JP2013061260A - 回路基板検査装置および回路基板検査方法 - Google Patents

Abstract

【課題】数多くの電子部品を有する回路基板を検査する際の検査効率を向上させる。
【解決手段】回路基板１００の各電子部品（抵抗Ｒ１，Ｒ２、コンデンサＣ１、ダイオードＤ１）の接続端子が接続された各導体パターン１０２ａ〜１０２ｃ上において各接続端子に対して一対ずつ規定された接触点（Ｐ１〜Ｐ１０）にそれぞれプロービングされた各プローブを介して入出力する電気信号に基づいて、電子部品の良否を検査する検査処理を実行すると共に、検査処理に先立ち、各接触点と各プローブとの接触状態の良否を判定する判定処理を判定処理の対象とする接触点を各電子部品毎に順次特定しつつ実行する検査部を備え、検査部は、新たな判定処理の対象とする各接触点と各プローブとの接触状態が実行済みの判定処理において良好と判定したときには、良好と判定した接触点についての判定処理の実行を省略する。
【選択図】図２

Description

本発明は、プローブを介して入出力する電気信号に基づいて回路基板に搭載された電子部品の良否を検査する回路基板検査装置および回路基板検査方法に関するものである。

プローブを介して入出力する電気信号に基づいて測定を行う装置として、特開２０００−１１１５９３号公報に開示された計測装置が知られている。この計測装置は、配線部、定電流源および差動アンプなどを備え、被測定抵抗の抵抗値を四端子法によって測定可能に構成されている。この場合、各配線部の４つの端部（プローブ）と被測定抵抗との接触状態が不良なときには、測定結果が不正確となる。このため、この計測装置では、抵抗測定に先立ち、配線の各端部と被測定抵抗とのコンタクトチェックを実行している。このコンタクトチェックでは、まず、被測定抵抗の一方の端子とその端子に接続されている２つの配線の各端部とのコンタクトチェックを行い、次いで、被測定抵抗の他方の端子とその端子に接続されている２つの配線の各端部とのコンタクトチェックを行う。このコンタクトチェックを行うことで、抵抗測定を正確に行うことが可能となる。

特開２０００−１１１５９３号公報（第３頁、第１図）

ところが、上記の計測装置には、以下の問題点がある。すなわち、この計測装置では、被測定抵抗の抵抗測定に先立ってコンタクトチェックを行うため、例えば、数多くの被測定抵抗を有する回路基板における各被測定抵抗の抵抗値を測定し、その測定値に基づいて回路基板の良否を検査する際には、コンタクトチェックの回数も、被測定抵抗の数に応じて多くなる。このため、この計測装置には、このような回路基板を検査する際にコンタクトチェックの回数が多く、これに起因しての検査効率の向上が困難であるという問題点が存在する。

本発明は、かかる問題点に鑑みてなされたものであり、数多くの電子部品を有する回路基板を検査する際の検査効率を向上し得る回路基板検査装置および回路基板検査方法を提供することを主目的とする。

上記目的を達成すべく請求項１記載の回路基板検査装置は、複数の電子部品が搭載された回路基板における当該各電子部品の接続端子が接続された各導体パターン上において当該各接続端子に対して一対ずつ規定された接触点にプローブがそれぞれプロービングされた状態で、当該各プローブを介して入出力する電気信号に基づいて、当該電子部品の良否を検査する検査処理を実行すると共に、当該検査処理に先立ち、前記各接触点と前記各プローブとの接触状態の良否を判定する判定処理を当該判定処理の対象とする接触点を前記各電子部品毎に順次特定しつつ実行する検査部を備えた回路基板検査装置であって、前記検査部は、新たな前記判定処理の対象とする前記各接触点と前記各プローブとの接触状態が実行済みの前記判定処理において良好と判定したときには、当該良好と判定した接触点についての前記新たな判定処理の実行を省略する。

また、請求項２記載の回路基板検査装置は、請求項１記載の回路基板検査装置において、前記検査部は、前記判定処理において、前記接続端子に対して規定された一対の接触点間の導通状態の良否を前記電気信号に基づいて判定すると共に、当該導通状態が良好と判定したときに当該一対の接触点と前記各プローブとの接触状態が良好と判定する。

また、請求項３記載の回路基板検査装置は、請求項２記載の回路基板検査装置において、前記検査部は、前記新たな判定処理の対象としての１つの前記接続端子に対して規定された一対の前記接触点と、実行済みの前記判定処理の対象とした他の１つの前記接続端子に対して規定された一対の前記接触点とが同一で、かつ当該実行済みの判定処理において当該一対の接触点と前記各プローブとの接触状態が良好と判定したときには、当該一対の接触点についての前記新たな前記判定処理の実行を省略する。

また、請求項４記載の回路基板検査装置は、請求項１から３のいずれかに記載の回路基板検査装置において、前記検査部は、前記判定処理において前記各プローブとの接触状態が良好と判定した前記各接触点に対応する前記電子部品だけを対象として前記検査処理を実行し、前記各プローブのプロービングが再実行された後に、前記判定処理において前記各プローブとの接触状態が不良と判定した前記接触点についての前記判定処理を再実行する。

また、請求項５記載の回路基板検査方法は、複数の電子部品が搭載された回路基板における当該各電子部品の接続端子が接続された各導体パターン上において当該各接続端子に対して一対ずつ規定された接触点にプローブをそれぞれプロービングした状態で、当該各プローブを介して入出力する電気信号に基づいて、当該電子部品の良否を検査する検査処理を実行すると共に、当該検査処理に先立ち、前記各接触点と前記各プローブとの接触状態の良否を判定する判定処理を当該判定処理の対象とする接触点を前記各電子部品毎に順次特定しつつ実行する回路基板検査方法であって、新たな前記判定処理の対象とする前記各接触点と前記各プローブとの接触状態が実行済みの前記判定処理において良好と判定したときには、当該良好と判定した接触点についての前記新たな判定処理の実行を省略する。

また、請求項６記載の回路基板検査方法は、請求項５記載の回路基板検査方法において、前記判定処理において、前記接続端子に対して規定された一対の接触点間の導通状態の良否を前記電気信号に基づいて判定すると共に、当該導通状態が良好と判定したときに当該一対の接触点と前記各プローブとの接触状態が良好と判定する。

また、請求項７記載の回路基板検査方法は、請求項６記載の回路基板検査方法において、前記新たな判定処理の対象としての１つの前記接続端子に対して規定された一対の前記接触点と、実行済みの前記判定処理の対象とした他の１つの前記接続端子に対して規定された一対の前記接触点とが同一で、かつ当該実行済みの判定処理において当該一対の接触点と前記各プローブとの接触状態が良好と判定したときには、当該一対の接触点についての前記新たな前記判定処理の実行を省略する。

また、請求項８記載の回路基板検査方法は、請求項５から７のいずれかに記載の回路基板検査方法において、前記判定処理において前記各プローブとの接触状態が良好と判定した前記各接触点に対応する前記電子部品だけを対象として前記検査処理を実行し、前記各プローブのプロービングが再実行された後に、前記判定処理において前記各プローブとの接触状態が不良と判定した前記接触点についての前記判定処理を再実行する。

請求項１記載の回路基板検査装置、および請求項５記載の回路基板検査方法では、新たな検査処理の対象とする各接触点と各プローブとの接触状態が実行済みの判定処理において良好と判定したときには、良好と判定したその接触点についての新たな判定処理の実行を省略する。このため、この回路基板検査装置および回路基板検査方法では、重複する接触状態の良否判定の工程（重複する判定処理）の実行を省略する分、判定処理に要する時間を短縮することができる。したがって、この回路基板検査装置および回路基板検査方法によれば、数多くの電子部品が搭載された回路基板を検査する際の検査時間を十分に短縮することができる結果、検査効率を十分に向上させることができる。

また、請求項２記載の回路基板検査装置、および請求項６記載の回路基板検査方法では、判定処理において、１つの接続端子に対して規定された一対の接触点間の導通状態の良否を判定すると共に、導通状態が良好と判定したときにその一対の接触点と各プローブとの接触状態が良好と判定する。このため、この回路基板検査装置および回路基板検査方法では、各接触点と各プローブとの接触状態の良否判定と接触点間の導通状態（つまり、導体パターンの導通状態）とを一度に行うことができる。したがって、この回路基板検査装置および回路基板検査方法によれば、導体パターンの導通状態の良否を別途行う構成および方法と比較して、検査効率をさらに向上させることができる。

また、請求項３記載の回路基板検査装置、および請求項７記載の回路基板検査方法では、新たな判定処理の対象としての１つの接続端子に対して規定された一対の接触点と、実行済みの判定処理の対象とした他の１つの接続端子に対して規定された一対の接触点とが同一で、かつ実行済みの判定処理においてこの一対の接触点と各プローブとの接触状態が良好と判定したときには、その一対の接触点についての新たな判定処理の実行を省略する。つまり、この回路基板検査装置および回路基板検査方法では、実行済みの判定処理において接触点間の導通状態が良好と判定された一対の接触点だけを導通状態の良否判定および接触状態の良否判定の対象から除外する。言い換えると、実行済みの判定処理において導通状態の良否を判定していない一対の接触点については、新たな判定処理を実行して導通状態の良否を必ず実行することとなる。したがって、この回路基板検査装置および回路基板検査方法によれば、一対の接触点間の導通状態の良否判定を一対の接触点の全ての組み合わせについて少なくとも１回は実行することとなるため、全ての接触点と各プローブとの接触状態の良否判定、および全ての接触点間の導通状態の良否判定を確実に行うことができる。

また、請求項４記載の回路基板検査装置、および請求項８記載の回路基板検査方法では、判定処理において各プローブとの接触状態が良好と判定した各接触点に対応する電子部品だけを対象として検査処理を実行し、各プローブのプロービングが再実行された後に、プロービングの再実行前の判定処理において各プローブとの接触状態が不良と判定した接触点についての判定処理を再実行する。このため、この回路基板検査装置および回路基板検査方法によれば、接触点とプローブとの接触不良に起因して、電子部品の良否の検査結果が誤った検査結果となる事態を確実に防止することができる。

回路基板検査装置１の構成を示す構成図である。 回路基板１００の構成を示す構成図である。 回路基板検査方法を説明する第１の説明図である。 回路基板検査方法を説明する第２の説明図である。

以下、本発明に係る回路基板検査装置および回路基板検査方法の実施の形態について、添付図面を参照して説明する。

最初に、回路基板検査装置１の構成について説明する。図１に示す回路基板検査装置１は、回路基板検査装置の一例であって、後述する回路基板検査方法に従って回路基板１００を検査可能に構成されている。この場合、回路基板１００は、一例として、図２に示すように、複数（この例では３つ）の導体パターン１０２ａ〜１０２ｃ（以下、区別しないときには「導体パターン１０２」ともいう）が形成された基板１０１と、基板１０１に実装された複数（この例では４つ）の電子部品１０３とを備えて構成されている。また、各導体パターン１０２上には、検査の際にプローブユニット１２の各プローブ２１（図１参照）をそれぞれプロービング（接触）させる接触点Ｐ１〜Ｐ１０（以下、区別しないときには「接触点Ｐ」ともいう）が予め規定されている。この場合、この回路基板１００では、図２に示すように、電子部品１０３の接続端子（被接続部）が接続される導体パターン１０２上において、各接続端子毎に一対の接触点Ｐが規定されている（接触点Ｐが１つの接続端子に対して一対ずつ規定されている）。

一方、回路基板検査装置１は、図１に示すように、基板保持部１１、プローブユニット１２、移動機構１３、検査用信号出力部１４、スキャナ部１５、測定部１６、記憶部１７および制御部１８を備えて構成されている。この場合、測定部１６および制御部１８によって検査部が構成される。

基板保持部１１は、保持板と、保持板に取り付けられて回路基板１００の端部を挟み込んで固定するクランプ機構（いずれも図示せず）とを備えて、回路基板１００を保持可能に構成されている。プローブユニット１２は、図１に示すように、複数のプローブ２１を備えて治具型に構成されている。この場合、プローブユニット１２は、回路基板１００の各導体パターン１０２上に規定された各接触点Ｐに各プローブ２１がそれぞれ対向するように構成されている。移動機構１３は、制御部１８の制御に従い、プローブユニット１２を上下方向に移動させることにより、回路基板１００の各導体パターン１０２上の各接触点Ｐに各プローブ２１をそれぞれプロービングさせる。

電源部１４は、制御部１８の制御に従い、検査対象に応じた検査用信号Ｓ（電気信号の一例であって、例えば、直流電流信号や交流電流信号）を出力する。スキャナ部１５は、複数のスイッチ（図示せず）を備えて構成され、制御部１８の制御に従って各スイッチをオン状態またはオフ状態に移行させることにより、導体パターン１０２に接触しているプローブユニット１２のプローブ２１と電源部１４との接断（接続および接続解除（切断））、およびプローブ２１と測定部１６との接断を行う。

測定部１６は、制御部１８の制御に従い、プローブ２１を介して入出力する電気信号に基づいて導体パターン１０２における接触点Ｐ間の抵抗値を測定する。また、測定部１６は、制御部１８の制御に従い、４つのプローブ２１を介して入出力する電気信号に基づいて電子部品１０３についての物理量（抵抗値、容量および電圧など）を４端子法で測定する。

記憶部１７は、基板データＤｃを記憶する。この場合、基板データＤｃは、回路基板１００に形成されている各導体パターン１０２を特定する情報、回路基板１００に搭載されている各電子部品１０３を特定する情報、各電子部品１０３の接続端子が接続されている導体パターン１０２を特定する情報、および各電子部品１０３の接続端子毎に規定された接触点Ｐを特定する情報などを含んで構成されている。また、記憶部１７は、導体パターン１０２における各接触点Ｐ間の導通状態の良否判定に用いる基準値や電子部品１０３の良否判定に用いる基準範囲を記憶する。さらに、記憶部１７は、測定部１６によって測定される測定値、および制御部１８によって実行される判定処理や検査処理の結果を記憶する。

制御部１８は、図外の操作部から出力される操作信号に従って回路基板検査装置１を構成する各構成要素を制御する。具体的には、制御部１８は、移動機構１３を制御して、回路基板１００における導体パターン１０２の各接触点Ｐにプローブユニット１２のプローブ２１を接触（プロービング）させる。また、制御部１８は、検査用信号出力部１４を制御して検査用信号Ｓを出力させると共に、スキャナ部１５を制御して、プローブユニット１２のプローブ２１と電源部１４との接断、およびプローブ２１と測定部１６との接断を行わせる。

また、制御部１８は、測定部１６を制御して電子部品１０３についての物理量を測定させると共に、その測定値に基づいて電子部品１０３の良否を検査する検査処理を実行する。また、制御部１８は、検査処理に先立って判定処理を実行する。この判定処理では、制御部１８は、測定部１６に対して導体パターン１０２における接触点Ｐ間の抵抗測定を実行させ、その測定値に基づいて導体パターン１０２における接触点Ｐ間の導通状態の良否を判定すると共に、その判定結果に基づいてその接触点Ｐとプローブ２１との接触状態の良否を判定する。

また、制御部１８は、判定処理の対象とする接触点Ｐを各電子部品１０３毎に順次特定しつつこの判定処理を実行する。また、制御部１８は、新たな判定処理の対象とする各接触点Ｐと各プローブ２１との接触状態が実行済みの判定処理において良好と判定したときには、その接触点Ｐについての判定処理の実行を省略する。

次に、回路基板検査装置１を用いて回路基板１００を検査する回路基板検査方法、およびその際の回路基板検査装置１の動作について、図面を参照して説明する。なお、回路基板１００は、図２に示すように、導体パターン１０２ａ〜１０２ｃが形成された基板１０１に電子部品１０３としての抵抗Ｒ１，Ｒ２、コンデンサＣ１およびダイオードＤ１が搭載されて構成されているものとする。

まず、検査対象の回路基板１００を基板保持部１１における保持板（図示せず）に載置し、次いで、基板保持部１１のクランプ機構（図示せず）で回路基板１００の端部を挟み込んで固定することにより、回路基板１００を基板保持部１１に保持させる。続いて、図外の操作部を用いて検査開始操作を行う。この際に、制御部１８が、操作部から出力された操作信号に従い、移動機構１３を制御してプローブユニット１２を下向きに移動させる。これにより、プローブユニット１２の各プローブ２１の先端部が、回路基板１００における導体パターン１０２上の各接触点Ｐ１〜Ｐ１０（図２参照）にそれぞれプロービングされる。

次いで、制御部１８は、記憶部１７に記憶されている基板データＤｃに基づき、各電子部品１０３の１つとして、例えば、図２に示す抵抗Ｒ１を選択し、抵抗Ｒ１の各接続端子が接続されている導体パターン１０２ａ，１０２ｂを特定する。続いて、制御部１８は、導体パターン１０２ａ，１０２ｂ上に予め規定された各接触点Ｐのうちの、抵抗Ｒ１の各接続端子毎に一対ずつ規定された接触点Ｐ１，Ｐ２および接触点Ｐ３，Ｐ４を特定する（図３参照）。

次いで、制御部１８は、抵抗Ｒ１の良否を検査する検査処理に先立ち、判定処理を実行する。具体的には、制御部１８は、この判定処理において、まず、スキャナ部１５を制御して、抵抗Ｒ１の一方の接続端子に対して規定された接触点Ｐ１，Ｐ２（図２参照）にプロービングされているプローブ２１と検査用信号出力部１４および測定部１６とを接続させる。

続いて、制御部１８は、検査用信号出力部１４を制御して、検査用信号Ｓ（例えば、直流電流信号）を出力させる。また、制御部１８は、測定部１６を制御して、検査用信号Ｓと、検査用信号Ｓの供給によってプローブ２１を介して入力する電気信号（電圧信号）とに基づいて、導体パターン１０２ａにおける接触点Ｐ１，Ｐ２間の抵抗を測定させる。

次いで、制御部１８は、測定部１６によって測定された抵抗の測定値と記憶部１７に記憶されている基準値とを比較して、接触点Ｐ１，Ｐ２間の導通状態の良否を判定する。この場合、制御部１８は、測定値が基準値以下のときには、接触点Ｐ１，Ｐ２間の導通状態が良好と判定し、測定値が基準値を超えるときには、接触点Ｐ１，Ｐ２間の導通状態が不良と判定する。

この場合、抵抗の測定値が基準値以下のとき（つまり、抵抗値が小さいとき）には、接触点Ｐとプローブ２１との接触状態が良好であると考えられる。このため、制御部１８は、接触点Ｐ１，Ｐ２間の導通状態が良好と判定したときには、接触点Ｐ１，Ｐ２と各プローブ２１との接触状態が良好であると判定する（図３参照）。

続いて、制御部１８は、スキャナ部１５を制御して、抵抗Ｒ１の他方の接続端子に対して規定された一対の接触点Ｐ３，Ｐ４にプロービングされているプローブ２１と検査用信号出力部１４および測定部１６とを接続させる。

次いで、制御部１８は、検査用信号出力部１４および測定部１６に対して上記した制御と同様の制御を行い、導体パターン１０２ｂにおける接触点Ｐ３，Ｐ４間の抵抗を測定させると共に、抵抗の測定値と基準値とを比較して接触点Ｐ３，Ｐ４間の導通状態の良否を判定する。また、制御部１８は、接触点Ｐ３，Ｐ４間の導通状態が良好と判定したときには、接触点Ｐ３，Ｐ４と各プローブ２１との接触状態が良好であると判定する（図３参照）。続いて、制御部１８は、導通状態の各判定結果および接触状態の各判定結果を記憶部１７に記憶させて、判定処理を終了する。

次いで、制御部１８は、抵抗Ｒ１に対する検査処理を実行する。この検査処理では、制御部１８は、スキャナ部１５を制御して、接触点Ｐ１，Ｐ２の一方（例えば、接触点Ｐ１）および接触点Ｐ３，Ｐ４の一方（例えば、接触点Ｐ３）にそれぞれプロービングされたプローブピン２１を検査用信号出力部１４に接続させると共に、接触点Ｐ１，Ｐ２の他方（この例では、接触点Ｐ２）および接触点Ｐ３，Ｐ４の他方（例えば、接触点Ｐ４）にそれぞれプロービングされているプローブピン２１を測定部１６に接続させる。

続いて、制御部１８は、検査用信号出力部１４を制御して検査用信号Ｓ（例えば、直流電流信号）を出力させる。これにより、プローブ２１を介して接触点Ｐ１，Ｐ３に検査用信号Ｓが供給される。次いで、制御部１８は、測定部１６を制御して、抵抗Ｒ１の抵抗値（物理量の一例）を測定させる。この場合、測定部１６は、検査用信号Ｓの電流値と、検査用信号Ｓの供給によって接触点Ｐ２，Ｐ４に生じる電気信号（電圧信号）の電圧値とに基づいて抵抗Ｒ１の抵抗の値を４端子法で測定する。

続いて、制御部１８は、記憶部１７に記憶されている抵抗Ｒ１の基準範囲と測定部１６によって測定された抵抗の測定値とを比較して抵抗Ｒ１の良否を判定する。この場合、制御部１８は、測定値が基準範囲内のときには、抵抗Ｒ１が良好と判定し、測定値が基準範囲外のときには、抵抗Ｒ１が不良と判定する。次いで、制御部１８は、検査結果を記憶部１７に記憶させて、検査処理を終了する。

続いて、制御部１８は、基板データＤｃに基づき、次の検査処理の対象とする電子部品１０３として、例えば、図２に示すコンデンサＣ１を選択し、コンデンサＣ１の各接続端子が接続されている導体パターン１０２ａ，１０２ｃを特定する。次いで、制御部１８は、導体パターン１０２ａ，１０２ｃ上に予め規定された各接触点Ｐのうちの、コンデンサＣ１の各接続端子毎に一対ずつ規定された接触点Ｐ１，Ｐ２および接触点Ｐ５，Ｐ６を特定する（図３参照）。

続いて、制御部１８は、コンデンサＣ１の良否を検査する検査処理に先立ち、上記した判定処理を実行する。この場合、制御部１８は、コンデンサＣ１における一方の接続端子（例えば、図２における下側の接続端子）に対して規定された接触点Ｐ１，Ｐ２（新たな判定処理の対象とする各接触点Ｐ）と、実行済みの判定処理の対象とした他の１つの接続端子に対して規定された一対の接触点Ｐ（この例では、抵抗Ｒ１における一方の接続端子に対して規定された一対の接触点Ｐ１，Ｐ２、および抵抗Ｒ１における他方の接続端子に対して規定された一対の接触点Ｐ３，Ｐ４のいずれか）とが同一であるか否かを基板データＤｃに基づいて判別する。

この例では、接触点Ｐ１，Ｐ２と抵抗Ｒ１における一方の接続端子（同図における上側の接続端子）に対して規定された一対の接触点Ｐ１，Ｐ２とが同一であるため、制御部１８は、この接触点Ｐ１，Ｐ２と各プローブ２１との接触状態が、実行済みの判定処理において良好と判定したか否かを、記憶部１７に記憶されている判定結果を参照して判別する。この場合、図３に示すように、抵抗Ｒ１に対する検査処理に先立って実行した判定処理（実行済みの判定処理）において、接触点Ｐ１，Ｐ２と各プローブ２１との接触状態が良好と判定している。この場合には、接触点Ｐ１，Ｐ２間の導通状態、および接触点Ｐ１，Ｐ２と各プローブ２１との接触状態の良否判定を改めて行う必要性は低い。このため、このときには、制御部１８は、この接触点Ｐ１，Ｐ２間の導通状態の良否判定の実行を省略すると共に、この一対の接触点Ｐ１，Ｐ２と各プローブ２１との接触状態の良否判定の実行を省略する（つまり、接触点Ｐ１，Ｐ２についての新たな判定処理の実行を省略する）。

上記したように、この回路基板検査装置１では、新たな判定処理の対象とする各接触点Ｐと各プローブ２１との接触状態が実行済みの判定処理において良好と判定したときには、良好と判定したその接触点Ｐについての新たな判定処理の実行を省略する。このため、この回路基板検査装置１では、重複する接触状態の良否判定の工程（重複する判定処理）の実行を省略する分、検査時間を短縮することが可能なため、検査効率を十分に向上させることが可能となっている。

続いて、制御部１８は、コンデンサＣ１における他方の接続端子（例えば、図２における上側の接続端子）に対して規定された接触点Ｐ５，Ｐ６と、実行済みの判定処理の対象とした他の１つの接続端子に対して規定された一対の接触点Ｐとが同一であるか否かを基板データＤｃに基づいて判別する。この場合、この条件を満たす一対の接触点Ｐが存在しないため、次いで、制御部１８は、検査用信号出力部１４、スキャナ部１５および測定部１６を制御し、測定部１６によって測定された抵抗の測定値に基づいて接触点Ｐ５，Ｐ６間の導通状態の良否を判定する。また、制御部１８は、接触点Ｐ５，Ｐ６間の導通状態が良好と判定したときには、接触点Ｐ５，Ｐ６と各プローブ２１との接触状態が良好であると判定する（図３参照）。続いて、制御部１８は、接触状態の判定結果を記憶部１７に記憶させて、判定処理を終了する。

次いで、制御部１８は、コンデンサＣ１に対する検査処理を実行する。この場合、制御部１８は、スキャナ部１５を制御して、各接触点Ｐに接触している各プローブ２１と、検査用信号出力部１４および測定部１６とを接続させる。続いて、制御部１８は、検査用信号出力部１４を制御して検査用信号Ｓ（例えば、交流電流信号）を出力させ、測定部１６を制御して、コンデンサＣ１の容量を測定させる。次いで、制御部１８は、容量の測定値と基準範囲とを比較してコンデンサＣ１の良否を判定する。続いて、制御部１８は、検査結果を記憶部１７に記憶させて、検査処理を終了する。

次いで、制御部１８は、基板データＤｃに基づき、次の検査処理の対象とする電子部品１０３として、例えば、図２に示すダイオードＤ１を選択し、ダイオードＤ１が接続されている導体パターン１０２ａ，１０２ｃを特定する。続いて、制御部１８は、導体パターン１０２ａ，１０２ｃ上に予め規定された各接触点Ｐのうちの、ダイオードＤ１の各接続端子毎に一対ずつ規定された接触点Ｐ７，Ｐ８および接触点Ｐ９，Ｐ１０を特定する（図３参照）。

次いで、制御部１８は、ダイオードＤ１の良否を検査する検査処理に先立ち、判定処理（新たな判定処理）を実行する。制御部１８は、この判定処理において、ダイオードＤ１における各接続端子に対してそれぞれ規定されている一対の接触点Ｐ７，Ｐ８および一対の接触点Ｐ９，Ｐ１０と、実行済みの判定処理の対象とした他の１つの接続端子に対して規定された一対の接触点Ｐとが同一であるか否かを判別する。

図３に示すように、この時点では、この条件を満たす一対の接触点Ｐが存在しないため、制御部１８は、接触点Ｐ７，Ｐ８間の導通状態の良否、および接触点Ｐ９，Ｐ１０間の導通状態の良否を判定する（新たな判定処理を実行する）。この場合、制御部１８は、同図に示すように、接触点Ｐ７，Ｐ８間の導通状態が良好と判定したときには、接触点Ｐ７，Ｐ８と各プローブ２１との接触状態が良好であると判定し、接触点Ｐ９，Ｐ１０間の導通状態が良好と判定したときには、接触点Ｐ９，Ｐ１０と各プローブ２１との接触状態が良好であると判定する。次いで、制御部１８は、接触状態の判定結果を記憶部１７に記憶させて、判定処理を終了する。

続いて、制御部１８は、ダイオードＤ１に対する検査処理を実行する。この場合、制御部１８は、スキャナ部１５を制御して、各接触点Ｐに接触している各プローブ２１と、検査用信号出力部１４および測定部１６とを接続させる。次いで、制御部１８は、検査用信号出力部１４を制御して検査用信号Ｓを出力させ、測定部１６を制御して、ダイオードＤ１についての物理量（例えば、順方向電圧および逆方向電圧）を測定させる。続いて、制御部１８は、基準範囲と物理量の測定値とを比較してダイオードＤ１の良否を判定する。次いで、制御部１８は、検査結果を記憶部１７に記憶させて、検査処理を終了する。

続いて、制御部１８は、基板データＤｃに基づき、次の検査処理の対象とする電子部品１０３として、例えば、図２に示す抵抗Ｒ２を選択し、抵抗Ｒ２が接続されている導体パターン１０２ａ，１０２ｃを特定する。次いで、制御部１８は、導体パターン１０２ａ，１０２ｃ上に予め規定された各接触点Ｐのうちの、抵抗Ｒ２の各接続端子毎に一対ずつ規定された接触点Ｐ５，Ｐ８および接触点Ｐ１，Ｐ１０を特定する。

続いて、制御部１８は、抵抗Ｒ２の良否を検査する検査処理に先立ち、判定処理（新たな判定処理）を実行する。この場合、制御部１８は、抵抗Ｒ２における各接続端子に対してそれぞれ規定されている一対の接触点Ｐ５，Ｐ８および一対の接触点Ｐ１，Ｐ１０と、実行済みの判定処理の対象とした他の１つの接続端子に対して規定された一対の接触点Ｐとが同一であるか否かを判別する。

図３に示すように、この時点では、この条件を満たす一対の接触点Ｐが存在しないため、次いで、制御部１８は、接触点Ｐ５，Ｐ８間の導通状態の良否、および接触点Ｐ１，Ｐ１０間の導通状態の良否を判定する（新たな判定処理を実行する）。この場合、制御部１８は、同図に示すように、接触点Ｐ５，Ｐ８間の導通状態が良好と判定したときには、接触点Ｐ５，Ｐ８と各プローブ２１との接触状態が良好であると判定する。

一方、接触点Ｐ１，Ｐ１０間の抵抗の測定値が基準値以上のとき（つまり、抵抗値が大きいとき）には、接触点Ｐ１，Ｐ１０の一方または双方と各プローブ２１との接触状態が不良である可能性がある。このため、制御部１８は、接触点Ｐ１，Ｐ１０間の導通状態が不良と判定したときには、接触点Ｐ１，Ｐ１０と各プローブ２１との接触状態が不良であると判定する（図３参照）。続いて、制御部１８は、接触状態の判定結果を記憶部１７に記憶させて、判定処理を終了する。

ここで、上記したように、接触点Ｐ１，Ｐ１０と各プローブ２１との接触状態が不良である可能性があるときには、抵抗Ｒ２に対する検査処理を実行したとしても、正確な検査結果を得ることができない可能性が高い。このため、制御部１８は、接触点Ｐ１，Ｐ１０と各プローブ２１との接触状態が不良と判定したときには、抵抗Ｒ２に対する検査処理を実行せずに、他の電子部品１０３（次に検査すべき電子部品１０３）についての判定処理および検査処理を実行する。つまり、制御部１８は、判定処理において各プローブ２１との接触状態が良好と判定した各接触点Ｐに対応する電子部品だけを対象として検査処理を実行する。また、このときには、制御部１８は、他の全ての電子部品１０３についての判定処理および検査処理を実行した後に、移動機構１３を制御して、回路基板１００に対するプローブユニット１２のプロービングを再実行させ、次いで、接触状態が不良と判定した接触点Ｐについての判定処理を再実行する。この場合、再実行した判定処理において接触状態が良好と判定したときには、抵抗Ｒ２に対する検査処理を実行する。なお、この回路基板１００には、抵抗Ｒ２の他に新たな検査処理の対象とする電子部品１０３が存在しないため、制御部１８は、上記した接触点Ｐ１，Ｐ１０と各プローブ２１との接触状態が不良と判定したときに、抵抗Ｒ２に対する検査処理を実行せずに、プロービングを再実行させる。また、制御部１８は、再実行した判定処理において接触状態が不良と再び判定したときには、プロービングを再実行するが、これらの処理が際限なく繰り返されるのを防止するため、制御部１８は、これらの処理を予め決められた回数を限度として実行する。

このように、この回路基板検査装置１および回路基板検査方法では、新たな検査処理の対象とする各接触点Ｐと各プローブ２１との接触状態が実行済みの判定処理において良好と判定したときには、良好と判定したその接触点Ｐについての新たな判定処理の実行を省略する。このため、この回路基板検査装置１および回路基板検査方法では、重複する接触状態の良否判定の工程（重複する判定処理）の実行を省略する分、判定処理に要する時間を短縮することができる。したがって、この回路基板検査装置１および回路基板検査方法によれば、数多くの電子部品１０３が搭載された回路基板１００を検査する際の検査時間を十分に短縮することができる結果、検査効率を十分に向上させることができる。

また、この回路基板検査装置１および回路基板検査方法では、判定処理において、１つの接続端子に対して規定された一対の接触点Ｐ間の導通状態の良否を判定すると共に、導通状態が良好と判定したときにその一対の接触点Ｐと各プローブとの接触状態が良好と判定する。このため、この回路基板検査装置１および回路基板検査方法では、各接触点Ｐと各プローブとの接触状態の良否判定と接触点Ｐ間の導通状態（つまり、導体パターン１０２の導通状態）とを一度に行うことができる。したがって、この回路基板検査装置１および回路基板検査方法によれば、導体パターン１０２の導通状態の良否を別途行う構成および方法と比較して、検査効率をさらに向上させることができる。

また、この回路基板検査装置１および回路基板検査方法では、新たな判定処理の対象としての１つの接続端子に対して規定された一対の接触点Ｐと、実行済みの判定処理の対象とした他の１つの接続端子に対して規定された一対の接触点Ｐとが同一で、かつ実行済みの判定処理においてその一対の接触点Ｐと各プローブ２１との接触状態が良好と判定したときには、その一対の接触点Ｐについての新たな判定処理の実行を省略する。つまり、この回路基板検査装置１および回路基板検査方法では、実行済みの判定処理において接触点Ｐ間の導通状態が良好と判定された一対の接触点Ｐだけを導通状態の良否判定および接触状態の良否判定の対象から除外する。言い換えると、実行済みの判定処理において導通状態の良否を判定していない一対の接触点Ｐについては、新たな判定処理を実行して導通状態の良否を必ず実行することとなる。したがって、この回路基板検査装置１および回路基板検査方法によれば、一対の接触点Ｐ間の導通状態の良否判定を一対の接触点Ｐの全ての組み合わせについて少なくとも１回は実行することとなるため、全ての接触点Ｐと各プローブとの接触状態の良否判定、および全ての接触点Ｐ間の導通状態の良否判定を確実に行うことができる。

また、この回路基板検査装置１および回路基板検査方法では、判定処理において各プローブ２１との接触状態が良好と判定した各接触点Ｐに対応する電子部品１０３だけを対象として検査処理を実行し、各プローブ２１のプロービングが再実行された後に、プロービングの再実行前の判定処理において各プローブ２１との接触状態が不良と判定した接触点Ｐについての判定処理を再実行する。このため、この回路基板検査装置１および回路基板検査方法によれば、接触点Ｐとプローブ２１との接触不良に起因して、電子部品１０３の良否の検査結果が誤った検査結果となる事態を確実に防止することができる。

なお、回路基板検査装置および回路基板検査方法は、上記した構成および方法に限定されない。例えば、上記の構成および方法では、新たな検査処理の対象とする電子部品１０３の接続端子に対して規定された一対の接触点Ｐと実行済みの検査処理の対象とした電子部品１０３の接続端子に対して規定された一対の接触点Ｐとが同一であることを、新たな検査処理の直前に実行する判定処理において接触状態の良否判定の実行を省略する条件としているが、この構成および方法に限定されない。

具体的には、一対の接触点Ｐと各プローブ２１との接触状態が実行済みの判定処理において良好と判定されていれば、その一対の接触点Ｐが実行済みの検査処理の対象とした電子部品１０３の接続端子に対して規定された一対の接触点Ｐと同一でなくても新たな検査処理の直前に実行する判定処理において接触状態の良否判定の実行を省略する対象とする構成および方法を採用することができる。

より具体的には、この構成および方法では、例えば、図４に示すように、抵抗Ｒ２における一方の接続端子に対して規定された一対の接触点Ｐ５，Ｐ８は、実行済みの検査処理の対象とした電子部品１０３の接続端子に対して規定されたいずれの一対の接触点Ｐとも同一ではないものの、接触点Ｐ５とプローブ２１との接触状態は、実行済みのコンデンサＣ１に対する検査処理の直前に実行した判定処理において良好と判定されている。また、接触点Ｐ８とプローブ２１との接触状態は、実行済みのダイオードＤ１に対する検査処理の直前に実行した判定処理において良好と判定されている。このため、制御部１８は、新たな検査処理としての抵抗Ｒ２に対する検査処理の直前に実行した判定処理において、接触点Ｐ５，Ｐ８と各プローブ２１との接触状態の良否判定の実行を省略する。

また、図４に示すように、抵抗Ｒ２における他方の接続端子に対して規定された一対の接触点Ｐ１，Ｐ１０は、実行済みの検査処理の対象とした電子部品１０３の接続端子に対して規定されたいずれの一対の接触点Ｐとも同一ではないものの、接触点Ｐ１とプローブ２１との接触状態は、実行済みの抵抗Ｒ１に対する検査処理の直前に実行した判定処理において良好と判定されている。また、接触点Ｐ１０とプローブ２１との接触状態は、実行済みのダイオードＤ１に対する検査処理の直前に実行した判定処理において良好と判定されている。このため、制御部１８は、新たな検査処理としての抵抗Ｒ２に対する検査処理の直前に実行する判定処理において、接触点Ｐ１，Ｐ１０と各プローブ２１との接触状態の良否判定の実行を省略する。

この構成および方法では、判定処理において接触状態の良否判定（導通状態の良否判定）の実行を省略する接触点Ｐの数をさらに多くすることができるため、検査時間をさらに短縮することができ、その結果、検査効率をさらに向上させることができる。

また、１つの電子部品１０３の各接続端子に対して規定されている各接触点Ｐ（１つの電子部品１０３について各接触点Ｐ）に対する判定処理の実行に続いてその電子部品１０３に対する検査処理を実行し、次いで、次の１つの電子部品１０３についての各接触点Ｐに対する判定処理の実行に続いてその電子部品１０３に対する検査処理を実行する構成および方法について上記したが、これには限定されない。例えば、１つの電子部品１０３についての各接触点Ｐを特定して判定処理を実行した後に、その電子部品１０３に対する検査処理を実行することなく次の１つの電子部品１０３についての各接触点Ｐを特定して判定処理を実行する処理（判定処理をまとめて実行する処理）を繰り返して、全ての電子部品１０３についての各接触点Ｐに対する判定処理が完了した後に、各電子部品１０３に対する検査処理をまとめて実行する構成および方法を採用することができる。

また、全ての電子部品１０３のうちの一部（複数）の電子部品１０３についての各接触点Ｐに対して上記した判定処理をまとめて実行する処理を行った後に、それら一部の電子部品１０３に対する検査処理をまとめて実行する処理を繰り返して行うことにより、全ての電子部品１０３についての各接触点Ｐに対する判定処理、および全ての電子部品１０３に対する検査処理を実行する構成および方法を採用することもできる。

また、４つの電子部品１０３が搭載された搭載回路基板１００に対する検査を行う例について上記したが、より多くの電子部品１０３が搭載された回路基板１００を検査することができるのは勿論である。

１ 回路基板検査装置
１２ プローブユニット
１３ 移動機構
１４ 検査用信号出力部
１６ 測定部
１８ 制御部
２１ プローブ
１００ 回路基板
１０２ａ〜１０２ｃ 導体パターン
１０３ 電子部品
Ｐ１〜Ｐ１０ 接触点

Claims (8)

1. 複数の電子部品が搭載された回路基板における当該各電子部品の接続端子が接続された各導体パターン上において当該各接続端子に対して一対ずつ規定された接触点にプローブがそれぞれプロービングされた状態で、当該各プローブを介して入出力する電気信号に基づいて、当該電子部品の良否を検査する検査処理を実行すると共に、当該検査処理に先立ち、前記各接触点と前記各プローブとの接触状態の良否を判定する判定処理を当該判定処理の対象とする接触点を前記各電子部品毎に順次特定しつつ実行する検査部を備えた回路基板検査装置であって、
   前記検査部は、新たな前記判定処理の対象とする前記各接触点と前記各プローブとの接触状態が実行済みの前記判定処理において良好と判定したときには、当該良好と判定した接触点についての前記新たな判定処理の実行を省略する回路基板検査装置。
2. 前記検査部は、前記判定処理において、前記接続端子に対して規定された一対の接触点間の導通状態の良否を前記電気信号に基づいて判定すると共に、当該導通状態が良好と判定したときに当該一対の接触点と前記各プローブとの接触状態が良好と判定する請求項１記載の回路基板検査装置。
3. 前記検査部は、前記新たな判定処理の対象としての１つの前記接続端子に対して規定された一対の前記接触点と、実行済みの前記判定処理の対象とした他の１つの前記接続端子に対して規定された一対の前記接触点とが同一で、かつ当該実行済みの判定処理において当該一対の接触点と前記各プローブとの接触状態が良好と判定したときには、当該一対の接触点についての前記新たな前記判定処理の実行を省略する請求項２記載の回路基板検査装置。
4. 前記検査部は、前記判定処理において前記各プローブとの接触状態が良好と判定した前記各接触点に対応する前記電子部品だけを対象として前記検査処理を実行し、前記各プローブのプロービングが再実行された後に、前記判定処理において前記各プローブとの接触状態が不良と判定した前記接触点についての前記判定処理を再実行する請求項１から３のいずれかに記載の回路基板検査装置。
5. 複数の電子部品が搭載された回路基板における当該各電子部品の接続端子が接続された各導体パターン上において当該各接続端子に対して一対ずつ規定された接触点にプローブをそれぞれプロービングした状態で、当該各プローブを介して入出力する電気信号に基づいて、当該電子部品の良否を検査する検査処理を実行すると共に、当該検査処理に先立ち、前記各接触点と前記各プローブとの接触状態の良否を判定する判定処理を当該判定処理の対象とする接触点を前記各電子部品毎に順次特定しつつ実行する回路基板検査方法であって、
   新たな前記判定処理の対象とする前記各接触点と前記各プローブとの接触状態が実行済みの前記判定処理において良好と判定したときには、当該良好と判定した接触点についての前記新たな判定処理の実行を省略する回路基板検査方法。
6. 前記判定処理において、前記接続端子に対して規定された一対の接触点間の導通状態の良否を前記電気信号に基づいて判定すると共に、当該導通状態が良好と判定したときに当該一対の接触点と前記各プローブとの接触状態が良好と判定する請求項５記載の回路基板検査方法。
7. 前記新たな判定処理の対象としての１つの前記接続端子に対して規定された一対の前記接触点と、実行済みの前記判定処理の対象とした他の１つの前記接続端子に対して規定された一対の前記接触点とが同一で、かつ当該実行済みの判定処理において当該一対の接触点と前記各プローブとの接触状態が良好と判定したときには、当該一対の接触点についての前記新たな前記判定処理の実行を省略する請求項６記載の回路基板検査方法。
8. 前記判定処理において前記各プローブとの接触状態が良好と判定した前記各接触点に対応する前記電子部品だけを対象として前記検査処理を実行し、前記各プローブのプロービングが再実行された後に、前記判定処理において前記各プローブとの接触状態が不良と判定した前記接触点についての前記判定処理を再実行する請求項５から７のいずれかに記載の回路基板検査方法。

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