JP2013041711A - ゲート弁 - Google Patents

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Abstract

【課題】ウエハが出し入れされる方向に対して斜めに開閉駆動されるゲート弁において、プラズマが回り込みやすい側のシール部材の劣化を抑制する。
【解決手段】ゲート弁は、プラズマ処理装置のチャンバに対してウエハが出し入れされるゲートに設けられ、ウエハの出し入れの方向に対して斜めに交差する斜め方向に開閉駆動される。ゲート弁は、本体部1と、本体部1に設けられ、ゲート弁が閉じたときに、ゲート10の周縁部に当接するシール部2と、本体部1におけるシール部2が設けられる面から突出し、シール部2の前方において、プラズマが回り込みやすい側に隙間の狭隘部30を形成する突出部3とを備える。
【選択図】図1

Description

本発明は、ゲート弁に関し、特に、シール部材の劣化を抑制可能なゲート弁に関する。
半導体装置の製造工程における成膜工程やエッチング工程において、プラズマ処理が広く用いられている。このようなプラズマ処理を行なうために、プロセスチャンバを有するプラズマ処理装置が用いられる。
このようなプラズマ処理装置は、プロセスチャンバに対してウエハの出し入れを行なうためのトランスファチャンバを備えており、プロセスチャンバとトランスファチャンバとの間には、ゲート弁が設けられている。プロセスチャンバ内でプラズマ処理が為されている時、ゲート弁は閉じた状態にある。上記プラズマ処理が終了した後、ゲート弁が開けられる。これにより、プロセスチャンバとトランスファチャンバとの間で、ウエハの出し入れが可能となる。
プラズマ処理を行なう際、プラズマ中でイオンやラジカルが発生する。このイオンやラジカルは、ゲート弁のシール部材を劣化させる。シール部材の劣化が大きくなると、シールエラー(気密性が確保できないこと)やダストエラー(プロセスチャンバ内にダストが混入すること)が生じることが懸念されるため、これらのエラーが発生する前に、定期的に、シール部材を含むゲート弁の交換を行なう必要がある。
しかし、ゲート弁の交換を行なう際には、プラズマ処理装置を停止させなければならず、交換の頻度が高いほど、プラズマ処理装置による製品の生産効率は低下する。また、ゲート弁の交換の頻度が高いほど、その交換のためのコストが増大する。生産効率の低下およびコストの増大を抑制するためには、シール部材の長寿命化を図る必要がある。
特開平11−233290号公報(特許文献1)では、プラズマがゲートバルブと筐体との隙間に入り込んでO−リングが劣化することを防止するために、アッシング室からのプラズマを遮蔽するように遮蔽リングを設けることが示されている。
特開平11−233290号公報
ウエハが出し入れされる方向に対して斜めに開閉駆動されるゲート弁においては、イオンやラジカルがゲート弁に向かって飛来したときに、それらが上部側(流れの曲がりが緩やかな側)に回り込みやすい。したがって、下部側(流れの曲がりが急な側)に対して、上部側においてシール部材の劣化がおこりやすい。この結果、下部側においては、シール部材の劣化がさほど進んでいない場合でも、上部側の劣化によってシールエラーやダストエラーが生じる可能性が生じ、ゲート弁の交換頻度が高くなる。
特許文献1に記載の発明は、ウエハが出し入れされる方向に対して斜めに駆動されるゲート弁に関するものではなく、斜め駆動における特有の課題を解決できるものではない。
なお、特許文献1に記載の発明では、アッシング室を構成する筐体に遮蔽リングを固定しているため、ゲート弁を開けてウエハの出し入れを行なう際に、遮蔽リングが出し入れの妨げになる可能性がある。
本発明は、上記のような問題に鑑みてなされたものであり、本発明の目的は、ウエハが出し入れされる方向に対して斜めに開閉駆動されるゲート弁において、プラズマが回り込みやすい側のシール部材の劣化を抑制することにある。
本発明に係るゲート弁は、プラズマ処理装置のチャンバに対してウエハが出し入れされるゲートに設けられ、ウエハの出し入れの方向に対して斜めに交差する斜め方向に開閉駆動されるゲート弁である。
上記ゲート弁は、本体部と、本体部に設けられ、ゲート弁が閉じたときに、ゲートの周縁部に当接するシール部と、本体部におけるシール部が設けられる面から突出し、シール部の前方において、プラズマが回り込みやすい側に隙間の狭隘部を形成する突出部とを備える。
1つの実施態様では、上記ゲート弁において、突出部は、本体部におけるシール部が設けられる面に沿ってスライド移動可能に本体部に組み付けられ、突出部は、狭隘部の幅が所定の幅となるように突出部を位置決めするための位置決めブロックを受け入れる凹部を有する。
1つの実施態様では、上記ゲート弁において、本体部は、狭隘部の幅が所定の幅となった状態で本体部に対して突出部を仮止めする仮止め手段を設ける第1部分と、仮止め手段により仮止めされた突出部を本体部に対して固定する固定手段を設ける第2部分とを含む。
本発明によれば、ウエハが出し入れされる方向に対して斜めに開閉駆動されるゲート弁において、プラズマが回り込みやすい側のシール部材の劣化を抑制することができる。
本発明の実施の形態1に係るゲート弁の周辺を示す図であり、(a)は、ゲート弁が開いた状態を示し、(b)は、ゲート弁が閉じた状態を示す。 斜め方向に動作するゲート弁周辺のプラズマの流れを説明する図である。 本発明の実施の形態1に係るゲート弁周辺のプラズマの流れを説明する図である。 図3に示す「a」の隙間と「b」の隙間との関係を示す図である。 本発明の実施の形態1に係るゲート弁の形状を示す図であり、(a)は天面側から見た図、(b)は側面側から見た図、(c)は底面側から見た図である。 本発明の実施の形態1に係るゲート弁の周辺を示す図(図5におけるVI−VI断面に対応)である。 本発明の実施の形態1に係るゲート弁における突出部の位置決め方法の各ステップを示す図である。 本発明の実施の形態2に係るゲート弁の形状を示す図であり、(a)は天面側から見た図、(b)は側面側から見た図、(c)は底面側から見た図である。 本発明の実施の形態2に係るゲート弁の周辺を示す図である。 本発明の実施の形態2に係るゲート弁における突出部の位置決め方法の各ステップを示す図である。 変形例1に係るゲート弁の周辺を示す図である。 変形例2に係るゲート弁の周辺を示す図である。 変形例3に係るゲート弁の周辺を示す図である。
以下に、本発明の実施の形態について説明する。なお、同一または相当する部分に同一の参照符号を付し、その説明を繰返さない場合がある。
なお、以下に説明する実施の形態において、個数、量などに言及する場合、特に記載がある場合を除き、本発明の範囲は必ずしもその個数、量などに限定されない。また、以下の実施の形態において、各々の構成要素は、特に記載がある場合を除き、本発明にとって必ずしも必須のものではない。
(実施の形態1)
図1は、実施の形態1に係るゲート弁の周辺を示す図である。図1(a),(b)は、各々、ゲート弁が開いた状態、閉じた状態を示す。
本実施の形態に係るゲート弁は、プラズマ処理装置のチャンバに対してウエハが出し入れされるゲート10に設けられるものであり、図1に示すように、ウエハの出し入れの方向に対して、典型的には45度の角度で斜めに交差する斜め方向(矢印DR1,DR2方向)に開閉駆動されるものである。
上記ゲート弁は、図1(a)に示すように、典型的には、プロセスチャンバとトランスファチャンバとの間のゲート10に設けられるが、当該ゲート弁が設けられる位置は、これに限定されない。本実施の形態に係るゲート弁は、トランスファチャンバとロードロックチャンバとの間のゲートに設けられてもよいし、ロードロックチャンバと大気開放部との間のゲートに設けられてもよい。
本実施の形態に係るゲート弁は、図1(a),(b)に示すように、本体部1と、本体部1の主面に設けられたシール部2と、本体部1の主面から突出する突出部3とを備える。
ゲート弁の大きさは、一例として、たとえば200〜400mm程度(全長)である。
本体部1は、たとえばアルミニウムなどにより構成される。本体部1は、エアシリンダによって矢印DR1方向および矢印DR2方向に駆動される。具体的には、本体部1が矢印DR1方向に駆動されることによってゲート弁が開き、本体部1が矢印DR2方向に駆動されることによってゲート弁が閉じる。
シール部2は、たとえばゴムやエラストマなどの弾性材により構成される。シール部2は、ゲート弁が閉じたときに、図1(a)に示すように、プロセスチャンバを構成する筐体20の開口(ゲート)の周縁部に当接する。シール部2は、本体部1に接着されていてもよいし、本体部1に設けた溝に嵌合されていてもよい。
突出部3は、たとえばアルミニウム合金、ステンレス、セラミックなどにより構成される。突出部3は、本体部1におけるシール部2が設けられる面から突出する。すなわち、突出部3は、プロセスチャンバの内部に向かって本体部1から突出する。
プラズマ処理を行なう際、プラズマ中でイオンやラジカルが発生する。発生したイオンやラジカルは、図1(b)中の「プラズマ」の矢印で示すように、ゲート弁にも向かう。このイオンやラジカルは、シール部2の劣化の要因となる。
図2は、本実施の形態のように、ウエハの出し入れの方向に対して斜めに交差する方向に動作するゲート弁周辺のプラズマの流れを説明する図である。なお、図2に示す例では、上述した突出部3は設けられていない。また、図2および後述の図3においては、図1(a),(b)における矢印DR1、矢印DR2を合わせて矢印DR3として示している。
図2に示すように、斜め方向(矢印DR3方向)に開閉駆動されるゲート弁においては、プラズマ(イオンやラジカル)がゲート弁に向かって飛来したとき、流れの曲がりが緩やかな側(図2における上側)と流れの曲がりが急な側(図2における下側)とが生じる。ここで、プラズマは、流れの曲がりが緩やかな側に回り込みやすい。したがって、流れの曲がりが急な側に対して、流れの曲がりが緩やかな側においてシール部材の劣化がおこりやすい(一例では、3倍程度の速さで劣化が進行する。)。この結果、単一のシール部2において、シール部2の劣化の速度が不均一となり、一部ではシール部2の劣化がさほど進んでいない場合でも、他の部分ではシール部2の劣化が進むことにより、シール部2の交換が必要となる場合がある。この結果、シール部2の交換の頻度が高くなりやすい。
これに対し、本実施の形態に係るゲート弁では、上述した突出部3を設けることにより、プラズマの流れの曲がりが緩やかな側のシール部2の前方において、筐体20と突出部3との間に狭隘部30が形成される。狭隘部30にはプラズマが入り込みにくいので、図3の上部において、プラズマがシール部2に到達しにくくなる。この結果、シール部2の劣化の不均一性が緩和される。
図3の例では、狭隘部30における筐体20と突出部3との間に「a」の隙間が設けられている。また、ゲート弁の本体部1と筐体20との間には、「b」の隙間が設けられている。「b」の隙間は、シール部2によって封止される。
プラズマの進入を抑制する観点からは、「a」の隙間はできるだけ小さいことが好ましい。しかし、「b」の隙間に対して「a」の幅が小さすぎる場合、シール部2が筐体20に接触する前に筐体20と突出部3とが接触することで、「b」の隙間をシール部2によって封止することができなくなることが懸念される。また、筐体20と突出部3とが接触することで、ダストエラーが生じることが懸念される。
「b」の隙間は、シール部2の突出高さによって規定される。シール部2の突出高さは、未使用の状態で最も高く、劣化が進むことで低下する。すなわち、「b」の隙間は、プラズマ処理装置の使用に伴なって変化(減少)する。
本実施の形態では、図4に示すように、シール部2の劣化が進んで「b」の隙間が零となった場合にも、「接触防止マージン」として、所定量の「a」の隙間(図4の例では0.2mm程度)を確保できるように、初期状態における「a」と「b」の隙間を決定している。なお、シール部2がプラズマによるダメージを受けることによって、「b」の隙間は減少するが、これに伴なって「a」の隙間も減少する。「a」の隙間が減少することによって、狭隘部30にはプラズマが進入しにくくなる。したがって、本実施の形態に係るゲート弁によれば、シール部2の劣化が進むにつれて、ダメージを受けやすい側へのプラズマの進入が抑制されやすくなり、シール部2の長寿命化がより効果的に実現される。
上述したとおり、「a」の隙間および「b」の隙間の関係は、ゲート弁の動作およびシール部2の劣化と密接に関連するため、これらを適切に規定するために、初期状態において突出部3の位置決めを正確に行なうことは非常に重要である。図5〜図7を用いて、本実施の形態に係るゲート弁における突出部の位置決め方法について説明する。
図5は、本実施の形態に係るゲート弁の形状を示す図であり、(a)は天面側(突出部3側)から見た図、(b)は側面側から見た図、(c)は底面側から見た図である。図6は、図5におけるVI−VI断面に対応するゲート弁の周辺を示す図である。図7は、突出部3の位置決め方法の各ステップを示す図である。
図5〜図7の例において、突出部3は、本体部1における天面(シール部2が設けられる面)に沿ってスライド移動可能に設けられている。図5,図6に示すように、突出部3には、逆三角形の断面形状を有する凹部3Aが設けられている。図5(a),(b)に示すように、本体部1の両端部には、突出部3が設けられておらず、当該両端部には、クリップ4が設けられている。後述するとおり、クリップ4は、狭隘部30の幅が所定の幅となった状態で本体部1に対して突出部3を仮止めする「仮止め手段」として機能する。
凹部3Aは、突出部3の幅方向全体にわたって形成される。凹部3Aが形成される部分では、狭隘部30が形成されないことになるが、凹部3Aの前方および後方に形成された狭隘部30によってプラズマの進入を抑制することが可能である。
図7(a)に示すように、突出部3の凹部3Aには、突出部3を位置決めするための位置決めブロック3Bが嵌合している。ゲート弁を開いた状態で、突出部3および位置決めブロック3Bは、本体部1の幅方向中心に対して、矢印A方向にスライドした位置にある。
なお、位置決めブロック3Bは、樹脂、または金属に樹脂を貼り合わせたものから構成される。位置決めブロック3Bの表面を樹脂とすることで、位置決めブロック3Bと金属の筐体20とが接触したときに金属のパーティクルが発生することを抑制できる。また、筐体20に傷をつけることを防止できる。
図7(a)に示す状態から、図7(b)に示すように、ゲート弁を矢印B方向に駆動する。位置決めブロック3Bが筐体20に接触することによって、突出部3および位置決めブロック3Bは矢印C方向にスライド移動する。
位置決めブロック3Bは、初期状態における狭隘部30の隙間(「a」)に相当する分だけ、突出部3の表面(図7(c)における上側の面)から突出している。したがって、図7(c)に示すように、シール部2が筐体20に押し付けられて、ゲート弁が完全に閉じられたとき、位置決めブロック3Bは、突出部3と筐体20との間の狭隘部30の隙間が、所定の値(「a」)となる。クリップ4は、この状態で突出部3を本体部1に対して固定(仮止め)する。
図7(c)に示す状態から、図7(d)に示すように、ゲート弁を再び開き、位置決めブロック3Bを取り除いた上で、ボルト5によって突出部3を本体1に固定する。すなわち、ボルト5は、クリップ4により仮止めされた突出部3を本体部1に対して固定する「固定手段」として機能する。その後、クリップ4を取り除く。これにより、狭隘部30の幅が所定の幅となるように突出部3が位置決めされた状態で、突出部3が本体部1に固定される。
本実施の形態によれば、上述の方法により、突出部3を正確に位置決めすることができる。結果として、シール部2の劣化を効果的に抑制することができる。
(実施の形態2)
図8は、実施の形態2に係るゲート弁の形状を示す図であり、(a)は天面側(突出部3側)から見た図、(b)は側面側から見た図、(c)は底面側から見た図である。また、図9は、本実施の形態に係るゲート弁の周辺を示す図であり、図10は、上記ゲート弁における突出部3の位置決め方法の各ステップを示す図である。
図8〜図10を参照して、本実施の形態に係るゲート弁は、実施の形態1に係るゲート弁の変形例であって、基本的な構造は実施の形態1と同様であるが、ア)突出部3の形状、および、イ)突出部3の位置決め機構において実施の形態1と異なる特徴を有する。より具体的には、以下に説明する。
図8(a),(b)に示すように、本実施の形態では、本体部1の両端においても、突出部3が設けられている。すなわち、本実施の形態では、突出部3を設ける領域が拡大されている。したがって、本実施の形態では、実施の形態1におけるクリップ4は設置されない。
また、図9を参照して、本実施の形態では、隙間「a」は0〜2.0mm程度となるように調整するのに対し、隙間「c」は最小でも0.75mmを確保して、突出部3の下端と筐体20との接触を回避している。
以上の理由により、本実施の形態では、実施の形態1とは異なる位置決め方法が必要となる。図10に示すように、本実施の形態では、ボルト6A、PTFEなどからなるワッシャ6Bおよびスプリング6Cを含む仮止め機構6を用いている。
まず、図10(a)に示すように、仮止め機構6によって突出部3を本体部1に仮止めした状態で、実施の形態1と同様に、位置決めブロック3Bを用いた位置決めを行なう。ここで、ボルト6Aは突出部3に形成された長穴に挿入されており、突出部3は、所定の荷重が作用したときには本体部1に対してスライド移動可能である。突出部3は、所定の位置までスライド移動した状態で、ボルト6Aにより仮止めされる。なお、スプリング6Cは、ボルト6Aに張力を付与している。
図10(a)に示す状態から、図10(b)に示すように、ゲート弁を開き、位置決めブロック3Bを取り除いた上で、ボルト7によって突出部3を本体1に固定する。すなわち、ボルト7は、仮止め機構6により仮止めされた突出部3を本体部1に対して固定する「固定手段」として機能する。その後、仮止め機構6を取り除く。これにより、実施の形態1と同様に、狭隘部30の幅が所定の幅となるように突出部3が位置決めされた状態で、突出部3が本体部1に固定される。
本実施の形態によれば、上述の方法により、実施の形態1と同様に、突出部3を正確に位置決めすることができる。
(変形例)
以下に、実施の形態1,2に係るゲート弁のさらなる変形例について説明する。
図11に示すように、突出部3に対向する筐体20に段差部20Aを設けることにより、狭隘部30を屈曲させることもできる。イオンは直進性が高いため、図11に示すような屈曲部を設けることにより、その進入を効果的に抑制することが可能である。
また、突出部3の形状は、狭隘部30を形成可能なものであればよく、実施の形態1,2に示すものに限定されない。たとえば、図12,図13に示すように、狭隘部30をより長くするような変形例が考えられる。狭隘部30を長くすることで、シール部2にまで達するイオンやラジカルの量をさらに低減することが可能となり、シール部2の劣化をさらに効果的に抑制することが可能である。
また、上述の例では、本体部1と突出部3とを別部材として設ける例について説明したが、本体部1と突出部3とを一体に設けることも可能である。
以上、本発明の実施の形態について説明したが、今回開示された実施の形態はすべての点で例示であって制限的なものではないと考えられるべきである。本発明の範囲は特許請求の範囲によって示され、特許請求の範囲と均等の意味および範囲内でのすべての変更が含まれることが意図される。
1 本体部、2 シール部材、3 突出部、3A 凹部、3B 位置決めブロック、4 クリップ(仮止め機構)、5 ボルト、6 仮止め機構、6A ボルト、6B ワッシャ、6C スプリング、10 ゲート、20 筐体、20A 段差部、30 狭隘部。

Claims (3)

  1. プラズマ処理装置のチャンバに対してウエハが出し入れされるゲートに設けられ、前記ウエハの出し入れの方向に対して斜めに交差する斜め方向に開閉駆動されるゲート弁であって、
    本体部と、
    前記本体部に設けられ、前記ゲート弁が閉じたときに、前記ゲートの周縁部に当接するシール部と、
    前記本体部における前記シール部が設けられる面から突出し、前記シール部の前方において、プラズマが回り込みやすい側に隙間の狭隘部を形成する突出部とを備えた、ゲート弁。
  2. 前記突出部は、前記本体部における前記シール部が設けられる面に沿ってスライド移動可能に前記本体部に組み付けられ、
    前記突出部は、前記狭隘部の幅が所定の幅となるように前記突出部を位置決めするための位置決めブロックを受け入れる凹部を有する、請求項1に記載のゲート弁。
  3. 前記本体部は、
    前記狭隘部の幅が所定の幅となった状態で前記本体部に対して前記突出部を仮止めする仮止め手段を設ける第1部分と、
    前記仮止め手段により仮止めされた前記突出部を前記本体部に対して固定する固定手段を設ける第2部分とを含む、請求項2に記載のゲート弁。
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