JP2013036054A - 化学蒸着原料用の有機ルテニウム化合物及び該有機ルテニウム化合物の製造方法 - Google Patents
化学蒸着原料用の有機ルテニウム化合物及び該有機ルテニウム化合物の製造方法 Download PDFInfo
- Publication number
- JP2013036054A JP2013036054A JP2011170242A JP2011170242A JP2013036054A JP 2013036054 A JP2013036054 A JP 2013036054A JP 2011170242 A JP2011170242 A JP 2011170242A JP 2011170242 A JP2011170242 A JP 2011170242A JP 2013036054 A JP2013036054 A JP 2013036054A
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- dcr
- vapor deposition
- chemical vapor
- compound
- less
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Granted
Links
- 239000002994 raw material Substances 0.000 title claims abstract description 30
- 238000005229 chemical vapour deposition Methods 0.000 title claims abstract description 20
- 150000001875 compounds Chemical class 0.000 title claims abstract description 17
- 238000004519 manufacturing process Methods 0.000 title claims description 15
- XEEYBQQBJWHFJM-UHFFFAOYSA-N Iron Chemical compound [Fe] XEEYBQQBJWHFJM-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims abstract description 70
- 229910052707 ruthenium Inorganic materials 0.000 claims abstract description 17
- KJTLSVCANCCWHF-UHFFFAOYSA-N Ruthenium Chemical compound [Ru] KJTLSVCANCCWHF-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims abstract description 16
- VMDTXBZDEOAFQF-UHFFFAOYSA-N formaldehyde;ruthenium Chemical compound [Ru].O=C VMDTXBZDEOAFQF-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims abstract description 9
- 239000000126 substance Substances 0.000 claims abstract description 7
- 238000006243 chemical reaction Methods 0.000 claims description 26
- 238000000034 method Methods 0.000 claims description 23
- 230000015572 biosynthetic process Effects 0.000 claims description 22
- 238000000746 purification Methods 0.000 claims description 21
- 238000003786 synthesis reaction Methods 0.000 claims description 20
- 150000003304 ruthenium compounds Chemical class 0.000 claims description 19
- 238000005092 sublimation method Methods 0.000 claims description 15
- PXHVJJICTQNCMI-UHFFFAOYSA-N Nickel Chemical compound [Ni] PXHVJJICTQNCMI-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 11
- UGFAIRIUMAVXCW-UHFFFAOYSA-N Carbon monoxide Chemical compound [O+]#[C-] UGFAIRIUMAVXCW-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 10
- 229910002091 carbon monoxide Inorganic materials 0.000 claims description 10
- BASFCYQUMIYNBI-UHFFFAOYSA-N platinum Chemical compound [Pt] BASFCYQUMIYNBI-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 9
- 238000001953 recrystallisation Methods 0.000 claims description 8
- 239000011651 chromium Substances 0.000 claims description 7
- 239000010949 copper Substances 0.000 claims description 7
- 238000010438 heat treatment Methods 0.000 claims description 7
- 239000000463 material Substances 0.000 claims description 7
- 239000011734 sodium Substances 0.000 claims description 7
- 239000011575 calcium Substances 0.000 claims description 6
- 239000010931 gold Substances 0.000 claims description 6
- 239000011777 magnesium Substances 0.000 claims description 6
- 239000011572 manganese Substances 0.000 claims description 6
- 239000010936 titanium Substances 0.000 claims description 6
- 230000008569 process Effects 0.000 claims description 5
- 150000003303 ruthenium Chemical class 0.000 claims description 5
- 239000002904 solvent Substances 0.000 claims description 5
- VYZAMTAEIAYCRO-UHFFFAOYSA-N Chromium Chemical compound [Cr] VYZAMTAEIAYCRO-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 4
- RYGMFSIKBFXOCR-UHFFFAOYSA-N Copper Chemical compound [Cu] RYGMFSIKBFXOCR-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 4
- DGAQECJNVWCQMB-PUAWFVPOSA-M Ilexoside XXIX Chemical compound C[C@@H]1CC[C@@]2(CC[C@@]3(C(=CC[C@H]4[C@]3(CC[C@@H]5[C@@]4(CC[C@@H](C5(C)C)OS(=O)(=O)[O-])C)C)[C@@H]2[C@]1(C)O)C)C(=O)O[C@H]6[C@@H]([C@H]([C@@H]([C@H](O6)CO)O)O)O.[Na+] DGAQECJNVWCQMB-PUAWFVPOSA-M 0.000 claims description 4
- 229910052804 chromium Inorganic materials 0.000 claims description 4
- 238000001816 cooling Methods 0.000 claims description 4
- 229910052802 copper Inorganic materials 0.000 claims description 4
- 229910052759 nickel Inorganic materials 0.000 claims description 4
- 230000035484 reaction time Effects 0.000 claims description 4
- 229910052708 sodium Inorganic materials 0.000 claims description 4
- ZSLUVFAKFWKJRC-IGMARMGPSA-N 232Th Chemical compound [232Th] ZSLUVFAKFWKJRC-IGMARMGPSA-N 0.000 claims description 3
- OYPRJOBELJOOCE-UHFFFAOYSA-N Calcium Chemical compound [Ca] OYPRJOBELJOOCE-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 3
- WHXSMMKQMYFTQS-UHFFFAOYSA-N Lithium Chemical compound [Li] WHXSMMKQMYFTQS-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 3
- FYYHWMGAXLPEAU-UHFFFAOYSA-N Magnesium Chemical compound [Mg] FYYHWMGAXLPEAU-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 3
- PWHULOQIROXLJO-UHFFFAOYSA-N Manganese Chemical compound [Mn] PWHULOQIROXLJO-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 3
- ZOKXTWBITQBERF-UHFFFAOYSA-N Molybdenum Chemical compound [Mo] ZOKXTWBITQBERF-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 3
- ZLMJMSJWJFRBEC-UHFFFAOYSA-N Potassium Chemical compound [K] ZLMJMSJWJFRBEC-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 3
- 229910052776 Thorium Inorganic materials 0.000 claims description 3
- RTAQQCXQSZGOHL-UHFFFAOYSA-N Titanium Chemical compound [Ti] RTAQQCXQSZGOHL-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 3
- 229910052770 Uranium Inorganic materials 0.000 claims description 3
- 229910052782 aluminium Inorganic materials 0.000 claims description 3
- XAGFODPZIPBFFR-UHFFFAOYSA-N aluminium Chemical compound [Al] XAGFODPZIPBFFR-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 3
- 229910052791 calcium Inorganic materials 0.000 claims description 3
- 229910017052 cobalt Inorganic materials 0.000 claims description 3
- 239000010941 cobalt Substances 0.000 claims description 3
- GUTLYIVDDKVIGB-UHFFFAOYSA-N cobalt atom Chemical compound [Co] GUTLYIVDDKVIGB-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 3
- PCHJSUWPFVWCPO-UHFFFAOYSA-N gold Chemical compound [Au] PCHJSUWPFVWCPO-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 3
- 229910052737 gold Inorganic materials 0.000 claims description 3
- 229910052741 iridium Inorganic materials 0.000 claims description 3
- GKOZUEZYRPOHIO-UHFFFAOYSA-N iridium atom Chemical compound [Ir] GKOZUEZYRPOHIO-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 3
- 229910052744 lithium Inorganic materials 0.000 claims description 3
- 229910052749 magnesium Inorganic materials 0.000 claims description 3
- 229910052748 manganese Inorganic materials 0.000 claims description 3
- 229910052750 molybdenum Inorganic materials 0.000 claims description 3
- 239000011733 molybdenum Substances 0.000 claims description 3
- 229910052697 platinum Inorganic materials 0.000 claims description 3
- 229910052700 potassium Inorganic materials 0.000 claims description 3
- 239000011591 potassium Substances 0.000 claims description 3
- 229910052712 strontium Inorganic materials 0.000 claims description 3
- CIOAGBVUUVVLOB-UHFFFAOYSA-N strontium atom Chemical compound [Sr] CIOAGBVUUVVLOB-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 3
- JBQYATWDVHIOAR-UHFFFAOYSA-N tellanylidenegermanium Chemical compound [Te]=[Ge] JBQYATWDVHIOAR-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 3
- 229910052719 titanium Inorganic materials 0.000 claims description 3
- JFALSRSLKYAFGM-UHFFFAOYSA-N uranium(0) Chemical compound [U] JFALSRSLKYAFGM-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 3
- LEONUFNNVUYDNQ-UHFFFAOYSA-N vanadium atom Chemical compound [V] LEONUFNNVUYDNQ-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 3
- 229910052727 yttrium Inorganic materials 0.000 claims description 3
- VWQVUPCCIRVNHF-UHFFFAOYSA-N yttrium atom Chemical compound [Y] VWQVUPCCIRVNHF-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 3
- 239000010409 thin film Substances 0.000 abstract description 20
- 229910052742 iron Inorganic materials 0.000 description 26
- 239000012535 impurity Substances 0.000 description 17
- 239000013078 crystal Substances 0.000 description 13
- 238000000859 sublimation Methods 0.000 description 12
- 230000008022 sublimation Effects 0.000 description 12
- 239000010408 film Substances 0.000 description 11
- 230000000052 comparative effect Effects 0.000 description 7
- 238000005755 formation reaction Methods 0.000 description 7
- OKKJLVBELUTLKV-UHFFFAOYSA-N Methanol Chemical compound OC OKKJLVBELUTLKV-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 6
- 238000011109 contamination Methods 0.000 description 5
- 230000006872 improvement Effects 0.000 description 5
- 229910052751 metal Inorganic materials 0.000 description 5
- 239000002184 metal Substances 0.000 description 5
- YBCAZPLXEGKKFM-UHFFFAOYSA-K ruthenium(iii) chloride Chemical compound [Cl-].[Cl-].[Cl-].[Ru+3] YBCAZPLXEGKKFM-UHFFFAOYSA-K 0.000 description 5
- 239000000243 solution Substances 0.000 description 5
- 239000007787 solid Substances 0.000 description 4
- UHOVQNZJYSORNB-UHFFFAOYSA-N Benzene Chemical compound C1=CC=CC=C1 UHOVQNZJYSORNB-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- 229910000831 Steel Inorganic materials 0.000 description 3
- 238000005810 carbonylation reaction Methods 0.000 description 3
- 239000001257 hydrogen Substances 0.000 description 3
- 229910052739 hydrogen Inorganic materials 0.000 description 3
- 239000012495 reaction gas Substances 0.000 description 3
- 230000001105 regulatory effect Effects 0.000 description 3
- 239000010959 steel Substances 0.000 description 3
- 238000009834 vaporization Methods 0.000 description 3
- 230000008016 vaporization Effects 0.000 description 3
- UFHFLCQGNIYNRP-UHFFFAOYSA-N Hydrogen Chemical compound [H][H] UFHFLCQGNIYNRP-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 125000005595 acetylacetonate group Chemical group 0.000 description 2
- 230000006315 carbonylation Effects 0.000 description 2
- 238000004440 column chromatography Methods 0.000 description 2
- 238000005260 corrosion Methods 0.000 description 2
- 230000007797 corrosion Effects 0.000 description 2
- 230000007423 decrease Effects 0.000 description 2
- 238000001095 inductively coupled plasma mass spectrometry Methods 0.000 description 2
- 230000008018 melting Effects 0.000 description 2
- 238000002844 melting Methods 0.000 description 2
- 230000009467 reduction Effects 0.000 description 2
- 239000007858 starting material Substances 0.000 description 2
- 238000005979 thermal decomposition reaction Methods 0.000 description 2
- POILWHVDKZOXJZ-ARJAWSKDSA-M (z)-4-oxopent-2-en-2-olate Chemical class C\C([O-])=C\C(C)=O POILWHVDKZOXJZ-ARJAWSKDSA-M 0.000 description 1
- RTZYCRSRNSTRGC-LNTINUHCSA-K (z)-4-oxopent-2-en-2-olate;ruthenium(3+) Chemical compound [Ru+3].C\C([O-])=C\C(C)=O.C\C([O-])=C\C(C)=O.C\C([O-])=C\C(C)=O RTZYCRSRNSTRGC-LNTINUHCSA-K 0.000 description 1
- VEXZGXHMUGYJMC-UHFFFAOYSA-M Chloride anion Chemical compound [Cl-] VEXZGXHMUGYJMC-UHFFFAOYSA-M 0.000 description 1
- -1 DCR Chemical class 0.000 description 1
- 230000004075 alteration Effects 0.000 description 1
- 238000004458 analytical method Methods 0.000 description 1
- QVGXLLKOCUKJST-UHFFFAOYSA-N atomic oxygen Chemical compound [O] QVGXLLKOCUKJST-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 230000008901 benefit Effects 0.000 description 1
- 150000001728 carbonyl compounds Chemical class 0.000 description 1
- 239000012159 carrier gas Substances 0.000 description 1
- 230000003197 catalytic effect Effects 0.000 description 1
- 239000000470 constituent Substances 0.000 description 1
- 238000007796 conventional method Methods 0.000 description 1
- 239000000498 cooling water Substances 0.000 description 1
- 238000000354 decomposition reaction Methods 0.000 description 1
- 230000003111 delayed effect Effects 0.000 description 1
- 230000006866 deterioration Effects 0.000 description 1
- 238000004821 distillation Methods 0.000 description 1
- 238000011156 evaluation Methods 0.000 description 1
- 230000002349 favourable effect Effects 0.000 description 1
- 238000010304 firing Methods 0.000 description 1
- 239000007789 gas Substances 0.000 description 1
- 229930195733 hydrocarbon Natural products 0.000 description 1
- 150000002430 hydrocarbons Chemical class 0.000 description 1
- 150000002431 hydrogen Chemical class 0.000 description 1
- 239000007788 liquid Substances 0.000 description 1
- 150000002739 metals Chemical class 0.000 description 1
- 231100000989 no adverse effect Toxicity 0.000 description 1
- 150000002902 organometallic compounds Chemical class 0.000 description 1
- 239000001301 oxygen Substances 0.000 description 1
- 229910052760 oxygen Inorganic materials 0.000 description 1
- 238000004886 process control Methods 0.000 description 1
- 238000007670 refining Methods 0.000 description 1
- 229910001925 ruthenium oxide Inorganic materials 0.000 description 1
- OJLCQGGSMYKWEK-UHFFFAOYSA-K ruthenium(3+);triacetate Chemical compound [Ru+3].CC([O-])=O.CC([O-])=O.CC([O-])=O OJLCQGGSMYKWEK-UHFFFAOYSA-K 0.000 description 1
- GTCKPGDAPXUISX-UHFFFAOYSA-N ruthenium(3+);trinitrate Chemical compound [Ru+3].[O-][N+]([O-])=O.[O-][N+]([O-])=O.[O-][N+]([O-])=O GTCKPGDAPXUISX-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- WOCIAKWEIIZHES-UHFFFAOYSA-N ruthenium(iv) oxide Chemical compound O=[Ru]=O WOCIAKWEIIZHES-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 239000004065 semiconductor Substances 0.000 description 1
- 238000000926 separation method Methods 0.000 description 1
- 239000011343 solid material Substances 0.000 description 1
- 229910001220 stainless steel Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000010935 stainless steel Substances 0.000 description 1
- 238000003883 substance clean up Methods 0.000 description 1
- 230000001629 suppression Effects 0.000 description 1
- 238000007740 vapor deposition Methods 0.000 description 1
Classifications
-
- C—CHEMISTRY; METALLURGY
- C23—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; CHEMICAL SURFACE TREATMENT; DIFFUSION TREATMENT OF METALLIC MATERIAL; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL; INHIBITING CORROSION OF METALLIC MATERIAL OR INCRUSTATION IN GENERAL
- C23C—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; SURFACE TREATMENT OF METALLIC MATERIAL BY DIFFUSION INTO THE SURFACE, BY CHEMICAL CONVERSION OR SUBSTITUTION; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL
- C23C16/00—Chemical coating by decomposition of gaseous compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating, i.e. chemical vapour deposition [CVD] processes
- C23C16/06—Chemical coating by decomposition of gaseous compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating, i.e. chemical vapour deposition [CVD] processes characterised by the deposition of metallic material
- C23C16/16—Chemical coating by decomposition of gaseous compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating, i.e. chemical vapour deposition [CVD] processes characterised by the deposition of metallic material from metal carbonyl compounds
-
- C—CHEMISTRY; METALLURGY
- C07—ORGANIC CHEMISTRY
- C07F—ACYCLIC, CARBOCYCLIC OR HETEROCYCLIC COMPOUNDS CONTAINING ELEMENTS OTHER THAN CARBON, HYDROGEN, HALOGEN, OXYGEN, NITROGEN, SULFUR, SELENIUM OR TELLURIUM
- C07F15/00—Compounds containing elements of Groups 8, 9, 10 or 18 of the Periodic Table
- C07F15/0006—Compounds containing elements of Groups 8, 9, 10 or 18 of the Periodic Table compounds of the platinum group
- C07F15/0046—Ruthenium compounds
-
- C—CHEMISTRY; METALLURGY
- C23—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; CHEMICAL SURFACE TREATMENT; DIFFUSION TREATMENT OF METALLIC MATERIAL; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL; INHIBITING CORROSION OF METALLIC MATERIAL OR INCRUSTATION IN GENERAL
- C23C—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; SURFACE TREATMENT OF METALLIC MATERIAL BY DIFFUSION INTO THE SURFACE, BY CHEMICAL CONVERSION OR SUBSTITUTION; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL
- C23C16/00—Chemical coating by decomposition of gaseous compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating, i.e. chemical vapour deposition [CVD] processes
- C23C16/22—Chemical coating by decomposition of gaseous compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating, i.e. chemical vapour deposition [CVD] processes characterised by the deposition of inorganic material, other than metallic material
- C23C16/30—Deposition of compounds, mixtures or solid solutions, e.g. borides, carbides, nitrides
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
- H01L21/02—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof
- H01L21/04—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof the devices having potential barriers, e.g. a PN junction, depletion layer or carrier concentration layer
- H01L21/18—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof the devices having potential barriers, e.g. a PN junction, depletion layer or carrier concentration layer the devices having semiconductor bodies comprising elements of Group IV of the Periodic Table or AIIIBV compounds with or without impurities, e.g. doping materials
- H01L21/28—Manufacture of electrodes on semiconductor bodies using processes or apparatus not provided for in groups H01L21/20 - H01L21/268
- H01L21/283—Deposition of conductive or insulating materials for electrodes conducting electric current
- H01L21/285—Deposition of conductive or insulating materials for electrodes conducting electric current from a gas or vapour, e.g. condensation
- H01L21/28506—Deposition of conductive or insulating materials for electrodes conducting electric current from a gas or vapour, e.g. condensation of conductive layers
- H01L21/28512—Deposition of conductive or insulating materials for electrodes conducting electric current from a gas or vapour, e.g. condensation of conductive layers on semiconductor bodies comprising elements of Group IV of the Periodic Table
- H01L21/28556—Deposition of conductive or insulating materials for electrodes conducting electric current from a gas or vapour, e.g. condensation of conductive layers on semiconductor bodies comprising elements of Group IV of the Periodic Table by chemical means, e.g. CVD, LPCVD, PECVD, laser CVD
Landscapes
- Chemical & Material Sciences (AREA)
- Organic Chemistry (AREA)
- Engineering & Computer Science (AREA)
- Chemical Kinetics & Catalysis (AREA)
- General Chemical & Material Sciences (AREA)
- Materials Engineering (AREA)
- Mechanical Engineering (AREA)
- Metallurgy (AREA)
- Inorganic Chemistry (AREA)
- General Physics & Mathematics (AREA)
- Condensed Matter Physics & Semiconductors (AREA)
- Physics & Mathematics (AREA)
- Manufacturing & Machinery (AREA)
- Computer Hardware Design (AREA)
- Microelectronics & Electronic Packaging (AREA)
- Power Engineering (AREA)
- Chemical Vapour Deposition (AREA)
- Organic Low-Molecular-Weight Compounds And Preparation Thereof (AREA)
- Electrodes Of Semiconductors (AREA)
Abstract
【課題】高品質なルテニウム薄膜を製造することができる有機ルテニウム化合物を提供する。
【解決手段】下記化学式で示されるドデカカルボニルトリルテニウムからなる化学蒸着原料用の有機ルテニウム化合物において、鉄（Ｆｅ）の濃度が１ｐｐｍ以下であることを特徴とする化学蒸着原料用の有機ルテニウム化合物。
【選択図】なし
【解決手段】下記化学式で示されるドデカカルボニルトリルテニウムからなる化学蒸着原料用の有機ルテニウム化合物において、鉄（Ｆｅ）の濃度が１ｐｐｍ以下であることを特徴とする化学蒸着原料用の有機ルテニウム化合物。
【選択図】なし
Description
本発明は、ＣＶＤ法等の化学蒸着法によりルテニウム薄膜又はルテニウム化合物薄膜を製造するための原料として好適な有機ルテニウム化合物に関する。
半導体における銅配線の下地形成のための薄膜材料としてルテニウム又はルテニウム化合物が使用されている。これらの薄膜の製造法としては、ＣＶＤ法（化学気相蒸着法）、ＡＬＤ法（原子層蒸着法）といった化学蒸着法が適用されている。
化学蒸着法で使用される原料化合物として、従来から多くの有機ルテニウム化合物が知られている。そして、有機ルテニウム化合物の中で、近年実用化が検討されているものの一つとして、下記式で示されるドデカカルボニルトリルテニウム（Ｄｏｄｅｃａｃａｒｂｏｎｙｌ Ｔｒｉｒｕｔｈｅｎｉｕｍ：以下、ＤＣＲと称する。）がある(非特許文献１、特許文献１)。
ＤＣＲは、融点１５４〜１５５℃の常温で固体（橙色結晶）の物質である。通常、化学蒸着用原料は、原料気化時の取扱い性等の観点から常温で液体であるものが好ましいとされている。しかし、ＤＣＲの場合、ＲｕとＣＯとから構成されるシンプルな分子構造と、反応ガスを使用することなく熱分解のみで成膜できるという点から、成膜された薄膜中にハイドロカーボンなどの不純物を残留させ難いという利点があること、及び、固体原料であっても原料容器の仕様調整や適切なプロセス制御により薄膜の製造効率にも悪影響がない、といった理由からその活用が期待されている。ＤＣＲを用いたルテニウム薄膜の製造にあたっては、固体のＤＣＲを原料容器内に適宜に配置し、これを加熱しつつ反応ガス（例えば、水素、酸素）と共に反応室に導入して、反応・成膜がなされる。
M.L.Green et. al.,J.Electrochem. Soc. Vol.132(No.11),1985,p2677-2685.
ＤＣＲは、上記の通り、適切な装置構成により良好なルテニウム薄膜を製造可能な原料化合物といえる。もっとも、実用化に向けた改良要求もいまだなされているところである。ＤＣＲへの改良要求としては、まず、形成される薄膜の高品質化が挙げられる。これは、どの原料化合物に対しても挙げられる改良事項であるが、ＤＣＲを用いたルテニウム膜は、極めて低い確率であるが、断線等の成膜不良が生じることがあり、製品歩留まりのための改善が求められている。
そして、ＤＣＲ特有の改良要求として、薄膜製造後に原料容器を開放する際に発火するという現象がたまに見られる点がある。この発火現象は、使用前の原料化合物には見られないが、一度使用された後の残物が発火性を有するというものである。そして、かかる発火現象は、作業の安全性を損ない、装置保安のコスト高にも繋がることから防ぐことが好ましい。
本発明は、上記課題のもとになされたものであり、発火現象が生じ難く安全性が確保されていると共に、高品質なルテニウム薄膜又はルテニウム化合物薄膜を製造することができるＤＣＲからなる有機ルテニウム化合物を提供する。
本発明者等は、上記課題を解決するため、従来から入手可能であるＤＣＲを基に成膜反応前後の原料化合物の状態を検討した。その結果、これまでのＤＣＲを使用して成膜を行った場合、原料化合物が昇華しきるまで成膜を行っても、原料容器中に残渣が残留することを確認した。このＤＣＲ昇華後の残渣については、単純に考えるならば原料化合物中の不純物と考えられるが、この検討段階において、加熱により生じた不純物の化合物や、ＤＣＲの変質の可能性についての考察を排除することは得策ではない。そこで、本発明者等は、従来のＤＣＲの詳細な成分分析を行うと共に、従来のＤＣＲの製造工程、薄膜製造中（気化中）の原料化合物の状態等について調査・検討し、残渣の発生要因及び発火現象との関連についての考察を行った。
その結果、まず、従来のＤＣＲには、数１０〜１００ｐｐｍ前後の不純物質が含まれており、特に鉄（Ｆｅ）が多く含有されていることを見出した。そして、本発明者等は、鉄が残渣の主要因であるとした場合、発火現象の要因はこの残渣にあると考えた。即ち、鉄は、ＤＣＲの合成過程で混入したと推定できるが、混入する鉄はペンタカルボニル鉄（Ｆｅ（ＣＯ）５）を生成する。ペンタカルボニル鉄は、光により自然発火性のあるカルボニル鉄（Ｆｅ２（ＣＯ）９）と一酸化炭素に分解する物質であり、原料容器開封時の光がこの分解反応を生じさせ、発火現象が生じると考えられる。また、合成時のＤＣＲは発火しないのに、使用後に発火が生じるのは、生成時のペンタカルボニル鉄はＤＣＲ結晶中に包まれているが、使用後ではＤＣＲ結晶表面でペンタカルボニル鉄が濃縮され、空気に接触しやすくなるためと考えられる。
以上の検討結果から、本発明者等はルテニウム膜形成用原料としてのＤＣＲには、鉄濃度の規制が必要であるとの考察を得た。
上記課題を解決する本発明は、下記化学式で示されるドデカカルボニルトリルテニウムからなる化学蒸着原料用の有機ルテニウム化合物において、鉄（Ｆｅ）の濃度が１ｐｐｍ以下であることを特徴とする化学蒸着原料用の有機ルテニウム化合物である。
上記の通り、本発明に係る化学蒸着原料用有機ルテニウム化合物は、鉄の濃度を規制するものである。この鉄濃度の上限を１ｐｐｍとするのは、発火現象の要因となる残渣の発生を抑制するため、及び、ルテニウム薄膜の品質確保のための上限値である。より好ましくは、鉄濃度は０．５ｐｐｍ以下に低減するのが好ましい。残渣発生のより確実な抑制のためである。
また、化学蒸着原料用有機ルテニウム化合物として、他の不純物が低減されていることがより好ましい。この規制すべき不純物としては、リチウム（Ｌｉ）、ナトリウム（Ｎａ）、マグネシウム（Ｍｇ）、アルミニウム（Ａｌ）、カルシウム（Ｃａ）、カリウム（Ｋ）、チタン（Ｔｉ）、バナジウム（Ｖ）、クロム（Ｃｒ）、マンガン（Ｍｎ）、コバルト（Ｃｏ）、ニッケル（Ｎｉ）、銅（Ｃｕ）、亜鉛（Ｚｎ）、ストロンチウム（Ｓｒ）、イットリウム（Ｙ）、モリブデン（Ｍｏ）、イリジウム（Ｉｒ）、白金（Ｐｔ）、金（Ａｕ)、鉛（Ｐｂ）、トリウム（Ｔｈ）、ウラン（Ｕ）が挙げられる。これらの鉄以外の不純物元素濃度は、いずれも１ｐｐｍ以下であることが好ましい。より好ましくは、鉄以外の不純物元素濃度も０．５ｐｐｍ以下とする。また、鉄を含めた上記不純物元素濃度の合計が、１ｐｐｍ以下であることが特に好ましい。
次に、本発明に係る有機ルテニウム化合物であるＤＣＲの製造方法について説明する。本発明に係るＤＣＲの製造方法は、ルテニウム塩と一酸化炭素とを溶媒中で反応させる合成工程と、前記合成工程で得られる粗ＤＣＲを昇華法により精製する精製工程とからなるものである。
本発明に係る方法は、ＤＣＲの合成工程と得られたＤＣＲの精製工程の２つの工程よりなるものである。ここで、ＤＣＲの合成工程としては、ルテニウム塩を一酸化炭素により直接カルボニル化する方法（以下、直接法と称する）を基礎とする。ＤＣＲの製造方法としては、直接法のほか、例えば、ルテニウム塩を原料とし、これをアセチルアセトナト塩と反応させて得られるアセチルアセトナトルテニウムを中間体とし、中間体をカルボニル化する方法も知られているが、中間体を経由する方法は工程数が多くなり不純物混入の機会が増えるため好ましくないことから直接法を採用するものである。
そして、本発明では、直接法によるＤＣＲ合成の条件として、反応圧３．０〜６．５ＭＰａ、反応温度７５〜１２５℃、反応時間８〜２０時間と設定する。これらの反応条件の中でも特に反応圧については、注意を要する条件である。これは、一酸化炭素による反応装置の構成材料への腐食を考慮するものである。即ち、一酸化炭素の腐食性は、通常は無視できる程度と考えられているが、高圧下では高圧容器の材料である鉄・ニッケル・クロム等の金属と反応して、金属カルボニル化合物を生成する傾向がある。工業的なＤＣＲ合成装置は、ステンレス等の鋼製の高圧容器を使用することが想定されることから、反応圧を上昇させると装置腐食による鉄の混入が懸念される。かかる観点より、本発明では、カルボニル化反応を進行させることができ、かつ、一酸化炭素の腐食性を生じさせない圧力として、上記範囲の反応圧を設定している。尚、反応温度、反応時間について上記条件を設定するのは、この範囲を逸脱すると収率が大幅に低減するからである。
合成工程における原料であるルテニウム塩は、塩化ルテニウム、酸化ルテニウム、硝酸ルテニウム、ヘキサアンミンルテニウムクロライド、酢酸ルテニウムが好ましい。これらは市販されている物質であり、容易に手に入れることができるからである。特に、塩化ルテニウムが好ましい。尚、この原料は高純度のものが当然好ましい。また、アセチルアセトナトルテニウム（トリス（アセチルアセトナト）ルテニウム（ＩＩＩ））も市販品が存在することから、高純度のものであれば出発原料として使用可能である。
尚、ＤＣＲ等の有機金属化合物の合成においては、触媒作用を有する補助金属を用いることが多いが、補助金属の適用は、不純物の混入の要因となることから、本発明では補助金属の添加は不要である。
以上のＤＣＲの合成工程は、この工程自体が不純物（特に鉄）の含有量が低減された工程である。この合成工程におけるＤＣＲは粗ＤＣＲと称するが、粗ＤＣＲの鉄濃度は、１０ｐｐｍ以下とするのが好ましい。
精製工程は、粗ＤＣＲ中の鉄濃度を更に低減させる工程である。この精製工程は昇華法による。一般的な化合物精製においては、昇華法の他、蒸留、再結晶、カラムクロマト等が知られているが、ＤＣＲについては固体であり融点が高く、溶媒への溶解度が低いことに加え、混入する不純物との分離が再結晶などでは達成できないため、昇華法が最適である。
昇華法による精製の条件は、真空度５０Ｐａ以下、加熱温度８０℃〜１１０℃、冷却温度２０℃以下とする。真空度は５０Ｐａを超えると昇華速度が低下し、昇華時間が大幅に長くなる。加熱温度は８０℃未満では昇華時間が大幅に遅くなり、１１０℃を超えると昇華速度は速くなるものの、ＤＣＲの熱分解が部分的に生じるおそれがあり、結果的に収率が大幅に低減するからである。
尚、本発明では、合成された粗ＤＣＲを昇華法で精製することを必須とするが、昇華法による精製後のＤＣＲに他の精製法（再結晶、カラムクロマトグラフィー等）を用いて再度精製を行っても良い。例えば、昇華法により精製を行った後、再結晶法で再度精製を行っても良い。鉄濃度自体は、昇華法による精製で十分低減されるが、昇華の際に微量同伴する有機物等を十分除去する場合には、再結晶により再精製を行うと良い。
以上説明したように、本発明に係る有機ルテニウム化合物は、鉄濃度が低減されたＤＣＲからなるものである。本発明は、使用後の残渣を発生させることがなく、残渣による発火現象を抑制する。これにより、薄膜製造の安全性が確保され作業性が良好となる。
また、不純物である鉄は、原料気化の際にＤＣＲと同伴して気化するとルテニウム薄膜に混入するおそれがあり、これが断線や電気特性低下の要因となると考えられる。従って、鉄濃度が制限された本発明に係る有機ルテニウム化合物は、高品質のルテニウム薄膜を製造することを可能とする。
第１実施形態：塩化ルテニウム２５．４ｇを溶媒である３００ｍＬのメタノールに溶解した。この溶液を容量１Ｌのオートクレーブ(鋼製)に投入し、ここに反応圧６．５ＭＰａまで一酸化炭素を封入した。その後１２５℃で８時間加熱して反応させた。合成反応後、反応液を冷却し、濾過して濾取物を取り出し、橙色のＤＣＲ粗結晶１５．４ｇを得た。合成したＤＣＲ粗結晶をＩＣＰにて鉄濃度を測定したところ、７ｐｐｍであった。
上記合成工程で得たＤＣＲ粗結晶を昇華法にて精製した。精製工程は梨型昇華器にＤＣＲ粗結晶を投入し、下記条件にて昇華を行なった。
真空度：１Ｐａ
温度：９５℃
昇華時間：６時間
冷却水温度：８℃
真空度：１Ｐａ
温度：９５℃
昇華時間：６時間
冷却水温度：８℃
昇華終了後冷却部に採取されたＤＣＲ結晶について、ＩＣＰ−ＭＳにて不純物元素を測定したところ、下記結果を得た。
比較例：ここでは、従来のＤＣＲの製造方法として、アセチルアセトナトルテニウムを経由する方法にてＤＣＲを製造した（特許文献２）。塩化ルテニウム１５ｇとアセチルアセトナトナトリウム２２ｇを６００ｍＬのメタノールに溶解した。溶液をオートクレーブ(鋼製)に投入し、一酸化炭素:水素（モル比３：１）の混合ガスで１２ＭＰａに加圧した。その後、１６０℃で４時間加熱した。
合成反応後、反応液を再結晶により精製した。反応液を冷却し、濾過して濾取物をベンゼン１０００ｍＬに投入し、加熱を行い完全に溶解させた。その後、０℃の冷蔵庫に放置した。１２時間後、析出した結晶を濾過し、橙色のＤＣＲ結晶９．４ｇを得た。合成したＤＣＲ結晶をＩＣＰ−ＭＳにて不純物濃度を測定したところ、下記結果を得た。
上記第１実施形態と比較例とを対比すると、反応圧を規制しつつルテニウム化合物を直接カルボニル化する第１実施形態は、粗ＤＣＲのＦｅ濃度も比較的低く、また、昇華法による精製と組み合わせることでＦｅ濃度を１ｐｐｍ以下にすることができる。一方、比較例は、再結晶による精製を考慮してもＦｅ濃度が１２０ｐｐｍよりかなり高いものとなっている。これは、比較例は、第１実施形態と同じく塩化ルテニウムを出発原料としつつも、アセチルアセトナトルテニウムを経由するため反応工程が多くその分不純物混入の可能性が高いこと、及び、アセチルアセトナトルテニウムのカルボニル化の反応圧が比較的高く反応容器からの鉄の混入が生じやすくなっていること、が要因と考えられる。
第２実施形態：上記第１実施形態及び比較例で製造したＤＣＲを用いて、ＣＶＤ法によりルテニウム薄膜を作成した。固体原料容器にＤＣＲ１０ｇを封入し、成膜条件として、原料容器における加熱温度を８０℃とし、キャリアガスを一酸化炭素、反応ガスを水素とした。この成膜試験を５回行い、成膜後原料容器を開封したときの発火の有無、更に、原料容器中の残渣量を評価した。その結果を表３に示す。尚、この試験は、第１実施形態の精製工程を行なっていない粗ＤＣＲ結晶も原料として使用して評価した。
表３から、鉄濃度が１２０ｐｐｍの比較例は、残渣量が多く、また５回中３回の発火現象を示している。対して第１実施形態は、残渣が全くなく発火現象も観察されない。尚、精製工程を行なわない粗ＤＣＲ結晶（参考例）も、比較例よりは好適な結果であったものの、精製を行なう第１実施形態よりは劣る。従って、鉄濃度の徹底的な低減が必要であることが確認できる。
第３実施形態：第１実施形態のＤＣＲ合成工程を基に、合成反応（カルボニル化）の反応条件に関し検討を行った。ここでは、反応圧、反応温度、反応時間を変化させてＤＣＲ（粗ＤＣＲ）を合成し、収率及びＦｅ濃度を評価した。尚、その他の反応条件（原料、溶媒）は、第１実施形態と同様とした。この結果を表４に示す。
表４から、反応圧を低くすることは、Ｆｅ濃度の低減に有効であるといえる。反応温度も同様の傾向がある。しかし、これらを低くすることは同時に収率を低下させるといえる。従って、合成反応後の粗ＤＣＲについては、精製（昇華）工程をしなければならないことを考慮し、収率と純度とのバランスを考慮した条件設定が好ましいといえる。
第４実施形態：ここでは、第１実施形態のＤＣＲ製造工程を基に、精製工程（昇華工程）の条件についての検討を行った。第１実施形態で合成された粗ＤＣＲ（Ｆｅ濃度７ｐｐｍ）について、昇華工程の真空度、昇華温度を変化させて粗ＤＣＲの精製を行なった。その他の条件（昇華時間、冷却温度）は、第１実施形態と同様とした。この結果を表５に示す。
表５から、いずれの精製条件でも、Ｆｅ濃度が０．５ｐｐｍ以下の好適なＤＣＲが得られることが確認できた。
本発明に係るＤＣＲからなる有機ルテニウム化合物は、鉄濃度が低減さており、高品質のルテニウム薄膜を製造することを可能とする。また、使用後の残渣を発生させることもなく、残渣による発火現象を抑制されており、発火現象により取扱い性に支障があったＤＣＲの利用可能性を促進するものである。
Claims (6)
- 下記化学式で示されるドデカカルボニルトリルテニウム（ＤＣＲ）からなる化学蒸着原料用の有機ルテニウム化合物において、
- 更に、リチウム（Ｌｉ）、ナトリウム（Ｎａ）、マグネシウム（Ｍｇ）、アルミニウム（Ａｌ）、カルシウム（Ｃａ）、カリウム（Ｋ）、チタン（Ｔｉ）、バナジウム（Ｖ）、クロム（Ｃｒ）、マンガン（Ｍｎ）、コバルト（Ｃｏ）、ニッケル（Ｎｉ）、銅（Ｃｕ）、亜鉛（Ｚｎ）、ストロンチウム（Ｓｒ）、イットリウム（Ｙ）、モリブデン（Ｍｏ）、イリジウム（Ｉｒ）、白金（Ｐｔ）、金（Ａｕ）、鉛（Ｐｂ）、トリウム（Ｔｈ）、ウラン（Ｕ）の濃度がいずれも１ｐｐｍ以下である請求項１記載の化学蒸着原料用の有機ルテニウム化合物。
- 鉄（Ｆｅ）、リチウム（Ｌｉ）、ナトリウム（Ｎａ）、マグネシウム（Ｍｇ）、アルミニウム（Ａｌ）、カルシウム（Ｃａ）、カリウム（Ｋ）、チタン（Ｔｉ）、バナジウム（Ｖ）、クロム（Ｃｒ）、マンガン（Ｍｎ）、コバルト（Ｃｏ）、ニッケル（Ｎｉ）、銅（Ｃｕ）、亜鉛（Ｚｎ）、ストロンチウム（Ｓｒ）、イットリウム（Ｙ）、モリブデン（Ｍｏ）、イリジウム（Ｉｒ）、白金（Ｐｔ）、金（Ａｕ）、鉛（Ｐｂ）、トリウム（Ｔｈ）、ウラン（Ｕ）の濃度の合計が１ｐｐｍ以下である請求項１又は請求項２記載の化学蒸着用ルテニウム化合物
- 請求項１〜請求項３のいずれかに記載の化学蒸着原料用の有機ルテニウム化合物の製造方法であって、
ルテニウム塩と一酸化炭素とを溶媒中で反応させてルテニウムを直接カルボニル化して粗ＤＣＲを得る合成工程と、前記合成工程で得られる粗ＤＣＲを昇華法により精製する精製工程とからなり、
前記合成工程は、反応条件を反応圧３．０〜６．５ＭＰａ、反応温度７５〜１２５℃、反応時間８〜２０時間とし、
前記精製工程は、条件を真空度５０Ｐａ以下、加熱温度８０℃〜１１０℃、冷却温度２０℃以下とする方法。 - 合成工程により得られる粗ＤＣＲのＦｅ濃度を１０ｐｐｍ以下とする請求項４記載の化学蒸着原料用の有機ルテニウム化合物の製造方法。
- 昇華法による精製工程の後、更に、再結晶法によりＤＣＲを精製する請求項４又は請求項５記載の化学蒸着原料用の有機ルテニウム化合物の製造方法。
Priority Applications (7)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP2011170242A JP5140184B1 (ja) | 2011-08-03 | 2011-08-03 | 化学蒸着原料用の有機ルテニウム化合物及び該有機ルテニウム化合物の製造方法 |
| EP12819564.1A EP2740816B1 (en) | 2011-08-03 | 2012-07-24 | Organic ruthenium compound for chemical vapor deposition raw material and production method for said organic ruthenium compound |
| PCT/JP2012/068654 WO2013018577A1 (ja) | 2011-08-03 | 2012-07-24 | 化学蒸着原料用の有機ルテニウム化合物及び該有機ルテニウム化合物の製造方法 |
| KR1020167014241A KR20160066005A (ko) | 2011-08-03 | 2012-07-24 | 화학 증착 원료용 유기 루테늄 화합물 및 그 유기 루테늄 화합물의 제조방법 |
| CN201280024469.8A CN103582718B (zh) | 2011-08-03 | 2012-07-24 | 化学蒸镀原料用的有机钌化合物及该有机钌化合物的制造方法 |
| KR1020147004648A KR101630098B1 (ko) | 2011-08-03 | 2012-07-24 | 화학 증착 원료용 유기 루테늄 화합물 및 그 유기 루테늄 화합물의 제조방법 |
| US14/007,763 US9290841B2 (en) | 2011-08-03 | 2012-07-24 | Organoruthenium compound for chemical vapor deposition raw material and production method for the organoruthenium compound |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP2011170242A JP5140184B1 (ja) | 2011-08-03 | 2011-08-03 | 化学蒸着原料用の有機ルテニウム化合物及び該有機ルテニウム化合物の製造方法 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JP5140184B1 JP5140184B1 (ja) | 2013-02-06 |
| JP2013036054A true JP2013036054A (ja) | 2013-02-21 |
Family
ID=47629104
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP2011170242A Active JP5140184B1 (ja) | 2011-08-03 | 2011-08-03 | 化学蒸着原料用の有機ルテニウム化合物及び該有機ルテニウム化合物の製造方法 |
Country Status (6)
| Country | Link |
|---|---|
| US (1) | US9290841B2 (ja) |
| EP (1) | EP2740816B1 (ja) |
| JP (1) | JP5140184B1 (ja) |
| KR (2) | KR20160066005A (ja) |
| CN (1) | CN103582718B (ja) |
| WO (1) | WO2013018577A1 (ja) |
Cited By (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| WO2015064353A1 (ja) * | 2013-10-29 | 2015-05-07 | 田中貴金属工業株式会社 | ドデカカルボニルトリルテニウムの製造方法及び製造装置 |
| KR20170003979A (ko) | 2014-06-04 | 2017-01-10 | 다나카 기킨조쿠 고교 가부시키가이샤 | 도데카카르보닐트리루테늄의 정제 방법 |
| KR20210089651A (ko) | 2018-11-08 | 2021-07-16 | 가부시키가이샤 아데카 | 원자층 퇴적법에 의한 금속 루테늄 박막의 제조 방법 |
Families Citing this family (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| CN111054444B (zh) * | 2019-12-30 | 2023-04-07 | 苏州鼎驰金属材料有限公司 | 一种二羰基二亚硝基合钌及其制备方法和应用 |
| CN116282240A (zh) * | 2023-05-12 | 2023-06-23 | 研峰科技(北京)有限公司 | 一种十二羰基三钌的纯化方法 |
Citations (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| WO2006109860A1 (ja) * | 2005-04-08 | 2006-10-19 | Sumitomo Chemical Company, Limited | 担持酸化ルテニウムの製造方法及び塩素の製造方法 |
| WO2010101191A1 (ja) * | 2009-03-03 | 2010-09-10 | 東京エレクトロン株式会社 | 載置台構造、成膜装置、及び、原料回収方法 |
Family Cites Families (12)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| GB1047794A (en) * | 1963-02-01 | 1966-11-09 | Lonza Ag | Process for the production of trimeric ruthenium tetracarbonyl |
| GB1160765A (en) | 1966-08-10 | 1969-08-06 | Ici Ltd | Process for the Preparation of Ruthenium Carbonyl |
| JP2002212112A (ja) * | 2001-01-22 | 2002-07-31 | Tanaka Kikinzoku Kogyo Kk | 化学気相蒸着用のルテニウム化合物並びにルテニウム薄膜及びルテニウム化合物薄膜の化学気相蒸着方法。 |
| JP4051532B2 (ja) * | 2002-01-08 | 2008-02-27 | 三菱マテリアル株式会社 | 有機金属化学蒸着法用ルテニウム化合物の製造方法及び該方法により得られた有機金属化学蒸着法用ルテニウム化合物並びに該化合物により得られたルテニウム含有薄膜 |
| WO2003057706A1 (fr) * | 2002-01-08 | 2003-07-17 | Mitsubishi Materials Corporation | Composes a base de ruthenium, leur procede de preparation, et films minces contenant du ruthenium fabriques a partir de tels composes |
| WO2006044227A1 (en) | 2004-10-12 | 2006-04-27 | Aware, Inc. | Resource sharing in a telecommunications environment |
| US7459395B2 (en) * | 2005-09-28 | 2008-12-02 | Tokyo Electron Limited | Method for purifying a metal carbonyl precursor |
| US7297719B2 (en) * | 2006-03-29 | 2007-11-20 | Tokyo Electron Limited | Method and integrated system for purifying and delivering a metal carbonyl precursor |
| JP5032085B2 (ja) * | 2006-10-06 | 2012-09-26 | 田中貴金属工業株式会社 | 化学蒸着用の有機ルテニウム化合物及び該有機ルテニウム化合物を用いた化学蒸着方法 |
| US20100116738A1 (en) * | 2008-05-08 | 2010-05-13 | Air Liquide Electronics U.S. Lp | Process Of Purifying Ruthenium Precursors |
| US20100081274A1 (en) * | 2008-09-29 | 2010-04-01 | Tokyo Electron Limited | Method for forming ruthenium metal cap layers |
| US8329569B2 (en) | 2009-07-31 | 2012-12-11 | Asm America, Inc. | Deposition of ruthenium or ruthenium dioxide |
-
2011
- 2011-08-03 JP JP2011170242A patent/JP5140184B1/ja active Active
-
2012
- 2012-07-24 EP EP12819564.1A patent/EP2740816B1/en active Active
- 2012-07-24 CN CN201280024469.8A patent/CN103582718B/zh active Active
- 2012-07-24 KR KR1020167014241A patent/KR20160066005A/ko not_active Application Discontinuation
- 2012-07-24 WO PCT/JP2012/068654 patent/WO2013018577A1/ja active Application Filing
- 2012-07-24 KR KR1020147004648A patent/KR101630098B1/ko active IP Right Grant
- 2012-07-24 US US14/007,763 patent/US9290841B2/en active Active
Patent Citations (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| WO2006109860A1 (ja) * | 2005-04-08 | 2006-10-19 | Sumitomo Chemical Company, Limited | 担持酸化ルテニウムの製造方法及び塩素の製造方法 |
| WO2010101191A1 (ja) * | 2009-03-03 | 2010-09-10 | 東京エレクトロン株式会社 | 載置台構造、成膜装置、及び、原料回収方法 |
Non-Patent Citations (1)
| Title |
|---|
| JPN6012056599; ＢＡＮＤＩＴＥＬＬＩ，Ｐ． ｅｔ ａｌ: 'Ｄｅｃｏｍｐｏｓｉｔｉｏｎ ｓｔｕｄｉｅｓ ｏｆ ｔｒｉｒｕｔｈｅｎｉｕｍ ｄｏｄｅｃａｃａｒｂｏｎｙｌ ａｎｄ ｔｒｉｏｓｍｉｕｍ ｄｏｄｅｃａｃａｒｂｏｎｙｌ．' Ｔｈｅｒｍｏｃｈｉｍｉｃａ Ａｃｔａ Ｖｏｌ．１６, 1976, ｐ．８９-９３ * |
Cited By (7)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| WO2015064353A1 (ja) * | 2013-10-29 | 2015-05-07 | 田中貴金属工業株式会社 | ドデカカルボニルトリルテニウムの製造方法及び製造装置 |
| KR20160070110A (ko) | 2013-10-29 | 2016-06-17 | 다나카 기킨조쿠 고교 가부시키가이샤 | 도데카카르보닐트리루테늄의 제조 방법 및 제조 장치 |
| US9499411B2 (en) | 2013-10-29 | 2016-11-22 | Tanaka Kikinzoku Kogyo K.K. | Device for producing and method for producing dodecacarbonyl triruthenium |
| KR20170003979A (ko) | 2014-06-04 | 2017-01-10 | 다나카 기킨조쿠 고교 가부시키가이샤 | 도데카카르보닐트리루테늄의 정제 방법 |
| US9783429B2 (en) | 2014-06-04 | 2017-10-10 | Tanaka Kikinzoku Kogyo K.K. | Method for purifying dodecacarbonyl triruthenium |
| KR20210089651A (ko) | 2018-11-08 | 2021-07-16 | 가부시키가이샤 아데카 | 원자층 퇴적법에 의한 금속 루테늄 박막의 제조 방법 |
| US11408069B2 (en) | 2018-11-08 | 2022-08-09 | Adeka Corporation | Method for producing metallic ruthenium thin film by atomic layer deposition |
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| US20140057050A1 (en) | 2014-02-27 |
| JP5140184B1 (ja) | 2013-02-06 |
| CN103582718B (zh) | 2015-12-09 |
| EP2740816A1 (en) | 2014-06-11 |
| KR20160066005A (ko) | 2016-06-09 |
| EP2740816B1 (en) | 2016-05-04 |
| CN103582718A (zh) | 2014-02-12 |
| US9290841B2 (en) | 2016-03-22 |
| EP2740816A4 (en) | 2015-01-21 |
| KR101630098B1 (ko) | 2016-06-13 |
| KR20140051349A (ko) | 2014-04-30 |
| WO2013018577A1 (ja) | 2013-02-07 |
Similar Documents
| Publication | Publication Date | Title |
|---|---|---|
| JP5140184B1 (ja) | 化学蒸着原料用の有機ルテニウム化合物及び該有機ルテニウム化合物の製造方法 | |
| JP5857970B2 (ja) | （アミドアミノアルカン）金属化合物、及び当該金属化合物を用いた金属含有薄膜の製造方法 | |
| KR20210094035A (ko) | 루테늄 착체를 포함하는 화학 증착용 원료 및 해당 화학 증착용 원료를 사용한 화학 증착법 | |
| JP6090957B2 (ja) | ギ酸の脱水素化に用いる触媒、ギ酸の脱水素化方法、水素製造方法 | |
| JP5531120B1 (ja) | ドデカカルボニルトリルテニウムの製造方法 | |
| JP7023457B2 (ja) | アンモニア合成用触媒及び該触媒を用いるアンモニア合成法 | |
| KR101930151B1 (ko) | 도데카카르보닐트리루테늄의 정제 방법 | |
| US8748644B2 (en) | Ruthenium compound, method of producing the same, method of producing ruthenium-containing thin film using the same, and ruthenium-containing thin film | |
| KR102288641B1 (ko) | 이리듐 착체를 포함하는 화학 증착용 원료 및 해당 화학 증착용 원료를 사용한 화학 증착법 | |
| JP5732512B2 (ja) | ドデカカルボニルトリルテニウムの製造方法及び製造装置 | |
| JPWO2020175558A1 (ja) | 酸窒素水素化物、酸窒素水素化物を含む金属担持物、及びアンモニア合成用触媒 | |
| US20220126276A1 (en) | Catalyst for ammonia synthesis and method for synthesizing ammonia using the same | |
| JP2009007270A (ja) | ルテニウム化合物の製造方法および薄膜の製造方法 | |
| JP5213408B2 (ja) | 水素化ホウ素アルカリの取扱方法及びボラジン化合物の製造法 | |
| JP2006213631A (ja) | 化学気相成長法によるｐｚｔ成膜用の原料溶液の製造方法およびｐｚｔ膜の形成方法 |
Legal Events
| Date | Code | Title | Description |
|---|---|---|---|
| TRDD | Decision of grant or rejection written | ||
| A01 | Written decision to grant a patent or to grant a registration (utility model) |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A01 Effective date: 20121030 |
|
| A01 | Written decision to grant a patent or to grant a registration (utility model) |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A01 |
|
| A61 | First payment of annual fees (during grant procedure) |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A61 Effective date: 20121116 |
|
| R150 | Certificate of patent or registration of utility model |
Ref document number: 5140184 Country of ref document: JP Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R150 Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R150 |
|
| FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20151122 Year of fee payment: 3 |
|
| R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |
|
| R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |
|
| R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |
|
| R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |
|
| R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |
|
| R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |
|
| R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |
|
| R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |
|
| R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |