JP2013047176A - 塩素含有酸化マグネシウム粉末 - Google Patents
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Abstract
【解決手段】塩素を0.005〜10質量%の範囲にて含有する、塩素を除いた総量中の酸化マグネシウム純度が99.8質量%以上で、かつBET比表面積が0.1〜30m2
/gの範囲にある塩素含有酸化マグネシウム粉末。
【選択図】なし
Description
誘電体保護層の形成材料には、AC型PDPの作動電圧を低減し、かつ放電空間に生成したプラズマから誘電体層を保護するために、二次電子放出係数が高く、耐スパッタ性に優れる酸化マグネシウムが広く利用されている。
範囲にある高純度の酸化マグネシウム粉末又は焼成によって該酸化マグネシウム粉末を生成するマグネシウム化合物粉末(但し、塩化マグネシウム粉末を除く)を塩素源の存在下、もしくは塩素含有気体の雰囲気下に、850℃以上の温度で焼成することによって、塩素を0.005〜10質量%の範囲にて含有する、塩素を除いた総量中の酸化マグネシウム純度が99.8質量%以上で、かつBET比表面積が0.1〜30m2/gの範囲にあ
る塩素含有酸化マグネシウム粉末を製造することができ、かつ該塩素含有酸化マグネシウム粉末がXeガスの放電ガスにより生成した紫外光に励起されると、高い効率で波長250nm付近の紫外光を放出することを見出して、本発明を完成した。
(1)塩素含有量が0.01〜10質量%の範囲にある。
(2)酸化マグネシウム純度が99.9質量%以上である。
(3)BET比表面積が0.2〜12m2/gの範囲にある。
(4)交流型プラズマディスプレイパネルの誘電体保護層の放電空間側の表面に形成される紫外光放出層の製造用である。
ネシウム原料粉末を生成する、塩化マグネシウム粉末以外のマグネシウム化合物粉末を、塩素源の存在下、もしくは塩素含有気体の雰囲気下に、850℃以上の温度で焼成することを特徴とする上記本発明の塩素含有酸化マグネシウム粉末の製造方法にもある。
(2)酸化マグネシウム原料粉末又はマグネシウム化合物粉末の焼成温度が1000〜1500℃の範囲にある。
(3)酸化マグネシウム原料粉末又はマグネシウム化合物粉末の焼成時間が10分以上である。
酸化マグネシウム純度(質量%)=[1−不純物元素の総含有量(質量%)/{100−塩素の含有量(質量%)}]×100
範囲、好ましくは0.2〜12m2/gの範囲にある。
ン、ジルコニウム、ハフニウム、バナジウム、ニオブ、タンタル、クロム、モリブテン、タングステン、マンガン、鉄、コバルト、スカンジウム、イットリウム、ランタン、セリウム、ネオジウム、サマリウム、ユウロピウム、ガドリニウム及びジスプロシウムを挙げることができる。マグネシウム以外の金属は、例えば、酸化物、炭酸塩、硝酸塩として、本発明の塩素含有酸化マグネシウム粉末の製造の際に添加することができ、金属の添加量は、塩素含有酸化マグネシウム粉末全体に対して、0.001〜10質量%の範囲にあることが好ましく、0.01〜1質量%の範囲にあることが特に好ましい。
(焼成物No.1〜No.7の製造)
気相合成酸化法により製造された酸化マグネシウム(MgO)粉末(2000A、宇部マテリアルズ(株)製、純度:99.98質量%、BET比表面積:8.7m2/g)と
塩化マグネシウム(MgCl2・6H2O)粉末(純度:99.0質量%)とを下記表1に示す量にて混合して、粉末混合物を得た。得られた粉末混合物を容量25mLのアルミナ坩堝に投入し、アルミナ坩堝に蓋をして電気炉に入れ、240℃/時間の昇温速度で炉内温度を1200℃まで上昇させ、次いで該温度で30分間加熱焼成した。その後、炉内温度を240℃/時間の降温速度で室温まで冷却した。そして、電気炉からアルミナ坩堝を取り出して、粉末混合物の焼成物No.1〜No.7を得た。
────────────────────────────────────────
酸化マグネシウム粉末量(g) 塩化マグネシウム粉末量(g)
────────────────────────────────────────
焼成物No.1 5.0 0
焼成物No.2 5.0 0.50
焼成物No.3 5.1 2.53
焼成物No.4 5.0 5.00
焼成物No.5 5.0 7.50
焼成物No.6 5.0 9.0
焼成物No.7 5.0 10.0
────────────────────────────────────────
焼成物を水に溶解させて調製した溶液を中和し、その溶液中の塩素量をイオンクロマトグラフィーにより測定する。
焼成物にXeガスのガス放電により生成した紫外光を照射して、焼成物から放出された紫外光スペクトルを測定し、波長250nm付近(波長230〜260nmの範囲)の最大ピーク値を紫外光発光強度として求める。なお、表2の値は、焼成物No.2の紫外光発光強度を100とした相対値である。
────────────────────────────────────────
BET比表面積 塩素含有量 純度 紫外光発光強度
(m2/g) (質量%) (質量%) (−)
────────────────────────────────────────
焼成物No.1 2.11 検出されず 99.9以上 発光せず
焼成物No.2 1.37 0.0025 99.9以上 100
焼成物No.3 1.42 0.0056 99.9以上 527
焼成物No.4 1.52 0.0100 99.9以上 1722
焼成物No.5 0.87 0.49 99.9以上 4867
焼成物No.6 0.52 7.10 99.9以上 5100
焼成物No.7 0.48 8.95 99.9以上 6092
────────────────────────────────────────
Claims (9)
- 塩素を0.005〜10質量%の範囲にて含有する、塩素を除いた総量中の酸化マグネシウム純度が99.8質量%以上で、かつBET比表面積が0.1〜30m2/gの範囲
にある塩素含有酸化マグネシウム粉末。 - 塩素含有量が0.01〜10質量%の範囲にある請求項1に記載の塩素含有酸化マグネシウム粉末。
- 酸化マグネシウム純度が99.9質量%以上である請求項1に記載の塩素含有酸化マグネシウム粉末。
- BET比表面積が0.2〜12m2/gの範囲にある請求項1に記載の塩素含有酸化マ
グネシウム粉末。 - 交流型プラズマディスプレイパネルの誘電体保護層の放電空間側の表面に形成される紫外光放出層の製造用である請求項1乃至4のうちのいずれかの項に記載の塩素含有酸化マグネシウム粉末。
- 酸化マグネシウム純度が99.95質量%以上で、BET比表面積が5〜150m2/
gの範囲にある酸化マグネシウム原料粉末、又は焼成によって該酸化マグネシウム原料粉末を生成する、塩化マグネシウム粉末以外のマグネシウム化合物粉末を、塩素源の存在下、もしくは塩素含有気体の雰囲気下に、850℃以上の温度で焼成することを特徴とする請求項1に記載の塩素含有酸化マグネシウム粉末の製造方法。 - 酸化マグネシウム原料粉末又はマグネシウム化合物粉末を、純度が99.0質量%以上である塩化マグネシウム粉末の存在下にて焼成する請求項6に記載の製造方法。
- 酸化マグネシウム原料粉末又はマグネシウム化合物粉末の焼成温度が1000〜1500℃の範囲にある請求項6に記載の製造方法。
- 酸化マグネシウム原料粉末又はマグネシウム化合物粉末の焼成時間が10分以上である請求項6に記載の製造方法。
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