JP2013043280A - 容量性トランスデューサとその製造及び動作方法 - Google Patents
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- 238000000034 method Methods 0.000 title claims abstract description 62
- 238000004519 manufacturing process Methods 0.000 title claims abstract description 32
- 238000011017 operating method Methods 0.000 title abstract 2
- 239000000463 material Substances 0.000 claims abstract description 69
- 238000007789 sealing Methods 0.000 claims abstract description 13
- XUIMIQQOPSSXEZ-UHFFFAOYSA-N Silicon Chemical compound [Si] XUIMIQQOPSSXEZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 168
- 229910052710 silicon Inorganic materials 0.000 claims description 168
- 239000010703 silicon Substances 0.000 claims description 168
- 239000010410 layer Substances 0.000 claims description 154
- QVGXLLKOCUKJST-UHFFFAOYSA-N atomic oxygen Chemical compound [O] QVGXLLKOCUKJST-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 36
- 238000005468 ion implantation Methods 0.000 claims description 36
- 239000001301 oxygen Substances 0.000 claims description 36
- 229910052760 oxygen Inorganic materials 0.000 claims description 36
- 230000003647 oxidation Effects 0.000 claims description 22
- 238000007254 oxidation reaction Methods 0.000 claims description 22
- VYPSYNLAJGMNEJ-UHFFFAOYSA-N Silicium dioxide Chemical compound O=[Si]=O VYPSYNLAJGMNEJ-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 19
- 229910052814 silicon oxide Inorganic materials 0.000 claims description 19
- 229910021421 monocrystalline silicon Inorganic materials 0.000 claims description 10
- 239000002356 single layer Substances 0.000 claims description 10
- 239000013078 crystal Substances 0.000 claims description 6
- 230000001590 oxidative effect Effects 0.000 claims description 6
- 230000002441 reversible effect Effects 0.000 claims description 5
- 229920006254 polymer film Polymers 0.000 claims description 3
- 229910052581 Si3N4 Inorganic materials 0.000 claims description 2
- HQVNEWCFYHHQES-UHFFFAOYSA-N silicon nitride Chemical compound N12[Si]34N5[Si]62N3[Si]51N64 HQVNEWCFYHHQES-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 2
- 239000007800 oxidant agent Substances 0.000 claims 2
- 230000000149 penetrating effect Effects 0.000 claims 1
- 230000010355 oscillation Effects 0.000 abstract 4
- 239000000758 substrate Substances 0.000 description 37
- 238000002513 implantation Methods 0.000 description 10
- 239000012535 impurity Substances 0.000 description 6
- 238000007740 vapor deposition Methods 0.000 description 6
- 238000000137 annealing Methods 0.000 description 4
- 230000015556 catabolic process Effects 0.000 description 4
- 238000010438 heat treatment Methods 0.000 description 4
- 230000015572 biosynthetic process Effects 0.000 description 3
- 239000000460 chlorine Substances 0.000 description 3
- 150000001875 compounds Chemical class 0.000 description 3
- 230000036961 partial effect Effects 0.000 description 3
- ZAMOUSCENKQFHK-UHFFFAOYSA-N Chlorine atom Chemical compound [Cl] ZAMOUSCENKQFHK-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- UFHFLCQGNIYNRP-UHFFFAOYSA-N Hydrogen Chemical compound [H][H] UFHFLCQGNIYNRP-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 238000006243 chemical reaction Methods 0.000 description 2
- 229910052801 chlorine Inorganic materials 0.000 description 2
- 238000005520 cutting process Methods 0.000 description 2
- 229910052739 hydrogen Inorganic materials 0.000 description 2
- 239000001257 hydrogen Substances 0.000 description 2
- 238000011065 in-situ storage Methods 0.000 description 2
- 229920000052 poly(p-xylylene) Polymers 0.000 description 2
- 238000001039 wet etching Methods 0.000 description 2
- 230000002411 adverse Effects 0.000 description 1
- 239000007789 gas Substances 0.000 description 1
- 238000009413 insulation Methods 0.000 description 1
- 238000005304 joining Methods 0.000 description 1
- 230000000670 limiting effect Effects 0.000 description 1
- 230000004048 modification Effects 0.000 description 1
- 238000012986 modification Methods 0.000 description 1
- 230000002829 reductive effect Effects 0.000 description 1
- 238000009461 vacuum packaging Methods 0.000 description 1
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-
- H—ELECTRICITY
- H04—ELECTRIC COMMUNICATION TECHNIQUE
- H04R—LOUDSPEAKERS, MICROPHONES, GRAMOPHONE PICK-UPS OR LIKE ACOUSTIC ELECTROMECHANICAL TRANSDUCERS; DEAF-AID SETS; PUBLIC ADDRESS SYSTEMS
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- B81B3/0018—Structures acting upon the moving or flexible element for transforming energy into mechanical movement or vice versa, i.e. actuators, sensors, generators
- B81B3/0021—Transducers for transforming electrical into mechanical energy or vice versa
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- H10N30/00—Piezoelectric or electrostrictive devices
- H10N30/20—Piezoelectric or electrostrictive devices with electrical input and mechanical output, e.g. functioning as actuators or vibrators
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- B81B2201/00—Specific applications of microelectromechanical systems
- B81B2201/03—Microengines and actuators
- B81B2201/038—Microengines and actuators not provided for in B81B2201/031 - B81B2201/037
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- B—PERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
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- B81B2203/00—Basic microelectromechanical structures
- B81B2203/01—Suspended structures, i.e. structures allowing a movement
- B81B2203/0127—Diaphragms, i.e. structures separating two media that can control the passage from one medium to another; Membranes, i.e. diaphragms with filtering function
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- B—PERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
- B81—MICROSTRUCTURAL TECHNOLOGY
- B81B—MICROSTRUCTURAL DEVICES OR SYSTEMS, e.g. MICROMECHANICAL DEVICES
- B81B2203/00—Basic microelectromechanical structures
- B81B2203/05—Type of movement
- B81B2203/053—Translation according to an axis perpendicular to the substrate
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- Engineering & Computer Science (AREA)
- Chemical & Material Sciences (AREA)
- Analytical Chemistry (AREA)
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- Microelectronics & Electronic Packaging (AREA)
- Acoustics & Sound (AREA)
- Physics & Mathematics (AREA)
- Signal Processing (AREA)
- Pressure Sensors (AREA)
- Micromachines (AREA)
- Measuring Fluid Pressure (AREA)
- Electrostatic, Electromagnetic, Magneto- Strictive, And Variable-Resistance Transducers (AREA)
- Transducers For Ultrasonic Waves (AREA)
Abstract
【解決手段】第1ドーピング領域20と、該第1ドーピング領域20と反対の型のドーピング領域であり、第1振動部分32を含む第2ドーピング領域30と、該第1ドーピング領域と該第1振動部分32との間に備えられた、空間60と、を備えるトランスデューサ。第1及び第2ドーピング領域20,30は、一体である。第1振動部分は複数の貫通ホール40を含み、振動部分上に貫通ホール40を密封する物質膜50が備えられる。
【選択図】図1
Description
前記酸化領域を前記第3シリコン層内に拡張する過程は、前記第3シリコン層の前記酸化領域が拡張される領域に酸素をイオン注入し、前記酸素がイオン注入された結果物を熱処理する過程を含む。
30 第2ドーピング領域、
32 第3ドーピング領域、
40 貫通ホール、
50 物質膜、
60 空間、
100 トランスデューサ、
TS1 シリコン基板。
Claims (27)
- 第1ドーピング領域と、
前記第1ドーピング領域と反対の型のドーピング領域であり、第1振動部分を含む第2ドーピング領域と、を備え、
前記第1ドーピング領域と前記第1振動部分との間には空間があり、
前記第1及び第2ドーピング領域は、一体であるトランスデューサ。 - 前記第1振動部分は複数の貫通ホールを含み、前記第1振動部分上に前記貫通ホールを密封する物質膜が形成されている、請求項1に記載のトランスデューサ。
- 前記空間に振動体が備えられ、前記振動体は、前記第1振動部分に連結されて前記第1ドーピング領域と平行に位置する、請求項1に記載のトランスデューサ。
- 前記振動体と前記第1振動部分との間の前記空間に前記第2ドーピング領域の第2振動部分が存在し、前記第2振動部分は、前記第1振動部分及び前記振動体と連結されている、請求項3に記載のトランスデューサ。
- 前記第2振動部分は、複数の貫通ホールを含む、請求項4に記載のトランスデューサ。
- 前記第1振動部分上に、前記貫通ホールを密封する物質膜が形成されている、請求項5に記載のトランスデューサ。
- 前記1ドーピング領域は、n型またはp型物質でドーピングされている、請求項1〜6のいずれか1項に記載のトランスデューサ。
- 前記物質膜は、シリコン酸化膜、シリコン窒化膜及びポリマー膜のうちいずれか一つである、請求項2に記載のトランスデューサ。
- 互いに反対の型にドーピングされた第1ドーピング領域及び第2ドーピング領域を含む単層の単結晶シリコン層を形成する段階と、
前記第1ドーピング領域と第2ドーピング領域との間の所定領域に空間を形成する段階と、を含む、トランスデューサの製造方法。 - 前記単層の単結晶シリコン層を形成する段階は、
第1ドーピング物質でドーピングされた単結晶の第1シリコン層を形成する段階と、
前記第1シリコン層の一部に第2ドーピング物質をドーピングして前記第2ドーピング領域を形成する段階と、を含む、請求項9に記載のトランスデューサの製造方法。 - 前記空間を形成する段階は、
前記第2ドーピング領域下の前記第1ドーピング領域に酸化領域を形成する段階と、
前記酸化領域の酸化物質を除去する段階と、をさらに含む、請求項9に記載のトランスデューサの製造方法。 - 前記酸化領域の酸化物質を除去する段階は、
前記酸化領域上の前記第2ドーピング領域に、前記酸化領域が露出される貫通ホールを形成する段階と、
前記貫通ホールを通じて前記酸化物質を除去する段階と、をさらに含む、請求項11に記載のトランスデューサの製造方法。 - 前記第2ドーピング領域上に、前記貫通ホールを密封する物質膜を形成する段階を含む、請求項12に記載のトランスデューサの製造方法。
- 前記単層の単結晶シリコン層を形成する段階は、
第1ドーピング物質でドーピングされた単結晶の第1シリコン層を形成する段階と、
前記第1シリコン層の上部面下に酸化領域を形成する段階と、
前記第1シリコン層上に、第2ドーピング物質でドーピングされた単結晶の第2シリコン層を成長させる段階と、を含む、請求項9に記載のトランスデューサの製造方法。 - 前記酸化領域の一部を前記第2シリコン層に拡張する段階をさらに含む、請求項14に記載のトランスデューサの製造方法。
- 前記空間を形成する段階は、
前記第1及び第2シリコン層の前記酸化領域で酸化物質を除去する段階を含む、請求項15に記載のトランスデューサの製造方法。 - 前記酸化領域の一部を前記第2シリコン層に拡張する段階は、
前記酸化領域に連結され、前記酸化領域に垂直な方向に前記第2シリコン層内部に拡張する第1酸化領域を形成する段階と、
前記第1酸化領域に連結され、前記第2シリコン層内で、前記酸化領域に平行な方向に拡張される第2酸化領域を形成する段階と、を含む、請求項15に記載のトランスデューサの製造方法。 - 前記第1及び第2シリコン層の前記酸化領域で前記酸化物質を除去する段階は、
前記第2シリコン層に、前記第2シリコン層に拡張された酸化領域が露出される貫通ホールを形成する段階と、
前記貫通ホールを通じて前記第1及び第2シリコン層の酸化領域の酸化物質を除去する段階と、をさらに含む、請求項16に記載のトランスデューサの製造方法。 - 前記酸化物質を除去した後、前記第2シリコン層上に前記貫通ホールを密封する物質膜を形成する段階をさらに含む、請求項18に記載のトランスデューサの製造方法。
- 前記第2シリコン層上に単結晶の第3シリコン層を成長させる段階と、
前記酸化領域を前記第3シリコン層内に拡張する段階と、
前記第1ないし第3シリコン層の酸化領域の酸化物を除去する段階と、をさらに含む、請求項15に記載のトランスデューサの製造方法。 - 前記酸化領域を前記第3シリコン層内に拡張する段階は、
前記酸化領域の前記第2シリコン層内に拡張された部分に連結され、前記拡張された部分上側の前記第2シリコン層を貫通する第3酸化領域を形成する段階と、
前記第3酸化領域に連結されて前記第2シリコン層に平行な第4酸化領域を前記第3シリコン層に形成する段階と、を含む、請求項20に記載のトランスデューサの製造方法。 - 前記第1ないし第3シリコン層の酸化領域の酸化物を除去する段階は、
前記第3シリコン層に前記第4酸化領域が露出される貫通ホールを形成する段階と、
前記貫通ホールを通じて前記第1ないし第3シリコン層の前記酸化領域の酸化物を除去する段階と、を含む、請求項21に記載のトランスデューサの製造方法。 - 前記酸化領域を形成する段階は、
前記酸化領域が形成される該当領域に酸素をイオン注入する段階と、
前記酸素がイオン注入された結果物を熱処理する段階と、を含む、請求項11に記載のトランスデューサの製造方法。 - 前記第1酸化領域と前記第2酸化領域を形成する段階は、
前記第1及び第2酸化領域が形成される該当領域に酸素をイオン注入する段階と、
前記酸素がイオン注入された結果物を熱処理する段階と、を含む、請求項17に記載のトランスデューサの製造方法。 - 前記酸化領域を前記第3シリコン層内に拡張する段階は、
前記第3シリコン層の前記酸化領域が拡張される領域に酸素をイオン注入する段階と、
前記酸素がイオン注入された結果物を熱処理する段階と、を含む、請求項20に記載のトランスデューサの製造方法。 - 前記酸化領域を形成する段階は、
前記酸化領域が形成される該当領域に酸素をイオン注入する段階と、
前記酸素がイオン注入された結果物を熱処理する段階と、を含む、請求項14に記載のトランスデューサの製造方法。 - トランスデューサの動作方法において、
前記トランスデューサは、第1ドーピング領域、前記第1ドーピング領域と反対の型のドーピング領域であり、振動部分を含む第2ドーピング領域を含み、前記第1ドーピング領域と前記振動部分との間には空間があり、前記第1及び第2ドーピング領域は一体であり、
前記第1ドーピング領域と第2ドーピング領域との間に逆方向バイアスが印加されるトランスデューサの動作方法。
Applications Claiming Priority (2)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
KR1020110083582A KR101781553B1 (ko) | 2011-08-22 | 2011-08-22 | 용량성 트랜스듀서와 그 제조 및 동작방법 |
KR10-2011-0083582 | 2011-08-22 |
Publications (2)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JP2013043280A true JP2013043280A (ja) | 2013-03-04 |
JP6050631B2 JP6050631B2 (ja) | 2016-12-21 |
Family
ID=47074579
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP2012172150A Active JP6050631B2 (ja) | 2011-08-22 | 2012-08-02 | 容量性トランスデューサとその製造及び動作方法 |
Country Status (5)
Country | Link |
---|---|
US (1) | US8963261B2 (ja) |
EP (1) | EP2562134B1 (ja) |
JP (1) | JP6050631B2 (ja) |
KR (1) | KR101781553B1 (ja) |
CN (1) | CN102956810B (ja) |
Families Citing this family (4)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
KR20150065067A (ko) | 2013-12-04 | 2015-06-12 | 삼성전자주식회사 | 정전용량 미세가공 초음파 변환기 및 그 제조방법 |
KR102207928B1 (ko) | 2014-08-13 | 2021-01-26 | 삼성전자주식회사 | 음향 센싱 소자 및 주파수 정보 획득 방법 |
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-
2011
- 2011-08-22 KR KR1020110083582A patent/KR101781553B1/ko active IP Right Grant
-
2012
- 2012-07-31 CN CN201210269364.0A patent/CN102956810B/zh active Active
- 2012-08-02 JP JP2012172150A patent/JP6050631B2/ja active Active
- 2012-08-21 EP EP12181228.3A patent/EP2562134B1/en active Active
- 2012-08-22 US US13/591,845 patent/US8963261B2/en active Active
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Also Published As
Publication number | Publication date |
---|---|
US8963261B2 (en) | 2015-02-24 |
CN102956810A (zh) | 2013-03-06 |
KR20130021200A (ko) | 2013-03-05 |
EP2562134A3 (en) | 2014-12-24 |
CN102956810B (zh) | 2017-09-29 |
JP6050631B2 (ja) | 2016-12-21 |
KR101781553B1 (ko) | 2017-09-26 |
EP2562134A2 (en) | 2013-02-27 |
EP2562134B1 (en) | 2020-01-08 |
US20130049528A1 (en) | 2013-02-28 |
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