粘着テープ上に貼着された矩形の半導体チップを前記粘着テープの下面から前記突き上げ駒を突き上げることで前記粘着テープから剥離させる半導体チップ突き上げ装置であって、
   前記突き上げ駒は、中心軸線に直交する第１の平面の一部であって、縁部が、隣接する辺同士が互いに直交する四つの辺を含んでなる平坦面と、前記平坦面における四つの隅部それぞれに立設し、最先端部が前記第１の平面に平行な第２の平面に含まれる四つの凸部と、前記四つの辺それぞれを含み前記中心軸線から離れるに従って前記第１の平面から遠ざかる方向に傾斜した四つの平面と、を有し、
   突き上げ方向を前記中心軸線に沿った方向にし、
   前記四つの凸部の各前記最先端部が、前記粘着テープの下面における前記半導体チップの外形線から内側に寄った四つの角部近傍に対応する突き上げ位置をそれぞれ突き上げると共に、前記四つの平面が、前記突き上げ駒の突き上げにおいて、前記粘着テープに接触しない傾斜角度で形成されていることを特徴とする半導体チップ突き上げ装置。
3. 前記突き上げ駒は、前記平坦面に空気を吸引する吸引口を有することを特徴とする請求項２記載の半導体チップ突き上げ装置。
4. 前記突き上げ位置は、前記半導体チップにおける前記突き上げ位置が対応する前記角部に連結する第１及び第２の辺からの距離が、それぞれ第２及び第１の辺の長さの０．０１〜０．２倍の範囲内にあることを特徴とする請求項２又は請求項３記載の半導体チップ突き上げ装置。
5. 粘着テープ上に貼着された矩形の半導体チップを前記粘着テープから剥離させるために、前記半導体チップを前記粘着テープの下方から突き上げ駒により突き上げる半導体チップの突き上げ方法であって、
   前記突き上げ駒を、中心軸線に直交する第１の平面の一部であって、縁部が、隣接する辺同士が直交する四つの辺を含んでなる平坦面と、前記平坦面における四つの隅部それぞれに立設し、最先端部が前記第１の平面に平行な第２の平面に含まれる四つの凸部と、前記四つの辺それぞれを含み前記中心軸線から離れるに従って前記第１の平面から遠ざかる方向に傾斜した四つの平面と、を有するものとし、
   突き上げ方向を前記中心軸線に沿った方向にすると共に、
   前記四つの凸部の各前記最先端部によって、前記粘着テープの下面における前記半導体チップの外形線から内側に寄った四つの角部近傍に対応する突き上げ位置をそれぞれ突き上げる工程を含むことを特徴とする半導体チップの突き上げ方法。

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