JP2013070084A - 電力用半導体装置 - Google Patents
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- 239000004065 semiconductor Substances 0.000 title claims abstract description 155
- 239000000758 substrate Substances 0.000 claims abstract description 185
- 230000002093 peripheral effect Effects 0.000 claims description 107
- 239000012535 impurity Substances 0.000 claims description 64
- 238000003860 storage Methods 0.000 description 36
- 238000009825 accumulation Methods 0.000 description 32
- 238000009826 distribution Methods 0.000 description 26
- 238000000034 method Methods 0.000 description 26
- 230000000694 effects Effects 0.000 description 18
- 238000010586 diagram Methods 0.000 description 17
- 238000005468 ion implantation Methods 0.000 description 14
- 230000008569 process Effects 0.000 description 14
- 230000008859 change Effects 0.000 description 13
- 108091006146 Channels Proteins 0.000 description 10
- 238000001514 detection method Methods 0.000 description 7
- 238000002347 injection Methods 0.000 description 6
- 239000007924 injection Substances 0.000 description 6
- 230000020169 heat generation Effects 0.000 description 2
- 230000004048 modification Effects 0.000 description 2
- 238000012986 modification Methods 0.000 description 2
- 239000007858 starting material Substances 0.000 description 2
- 230000001629 suppression Effects 0.000 description 2
- 102000004129 N-Type Calcium Channels Human genes 0.000 description 1
- 108090000699 N-Type Calcium Channels Proteins 0.000 description 1
- 229910052581 Si3N4 Inorganic materials 0.000 description 1
- VYPSYNLAJGMNEJ-UHFFFAOYSA-N Silicium dioxide Chemical compound O=[Si]=O VYPSYNLAJGMNEJ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- XUIMIQQOPSSXEZ-UHFFFAOYSA-N Silicon Chemical compound [Si] XUIMIQQOPSSXEZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 230000004888 barrier function Effects 0.000 description 1
- 230000015572 biosynthetic process Effects 0.000 description 1
- 230000006378 damage Effects 0.000 description 1
- 238000010894 electron beam technology Methods 0.000 description 1
- 238000005530 etching Methods 0.000 description 1
- 230000005669 field effect Effects 0.000 description 1
- 238000002513 implantation Methods 0.000 description 1
- 230000006872 improvement Effects 0.000 description 1
- 239000012212 insulator Substances 0.000 description 1
- 230000001678 irradiating effect Effects 0.000 description 1
- 230000000873 masking effect Effects 0.000 description 1
- 239000011159 matrix material Substances 0.000 description 1
- 239000002184 metal Substances 0.000 description 1
- 239000007769 metal material Substances 0.000 description 1
- 229910044991 metal oxide Inorganic materials 0.000 description 1
- 150000004706 metal oxides Chemical class 0.000 description 1
- 230000003647 oxidation Effects 0.000 description 1
- 238000007254 oxidation reaction Methods 0.000 description 1
- 229910021420 polycrystalline silicon Inorganic materials 0.000 description 1
- 230000009467 reduction Effects 0.000 description 1
- 229910052710 silicon Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000010703 silicon Substances 0.000 description 1
- HBMJWWWQQXIZIP-UHFFFAOYSA-N silicon carbide Chemical compound [Si+]#[C-] HBMJWWWQQXIZIP-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910010271 silicon carbide Inorganic materials 0.000 description 1
- HQVNEWCFYHHQES-UHFFFAOYSA-N silicon nitride Chemical compound N12[Si]34N5[Si]62N3[Si]51N64 HQVNEWCFYHHQES-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910052814 silicon oxide Inorganic materials 0.000 description 1
- 230000007480 spreading Effects 0.000 description 1
- 238000003892 spreading Methods 0.000 description 1
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-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L29/00—Semiconductor devices specially adapted for rectifying, amplifying, oscillating or switching and having potential barriers; Capacitors or resistors having potential barriers, e.g. a PN-junction depletion layer or carrier concentration layer; Details of semiconductor bodies or of electrodes thereof ; Multistep manufacturing processes therefor
- H01L29/66—Types of semiconductor device ; Multistep manufacturing processes therefor
- H01L29/68—Types of semiconductor device ; Multistep manufacturing processes therefor controllable by only the electric current supplied, or only the electric potential applied, to an electrode which does not carry the current to be rectified, amplified or switched
- H01L29/76—Unipolar devices, e.g. field effect transistors
- H01L29/772—Field effect transistors
- H01L29/78—Field effect transistors with field effect produced by an insulated gate
- H01L29/7801—DMOS transistors, i.e. MISFETs with a channel accommodating body or base region adjoining a drain drift region
- H01L29/7802—Vertical DMOS transistors, i.e. VDMOS transistors
- H01L29/7813—Vertical DMOS transistors, i.e. VDMOS transistors with trench gate electrode, e.g. UMOS transistors
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- H01—ELECTRIC ELEMENTS
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- H01L29/00—Semiconductor devices specially adapted for rectifying, amplifying, oscillating or switching and having potential barriers; Capacitors or resistors having potential barriers, e.g. a PN-junction depletion layer or carrier concentration layer; Details of semiconductor bodies or of electrodes thereof ; Multistep manufacturing processes therefor
- H01L29/02—Semiconductor bodies ; Multistep manufacturing processes therefor
- H01L29/06—Semiconductor bodies ; Multistep manufacturing processes therefor characterised by their shape; characterised by the shapes, relative sizes, or dispositions of the semiconductor regions ; characterised by the concentration or distribution of impurities within semiconductor regions
- H01L29/10—Semiconductor bodies ; Multistep manufacturing processes therefor characterised by their shape; characterised by the shapes, relative sizes, or dispositions of the semiconductor regions ; characterised by the concentration or distribution of impurities within semiconductor regions with semiconductor regions connected to an electrode not carrying current to be rectified, amplified or switched and such electrode being part of a semiconductor device which comprises three or more electrodes
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- Ceramic Engineering (AREA)
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Abstract
【解決手段】電力用半導体装置10Aは半導体基板100Aを有し、半導体基板100Aの厚さ方向103に電流が流れる。半導体基板100Aは、上記電流に対する抵抗が半導体基板100Aの外周部よりも半導体基板100Aの中央部において高くなるように構成された抵抗制御構造を含んでいる。
【選択図】図2
Description
実施の形態1では電力用半導体装置としてIGBTを例示する。図1に実施の形態1に係るIGBT10Aの半導体チップの平面図(換言すれば上面図)を示す。IGBT10Aは、少なくとも当該半導体チップを含み、さらに半導体チップに接続されるボンディングワイヤ、半導体チップが搭載される絶縁性基板等を含むことが可能である。以下ではIGBT10Aに含まれる1つの半導体チップについて説明するが、IGBT10Aは複数の半導体チップを含むことも可能である。
図5に、実施の形態2に係るIGBT10Bを概説する図を示す。図5には、説明を分かりやすくするために、図面右側に図1に相当の平面図を示すとともに、図面左側上段に中央部41の縦断面図を示し、図面左側下段に外周部42の縦断面図を示している。
図7に、実施の形態3に係るIGBT10Cを概説する縦断面図を示す。IGBT10Cは、半導体基板100A(図2参照)の代わりに半導体基板100Cを含んでいる点を除いて、基本的にはIGBT10A(図1および図2参照)と同様の構成を有している。半導体基板100Cは、コレクタ層200A(図2参照)の代わりにコレクタ層200を含んでいる点と、ライフタイム制御層210Cが追加されている点とを除いて、基本的には半導体基板100Aと同様の構成を有している。
図10に、実施の形態4に係るIGBT10Dを概説する図を示す。図10の図示は図5に倣っている。
図12に、実施の形態5に係るIGBT10Eを概説する縦断面図を示す。IGBT10Eは、半導体基板100A(図2参照)の代わりに半導体基板100Eを含んでいる点を除いて、基本的にはIGBT10A(図1および図2参照)と同様の構成を有している。半導体基板100Eは、コレクタ層200A(図2参照)の代わりにコレクタ層200を含んでいる点と、バッファ層190(図2参照)の代わりにバッファ層190Eを含んでいる点とを除いて、基本的には半導体基板100Aと同様の構成を有している。なお、コレクタ層200については実施の形態3で既述しているので(図7参照)、ここでは重複した説明は省略する。
図15に、実施の形態6に係るIGBT10Fを概説する図を示す。図15の図示は図5に倣っている。
図17に、実施の形態7に係るIGBT10Gを概説する縦断面図を示す。IGBT10Gは、半導体基板100A(図2参照)の代わりに半導体基板100Gを含んでいる点を除いて、基本的にはIGBT10A(図1および図2参照)と同様の構成を有している。半導体基板100Gは、コレクタ層200A(図2参照)の代わりにコレクタ層200を含んでいる点と、キャリア蓄積層120(図2参照)の代わりにキャリア蓄積層120Gを含んでいる点とを除いて、基本的には半導体基板100Aと同様の構成を有している。なお、コレクタ層200については実施の形態3で既述しているので(図7参照)、ここでは重複した説明は省略する。
図20に、実施の形態8に係るIGBT10Hを概説する図を示す。図20の図示は図5に倣っている。
図22に、実施の形態9に係るIGBT10Jを概説する縦断面図を示す。IGBT10Jは、半導体基板100A(図2参照)の代わりに半導体基板100Jを含んでいる点を除いて、基本的にはIGBT10A(図1および図2参照)と同様の構成を有している。半導体基板100Jは、コレクタ層200A(図2参照)の代わりにコレクタ層200を含んでいる点と、ベース層130(図2参照)の代わりにベース層130Jを含んでいる点とを除いて、基本的には半導体基板100Aと同様の構成を有している。なお、コレクタ層200については実施の形態3で既述しているので(図7参照)、ここでは重複した説明は省略する。
上記の抵抗制御構造300A等を構成する各種要素は種々に組み合わせ可能である。例えば、図25の縦断面図に例示するIGBT10Kでは、半導体基板100Kが上記のコレクタ層200Aおよびライフタイム制御層210Cを含んでいる。
上記では電力用半導体装置としてIGBTを例示した。実施の形態11,12では電力用半導体装置の他の例としてパワーMISFET(Field Effect Transistor)を挙げる。なお、MISFETは、ゲート絶縁膜が酸化膜である場合には特にMOSFETと称される。
図29に、実施の形態12に係るパワーMOSFET10Mを概説する図を示す。図29の図示は図5に倣っている。
上記ではスイッチング素子180がいわゆるトレンチゲート型である場合を例示した。これに対し、スイッチング素子180を、ゲート絶縁膜160およびゲート電極170がトレンチ150を用いずに主面101上に積層された構造、いわゆる平面ゲート型に変形することも可能である。平面ゲート型スイッチング素子を採用しても上記各種効果が得られる。
上記では電力用半導体装置としてIGBTおよびパワーMISFETを例示した。実施の形態13では電力用半導体装置の更なる例としてパワーダイオード(以下「ダイオード」と略称する場合もある)を挙げる。
なお、上記の各態様は相互に矛盾しない限り適宜組み合わせることができる。
Claims (3)
- 半導体基板を有し前記半導体基板の厚さ方向に電流が流れる電力用半導体装置であって、
前記半導体基板は、前記電流に対する抵抗が前記半導体基板の外周部よりも前記半導体基板の中央部において高くなるように構成された抵抗制御構造を備え、
前記半導体基板は、
第1導電型の第1半導体層と、
前記厚さ方向において前記第1半導体層と対面し前記第1半導体層よりも高い不純物濃度を有する第1導電型の第3半導体層と
を備え、
前記第1半導体層および前記第3半導体層はMISFETのドリフト層およびドレイン層をそれぞれ構成し、
前記ドレイン層の不純物濃度は前記外周部よりも前記中央部において低く、
前記抵抗制御構造は前記ドレイン層を含んで構成されていることを特徴とする電力用半導体装置。 - 半導体基板を有し前記半導体基板の厚さ方向に電流が流れる電力用半導体装置であって、
前記半導体基板は、前記電流に対する抵抗が前記半導体基板の外周部よりも前記半導体基板の中央部において高くなるように構成された抵抗制御構造を備え、
前記半導体基板は、
第1導電型の第1半導体層と、
前記厚さ方向において前記第1半導体層と対面し前記第1半導体層よりも高い不純物濃度を有する第1導電型の第3半導体層と
を備え、
前記第1半導体層および前記第3半導体層はMISFETのドリフト層およびドレイン層をそれぞれ構成し、
前記ドレイン層は前記外周部に存在するが前記中央部には存在しない形状を有し、
前記抵抗制御構造は前記ドレイン層を含んで構成されていることを特徴とする電力用半導体装置。 - 請求項1または請求項2に記載の電力用半導体装置であって、
前記半導体基板は、
MIS構造を有し前記電流のオン/オフを制御する複数のスイッチング素子
を備え、
前記MIS構造は、チャネルが形成される半導体層であって前記外周部よりも前記中央部において不純物濃度が高いチャネル形成半導体層を有し、
前記抵抗制御構造は、前記チャネル形成半導体層を含んで構成されていることを特徴とする電力用半導体装置。
Priority Applications (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP2012267757A JP5546612B2 (ja) | 2012-12-07 | 2012-12-07 | 電力用半導体装置 |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP2012267757A JP5546612B2 (ja) | 2012-12-07 | 2012-12-07 | 電力用半導体装置 |
Related Parent Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP2010142241A Division JP5361808B2 (ja) | 2010-06-23 | 2010-06-23 | 電力用半導体装置 |
Publications (2)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JP2013070084A true JP2013070084A (ja) | 2013-04-18 |
JP5546612B2 JP5546612B2 (ja) | 2014-07-09 |
Family
ID=48475321
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP2012267757A Active JP5546612B2 (ja) | 2012-12-07 | 2012-12-07 | 電力用半導体装置 |
Country Status (1)
Country | Link |
---|---|
JP (1) | JP5546612B2 (ja) |
Cited By (1)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
WO2023084911A1 (ja) * | 2021-11-10 | 2023-05-19 | 住友電気工業株式会社 | 半導体装置 |
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- 2012-12-07 JP JP2012267757A patent/JP5546612B2/ja active Active
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Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
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Legal Events
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A977 | Report on retrieval |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A971007 Effective date: 20140214 |
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