JP2013063897A - 金属イオンを吸着したシリカおよびその製造方法 - Google Patents
金属イオンを吸着したシリカおよびその製造方法 Download PDFInfo
- Publication number
- JP2013063897A JP2013063897A JP2012187739A JP2012187739A JP2013063897A JP 2013063897 A JP2013063897 A JP 2013063897A JP 2012187739 A JP2012187739 A JP 2012187739A JP 2012187739 A JP2012187739 A JP 2012187739A JP 2013063897 A JP2013063897 A JP 2013063897A
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- silica
- metal ions
- persulfate
- adsorbed
- metal
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Granted
Links
- VYPSYNLAJGMNEJ-UHFFFAOYSA-N Silicium dioxide Chemical compound O=[Si]=O VYPSYNLAJGMNEJ-UHFFFAOYSA-N 0.000 title claims abstract description 344
- 239000000377 silicon dioxide Substances 0.000 title claims abstract description 168
- 229910021645 metal ion Inorganic materials 0.000 title claims abstract description 117
- 238000004519 manufacturing process Methods 0.000 title claims abstract description 52
- JRKICGRDRMAZLK-UHFFFAOYSA-L persulfate group Chemical class S(=O)(=O)([O-])OOS(=O)(=O)[O-] JRKICGRDRMAZLK-UHFFFAOYSA-L 0.000 claims abstract description 45
- ROOXNKNUYICQNP-UHFFFAOYSA-N ammonium persulfate Chemical compound [NH4+].[NH4+].[O-]S(=O)(=O)OOS([O-])(=O)=O ROOXNKNUYICQNP-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 50
- 239000000084 colloidal system Substances 0.000 claims description 33
- 229910001870 ammonium persulfate Inorganic materials 0.000 claims description 25
- -1 halogen salt Chemical class 0.000 claims description 14
- KWYUFKZDYYNOTN-UHFFFAOYSA-M Potassium hydroxide Chemical compound [OH-].[K+] KWYUFKZDYYNOTN-UHFFFAOYSA-M 0.000 claims description 12
- 239000002245 particle Substances 0.000 claims description 10
- 229910052751 metal Inorganic materials 0.000 claims description 9
- 239000002184 metal Substances 0.000 claims description 9
- 238000010438 heat treatment Methods 0.000 claims description 8
- 239000011258 core-shell material Substances 0.000 claims description 7
- 239000000463 material Substances 0.000 claims description 7
- NWUYHJFMYQTDRP-UHFFFAOYSA-N 1,2-bis(ethenyl)benzene;1-ethenyl-2-ethylbenzene;styrene Chemical compound C=CC1=CC=CC=C1.CCC1=CC=CC=C1C=C.C=CC1=CC=CC=C1C=C NWUYHJFMYQTDRP-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 6
- LCPVQAHEFVXVKT-UHFFFAOYSA-N 2-(2,4-difluorophenoxy)pyridin-3-amine Chemical compound NC1=CC=CN=C1OC1=CC=C(F)C=C1F LCPVQAHEFVXVKT-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 6
- 239000003729 cation exchange resin Substances 0.000 claims description 6
- 239000008119 colloidal silica Substances 0.000 claims description 6
- 239000002131 composite material Substances 0.000 claims description 6
- USHAGKDGDHPEEY-UHFFFAOYSA-L potassium persulfate Chemical compound [K+].[K+].[O-]S(=O)(=O)OOS([O-])(=O)=O USHAGKDGDHPEEY-UHFFFAOYSA-L 0.000 claims description 6
- CHQMHPLRPQMAMX-UHFFFAOYSA-L sodium persulfate Substances [Na+].[Na+].[O-]S(=O)(=O)OOS([O-])(=O)=O CHQMHPLRPQMAMX-UHFFFAOYSA-L 0.000 claims description 6
- 229920000642 polymer Polymers 0.000 claims description 5
- 238000003756 stirring Methods 0.000 claims description 5
- 239000003517 fume Substances 0.000 claims description 4
- QAOWNCQODCNURD-UHFFFAOYSA-L Sulfate Chemical compound [O-]S([O-])(=O)=O QAOWNCQODCNURD-UHFFFAOYSA-L 0.000 claims description 3
- 239000003795 chemical substances by application Substances 0.000 claims description 3
- 150000001875 compounds Chemical class 0.000 claims description 3
- 229910052736 halogen Inorganic materials 0.000 claims description 3
- 229910001960 metal nitrate Inorganic materials 0.000 claims description 3
- 238000001816 cooling Methods 0.000 claims description 2
- 229910021485 fumed silica Inorganic materials 0.000 claims description 2
- 239000000243 solution Substances 0.000 description 40
- XEEYBQQBJWHFJM-UHFFFAOYSA-N iron Substances [Fe] XEEYBQQBJWHFJM-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 30
- 238000005498 polishing Methods 0.000 description 20
- MHAJPDPJQMAIIY-UHFFFAOYSA-N Hydrogen peroxide Chemical compound OO MHAJPDPJQMAIIY-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 12
- 238000000691 measurement method Methods 0.000 description 11
- VGTPCRGMBIAPIM-UHFFFAOYSA-M sodium thiocyanate Chemical compound [Na+].[S-]C#N VGTPCRGMBIAPIM-UHFFFAOYSA-M 0.000 description 10
- 238000001095 inductively coupled plasma mass spectrometry Methods 0.000 description 9
- 238000000034 method Methods 0.000 description 9
- 238000001179 sorption measurement Methods 0.000 description 9
- 229910052742 iron Inorganic materials 0.000 description 8
- 239000006228 supernatant Substances 0.000 description 7
- WFKWXMTUELFFGS-UHFFFAOYSA-N tungsten Chemical compound [W] WFKWXMTUELFFGS-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 7
- 229910052721 tungsten Inorganic materials 0.000 description 7
- 239000010937 tungsten Substances 0.000 description 7
- 238000002474 experimental method Methods 0.000 description 5
- 239000000758 substrate Substances 0.000 description 5
- 239000007864 aqueous solution Substances 0.000 description 4
- 238000001228 spectrum Methods 0.000 description 4
- 239000000126 substance Substances 0.000 description 4
- 238000002211 ultraviolet spectrum Methods 0.000 description 4
- BOTDANWDWHJENH-UHFFFAOYSA-N Tetraethyl orthosilicate Chemical compound CCO[Si](OCC)(OCC)OCC BOTDANWDWHJENH-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- 150000002500 ions Chemical class 0.000 description 3
- MVFCKEFYUDZOCX-UHFFFAOYSA-N iron(2+);dinitrate Chemical compound [Fe+2].[O-][N+]([O-])=O.[O-][N+]([O-])=O MVFCKEFYUDZOCX-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- 239000007788 liquid Substances 0.000 description 3
- 238000005259 measurement Methods 0.000 description 2
- 239000000047 product Substances 0.000 description 2
- 238000005119 centrifugation Methods 0.000 description 1
- 230000003750 conditioning effect Effects 0.000 description 1
- 238000002149 energy-dispersive X-ray emission spectroscopy Methods 0.000 description 1
- 238000005516 engineering process Methods 0.000 description 1
- 238000011065 in-situ storage Methods 0.000 description 1
- 230000010354 integration Effects 0.000 description 1
- 239000000203 mixture Substances 0.000 description 1
- 238000000746 purification Methods 0.000 description 1
- 239000004065 semiconductor Substances 0.000 description 1
- 239000007787 solid Substances 0.000 description 1
Classifications
-
- C—CHEMISTRY; METALLURGY
- C01—INORGANIC CHEMISTRY
- C01B—NON-METALLIC ELEMENTS; COMPOUNDS THEREOF; METALLOIDS OR COMPOUNDS THEREOF NOT COVERED BY SUBCLASS C01C
- C01B33/00—Silicon; Compounds thereof
- C01B33/113—Silicon oxides; Hydrates thereof
- C01B33/12—Silica; Hydrates thereof, e.g. lepidoic silicic acid
-
- B—PERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
- B82—NANOTECHNOLOGY
- B82Y—SPECIFIC USES OR APPLICATIONS OF NANOSTRUCTURES; MEASUREMENT OR ANALYSIS OF NANOSTRUCTURES; MANUFACTURE OR TREATMENT OF NANOSTRUCTURES
- B82Y30/00—Nanotechnology for materials or surface science, e.g. nanocomposites
-
- C—CHEMISTRY; METALLURGY
- C01—INORGANIC CHEMISTRY
- C01B—NON-METALLIC ELEMENTS; COMPOUNDS THEREOF; METALLOIDS OR COMPOUNDS THEREOF NOT COVERED BY SUBCLASS C01C
- C01B33/00—Silicon; Compounds thereof
- C01B33/113—Silicon oxides; Hydrates thereof
- C01B33/12—Silica; Hydrates thereof, e.g. lepidoic silicic acid
- C01B33/126—Preparation of silica of undetermined type
-
- C—CHEMISTRY; METALLURGY
- C01—INORGANIC CHEMISTRY
- C01B—NON-METALLIC ELEMENTS; COMPOUNDS THEREOF; METALLOIDS OR COMPOUNDS THEREOF NOT COVERED BY SUBCLASS C01C
- C01B33/00—Silicon; Compounds thereof
- C01B33/113—Silicon oxides; Hydrates thereof
- C01B33/12—Silica; Hydrates thereof, e.g. lepidoic silicic acid
- C01B33/14—Colloidal silica, e.g. dispersions, gels, sols
- C01B33/146—After-treatment of sols
- C01B33/149—Coating
-
- C—CHEMISTRY; METALLURGY
- C01—INORGANIC CHEMISTRY
- C01B—NON-METALLIC ELEMENTS; COMPOUNDS THEREOF; METALLOIDS OR COMPOUNDS THEREOF NOT COVERED BY SUBCLASS C01C
- C01B33/00—Silicon; Compounds thereof
- C01B33/113—Silicon oxides; Hydrates thereof
- C01B33/12—Silica; Hydrates thereof, e.g. lepidoic silicic acid
- C01B33/18—Preparation of finely divided silica neither in sol nor in gel form; After-treatment thereof
-
- C—CHEMISTRY; METALLURGY
- C09—DYES; PAINTS; POLISHES; NATURAL RESINS; ADHESIVES; COMPOSITIONS NOT OTHERWISE PROVIDED FOR; APPLICATIONS OF MATERIALS NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- C09K—MATERIALS FOR MISCELLANEOUS APPLICATIONS, NOT PROVIDED FOR ELSEWHERE
- C09K3/00—Materials not provided for elsewhere
- C09K3/14—Anti-slip materials; Abrasives
- C09K3/1436—Composite particles, e.g. coated particles
-
- C—CHEMISTRY; METALLURGY
- C01—INORGANIC CHEMISTRY
- C01P—INDEXING SCHEME RELATING TO STRUCTURAL AND PHYSICAL ASPECTS OF SOLID INORGANIC COMPOUNDS
- C01P2002/00—Crystal-structural characteristics
- C01P2002/70—Crystal-structural characteristics defined by measured X-ray, neutron or electron diffraction data
- C01P2002/72—Crystal-structural characteristics defined by measured X-ray, neutron or electron diffraction data by d-values or two theta-values, e.g. as X-ray diagram
-
- C—CHEMISTRY; METALLURGY
- C01—INORGANIC CHEMISTRY
- C01P—INDEXING SCHEME RELATING TO STRUCTURAL AND PHYSICAL ASPECTS OF SOLID INORGANIC COMPOUNDS
- C01P2004/00—Particle morphology
- C01P2004/01—Particle morphology depicted by an image
- C01P2004/03—Particle morphology depicted by an image obtained by SEM
-
- C—CHEMISTRY; METALLURGY
- C01—INORGANIC CHEMISTRY
- C01P—INDEXING SCHEME RELATING TO STRUCTURAL AND PHYSICAL ASPECTS OF SOLID INORGANIC COMPOUNDS
- C01P2004/00—Particle morphology
- C01P2004/60—Particles characterised by their size
- C01P2004/62—Submicrometer sized, i.e. from 0.1-1 micrometer
-
- C—CHEMISTRY; METALLURGY
- C01—INORGANIC CHEMISTRY
- C01P—INDEXING SCHEME RELATING TO STRUCTURAL AND PHYSICAL ASPECTS OF SOLID INORGANIC COMPOUNDS
- C01P2004/00—Particle morphology
- C01P2004/60—Particles characterised by their size
- C01P2004/64—Nanometer sized, i.e. from 1-100 nanometer
Landscapes
- Chemical & Material Sciences (AREA)
- Organic Chemistry (AREA)
- Inorganic Chemistry (AREA)
- Engineering & Computer Science (AREA)
- Materials Engineering (AREA)
- Nanotechnology (AREA)
- Composite Materials (AREA)
- Condensed Matter Physics & Semiconductors (AREA)
- General Physics & Mathematics (AREA)
- Crystallography & Structural Chemistry (AREA)
- Physics & Mathematics (AREA)
- Dispersion Chemistry (AREA)
- Mechanical Treatment Of Semiconductor (AREA)
- Silicon Compounds (AREA)
- Compounds Of Alkaline-Earth Elements, Aluminum Or Rare-Earth Metals (AREA)
Abstract
【解決手段】金属イオンを吸着したシリカは、過硫酸塩で修飾された金属イオンを吸着したシリカである。この製造方法は、以下のステップを含む。まず、シリカおよび過硫酸塩を含む溶液を提供する。続いて、溶液を加熱して、シリカと過硫酸塩を反応させ、過硫酸塩で修飾されたシリカを得る。それから、溶液中に金属イオン源を加えて、金属イオン源から金属イオンを解離させ、過硫酸塩で修飾されたシリカに金属イオンを吸着させて、金属イオンを吸着したシリカを得る。
【選択図】図1
Description
[実験例1]
[実験例2]
[実験例3]
Claims (20)
- シリカおよび過硫酸塩を含む溶液を提供することと、
前記溶液を加熱して、前記シリカと前記過硫酸塩を反応させ、過硫酸塩で修飾されたシリカを得ることと、
前記溶液中に金属イオン源を加えて、前記金属イオン源から金属イオンを解離させ、前記過硫酸塩で修飾されたシリカに前記金属イオンを吸着させて、前記金属イオンを吸着したシリカを得ることと
を含む金属イオンを吸着したシリカの製造方法。 - 前記シリカが、ナノメートルシリカを含む請求項1に記載の金属イオンを吸着したシリカの製造方法。
- 前記シリカの材料が、コロイドシリカ(colloidal silica)、フュームシリカ(fumed silica)、高分子シリカコアシェル粒子(polymer-silica core-shell particle)、シリカを含む複合コロイド(composite colloid)、または上記のうちいずれか2つ以上の組み合わせを含む請求項1に記載の金属イオンを吸着したシリカの製造方法。
- 前記シリカが、陽イオン交換樹脂で純化した後のシリカを含む請求項1に記載の金属イオンを吸着したシリカの製造方法。
- 前記過硫酸塩が、過硫酸ナトリウム、過硫酸カリウム、過硫酸アンモニウム、または上記のうちいずれか2つ以上の組み合わせを含む請求項1に記載の金属イオンを吸着したシリカの製造方法。
- 前記金属イオン源が、金属硫酸塩、金属硝酸塩、金属ハロゲン塩、金属有機酸塩、金属イオン錯体化合物、または上記のうちいずれか2つ以上の組み合わせを含む請求項1に記載の金属イオンを吸着したシリカの製造方法。
- 前記金属イオンが、Fe3+、Fe2+、Cu2+、Ag+、または上記のうちいずれか2つ以上の組み合わせを含む請求項1に記載の金属イオンを吸着したシリカの製造方法。
- 前記シリカの重量%濃度が、0.05%〜50%であり、
前記過硫酸塩の用量が、10ppm〜100000ppmであり、
前記金属イオン源の用量が、0.1ppm〜1500ppmである、請求項1に記載の金属イオンを吸着したシリカの製造方法。 - 前記過硫酸塩で修飾されたシリカが、99%〜100%の前記金属イオンを吸着する請求項8に記載の金属イオンを吸着したシリカの製造方法。
- 加熱後の前記溶液の温度が、50℃〜90℃である請求項1に記載の金属イオンを吸着したシリカの製造方法。
- 前記溶液の加熱期間が、1時間〜3時間である請求項1に記載の金属イオンを吸着したシリカの製造方法。
- 前記過硫酸塩で修飾されたシリカが前記金属イオンを吸着した時、前記溶液のpH値の範囲が、4以上、且つ7より小さい請求項1に記載の金属イオンを吸着したシリカの製造方法。
- 前記使用したpH値調整剤が、水酸化カリウムを含む請求項12に記載の金属イオンを吸着したシリカの製造方法。
- 前記過硫酸塩で修飾されたシリカが前記金属イオンを吸着した時、さらに、前記溶液に対して撹拌を行うことを含む請求項1に記載の金属イオンを吸着したシリカの製造方法。
- 前記過硫酸塩で修飾されたシリカを得た後、さらに、前記溶液を冷却することを含む請求項1に記載の金属イオンを吸着したシリカの製造方法。
- 前記過硫酸塩で修飾されたシリカが前記金属イオンを吸着した時、前記溶液の温度が、室温を含む請求項1に記載の金属イオンを吸着したシリカの製造方法。
- 過硫酸塩で修飾された金属イオンを吸着したシリカである金属イオンを吸着したシリカ。
- 前記過硫酸塩で修飾された金属イオンを吸着したシリカが、Si-O-SO3Mを含み、Mが、Fe3+、Fe2+、Cu2+、Ag+、または上記のうちいずれか2つ以上を組み合わせた金属イオンである請求項17に記載の金属イオンを吸着したシリカ。
- 前記過硫酸塩が、過硫酸ナトリウム、過硫酸カリウム、過硫酸アンモニウム、または上記のうちいずれか2つ以上の組み合わせを含む請求項17に記載の金属イオンを吸着したシリカ。
- 前記シリカの材料が、コロイドシリカ、フュームシリカ、高分子シリカコアシェル粒子、シリカを含む複合コロイド、または上記のうちいずれか2つ以上の組み合わせを含む17に記載の金属イオンを吸着したシリカ。
Applications Claiming Priority (2)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
TW100133661A TWI574916B (zh) | 2011-09-19 | 2011-09-19 | 吸附有金屬離子的二氧化矽及其製造方法 |
TW100133661 | 2011-09-19 |
Publications (2)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JP2013063897A true JP2013063897A (ja) | 2013-04-11 |
JP5632428B2 JP5632428B2 (ja) | 2014-11-26 |
Family
ID=47879771
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP2012187739A Active JP5632428B2 (ja) | 2011-09-19 | 2012-08-28 | 金属イオンを吸着したシリカおよびその製造方法 |
Country Status (4)
Country | Link |
---|---|
US (1) | US8747693B2 (ja) |
JP (1) | JP5632428B2 (ja) |
CN (1) | CN103011175B (ja) |
TW (1) | TWI574916B (ja) |
Families Citing this family (4)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
US20140315386A1 (en) | 2013-04-19 | 2014-10-23 | Air Products And Chemicals, Inc. | Metal Compound Coated Colloidal Particles Process for Making and Use Therefor |
CN104371649B (zh) * | 2014-09-28 | 2017-05-10 | 顾泉 | 一种化学机械研磨组合物 |
US10160884B2 (en) | 2015-03-23 | 2018-12-25 | Versum Materials Us, Llc | Metal compound chemically anchored colloidal particles and methods of production and use thereof |
CN106517217B (zh) * | 2016-11-16 | 2018-11-23 | 嘉兴昊特新材料科技有限公司 | 一种核壳型硅溶胶的制备方法 |
Family Cites Families (11)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
US7513920B2 (en) * | 2002-02-11 | 2009-04-07 | Dupont Air Products Nanomaterials Llc | Free radical-forming activator attached to solid and used to enhance CMP formulations |
KR100717514B1 (ko) * | 2005-12-30 | 2007-05-11 | 제일모직주식회사 | 유기/무기 혼성 나노복합체 및 이를 이용한 열가소성나노복합재 수지 조성물 |
CN100467376C (zh) * | 2006-10-20 | 2009-03-11 | 山东大学 | 硅质材料表面化学改性的方法 |
EP2078696A4 (en) * | 2006-10-31 | 2015-09-02 | Kao Corp | MESOPOROUS SILICON DIOXIDE PARTICLES |
JP5118328B2 (ja) * | 2006-10-31 | 2013-01-16 | 花王株式会社 | 中空シリカ粒子 |
US20080149591A1 (en) * | 2006-12-21 | 2008-06-26 | Junaid Ahmed Siddiqui | Method and slurry for reducing corrosion on tungsten during chemical mechanical polishing |
TW200837177A (en) * | 2007-03-06 | 2008-09-16 | Uwiz Technology Co Ltd | Chemical mechanical polishing composition |
US7915327B2 (en) * | 2007-03-22 | 2011-03-29 | Xerox Corporation | Spherical silica core-shell particles |
EP2110414A1 (de) * | 2008-04-18 | 2009-10-21 | Nanoresins AG | Oberflächenmodifizierte Siliziumdioxid-Partikel |
CN101289190A (zh) * | 2008-05-22 | 2008-10-22 | 同济大学 | 一种官能化的中空二氧化硅微球及其制备方法 |
WO2010085324A1 (en) * | 2009-01-20 | 2010-07-29 | Cabot Corporation | Compositons comprising silane modified metal oxides |
-
2011
- 2011-09-19 TW TW100133661A patent/TWI574916B/zh active
-
2012
- 2012-08-28 JP JP2012187739A patent/JP5632428B2/ja active Active
- 2012-09-13 US US13/615,539 patent/US8747693B2/en active Active
- 2012-09-14 CN CN201210339962.0A patent/CN103011175B/zh active Active
Also Published As
Publication number | Publication date |
---|---|
TW201313613A (zh) | 2013-04-01 |
JP5632428B2 (ja) | 2014-11-26 |
CN103011175B (zh) | 2014-09-03 |
CN103011175A (zh) | 2013-04-03 |
US20130068995A1 (en) | 2013-03-21 |
US8747693B2 (en) | 2014-06-10 |
TWI574916B (zh) | 2017-03-21 |
Similar Documents
Publication | Publication Date | Title |
---|---|---|
US7753974B2 (en) | Polishing composition for semiconductor wafer, method for production thereof and polishing method | |
JP5599440B2 (ja) | 異形シリカゾル | |
JP5632428B2 (ja) | 金属イオンを吸着したシリカおよびその製造方法 | |
JP5221517B2 (ja) | アルミ改質コロイダルシリカ及びその製造方法 | |
TW460963B (en) | Polishing slurry and polishing method | |
JP2006249129A (ja) | 研磨剤の製造方法及び研磨剤 | |
JP2017206411A (ja) | シリカ系複合微粒子分散液、その製造方法及びシリカ系複合微粒子分散液を含む研磨用スラリー | |
JP2002338232A (ja) | 二次凝集コロイダルシリカとその製造方法及びそれを用いた研磨剤組成物 | |
CN107936848B (zh) | 一种用于硅衬底抛光的抛光液及其制备方法 | |
JP4549878B2 (ja) | 高純度水性シリカゾルの製造方法 | |
TW201936500A (zh) | 具有細長粒子形狀之二氧化矽溶膠的製造方法 | |
TW202134179A (zh) | 二氧化矽粒子、二氧化矽溶膠、研磨組合物、研磨方法、半導體晶圓之製造方法及半導體裝置之製造方法 | |
JP7137157B2 (ja) | 細長い粒子形状を有するシリカゾルの製造方法 | |
CN103589344B (zh) | 一种氧化铝抛光液的制备方法 | |
JP5972660B2 (ja) | コロイドシリカの製造方法及びcmp用スラリーの製造方法 | |
JP2006202932A (ja) | 研磨用組成物、その製造方法及び該研磨用組成物を用いる研磨方法 | |
JP4954046B2 (ja) | アンモニウム含有シリカ系ゾルの製造方法 | |
JP7331437B2 (ja) | シリカ粒子、シリカゾル、研磨組成物、研磨方法、半導体ウェハの製造方法及び半導体デバイスの製造方法 | |
JP2021116209A (ja) | シリカ粒子の製造方法、シリカゾルの製造方法、研磨方法、半導体ウェハの製造方法及び半導体デバイスの製造方法 | |
JP2006104354A (ja) | 研磨用組成物、その製造方法及び該研磨用組成物を用いる研磨方法 | |
JP2001332518A (ja) | 研磨用組成物およびそれを用いた研磨方法 | |
TW201615547A (zh) | 二氧化鈰粉體的製造方法及二氧化鈰粉體 | |
JP2010241642A (ja) | コロイダルシリカ | |
JP7331435B2 (ja) | シリカ粒子、シリカゾル、研磨組成物、研磨方法、半導体ウェハの製造方法及び半導体デバイスの製造方法 | |
JP7331436B2 (ja) | シリカ粒子、シリカゾル、研磨組成物、研磨方法、半導体ウェハの製造方法及び半導体デバイスの製造方法 |
Legal Events
Date | Code | Title | Description |
---|---|---|---|
A977 | Report on retrieval |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A971007 Effective date: 20131212 |
|
A131 | Notification of reasons for refusal |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A131 Effective date: 20140121 |
|
A521 | Request for written amendment filed |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A523 Effective date: 20140418 |
|
TRDD | Decision of grant or rejection written | ||
A01 | Written decision to grant a patent or to grant a registration (utility model) |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A01 Effective date: 20140930 |
|
A61 | First payment of annual fees (during grant procedure) |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A61 Effective date: 20141009 |
|
R150 | Certificate of patent or registration of utility model |
Ref document number: 5632428 Country of ref document: JP Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R150 |
|
R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |
|
R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |
|
R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |
|
S111 | Request for change of ownership or part of ownership |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R313113 Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R313111 |
|
R350 | Written notification of registration of transfer |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R350 |
|
R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |
|
R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |
|
R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |