JP2001332518A - 研磨用組成物およびそれを用いた研磨方法 - Google Patents
研磨用組成物およびそれを用いた研磨方法Info
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Abstract
等のとくに金属表面の鏡面研磨時に、コロイダルシリカ
の安定性が高く、研磨特性が長期に安定であり、高精
度、高品質の鏡面が得られる研磨用組成物およびそれを
用いた研磨方法を提供すること。 【解決手段】 水、カチオン性コロイダルシリカ、およ
び金属の硝酸塩を含有することを特徴とする研磨用組成
物。
Description
ス表面、磁気ディスク表面等のとくに金属表面の鏡面研
磨時に用いる研磨用組成物およびそれを用いた研磨方法
に関するものである。
スク研磨、NiPめっきしたディスクの研磨は、アルミ
ナ微粒子を水に分散した酸性のスラリーが用いられてい
るが、近年例えば磁気ディスクでは、記憶密度の向上と
ともに、研磨粒子や研磨促進剤の改良が行われ、研磨面
の精度は向上を続けてきた。しかし、アルミナ微粒子の
スラリーをベースにした方法の改良は限界に達し、最近
では、シリカスラリーやコロイダルシリカをベースにし
た方法が提案されている。通常のシリカスラリーやコロ
イダルシリカは、アルカリ域ではシリカ粒子が負電荷を
持ち、分散安定であるが、酸性域や酸性塩溶液中では、
電荷を失い分散安定性が悪く、凝集や粘度の上昇やゲル
化を起こしやすい。このため従来の研磨液を用いた研磨
では研磨の進行と共に研磨速度等の研磨特性が変動して
しまうという問題があった。金属研磨の研磨特性は、研
磨液中の研磨粒子の凝集状態に大きく依存する。研磨粒
子の凝集状態は、電解質濃度やpHにより変化するた
め、研磨の進行と共に研磨液中に研磨対象金属が溶解す
ることにより、研磨の初期と終期では研磨特性が変化し
てしまう問題が生じる。
や硫酸を研磨促進剤兼コロイドの安定剤として配合した
研磨材による磁気ディスク基板表面の研磨方法が記載さ
れている。特開平9−204657号公報には、ホスホ
ン酸、フェナントロニン、アセチルアセシアルミニウム
塩をゲル化防止剤として配合した研磨材による磁気ディ
スク基板表面の研磨方法が記載されている。特開平10
−74719号公報には、硝酸テトラメチルアンモニウ
ム・アルミニウムを研磨装置への供給使用直前に配合し
た研磨材による半導体素子表面の研磨方法が記載されて
いる。特開平11−111657号公報には、シリカの
コロイド液に予め電解質やセルロースを添加してコロイ
ド粒子を凝集させた研磨材を使用して、安定した研磨を
行うダマシン配線の研磨方法が記載されている。特開平
11−246849号公報には、硝酸をコロイドの安定
化剤として、硝酸アルミと過酸化水素と共に、研磨装置
への供給使用直前にコロイダルシリカに添加して、Ni
Pめっきしたディスクの研磨を行う研磨方法が記載され
ている。
ずれの提案も安定な研磨用組成物が見いだされてないが
為の一時避難的な手段であって、根本的な問題解決に至
っていない。すなわち、特開平7−240025号公報
では、研磨作業の直前にアニオン性コロイダルシリカに
硝酸を研磨促進剤兼コロイドの安定剤として加え、次い
で硝酸アルミニウムを添加する手段を取っているが、シ
リカを希釈する工程、硝酸を添加する工程、硝酸アルミ
を溶解する工程が毎回の作業となり、連続化・自動化が
煩雑となり、使用残のスラリーは廃棄するしかないので
経済的にも不利である。同様に特開平10−74719
号公報、特開平11−246849号公報の方法も使用
直前の混合による方法をとっており、薬剤や混合方法を
工夫して連続化を計っているが、混合時のゲルの発生の
有無や混合比率の確認などのスラリーの状態を確認する
ことなく薬剤の混合直後に使用するのはリスクが大きす
ぎる。特開平9−204657号公報や特開平11−1
11657号公報のようにコロイドの安定化のために、
研磨と関係のない薬剤まで使用するのは経済的にも不利
であり、排水時の環境負荷が問題となる。また、酸性域
では、アニオン性コロイダルシリカは電荷を失い、さら
に高濃度の塩類が共存する状態では、経時的にコロイダ
ルシリカの安定度が低下する事は避けられない問題であ
る。
バイス表面、磁気ディスク表面等のとくに金属表面の鏡
面研磨時に、コロイダルシリカの安定性が高く、研磨特
性が長期に安定であり、高精度、高品質の鏡面が得られ
る研磨用組成物およびそれを用いた研磨方法を提供する
ことにある。
を重ねた結果、上記のような従来の課題を解決すること
を見出した。
ダルシリカ、および金属の硝酸塩を含有することを特徴
とする研磨用組成物を提供するものである。
特徴とする前記の研磨用組成物を提供するものである。
を含有することを特徴とする前記の研磨用組成物を提供
するものである。
金属の硝酸塩および/または硝酸アルミニウムであるこ
とを特徴とする前記の研磨用組成物を提供するものであ
る。
u、NiPまたはそれらを成分とする合金であることを
特徴とする前記の研磨用組成物を提供するものである。
カの粒子径が、5〜300nmであり、かつシリカ濃度
が10〜60重量%であることを特徴とする前記の研磨
用組成物を提供するものである。
て、金属表面を鏡面研磨する研磨方法を提供するもので
ある。
リカ(SiO2)の粒子径が5〜300nmの範囲であ
り、好ましくは5〜50nmの範囲である。シリカ(S
iO2)濃度は10〜60重量%であり、好ましくは1
5〜30重量%である。このようなカチオン性コロイダ
ルシリカは、米国特許第3007878号明細書、米国
特許第3864142号明細書、特開平2−17281
2号公報および特開平4−270107号公報に記載さ
れているカチオン性コロイダルシリカも使用することが
できる。
であるためにその粒子表面は、負の電荷を帯びている
が、本発明に係るカチオン性コロイダルシリカは、正電
荷をもつ微細な金属酸化物によりシリカ粒子表面にコー
ティング処理が施されている。なかでも、シリカ粒子が
酸化アルミニウム(アルミナ)でコーティングされてい
て、安定化アニオン種が硝酸イオンであり、pHが3〜
4であり、塩素イオンを含んでいないカチオン性コロイ
ダルシリカがもっとも好適である。前記金属酸化物とし
ては、例えばアルミナ、酸化鉄、クロミア、二酸化チタ
ン、ジルコニア等を挙げることができるが、なかでもア
ルミナが好ましい。したがって原料となる塩基性塩化金
属塩水溶液としては、例えば塩基性塩化アルミニウム、
塩基性塩化鉄、塩基性塩化クロミウム、塩基性塩化チタ
ニウム、塩基性塩化ジルコニウム等の水溶液の1種また
は2種以上が用いられる。
液によってコーティングする方法は、公知の方法によっ
て処理することができる。例えば、コロイダルシリカと
塩基性塩化金属塩水溶液を同時混合またはポンプ内混合
などの混合操作を強力な攪拌や剪断下に施してコーティ
ング処理をおこなう。コーティング処理後の加熱熟成
は、60〜80℃で、0.5時間以上、好ましくは、7
0℃前後の温度で1時間程度の条件でおこなう。なお、
加熱熟成はアニオン交換後におこなってもよい。加熱熟
成についで、コロイダルシリカにアルカリ剤を添加して
pH4〜6に調整する。アルカリ剤としては、アルカリ
金属水酸化物、アルカリ土類金属水酸化物、アンモニ
ア、4級アンモニウム水酸化物およびアミンを使用目的
に応じて用いることができる。この際のpHが4を下回
ると塩基性金属塩化物の加水分解が不十分となって金属
イオンに溶出量が多くなり、6を超えるとコロイドの安
定性が悪くなる。前記加熱熟成およびpH調整によっ
て、金属酸化物のコーティングが完成する。
を充填したカラムに前処理で得られたコロイダルシリカ
を通過されることによりおこなわれる。アニオン交換樹
脂としては、強塩基性、弱塩基性のいずれもの樹脂も使
用できるが、樹脂のアニオンとしては、無機アニオンは
例えば、NO3 -、NO2 -、PO4 3-、P2O6-、S
O4 2 -、SO3 2-、F-、CN-、BO2 -、BO3 3-等、有
機アニオンは例えば、CH3CO-、HCO2 -、CH3C
H(OH)CO2 -、等が挙げられる。得られたカチオン
性コロイダルシリカは必要に応じて限外濾過等の濃縮処
理を施すことにより、シリカ濃度を20〜30重量%ま
で濃縮することができる。
は、液相にはコーティング成分の金属イオン(アルミニ
ウムイオン等)が存在し、存在量は少量であるが、本発
明の最終組成物の構成イオン種と同じ成分構成になって
いる。したがって、酸である硝酸や硝酸アルミニウムを
添加しても混合時にカチオン性コロイダルシリカが不安
定になることもなく、ゲルの発生などもしない。また、
本発明では、それらの添加量を研磨特性に必要な量まで
増やしても、実質的にカチオン性コロイダルシリカが安
定であることが見出された。さらには、過酸化水素を添
加混合しても実質的にカチオン性コロイダルシリカが安
定であることが見出された。また、酸性域で安定化して
いる他種のコロイド、例えばアルミナゾル、酸化セリウ
ムゾル、酸化ジルコニウムゾルなどとの混合安定性が高
く、それら微粒子粉体を添加しても安定性は良い。ただ
し、上記カチオン性コロイダルシリカに限るものではな
く、さらに高純度のカチオン性コロイダルシリカである
ことはより好ましい。それにはシリカ原料を以下のよう
に精製したコロイダルシリカが好ましい。
オン性コロイダルシリカをカチオン交換樹脂とアニオン
交換樹脂に順次接触させ不純物イオンを除去したコロイ
ダルシリカを原料に使用する。さらによい方法は、カチ
オン化処理を施す前のアニオン性コロイダルシリカに酸
を添加して、酸溶性成分を液相に溶解させた後、カチオ
ン交換樹脂とアニオン交換樹脂に順次接触させ不純物イ
オンを除去したコロイダルシリカを原料に使用する。
トから製造されたコロイダルシリカを原料に使用するの
も良い。四塩化珪素や金属珪素から気相法で製造された
シリカを水に分散したコロイダルシリカを原料に使用す
るのもよい。カチオン性コロイダルシリカの添加量は、
研磨用組成物に対して10〜60重量%がよい。
加させるために用いることができる。添加量は研磨用組
成物全体に対して0.1〜20重量%が望ましく、0.
1重量%未満では機能が充分に果たされず、20重量%
を超えるとゲル化し易くなる傾向があるからである。こ
の場合に好ましいpHは、0.5〜4.5の範囲であ
る。研磨対象金属が、Alである場合には硝酸アルミニ
ウムを成分に加えることができる。Al(NO3)3・9H
2Oの添加量としては、0.1〜20重量%が好まし
く、1〜15重量%がより好ましい。研磨対象金属が、
AlCu合金である場合には、硝酸アルミニウムおよび
硝酸銅を成分に加えることができる。Al(NO3)3・9
H2OおよびCu(NO3)2・3H2Oの合計の添加量とし
ては、0.1〜20重量%が好ましく、1〜15重量%
がより好ましい。NiPを成分とする合金である場合に
は、硝酸ニッケルおよび硝酸アルミニウムを成分に加え
ることができる。Ni(NO3)2・6H2OおよびAl
(NO3)3・9H2Oの添加量としては、0.1〜20重
量%が好ましく、1〜15重量%がより好ましい。
できる。なかでも好ましいのは硝酸であり、添加量は、
pHが0.5〜4.5となる量が好ましい。また、本発
明の研磨用組成物には、さらに過酸化水素(H2O2)を
成分に加えることができる。H2O2の添加量としては、
研磨用組成物に対して0.1〜5重量%が好ましく、
0.5〜5重量%がより好ましい。添加量の範囲は、
0.1重量%以上で効果が発現する数値であり、上限は
経済的理由もふまえて5重量%を超えて添加しても効果
の増加が不十分である。以上に記載した研磨対象金属と
研磨対象金属の硝酸塩と添加成分との組み合わせは、例
として記載したものであって、これに限定されるもので
はなく、幅広い組み合わせの研磨用組成物を対象とする
ものである。
らに別の成分を加えることができる。例えば、研磨性能
の調節には他種のコロイド、例えばアルミナゾル、酸化
セリウムゾル、酸化ジルコニウムゾルなどを加えること
もでき、それら微粒子粉体を加えることもできる。ま
た、研磨面やパッドの塗れ性の改善には、界面活性剤
や、水溶性高分子を加えることができる。同様に、キレ
ート剤、腐食防止剤、殺菌剤、などを必要に応じ加える
ことができる。
1]イオン交換法による純度の高いカチオン性コロイダ
ルシリカの製造例を示す。珪酸アルカリ水溶液をシリカ
濃度3〜10重量%に水希釈し、次いでH型強酸性カチ
オン交換樹脂に接触させて脱アルカリし、硝酸を加えて
pHを1.5とした。24時間静置した後、H型強酸性
カチオン交換樹脂に接触させて脱金属し、次いでOH型
強塩基性アニオン交換樹脂に接触させて脱アニオンし
た。このようにして純度の高い活性珪酸が得られた。キ
レート剤をこの酸性を呈する活性珪酸に添加した。次い
で、常法に準じてコロイド粒子の成長のため、pHが8
以上となるようアルカリ剤を添加し、オートクレーブに
て160℃に加熱した。アルカリ剤としてはテトラメチ
ルアンモニウム水酸化物を使用した。加熱後のシリカの
粒子径は、15nmとなった。粒子の分散状態は単分散
であった。粒子の形状は非球形状であった。コロイド粒
子の成長が終了した希薄なコロイダルシリカは、限外濾
過膜によってシリカの濃度が20重量%となるように濃
縮した。ただし、この工程はキレート化された金属の洗
い出し除去をかねているので、目標濃度に達した後も純
水を加えてさらに洗い出し除去を行って、除去率を高め
る作業を行った。次いでH型強酸性カチオン交換樹脂に
接触させてアルカリ成分を除去した。高塩基性塩化アル
ミニウム水溶液は、77gの高塩基性塩化アルミニウム
(Al2O3=48重量%、Cl=16重量%、塩基度=
83%)を純水388gに溶解して作成した。上記で得
られたシリカ濃度20重量%の純度の高いコロイダルシ
リカ1500gと高塩基性塩化アルミニウム水溶液46
5gとを同時混合方式によって混合し、アルミニウム変
性によるカチオン性コロイダルシリカを得た。ここでア
ルミニウムのシリカ表面への定着を促進するため70℃
の加熱工程を行った。次いで、このカチオン性コロイダ
ルシリカをNO3型強塩基性アニオン交換樹脂に接触さ
せてClをNO3に置換した。最後に限外濾過膜によっ
てシリカの濃度が20重量%となるように濃縮した。以
上のようにしてシリカ濃度20重量%のカチオン性コロ
イダルシリカを得た。
の製造例2]市販品のコロイダルシリカを用いた、カチ
オン性コロイダルシリカの製造例を示す。日本化学工業
(株)製のコロイダルシリカ「シリカドール40G」(シ
リカ濃度40重量%、粒子径45nm)6000gに純
水6000gを加え、攪拌しながら30重量%硝酸50
gを添加して、pHを7.5とした。別途、3000k
gの純水に500gの高塩基性塩化アルミニウム(Al
2O3=48重量%、Cl=16重量%、塩基度=83
%)を溶解して、高塩基性塩化アルミニウム水溶液を作
成した。この高塩基性塩化アルミニウム水溶液を強攪拌
して、そこへ上記コロイダルシリカを瞬時に投入した。
室温で1時間攪拌を続けた後、75℃に加熱してさらに
1時間攪拌を続けた後、室温まで放冷した。次いで、得
られたこのカチオン性コロイダルシリカをNO3型強塩
基性アニオン交換樹脂に接触させてClをNO3に置換
した。最後に限外濾過膜によってシリカの濃度が20重
量%となるように濃縮した。以上のようにしてシリカ濃
度20重量%のカチオン性コロイダルシリカを得た。
説明する。 (実施例1)製造例1および製造例2のカチオン性コロ
イダルシリカと、比較のために市販品(日本化学工業
(株)製「シリカドール40G」)のアニオン性コロイダ
ルシリカの3種類のコロイダルシリカを含有した研磨用
組成物を用いて安定性の試験を行った。組成を表1に示
す。なお、コロイダルシリカの電荷はCOULTER社
のDELSA440SXによって測定し確認した。
ン性コロイダルシリカを用いると極めて安定性のよい研
磨用組成物を調製することができた。
公称3.5インチのNiPメッキ磁気ディスクの研磨性
能について試験を行った。研磨条件は下記に示す通りで
あった。結果を表3に示した。
し、加工前後の重量減から研磨速度(μ/min)を求
めた。 研磨痕 ;暗室で目視により研磨痕の有無を判定した。 表面欠陥;市販の磁気ディスク表面検査装置を用い、表
面欠陥(ビット個/面)を測定した。 ゲル発生;10サイクル研磨後のパッド表面を電子顕微
鏡観察によりゲル発生の有無を判定した。
表面等のとくに金属表面の鏡面研磨時に、コロイダルシ
リカの安定性が高く、研磨特性が長期に安定であり、高
精度、高品質の鏡面が得られる研磨用組成物およびそれ
を用いた研磨方法が提供される。
Claims (7)
- 【請求項1】 水、カチオン性コロイダルシリカ、およ
び金属の硝酸塩を含有することを特徴とする研磨用組成
物。 - 【請求項2】 さらに酸を含有することを特徴とする請
求項1に記載の研磨用組成物。 - 【請求項3】 さらに酸および過酸化水素を含有するこ
とを特徴とする請求項1に記載の研磨用組成物。 - 【請求項4】 金属の硝酸塩が、研磨対象金属の硝酸塩
および/または硝酸アルミニウムであることを特徴とす
る請求項1ないし3のいずれか1項に記載の研磨用組成
物。 - 【請求項5】 研磨対象金属が、Al、Cu、NiPま
たはそれらを成分とする合金であることを特徴とする請
求項1ないし3のいずれか1項に記載の研磨用組成物。 - 【請求項6】 カチオン性コロイダルシリカの粒子径
が、5〜300nmであり、かつシリカ濃度が10〜6
0重量%であることを特徴とする請求項1ないし5のい
ずれか1項に記載の研磨用組成物。 - 【請求項7】 請求項1ないし6のいずれか1項に記載
の研磨用組成物を用いて、金属表面を鏡面研磨する研磨
方法。
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Country Status (1)
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---|---|
JP (1) | JP4507141B2 (ja) |
Cited By (6)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP2005129637A (ja) * | 2003-10-22 | 2005-05-19 | Asahi Glass Co Ltd | 研磨スラリー、半導体集積回路装置およびその製造方法 |
JP2008072094A (ja) * | 2006-08-14 | 2008-03-27 | Nippon Chem Ind Co Ltd | 半導体ウエハ研磨用組成物、その製造方法、及び研磨加工方法 |
JP2010003732A (ja) * | 2008-06-18 | 2010-01-07 | Adeka Corp | Cmp用研磨組成物 |
JP2010010706A (ja) * | 2009-10-07 | 2010-01-14 | Nitta Haas Inc | 金属膜研磨組成物および金属膜の研磨方法 |
US7753974B2 (en) | 2007-05-18 | 2010-07-13 | Nippon Chemical Industrial Co., Ltd. | Polishing composition for semiconductor wafer, method for production thereof and polishing method |
US9129907B2 (en) * | 2006-09-08 | 2015-09-08 | Cabot Microelectronics Corporation | Onium-containing CMP compositions and methods of use thereof |
Citations (4)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JPH04270107A (ja) * | 1991-02-22 | 1992-09-25 | Nippon Chem Ind Co Ltd | 正電荷を有する改質コロイダルシリカの製造方法 |
JPH11246849A (ja) * | 1997-11-06 | 1999-09-14 | Komag Inc | NiPめっきしたディスクを研磨するためのコロイドシリカスラリー |
EP1000995A1 (en) * | 1998-11-09 | 2000-05-17 | Clariant (France) S.A. | Abrasive composition for the electronics industry |
JP2001342456A (ja) * | 2000-01-18 | 2001-12-14 | Praxair St Technol Inc | 研磨性スラリー |
-
2000
- 2000-05-22 JP JP2000150329A patent/JP4507141B2/ja not_active Expired - Fee Related
Patent Citations (4)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JPH04270107A (ja) * | 1991-02-22 | 1992-09-25 | Nippon Chem Ind Co Ltd | 正電荷を有する改質コロイダルシリカの製造方法 |
JPH11246849A (ja) * | 1997-11-06 | 1999-09-14 | Komag Inc | NiPめっきしたディスクを研磨するためのコロイドシリカスラリー |
EP1000995A1 (en) * | 1998-11-09 | 2000-05-17 | Clariant (France) S.A. | Abrasive composition for the electronics industry |
JP2001342456A (ja) * | 2000-01-18 | 2001-12-14 | Praxair St Technol Inc | 研磨性スラリー |
Cited By (7)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP2005129637A (ja) * | 2003-10-22 | 2005-05-19 | Asahi Glass Co Ltd | 研磨スラリー、半導体集積回路装置およびその製造方法 |
JP4564735B2 (ja) * | 2003-10-22 | 2010-10-20 | 旭硝子株式会社 | 研磨スラリーおよび半導体集積回路の製造方法 |
JP2008072094A (ja) * | 2006-08-14 | 2008-03-27 | Nippon Chem Ind Co Ltd | 半導体ウエハ研磨用組成物、その製造方法、及び研磨加工方法 |
US9129907B2 (en) * | 2006-09-08 | 2015-09-08 | Cabot Microelectronics Corporation | Onium-containing CMP compositions and methods of use thereof |
US7753974B2 (en) | 2007-05-18 | 2010-07-13 | Nippon Chemical Industrial Co., Ltd. | Polishing composition for semiconductor wafer, method for production thereof and polishing method |
JP2010003732A (ja) * | 2008-06-18 | 2010-01-07 | Adeka Corp | Cmp用研磨組成物 |
JP2010010706A (ja) * | 2009-10-07 | 2010-01-14 | Nitta Haas Inc | 金属膜研磨組成物および金属膜の研磨方法 |
Also Published As
Publication number | Publication date |
---|---|
JP4507141B2 (ja) | 2010-07-21 |
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