JP2013059033A - 高周波部品及び通信装置 - Google Patents
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Abstract
【解決手段】複数の誘電体層を積層してなる積層基板に高周波信号処理回路を備えた高周波部品であって、高周波信号の入力、出力端子および高周波信号処理回路の複数の電源端子を含む端子群が積層基板の一方の主面に形成されており、積層基板を構成する誘電体層には、インダクタンス素子用等のパターン電極が構成され、一端がそれぞれ電源端子に接続された複数の電源ラインは、誘電体層1に形成されたビア電極を介して高周波信号処理回路が有する少なくとも一つの半導体素子に接続され、複数の電源ラインのうち少なくとも二つの電源ラインは、それぞれ、隣接する二以上の誘電体層1にわたって積層方向から見て重なるように形成されたビア電極列2を有し、少なくとも二つの電源ラインのビア電極列2は、隣接する誘電体層間において、他の導体パターンを介さずに近接している。
【選択図】図1
Description
G:グランド端子
GND1:第1のグランド電極
GND2:第2のグランド電極
GND3:第3のグランド電極
GND:グランド電極
Vab、Vgb、Vcc:電源端子
Vtx1、Vlna、Vant1、Vant2:電源端子
Vswtx、Vlna2、Vlna5:電源端子
lvab、lvgb、lvcc、lvtx1、lvlna1:電源ライン
lvant1、lvant2:電源ライン
Ant1、Ant2、Ant:アンテナ端子
Tx1、Tx2、Tx3、Tx4:入力端子
Rx1、Rx2、Rx3、Rx4:出力端子
DET1、DET2:検波回路
Dip1、Dip2、Dip3:分波回路
BPF1〜8:バンドパスフィルタ回路
LPF1、LPF2:ローパスフィルタ回路
PA1〜4:高周波増幅器回路
LNA、LNA1、LNA2:低雑音増幅器回路
SPDT1、SPDT2、SP3T:スイッチ回路
1:誘電体層 2:ビア電極列 3:ビア電極群
4、11、12、13:グランド電極 5:導体パターン(シールド電極)
6、10、14:導体パターン 7:電極パッド 8:ICチップ 9:ビア電極列
15:電源端子
さらに、前記高周波部品において、前記電源端子に一端が接続された電源ライン同士を近づけて、前記近接しているビア電極またはビア電極列に接続していることが好ましい。
さらに、前記高周波部品において、前記電源端子に一端が接続された前記複数の電源ラインは一の誘電体層に形成されて第1の電源ライン層をなし、前記第1の電源ライン層を挟んで積層方向前記主面側には平面視前記複数の電源ラインの少なくとも一部と重なる第1のグランド電極が配置され、積層方向前記主面とは反対側には平面視前記複数の電源ラインの少なくとも一部と重なる第2のグランド電極が配置され、前記高周波信号処理回路は前記第2のグランド電極を挟んで前記第1の電源ライン層とは反対側に配置されていることが好ましい。該構成によれば、グランド電極に挟まれ、さらにはグランド電極を介して高周波信号処理回路とは離れた第1の電源ライン層において、電源ラインの取り回しをすることができるので、電源ラインと高周波信号処理回路の信号ラインとの干渉をふせぎ、高周波部品の小型化を図ることができる。
Claims (10)
- 導体パターンを形成した複数の誘電体層を積層してなる積層基板に高周波信号を処理する高周波信号処理回路を備えた高周波部品であって、
前記高周波信号の入力端子、出力端子および前記高周波信号処理回路の複数の電源端子を含む端子群が前記積層基板の一方の主面に形成されており、
前記積層基板を構成する前記誘電体層には、インダクタンス素子用、容量素子用、配線ライン用、及びグランド電極用のパターン電極が構成され、
一端がそれぞれ前記電源端子に接続された複数の電源ラインは、誘電体層に形成されたビア電極を介して前記高周波信号処理回路が有する少なくとも一つの半導体素子に接続され、
前記複数の電源ラインのうち少なくとも二つの電源ラインは、それぞれ、隣接する二以上の誘電体層にわたって積層方向から見て重なるように形成されたビア電極列を有し、
前記少なくとも二つの電源ラインのビア電極列は、前記隣接する誘電体層間において、他の導体パターンを介さずに近接していることを特徴とする高周波部品。 - 前記複数の電源ラインのビア電極が近接した誘電体層において、前記複数の電源ラインのビア電極が、グランドに接続されたビア電極群によって囲まれていることを特徴とする請求項1に記載の高周波部品。
- 導体パターンを形成した複数の誘電体層を積層してなる積層基板に高周波信号を処理する高周波信号処理回路を備えた高周波部品であって、
前記高周波信号の入力端子、出力端子および前記高周波信号処理回路の複数の電源端子を含む端子群が前記積層基板の一方の主面に形成されており、
前記積層基板を構成する前記誘電体層には、インダクタンス素子用、容量素子用、配線ライン用、及びグランド電極用のパターン電極が構成され、
一端がそれぞれ前記電源端子に接続された複数の電源ラインは、誘電体層に形成されたビア電極を介して前記高周波信号処理回路が有する少なくとも一つの半導体素子に接続され、
前記複数の電源ラインのビア電極は、前記複数の誘電体層のうちの少なくとも一つの誘電体層において、他の導体パターンを介さずに近接し、
前記複数の電源ラインのビア電極が近接した誘電体層において、前記複数の電源ラインのビア電極が、グランドに接続されたビア電極群によって囲まれていることを特徴とする高周波部品。 - 導体パターンを形成した複数の誘電体層を積層してなる積層基板に高周波信号を処理する高周波信号処理回路を備えた高周波部品であって、
前記高周波信号の入力端子、出力端子および前記高周波信号処理回路の複数の電源端子を含む端子群が前記積層基板の一方の主面に形成されており、
前記積層基板を構成する前記誘電体層には、インダクタンス素子用、容量素子用、配線ライン用、及びグランド電極用のパターン電極が構成され、
一端がそれぞれ前記電源端子に接続された複数の電源ラインは、誘電体層に形成されたビア電極を介して前記高周波信号処理回路が有する複数の半導体素子に接続され、
前記複数の電源ラインのうち異なる半導体素子に接続される少なくとも二つの電源ラインのビア電極は、前記複数の誘電体層のうちの少なくとも一つの誘電体層において、他の導体パターンを介さずに近接していることを特徴とする高周波部品。 - 前記複数の電源ラインのビア電極が近接した誘電体層において、前記複数の電源ラインのビア電極が、グランドに接続されたビア電極群によって囲まれていることを特徴とする請求項4に記載の高周波部品。
- 前記ビア電極群のビア電極は、前記ビア電極群が形成された誘電体層表面において互いに帯状の導体パターンで接続されていることを特徴とする請求項2、3、5のいずれか一項に記載の高周波部品。
- 前記電源端子に一端が接続された前記複数の電源ラインは一の誘電体層に形成されて第1の電源ライン層をなし、前記第1の電源ライン層を挟んで積層方向前記主面側には平面視前記複数の電源ラインの少なくとも一部と重なる第1のグランド電極が配置され、積層方向前記主面とは反対側には平面視前記複数の電源ラインの少なくとも一部と重なる第2のグランド電極が配置され、前記高周波信号処理回路は前記第2のグランド電極を挟んで前記第1の電源ライン層とは反対側に配置されていることを特徴とする請求項1〜6のいずれか一項に記載の高周波部品。
- 前記端子群は前記一方の主面上、該主面の外縁に沿って配列されて形成されており、前記第1のグランド電極は、前記一方の主面上、前記端子群の内側に形成されていることを特徴とする請求項7に記載の高周波部品。
- 前記高周波信号処理回路として、アンテナに接続されるアンテナ端子と前記高周波信号の入力端子または出力端子との接続を切り換えるスイッチ回路と、前記高周波信号の入力端子に入力された送信信号を増幅する高周波増幅器回路と、前記アンテナ端子から入力された受信信号を増幅して出力端子に出力する低雑音増幅器回路とを有することを特徴とする請求項1〜8のいずれか一項に記載の高周波部品。
- 請求項1〜9のいずれか一項に記載の高周波部品を用いたことを特徴とする通信装置。
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