JP2013058508A - 領域決定装置、観察装置または検査装置、領域決定方法および領域決定方法を用いた観察方法または検査方法 - Google Patents
領域決定装置、観察装置または検査装置、領域決定方法および領域決定方法を用いた観察方法または検査方法 Download PDFInfo
- Publication number
- JP2013058508A JP2013058508A JP2011194506A JP2011194506A JP2013058508A JP 2013058508 A JP2013058508 A JP 2013058508A JP 2011194506 A JP2011194506 A JP 2011194506A JP 2011194506 A JP2011194506 A JP 2011194506A JP 2013058508 A JP2013058508 A JP 2013058508A
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- defect
- inspection
- region
- information
- image
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Granted
Links
Classifications
-
- G—PHYSICS
- G01—MEASURING; TESTING
- G01N—INVESTIGATING OR ANALYSING MATERIALS BY DETERMINING THEIR CHEMICAL OR PHYSICAL PROPERTIES
- G01N21/00—Investigating or analysing materials by the use of optical means, i.e. using sub-millimetre waves, infrared, visible or ultraviolet light
- G01N21/84—Systems specially adapted for particular applications
- G01N21/88—Investigating the presence of flaws or contamination
- G01N21/95—Investigating the presence of flaws or contamination characterised by the material or shape of the object to be examined
- G01N21/9501—Semiconductor wafers
-
- G—PHYSICS
- G01—MEASURING; TESTING
- G01N—INVESTIGATING OR ANALYSING MATERIALS BY DETERMINING THEIR CHEMICAL OR PHYSICAL PROPERTIES
- G01N23/00—Investigating or analysing materials by the use of wave or particle radiation, e.g. X-rays or neutrons, not covered by groups G01N3/00 – G01N17/00, G01N21/00 or G01N22/00
- G01N23/22—Investigating or analysing materials by the use of wave or particle radiation, e.g. X-rays or neutrons, not covered by groups G01N3/00 – G01N17/00, G01N21/00 or G01N22/00 by measuring secondary emission from the material
- G01N23/225—Investigating or analysing materials by the use of wave or particle radiation, e.g. X-rays or neutrons, not covered by groups G01N3/00 – G01N17/00, G01N21/00 or G01N22/00 by measuring secondary emission from the material using electron or ion
- G01N23/2251—Investigating or analysing materials by the use of wave or particle radiation, e.g. X-rays or neutrons, not covered by groups G01N3/00 – G01N17/00, G01N21/00 or G01N22/00 by measuring secondary emission from the material using electron or ion using incident electron beams, e.g. scanning electron microscopy [SEM]
-
- G—PHYSICS
- G01—MEASURING; TESTING
- G01N—INVESTIGATING OR ANALYSING MATERIALS BY DETERMINING THEIR CHEMICAL OR PHYSICAL PROPERTIES
- G01N2223/00—Investigating materials by wave or particle radiation
- G01N2223/60—Specific applications or type of materials
- G01N2223/611—Specific applications or type of materials patterned objects; electronic devices
- G01N2223/6116—Specific applications or type of materials patterned objects; electronic devices semiconductor wafer
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L22/00—Testing or measuring during manufacture or treatment; Reliability measurements, i.e. testing of parts without further processing to modify the parts as such; Structural arrangements therefor
- H01L22/10—Measuring as part of the manufacturing process
- H01L22/12—Measuring as part of the manufacturing process for structural parameters, e.g. thickness, line width, refractive index, temperature, warp, bond strength, defects, optical inspection, electrical measurement of structural dimensions, metallurgic measurement of diffusions
Landscapes
- Physics & Mathematics (AREA)
- Health & Medical Sciences (AREA)
- Life Sciences & Earth Sciences (AREA)
- Chemical & Material Sciences (AREA)
- Analytical Chemistry (AREA)
- Biochemistry (AREA)
- General Health & Medical Sciences (AREA)
- General Physics & Mathematics (AREA)
- Immunology (AREA)
- Pathology (AREA)
- Testing Or Measuring Of Semiconductors Or The Like (AREA)
- Analysing Materials By The Use Of Radiation (AREA)
Abstract
【解決手段】領域決定装置は、試料を検査して得た試料上の欠陥位置あるいは試料上において欠陥が発生する可能性があると予測された欠陥位置を撮像した画像を含む欠陥データの、少なくとも複数種の欠陥属性情報に基づき欠陥の発生度合いを算出する算出部と、発生度合いが所定以上となる欠陥データを抽出し、該抽出された欠陥データから観察または検査を行う試料上の領域を決定する領域決定部と、を有する。
【選択図】 図3
Description
まず、本実施形態では、リソグラフフィ工程におけるプロセス管理のためにCDSEMで試料を検査、具体的にはパターン計測を行う際の検査(計測)領域を決定する機能を備えた検査装置としての欠陥レビューシステムについて説明する。
第一の実施形態では、リソグラフィプロセスを対象にウェーハ検査装置によって検出された欠陥候補の中から計測領域を抽出する例を示した。リソグラフィ工程においては、観察するパターンは、通常の場合、レジストレイヤ一層(単層レジスト)で形成されている。また、主な欠陥はパターンの断線や短絡、細り・太りといった形状欠陥であり、その発生傾向が回路パターンの局所的な形状と強く関係しているという特徴がある。本第二の実施形態では、それ以外の工程、例えば各種パターンのエッチング工程終了後に行われるウェーハ検査を対象として、検査箇所特定情報としての検査領域を決定する事例について説明する。この場合、対象となる欠陥種も形状欠陥のみならず多様なプロセス欠陥が含まれることを前提とする。エッチング完了後の多層レイヤ構造をもつプロセスウェーハに対して欠陥管理を行う場合、欠陥発生に影響を与える要因が多数であることから、リソグラフィ工程で用いたFEMウェーハのようなテストウェーハを活用することは一般的に困難である。よって、テスト回路パターンや実回路パターンを実際の製造プロセスにて製造し、それに対するウェーハ検査を行うことで欠陥位置を特定し、さらにそのデータから検査すべき部分領域を抽出する。
本実施形態では、リソグラフィ工程を対象とした本発明の第一の実施形態を拡張した形態について述べる。第一の実施形態では、FEMウェーハを対象にウェーハ検査装置による検査を行い、その結果を欠陥位置候補としてSEMレビューを行った。一方、最近のプロセスシミュレーション技術の進歩により、ウェーハプロセスのプロセス条件を変更した際の、回路パターン形状の変化の様子をシミュレーションにより予測することがある程度可能になってきている。例えば、リソグラフィプロセスに関しては、露光シミュレータに対して、回路パターンの設計レイアウトデータと露光条件(フォーカス及び露光量)及びレジスト材料等を入力すると、露光されるパターンの予測形状を得ることが可能である。このシミュレータを活用することで、プロセス変動により生じるパターン形状の変化を予想することが可能であり、ウェーハ検査を行わなくとも、プロセス条件が変動した際にパターンの変化が生じる恐れがある箇所と、その形状の変化の仕方(短絡や断線など)を予測できる。そこで、このシミュレータから出力される欠陥属性情報としての欠陥候補箇所の情報を基に計測領域を決定する。
ここまで欠陥候補箇所のSEMレビュー画像を基に、測定箇所や検査領域を特定するシステムについて述べてきた。本実施形態では、欠陥候補箇所が多数になった場合におけるSEMレビューの効率向上を実現するシステムについて述べる。
本実施形態では、欠陥候補箇所のレビュー画像を基に検査箇所特定情報としての計測領域・検査領域を設定した後、同一の装置を用いて、計測或いは検査を行うことが可能なレビュー装置について示す。
ここまで第一の実施形態から第五の実施形態にて説明したものも含め、本発明の実施形態としては、特に、スループットの観点でウェーハ全面を評価対象とできない場合(例えば荷電粒子線装置としての電子ビーム装置を用いてパターン計測及び欠陥検査を行う場合)に、パターン計測や観察、検査を行うウェーハ上の部分領域を決定する機能を有する装置あるいは部分領域の決定方法、あるいはそのような領域決定機能を有する欠陥レビュー装置に関するものである。例えば、電子ビーム装置を用いて、試料全面ではなく部分領域を対象としてパターン計測や観察、欠陥検査を行う際に、(1)計測や観察あるいは検査を行うべき箇所(欠陥が発生しやすい箇所)を予想することが困難な場合や、(2)なんらかの手段により、欠陥が発生しやすい箇所の情報を得た場合であっても、その情報に真の欠陥の情報と擬似欠陥情報が混在してしまう場合に、パターン計測や観察あるいは、欠陥検査を行う部分領域を効率的に決定するためになされるものである。
1002 CDSEM
1003 YMS
1004 ネットワーク
1005 レビューSEM
1006 SEM本体
1007 レシピ格納部
1008 入出力部
1009 レビュー結果格納部
1010 全体制御部
1011 画像処理部
1012 領域決定部
1013 SEM式ウェーハ検査装置
1014 レイアウト解析部
1015 レイアウトCADデータ
1401 プロセスシミュレータ
1601 サンプリング部
1801 検査・レビューモード切替部
3001 属性付与部
3002 スコア算出部
3003 データ選別部
3004 領域出力部
Claims (16)
- 試料を検査して得た試料上の欠陥位置あるいは当該試料上において欠陥が発生する可能性があると予測された欠陥位置を撮像した画像を含む欠陥データの、少なくとも複数種の欠陥属性情報に基づき前記欠陥の発生度合いを算出する算出部と、
前記発生度合いが所定以上となる欠陥データを抽出し、該抽出された欠陥データから観察または検査を行う試料上の領域を決定する領域決定部と、を有する領域決定装置。 - 前記複数種の欠陥属性情報は、少なくともその一種が欠陥データのパターングルーピング情報である請求項1に記載の領域決定装置。
- 前記複数種の欠陥属性情報は、少なくともその一種が欠陥種の分類情報である請求項2に記載の領域決定装置。
- 前記複数種の欠陥属性情報は、少なくともその一種が前記欠陥の試料上のチップ位置情報あるいは、チップ内における欠陥位置の情報である請求項2に記載の領域決定装置。
- 試料を検査して得た試料上の欠陥位置あるいは当該試料上において欠陥が発生する可能性があると予測された欠陥位置を撮像した画像を含む欠陥データの、少なくとも複数種の欠陥属性情報に基づき前記欠陥の発生度合いを算出する算出部と、
前記発生度合いが所定以上となる欠陥データを抽出し、該抽出された欠陥データから観察または検査を行う試料上の領域を決定する領域決定部と、
当該決定された領域情報に基づき前記欠陥位置の画像を取得する画像取得部と、
を有する観察装置または検査装置。 - 前記複数種の欠陥属性情報は、少なくともその一種が欠陥データのパターングルーピング情報である請求項5に記載の観察装置または検査装置。
- 前記複数種の欠陥属性情報は、少なくともその一種が欠陥種の分類情報である請求項6に記載の観察装置または検査装置。
- 前記複数種の欠陥属性情報は、少なくともその一種が前記欠陥の試料上のチップ位置情報あるいは、チップ内における欠陥位置の情報である請求項6に記載の観察装置または検査装置。
- 前記領域決定部で決定された領域情報に基づいて、当該試料上の欠陥位置あるいは欠陥が発生する可能性があると予測された箇所から欠陥データのサンプリングを行うサンプリング部を有する請求項5に記載の観察装置または検査装置。
- 欠陥検査処理を行うモードと欠陥レビュー処理を行うモードとを切り替える処理モード切替え部と、
欠陥レビューモードによって、前記領域決定部において領域を決定した後に、
検査処理モードにおいて、決定された領域の検査を行う制御部と、をさらに有する請求項5記載の観察装置または検査装置。 - 試料を検査して得た試料上の欠陥位置あるいは当該試料上において欠陥が発生する可能性があると予測された欠陥位置を撮像した画像を含む欠陥データの、少なくとも複数種の欠陥属性情報に基づき前記欠陥の発生度合いを算出するステップと、
前記発生度合いが所定以上となる欠陥データを抽出し、該抽出された欠陥データから観察または検査を行う試料上の領域を決定するステップと、
を有する領域決定方法。 - 請求項11における領域決定方法を用いて、試料上の領域を決定し、前記決定された領域に対して観察または検査を行うステップを有する観察方法または検査方法。
- 請求項11における領域決定方法を用いて、試料上の領域を決定し、前記決定された領域の情報を基に、画像データを取得する欠陥座標位置を選択するステップと、
該選択された欠陥座標位置の画像データと取得するステップと、
を有する観察方法または検査方法。 - 前記複数種の欠陥属性情報は、少なくともその一種が欠陥データのパターングルーピング情報である請求項11乃至請求項13に記載の方法。
- 前記複数種の欠陥属性情報は、少なくともその一種が欠陥種の分類情報である請求項11乃至請求項13に記載の方法。
- 前記複数種の欠陥属性情報は、少なくともその一種が前記欠陥の試料上のチップ位置情報あるいは、チップ内における欠陥位置の情報である請求項11乃至請求項13に記載の方法。
Priority Applications (5)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP2011194506A JP5460662B2 (ja) | 2011-09-07 | 2011-09-07 | 領域決定装置、観察装置または検査装置、領域決定方法および領域決定方法を用いた観察方法または検査方法 |
PCT/JP2012/067419 WO2013035421A1 (ja) | 2011-09-07 | 2012-07-09 | 領域決定装置、観察装置または検査装置、領域決定方法および領域決定方法を用いた観察方法または検査方法 |
KR1020147004166A KR101600209B1 (ko) | 2011-09-07 | 2012-07-09 | 영역 결정 장치, 검사 장치, 영역 결정 방법 및 영역 결정 방법을 사용한 검사 방법 |
CN201280040589.7A CN103748670B (zh) | 2011-09-07 | 2012-07-09 | 区域决定装置、观察装置或检查装置、区域决定方法以及使用了区域决定方法的观察方法或检查方法 |
US14/239,653 US9335277B2 (en) | 2011-09-07 | 2012-07-09 | Region-of-interest determination apparatus, observation tool or inspection tool, region-of-interest determination method, and observation method or inspection method using region-of-interest determination method |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP2011194506A JP5460662B2 (ja) | 2011-09-07 | 2011-09-07 | 領域決定装置、観察装置または検査装置、領域決定方法および領域決定方法を用いた観察方法または検査方法 |
Publications (2)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JP2013058508A true JP2013058508A (ja) | 2013-03-28 |
JP5460662B2 JP5460662B2 (ja) | 2014-04-02 |
Family
ID=47831873
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP2011194506A Active JP5460662B2 (ja) | 2011-09-07 | 2011-09-07 | 領域決定装置、観察装置または検査装置、領域決定方法および領域決定方法を用いた観察方法または検査方法 |
Country Status (5)
Country | Link |
---|---|
US (1) | US9335277B2 (ja) |
JP (1) | JP5460662B2 (ja) |
KR (1) | KR101600209B1 (ja) |
CN (1) | CN103748670B (ja) |
WO (1) | WO2013035421A1 (ja) |
Cited By (3)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP2015188018A (ja) * | 2014-03-26 | 2015-10-29 | 富士通セミコンダクター株式会社 | 解析支援方法、および解析支援プログラム |
JP2017529684A (ja) * | 2014-07-22 | 2017-10-05 | ケーエルエー−テンカー コーポレイション | 被検査物上の関心対象領域の座標決定 |
JP2019050376A (ja) * | 2017-09-11 | 2019-03-28 | アプライド マテリアルズ イスラエル リミテッド | 試験方策を生成する方法およびそのシステム |
Families Citing this family (39)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
US9768082B2 (en) * | 2009-02-13 | 2017-09-19 | Hermes Microvision Inc. | Method and machine for examining wafers |
JP5460662B2 (ja) * | 2011-09-07 | 2014-04-02 | 株式会社日立ハイテクノロジーズ | 領域決定装置、観察装置または検査装置、領域決定方法および領域決定方法を用いた観察方法または検査方法 |
JP6455829B2 (ja) * | 2013-04-01 | 2019-01-23 | キヤノン株式会社 | 画像処理装置、画像処理方法、およびプログラム |
CN105849643B (zh) * | 2013-12-17 | 2019-07-19 | Asml荷兰有限公司 | 良品率估计和控制 |
EP2927747A3 (en) * | 2014-03-31 | 2016-03-09 | IMEC vzw | Quality assessment of directed self-assembling method |
US9816939B2 (en) | 2014-07-22 | 2017-11-14 | Kla-Tencor Corp. | Virtual inspection systems with multiple modes |
US10267746B2 (en) * | 2014-10-22 | 2019-04-23 | Kla-Tencor Corp. | Automated pattern fidelity measurement plan generation |
US20170061046A1 (en) * | 2015-09-01 | 2017-03-02 | Kabushiki Kaisha Toshiba | Simulation device of semiconductor device and simulation method of semiconductor device |
US10304178B2 (en) * | 2015-09-18 | 2019-05-28 | Taiwan Semiconductor Manfacturing Company, Ltd. | Method and system for diagnosing a semiconductor wafer |
US10740888B2 (en) * | 2016-04-22 | 2020-08-11 | Kla-Tencor Corporation | Computer assisted weak pattern detection and quantification system |
US11010886B2 (en) | 2016-05-17 | 2021-05-18 | Kla-Tencor Corporation | Systems and methods for automatic correction of drift between inspection and design for massive pattern searching |
US9928446B2 (en) | 2016-07-13 | 2018-03-27 | Dongfang Jingyuan Electron Limited | Augmented automatic defect classification |
CN106204598B (zh) * | 2016-07-13 | 2019-02-05 | 东方晶源微电子科技(北京)有限公司 | 在自动缺陷分类流程中管理缺陷的方法及系统 |
CN106018426A (zh) * | 2016-07-20 | 2016-10-12 | 武汉大学 | 印刷品质量在线检测系统 |
US10402688B2 (en) * | 2016-12-07 | 2019-09-03 | Kla-Tencor Corporation | Data augmentation for convolutional neural network-based defect inspection |
US20190377945A1 (en) * | 2017-02-28 | 2019-12-12 | Optim Corporation | System, method, and program for detecting abnormality |
US10120973B2 (en) * | 2017-03-15 | 2018-11-06 | Applied Materials Israel Ltd. | Method of performing metrology operations and system thereof |
US10262408B2 (en) * | 2017-04-12 | 2019-04-16 | Kla-Tencor Corporation | System, method and computer program product for systematic and stochastic characterization of pattern defects identified from a semiconductor wafer |
US11333621B2 (en) * | 2017-07-11 | 2022-05-17 | Kla-Tencor Corporation | Methods and systems for semiconductor metrology based on polychromatic soft X-Ray diffraction |
US10679333B2 (en) * | 2018-03-14 | 2020-06-09 | Kla-Tencor Corporation | Defect detection, classification, and process window control using scanning electron microscope metrology |
US11195268B2 (en) * | 2018-05-22 | 2021-12-07 | Kla-Tencor Corporation | Target selection improvements for better design alignment |
JP7157580B2 (ja) * | 2018-07-19 | 2022-10-20 | 東京エレクトロン株式会社 | 基板検査方法及び基板検査装置 |
US11668655B2 (en) | 2018-07-20 | 2023-06-06 | Kla Corporation | Multimode defect classification in semiconductor inspection |
JP7188949B2 (ja) * | 2018-09-20 | 2022-12-13 | 株式会社Screenホールディングス | データ処理方法およびデータ処理プログラム |
JP7188950B2 (ja) | 2018-09-20 | 2022-12-13 | 株式会社Screenホールディングス | データ処理方法およびデータ処理プログラム |
US10832396B2 (en) | 2018-10-19 | 2020-11-10 | Kla-Tencor Corp. | And noise based care areas |
CN109596639A (zh) * | 2018-11-30 | 2019-04-09 | 德淮半导体有限公司 | 缺陷检测系统及缺陷检测方法 |
US10853932B2 (en) * | 2019-01-16 | 2020-12-01 | Applied Material Israel, Ltd. | Method of defect detection on a specimen and system thereof |
JP7137487B2 (ja) * | 2019-01-22 | 2022-09-14 | 株式会社日立ハイテク | 画像評価装置及び方法 |
WO2020191121A1 (en) * | 2019-03-20 | 2020-09-24 | Carl Zeiss Smt Inc. | Method for imaging a region of interest of a sample using a tomographic x-ray microscope, microscope, system and computer program |
CN110020654A (zh) * | 2019-04-08 | 2019-07-16 | 中南大学 | 膨胀型防火炭层sem图像中发泡区域的识别方法 |
US11619592B2 (en) * | 2019-07-09 | 2023-04-04 | KLA Corp. | Selecting defect detection methods for inspection of a specimen |
US11379969B2 (en) * | 2019-08-01 | 2022-07-05 | Kla Corporation | Method for process monitoring with optical inspections |
US11615993B2 (en) | 2019-11-21 | 2023-03-28 | Kla Corporation | Clustering sub-care areas based on noise characteristics |
CN113597664A (zh) * | 2020-01-14 | 2021-11-02 | 京东方科技集团股份有限公司 | 确定不良原因的方法、电子设备、存储介质及系统 |
CN113642819A (zh) * | 2020-05-11 | 2021-11-12 | 上海华力集成电路制造有限公司 | 连环许容时间区段站点异常时产品自动调度装置和方法 |
WO2022020069A1 (en) * | 2020-07-20 | 2022-01-27 | Applied Materials, Inc. | Optical devices and method of optical device metrology |
DE102020213828B4 (de) | 2020-11-03 | 2022-12-01 | Volkswagen Aktiengesellschaft | Inspektionseinrichtung und Verfahren zum Überprüfen eines mittels eines Sinterverfahrens gefertigten Gegenstands auf mögliche Fehler |
CN115575411A (zh) * | 2022-09-28 | 2023-01-06 | 东方晶源微电子科技(北京)有限公司 | 晶片的缺陷检测方法、装置、设备及计算机可读存储介质 |
Citations (3)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
WO2010091307A2 (en) * | 2009-02-06 | 2010-08-12 | Kla-Tencor Corporation | Selecting one or more parameters for inspection of a wafer |
JP2010258013A (ja) * | 2009-04-21 | 2010-11-11 | Hitachi High-Technologies Corp | 基板検査装置及び方法 |
WO2011036846A1 (ja) * | 2009-09-28 | 2011-03-31 | 株式会社日立ハイテクノロジーズ | 欠陥検査装置および欠陥検査方法 |
Family Cites Families (12)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP3802716B2 (ja) * | 1999-09-17 | 2006-07-26 | 株式会社日立製作所 | 試料の検査方法及びその装置 |
US6898305B2 (en) * | 2001-02-22 | 2005-05-24 | Hitachi, Ltd. | Circuit pattern inspection method and apparatus |
JP4035974B2 (ja) * | 2001-09-26 | 2008-01-23 | 株式会社日立製作所 | 欠陥観察方法及びその装置 |
US6902855B2 (en) | 2002-07-15 | 2005-06-07 | Kla-Tencor Technologies | Qualifying patterns, patterning processes, or patterning apparatus in the fabrication of microlithographic patterns |
JP2005158780A (ja) * | 2003-11-20 | 2005-06-16 | Hitachi Ltd | パターン欠陥検査方法及びその装置 |
JP3880589B2 (ja) * | 2004-03-31 | 2007-02-14 | キヤノン株式会社 | 位置計測装置、露光装置及びデバイス製造方法 |
TW200540939A (en) * | 2004-04-22 | 2005-12-16 | Olympus Corp | Defect inspection device and substrate manufacturing system using the same |
JP2009085657A (ja) * | 2007-09-28 | 2009-04-23 | Hitachi High-Technologies Corp | 走査型電子顕微鏡を用いた試料の観察方法およびそのシステム |
JP5286004B2 (ja) | 2008-09-12 | 2013-09-11 | 株式会社日立ハイテクノロジーズ | 基板の検査装置、および、基板の検査方法 |
JP5357725B2 (ja) | 2009-12-03 | 2013-12-04 | 株式会社日立ハイテクノロジーズ | 欠陥検査方法及び欠陥検査装置 |
JP2012122765A (ja) * | 2010-12-06 | 2012-06-28 | Hitachi High-Technologies Corp | 欠陥検査装置 |
JP5460662B2 (ja) * | 2011-09-07 | 2014-04-02 | 株式会社日立ハイテクノロジーズ | 領域決定装置、観察装置または検査装置、領域決定方法および領域決定方法を用いた観察方法または検査方法 |
-
2011
- 2011-09-07 JP JP2011194506A patent/JP5460662B2/ja active Active
-
2012
- 2012-07-09 KR KR1020147004166A patent/KR101600209B1/ko active IP Right Grant
- 2012-07-09 WO PCT/JP2012/067419 patent/WO2013035421A1/ja active Application Filing
- 2012-07-09 CN CN201280040589.7A patent/CN103748670B/zh active Active
- 2012-07-09 US US14/239,653 patent/US9335277B2/en active Active
Patent Citations (3)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
WO2010091307A2 (en) * | 2009-02-06 | 2010-08-12 | Kla-Tencor Corporation | Selecting one or more parameters for inspection of a wafer |
JP2010258013A (ja) * | 2009-04-21 | 2010-11-11 | Hitachi High-Technologies Corp | 基板検査装置及び方法 |
WO2011036846A1 (ja) * | 2009-09-28 | 2011-03-31 | 株式会社日立ハイテクノロジーズ | 欠陥検査装置および欠陥検査方法 |
Cited By (3)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP2015188018A (ja) * | 2014-03-26 | 2015-10-29 | 富士通セミコンダクター株式会社 | 解析支援方法、および解析支援プログラム |
JP2017529684A (ja) * | 2014-07-22 | 2017-10-05 | ケーエルエー−テンカー コーポレイション | 被検査物上の関心対象領域の座標決定 |
JP2019050376A (ja) * | 2017-09-11 | 2019-03-28 | アプライド マテリアルズ イスラエル リミテッド | 試験方策を生成する方法およびそのシステム |
Also Published As
Publication number | Publication date |
---|---|
US9335277B2 (en) | 2016-05-10 |
KR101600209B1 (ko) | 2016-03-04 |
CN103748670A (zh) | 2014-04-23 |
US20140198975A1 (en) | 2014-07-17 |
JP5460662B2 (ja) | 2014-04-02 |
WO2013035421A1 (ja) | 2013-03-14 |
CN103748670B (zh) | 2016-08-24 |
KR20140039075A (ko) | 2014-03-31 |
Similar Documents
Publication | Publication Date | Title |
---|---|---|
JP5460662B2 (ja) | 領域決定装置、観察装置または検査装置、領域決定方法および領域決定方法を用いた観察方法または検査方法 | |
US9201022B2 (en) | Extraction of systematic defects | |
US7681159B2 (en) | System and method for detecting defects in a semiconductor during manufacturing thereof | |
US7062081B2 (en) | Method and system for analyzing circuit pattern defects | |
JP5357725B2 (ja) | 欠陥検査方法及び欠陥検査装置 | |
US7760929B2 (en) | Grouping systematic defects with feedback from electrical inspection | |
KR101448971B1 (ko) | 실제 결함들이 잠재적으로 조직적인 결함들인지 또는 잠재적으로 랜덤인 결함들인지를 결정하기 위한 컴퓨터-구현 방법들 | |
JP5662146B2 (ja) | 半導体デバイス特徴の抽出、生成、視覚化、ならびに監視方法 | |
JP5081590B2 (ja) | 欠陥観察分類方法及びその装置 | |
US9311697B2 (en) | Inspection method and device therefor | |
KR102386536B1 (ko) | 시편 상의 관심 패턴의 하나 이상의 특성의 결정 | |
JP2002100660A (ja) | 欠陥検出方法と欠陥観察方法及び欠陥検出装置 | |
JP2001159616A (ja) | パターン検査方法及びパターン検査装置 | |
JP2009010405A (ja) | 局所的外れ値の検出のための方法および装置 | |
JP7460775B2 (ja) | 高度なインライン部品平均試験 | |
KR101897582B1 (ko) | 설계-기반 결함 분류 방법 및 그 시스템 | |
JP4287863B2 (ja) | レビューsem | |
JP2005236094A (ja) | 半導体装置の製造方法、不良解析方法および不良解析システム | |
JP5036889B2 (ja) | レビューsem | |
JP4745380B2 (ja) | レビューsem | |
JP4146655B2 (ja) | 欠陥源候補抽出プログラム | |
JP2004165395A (ja) | 検査データ解析プログラムと検査方法 | |
CN117529803A (zh) | 用于主动良率管理的制造指纹 | |
JP2005136113A (ja) | 検査データ解析プログラム |
Legal Events
Date | Code | Title | Description |
---|---|---|---|
A621 | Written request for application examination |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A621 Effective date: 20130821 |
|
A521 | Request for written amendment filed |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A523 Effective date: 20130821 |
|
A131 | Notification of reasons for refusal |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A131 Effective date: 20131029 |
|
A521 | Request for written amendment filed |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A523 Effective date: 20131202 |
|
TRDD | Decision of grant or rejection written | ||
A01 | Written decision to grant a patent or to grant a registration (utility model) |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A01 Effective date: 20131217 |
|
A61 | First payment of annual fees (during grant procedure) |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A61 Effective date: 20140114 |
|
R150 | Certificate of patent or registration of utility model |
Ref document number: 5460662 Country of ref document: JP Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R150 Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R150 |
|
S531 | Written request for registration of change of domicile |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R313531 |
|
S533 | Written request for registration of change of name |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R313533 |
|
R350 | Written notification of registration of transfer |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R350 |