JP2013027255A - 検知装置、受電装置、送電装置、非接触電力伝送システム及び検知方法 - Google Patents
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Abstract
【解決手段】非接触電力伝送システムを構成する送電装置又は受電装置が備える少なくともコイル及びキャパシタを含む共振回路に対し、Q値測定時に、当該共振回路の回路構成を給電時の回路構成から切り替えて上記コイルと並列な静電容量成分の静電容量値を増加させる。そして、回路構成を切り替えた後で共振回路のQ値を測定する。
【選択図】図16
Description
1.第1の実施形態(回路切替部:受電側において給電時とQ値測定時とでキャパシタの静電容量値を切り替えた例)
2.第2の実施形態(回路切替部:送電側において給電時とQ値測定時とでキャパシタの静電容量値を切り替えた例)
3.その他(Q値測定回路:Q値測定処理の変形例)
[導入説明]
本開示における金属異物検出の技術は、前述のQ値の変化を用いて金属異物を検出する手法である。Q値は、エネルギーの保持と損失の関係を表す指標であり、一般的に共振回路の共振のピークの鋭さ(共振の強さ)を表す値として用いられる。金属異物には、送電側(1次側)と受電側(2次側)の間に存在する金属などの導体を指し、導体には、広義の導体すなわち半導体も含まれる。
測定に使用したコイルの構成は、外形30×40mm、内径20×30mmの8ターンである。図1に示すように、Q値周波数特性曲線1が示すQ値は、周波数によって大きく異なる。仮にこのコイルを100kHzで給電に使用した場合(キャパシタで共振をとる)には、Q値の絶対値は約50となり、最大値となる周波数と比べてQ値が半分以下程度になってしまう。
この例では、金属異物として15mm角の鉄をコイル中央に置いたときのQ値を測定している。図2よりQ値の高いときの周波数ほど、金属異物が混入したときのQ値周波数特性曲線2と混入していないときのQ値周波数特性曲線1との差分も大きくなっていることがわかる。
図3より周波数によってQ値の変化量が大きく変化すること、及び図2と図3よりQ値の絶対値が大きい周波数ほどQ値の変化量が大きいことがわかる。すなわちQ値の絶対値が大きい周波数を利用して金属異物の検出を行うことにより、金属異物の検出精度が向上する。
ここで、Q値測定の原理について、図4を参照して説明する。
図4は、非接触電力伝送システムに用いられる送電装置の概要を示す回路図である。
この図4に示した送電装置10の回路は、Q値の測定原理を表した最も基本的な回路構成(磁界結合の場合)の一例である。直列共振回路を備える回路を示したものであるが、共振回路の機能を備えていれば詳細な構成は種々の形態が考えられる。この共振回路のQ値測定は、測定器(LCRメータ)でも用いられている手法である。なお、送電装置(1次側)の共振回路の例を示したが、この測定原理は受電装置(2次側)の共振回路にも同様に適用できる。
(送電装置の構成例)
図5は、非接触電力伝送システムに用いられる送電装置(1次側)の内部構成例を示すブロック図である。
図5に示したブロック図は、図4に示した送電装置のより具体的な構成を示しており、この図5に示されるQ値測定回路20(検知部の一例)により、金属異物を検知する。Q値測定回路20が設けられた送電装置は、検知装置の一例である。
以下、非接触電力伝送システムに用いられるバッテリーレスの受電装置(2次側)の構成例を説明する。
図6は、携帯機器等に適用される、受電装置の内部構成例を示すブロック図である。給電時とQ値測定時の回路をスイッチングにより切り替える構成としている。Q値測定時にはQ値測定回路60(検知部の一例)により、金属異物を検知する。Q値測定回路60が設けられた受電装置は、検知装置の一例である。
また、整流部34の一の出力端が第2スイッチ39を介して第1レギュレータ36の入力端に接続し、第1レギュレータ36の出力端は負荷に接続し、整流部34の他の出力端がグラウンド端子に接続している。整流部34の一の出力端には、第2レギュレータ37も接続している。
さらに、キャパシタ35と第1スイッチ38が直列に接続され、キャパシタ35の一端が整流部34の一の出力端に接続し、第1スイッチ38の一端が整流部34の他の出力端に接続している。
ここで、Cはキャパシタの静電容量、Vはキャパシタの電圧値、iはキャパシタの電流値、tは時間を表す。すなわち10μFのキャパシタにチャージした電圧値が例えば9Vから4Vに変化するとき、50mAの電流を1msec流すことが可能である。キャパシタの静電容量値が大きければより大きな電流を流すか、または電流を流す時間を延ばすことが可能である。
ところで、Q値測定の精度は、共振回路の共振点(共振周波数)でのインピーダンス値によっても大きく影響する。上述したとおり、図6に示した受電装置30の構成では、給電時とQ値測定時の回路をスイッチングにより切り替えている。すなわちキャパシタ33の両端電圧は、第3スイッチ41のオン抵抗分と2次側コイル31の共振点でのインピーダンスで分圧され、電圧の振幅が小さくなる。そのため2次側コイル31の共振点でのインピーダンス次第では分圧比が大きくなり、Q値測定時におけるSN比が劣化する可能性がある。
図7において、破線で表されたZ1がスイッチング素子のオン抵抗分(オン抵抗成分R1)を示したものである。また、破線で表されたZ2が直列共振回路を、コイルL1とキャパシタC1と交流電源Eの交流電圧の周波数fにおける実効抵抗分(実効抵抗成分r1)からなる等化回路を示したものである。
実際にV1−1の地点とV1−2の地点での交流電圧の振幅をシミュレーションにより計算した結果が、図8に示す波形図である。試算に用いた諸条件は、交流電圧の周波数が90kHzで振幅が0.1V、直列共振回路のコイルL1の自己インダクタンスが14.3μH、実効抵抗成分r1の抵抗値が0.6Ω、キャパシタC1の静電容量値が227nF、オン抵抗成分R1の抵抗値が3Ωである。
図8において、大きな振幅の波形がV1−1の地点のレベルであり、小さな振幅の波形がV1−2の地点のレベルを示したものである。この電圧波形より、確かに交流電圧の振幅が小さくなることがわかる。
図9A,B,Cは、それぞれ異なる共振回路の構成を示す回路図である。
図9Aの共振回路は直列共振回路である。これに対し、図9Bと図9Cの共振回路はそれぞれ、コイルL1に対して直列接続のキャパシタC1´又はC1´´、コイルL1に対して並列接続のキャパシタC2´又はC2´´を有する。
図11は、図9Bに示した共振回路のインピーダンスの周波数特性を示すグラフである。
図12は、図9Cに示した共振回路のインピーダンスの周波数特性を示すグラフである。
図10〜図12より、共振回路の定数によって、共振周波数(この例では90kHz)は同じでも共振回路のインピーダンス値は異なることがわかる。図10では約0.6Ω、図11では約1.1Ω、図12では約2.4Ωであり、コイルL1に並列接続したキャパシタの静電容量値が大きいほど共振点でのインピーダンス値が大きくなっている。
上記を考慮すると、コイルサイズや、1次側と2次側のコイル間距離がある程度決まり、さらに目標とする2次側のインピーダンス値も決まると、キャパシタの接続形態すなわち共振回路の構成と定数も自動的に決まってしまう。
共振回路のコイルに対するキャパシタの接続形態は、
(1)コイルに対して直列接続(図15A)、
(2)コイルに対して並列接続してから直列接続(図15B)、
(3)コイルに対して並列接続(図15C)
の3種類あり、場合によってはどの回路構成にもなり得る。
よって、給電時における共振回路の最適構成とQ値測定時における共振回路の最適構成が必ずしも一致しないという問題がある。
(キャパシタ及びスイッチの構成例)
そこで、給電時とQ値測定による異物検出時で共振回路の構成(定数)を切り替える手法を提案する。
本実施形態に係る受電装置30Aは、図6に示した受電装置30と比較して、共振回路にキャパシタ32´とキャパシタ33´が追加され、また第3スイッチ43´が追加されている点が異なり、その他は同じである。なお、給電時には第3スイッチ40〜43,43´はオフの状態であり、オープンに見えるため給電時に悪影響を与える心配はない。
なお、キャパシタ32については、あってもなくても(給電時に直列共振回路であっても)構わない。
これにより、Q値測定時に2次側コイル31と並列のキャパシタの静電容量値を大きくすることによって低くなってしまった共振周波数を戻すことも可能である。さらに、前述したとおり、給電時の周波数においてQ値が低い周波数の場合は、Q値測定時の周波数を上げることも可能である。
その上でさらに、給電時の共振回路の構成とQ値測定による金属異物検出時の共振回路の構成を各々で最適な構成(定数:静電容量値)にすることによって、給電性能を損なうことなく、金属異物の検出精度を向上させることができる。
また、送電側から受電側に給電が行われないときでも、送電側と受電側との間に存在する金属異物の検出を行い、かつQ値測定による金属異物検出時に共振回路の構成を切り替えて検出精度を向上させる。それゆえ、Q値測定による金属異物検出時に給電時と異なる周波数を選んで共振回路へ供給し、コイルの径、及び電磁誘導方式や磁界共鳴方式といったワイヤレス給電方式(結合係数の大小)に依存することなく、Q値測定による金属異物の検出が可能である。
(1)コイルに対して直列接続
(2)コイルに対して並列接続してから直列接続
(3)コイルに対して並列接続
のいずれの場合にも適用できる。
なお、Q値測定時でないときの共振回路のキャパシタが上記(3)のコイルに対して並列接続のみである場合、例えば図16の2次側コイル31に対してキャパシタ33がなく並列のキャパシタ32だけが接続されている場合、第3スイッチがオンしたとき共振回路の2次側コイル31とキャパシタとの並列接続に対してキャパシタ33´のみが直列に接続される。
ここで、本開示の第1の実施形態に係る非接触電力伝送システムの全体制御処理を説明しておく。
まず送電装置10(1次側)を起動し、受電装置30A(2次側)を送電装置10の近くに置くと、送電装置10と受電装置30Aの間でネゴシエーションを行う。送電装置10と受電装置30Aが相互に認識した後に給電を開始する。送電装置10又は受電装置30Aは、給電開始に際してQ値測定を行うが、そのQ値測定の回数が初回であるか否かを判定する(ステップS1)。
次に、1次側でステップ2の周波数スイープを伴うQ値計算を行う場合の処理を説明する。
周波数スイープを行うので、初回のQ値測定であると判定されていることが前提である。本処理は、送電装置10が初回のQ値測定であると判定した場合、あるいは受電装置30Aが初回のQ値測定であると判定してその結果を送電装置10へ送信した場合などが考えられる。
まず、送電装置10のメイン制御部23は、受電装置30Aのメイン制御部47とのネゴシエーションが終了後、1次側コイル15から電磁波を出力させて受電装置30Aへの送電処理(キャリア信号の送信)を開始する(ステップS11)。受電装置30Aのメイン制御部47は、送電装置10が出力する電磁波を2次側コイル31より受信して受電処理を開始する(ステップS12)。
本実施形態では、Q値測定処理を行うための「Q値測定期間(61−1,61−2,61−3)」と、電力供給など(Q値測定以外)の処理を行うための「電力供給期間(62)」が交互に設定されている。送電装置10と受電装置30Aの通信が確立したときに、送電装置10のメイン制御部23が、上記ステップS13における第1回Q値測定コマンドを発行する。第1回Q値測定コマンドは、一例として第1回Q値測定期間61−1の先頭で送信される。第1回Q値測定期間は、「充電」、「周波数f1でQ値測定」、「充電」、「周波数f2でQ値測定」、・・・、「周波数fn−1でQ値測定」、「充電」、「周波数fnでQ値測定」、「充電」、「1次側に通信」の複数の期間に分けられている。
1)第1スイッチ38は、Q値測定期間にオンし(キャパシタ35を充電)、それ以外の期間(電力供給期間)ではオフする。
2)第2スイッチ39は、Q値測定期間にオフし、それ以外の期間(電力供給期間)ではオンする。
3)第3スイッチ40〜43,43´は、Q値測定期間(特に電圧V1´,V2検出時)にオンし、それ以外の期間ではオフする。
次に、1次側で2回目以降のQ値計算(ステップS3の処理)を行う場合の処理を説明する。この例では、周波数スイープを行った後の2回目のQ値測定を行う場合について説明するが、3回目以降のQ値測定においても同様である。
図21のステップS41〜S55の処理は、図18のステップS11〜S26(ステップS24を除く)の処理に対応しており、以下では図18と図21の間で異なる点を中心に説明する。
図9では、キャパシタ35の充電の待ち時間に、次の周波数Freq(f2)のテスト信号を出力(ステップS24参照)するが、本例では行わない。
よって、2回目Q値測定においてQ値がQ_MaxよりX%以上低い場合には、金属異物の“可能性”が有ると判定して、ステップS2へ移行して再度周波数スイープ処理を行い、より確実な金属異物の判定を行う。
(2次側でQ値計算を行う例)
図18及び図21の例では、金属異物の判定に使用する閾値、テスト信号の周波数がf0のときの測定データ群(f0、V1´,V2)を、受電装置30A(2次側)ら送電装置(1次側)10へ送信している。そして、送電装置10において、測定データ群の電圧V1´,V2からQ値を計算し、そのQ値と閾値を比較して金属異物の判定を行っている。
しかし、テスト信号の周波数がf0のときの測定データ群(f0、V1´,V2)から受電装置30AにおいてQ値を測定し、そのQ値と閾値を比較して金属異物の判定を行うようにしてもよい。つまり、送電装置10に対しては、受電装置30Aから金属異物の判定結果だけを送信する。
一方、受電装置30AでQ値の計算及び金属異物の判定を行う場合は、受電装置30Aに演算処理部と判定部のハードウェアを持つ必要がある。ただし、金属異物有り又は金属異物無しという判定結果の情報を送電装置10へ送るだけなので、情報量が少なく、通信時間の短縮が期待できる。
図22は、本開示の第2の実施形態例に係る、給電時とQ値測定時で共振回路の構成(定数)の切り替えを行う送電装置(1次側)の内部構成例の要部を示すブロック図である。
この共振回路に、受電装置30Aに用いられている第3スイッチ40〜43,43´を接続するとともに、第3スイッチ40〜42をQ値測定回路20´と接続する。
本実施形態例では、給電時は第3スイッチをオフし、1次側コイル71と、キャパシタ72,73により共振回路を構成する(図23上)。
一方、Q値測定時は第3スイッチをオンし、1次側コイル71に並列なキャパシタ72に対して更にキャパシタ72´が並列に接続し、1次側コイル71に直列なキャパシタ73に対して更にキャパシタ73´が直列に接続する(図23下)。
第3スイッチ40〜43,43´がオフのとき、共振回路の共振周波数が121.6kHz、共振点での共振回路のインピーダンスが0.7Ω、Q値が50という結果が得られた。試算に用いた諸条件は、交流電圧の振幅が0.1V、共振回路の1次側コイル71の自己インダクタンスが14.3μH、実効抵抗成分r1の抵抗値が0.6Ω、キャパシタ72,73の静電容量値がそれぞれ10nF,110nFである。
キャパシタ72´,73´の静電容量値はそれぞれ15nF,10nFであり、その他の条件は、上記と同様である。
その上でさらに、給電時の共振回路の構成とQ値測定による金属異物検出時の共振回路の構成を各々で最適な構成(定数:静電容量値)にすることによって、給電性能を損なうことなく、金属異物の検出精度を向上させることができる。
また、第1の実施形態と同様、磁界共鳴方式に限定されるものではなく、結合係数kを高くしてQ値を低く抑えた電磁誘導方式にも適用可能である。
その場合、例えばコイルにタップ付きのコイルを適用し、メイン制御部23の制御の下、回路切替部により給電時とQ値測定時とでタップを切り替え、実質的に共振回路を構成するコイルを変更することで、共振回路のコイルの自己インダクタンスを変更する。あるいは、コイルそのものを他のコイルに切り替える構成としてもよい。
(第1例)
上述の第1及び第2の実施形態例では、Q値測定回路60(演算処理部47A)及びQ値測定回路20´(演算処理部23A)は、共振回路のコイルとキャパシタ間の電圧V1´、コイル両端の電圧V2からQ値を求めているが、本実施形態例では、半値幅法によりQ値を求める。
本実施形態例は、第1及び第2の実施形態例と異なり、演算処理部47A,23Aが、共振回路のインピーダンスの実部成分と虚部成分の比からQ値を計算する例である。本例では、自動平衡ブリッジ回路及びベクトル比検出器を用いてインピーダンスの実部成分と虚部成分を求める。
図26に示す自動平衡ブリッジ回路90は一般によく知られた反転増幅回路と同様の構成である。反転増幅器93の反転入力端子(−)にコイル92を接続し、非反転入力端子(+)をグラウンドに接続する。そして帰還抵抗素子94によって反転増幅器93の出力端子より反転入力端子(−)に負帰還をかける。また、コイル92に交流信号を入力する交流電源91の出力(電圧V1´)と、反転増幅器93の出力(電圧V2)をベクトル比検出器95に入力する。コイル92は、図16の2次側コイル31又は図22の1次側コイル71に対応する。
(1)
少なくともコイル及びキャパシタを含む共振回路と、
前記共振回路のQ値を測定する検知部と、
給電時とQ値測定時とで前記共振回路の回路構成を切り替える回路切替部と、
前記回路切替部による切り替えを制御する制御部と、を備える
検知装置。
(2)
前記検知部は、前記共振回路のQ値を測定して前記コイルと外部との電磁結合状態を検知する
前記(1)に記載の検知装置。
(3)
前記回路切替部は、給電時とQ値測定時とで前記共振回路の回路構成を切り替え、前記共振回路の共振周波数を変更する
前記(2)に記載の検知装置。
(4)
前記回路切替部は、給電時とQ値測定時とで前記共振回路の回路構成を切り替え、前記共振回路の共振周波数を変更し、かつ前記共振回路の共振周波数におけるインピーダンスを大きくする
前記(2)〜(3)に記載の検知装置。
(5)
前記回路切替部は、給電時とQ値測定時とで前記共振回路の回路構成を切り替え、前記共振回路の共振周波数におけるインピーダンスを大きくする
前記(2)〜(4)に記載の検知装置。
(6)
前記回路切替部は、Q値測定時に前記共振回路の静電容量成分の静電容量値を変更する
前記(3)〜(5)に記載の検知装置。
(7)
前記回路切替部は、Q値測定時に前記共振回路の前記コイルと並列及び直列の静電容量成分の静電容量値を変更する
前記(3)〜(6)に記載の検知装置。
(8)
前記回路切替部は、Q値測定時に前記共振回路の前記コイルと並列の静電容量成分の静電容量値を変更する
前記(3)〜(6)に記載の検知装置。
(9)
前記回路切替部は、Q値測定時に前記共振回路の前記コイルと直列の静電容量成分の静電容量値を変更する
前記(3)〜(6)に記載の検知装置。
(10)
前記回路切替部は、Q値測定時に前記コイルと並列の静電容量成分の静電容量値を増加させる
前記(7),(8)に記載の検知装置。
(11)
前記回路切替部は、Q値測定時に前記コイルと直列の静電容量成分の静電容量値を減少させる
前記(7),(9)に記載の検知装置。
(12)
前記回路切替部は、Q値測定時に前記共振回路の前記コイルの自己インダクタンスを切り替える
前記(3)〜(11)に記載の検知装置。
(13)
前記コイルはタップ付きコイルであり、
前記回路切替部は、前記タップ付きコイルのタップを切り替える
前記(12)に記載の検知装置。
(14)
前記共振回路は、前記コイルに対してキャパシタが直列に接続している構成である
前記(1)〜(13)に記載の検知装置。
(15)
前記共振回路は、前記コイルに対してキャパシタが並列に接続している構成である
前記(1)〜(13)に記載の検知装置。
(16)
前記共振回路は、前記コイルに対して一のキャパシタが並列に接続した上で他のキャパシタが直列に接続している構成である
前記(1)〜(13)に記載の検知装置。
(17)
受電を行うコイルと、
少なくとも前記コイル及びキャパシタを含む共振回路と、
前記共振回路のQ値を測定する検知部と、
給電時とQ値測定時とで前記共振回路の回路構成を切り替える回路切替部と、
前記回路切替部による切り替えを制御する制御部と、を備える
受電装置。
(18)
送電を行うコイルと、
少なくとも前記コイル及びキャパシタを含む共振回路と、
前記共振回路のQ値を測定する検知部と、
給電時とQ値測定時とで前記共振回路の回路構成を切り替える回路切替部と、
前記回路切替部による切り替えを制御する制御部と、を備える
送電装置。
(19)
電力を無線により送電する送電装置と、該送電装置からの電力を受電する受電装置を含んで構成され、
前記送電装置又は前記受電装置のいずれかは、
送電又は受電に使用するコイル及びキャパシタを少なくとも含む共振回路と、
前記共振回路のQ値を測定する検知部と、
給電時とQ値測定時とで前記共振回路の回路構成を切り替える回路切替部と、
前記回路切替部による切り替えを制御する制御部と、を備える
非接触電力伝送システム。
(20)
非接触電力伝送システムを構成する送電装置又は受電装置が備える少なくともコイル及びキャパシタを含む共振回路に対し、Q値測定時に、前記共振回路の回路構成を給電時の回路構成から切り替えること、
前記共振回路の回路構成を切り替えた後の前記共振回路のQ値を測定すること、
を含む検知方法。
すなわち、上述した各実施形態の例は、本開示の好適な具体例であるため、技術的に好ましい種々の限定が付されている。しかしながら、本開示の技術範囲は、各説明において特に本開示を限定する旨の記載がない限り、これらの形態に限られるものではない。例えば、以下の説明で挙げる使用材料とその使用量、処理時間、処理順序および各パラメータの数値的条件等は好適例に過ぎず、また説明に用いた各図における寸法、形状および配置関係も概略的なものである。
Claims (20)
- 少なくともコイル及びキャパシタを含む共振回路と、
前記共振回路のQ値を測定する検知部と、
給電時とQ値測定時とで前記共振回路の回路構成を切り替える回路切替部と、
前記回路切替部による切り替えを制御する制御部と、を備える
検知装置。 - 前記検知部は、前記共振回路のQ値を測定して前記コイルと外部との電磁結合状態を検知する
請求項1に記載の検知装置。 - 前記回路切替部は、給電時とQ値測定時とで前記共振回路の回路構成を切り替え、前記共振回路の共振周波数を変更する
請求項2に記載の検知装置。 - 前記回路切替部は、給電時とQ値測定時とで前記共振回路の回路構成を切り替え、前記共振回路の共振周波数を変更し、かつ前記共振回路の共振周波数におけるインピーダンスを大きくする
請求項2に記載の検知装置。 - 前記回路切替部は、給電時とQ値測定時とで前記共振回路の回路構成を切り替え、前記共振回路の共振周波数におけるインピーダンスを大きくする
請求項2に記載の検知装置。 - 前記回路切替部は、Q値測定時に前記共振回路の静電容量成分の静電容量値を変更する
請求項3に記載の検知装置。 - 前記回路切替部は、Q値測定時に前記共振回路の前記コイルと並列及び直列の静電容量成分の静電容量値を変更する
請求項6に記載の検知装置。 - 前記回路切替部は、Q値測定時に前記共振回路の前記コイルと並列の静電容量成分の静電容量値を変更する
請求項6に記載の検知装置。 - 前記回路切替部は、Q値測定時に前記共振回路の前記コイルと直列の静電容量成分の静電容量値を変更する
請求項6に記載の検知装置。 - 前記回路切替部は、Q値測定時に前記コイルと並列の静電容量成分の静電容量値を大きくする
請求項7に記載の検知装置。 - 前記回路切替部は、Q値測定時に前記コイルと直列の静電容量成分の静電容量値を小さくする
請求項7に記載の検知装置。 - 前記回路切替部は、Q値測定時に前記共振回路の前記コイルの自己インダクタンスを切り替える
請求項6に記載の検知装置。 - 前記コイルはタップ付きコイルであり、
前記回路切替部は、前記タップ付きコイルのタップを切り替える
請求項12に記載の検知装置。 - 前記共振回路は、前記コイルに対してキャパシタが直列に接続している構成である
請求項6に記載の検知装置。 - 前記共振回路は、前記コイルに対してキャパシタが並列に接続している構成である
請求項6に記載の検知装置。 - 前記共振回路は、前記コイルに対して一のキャパシタが並列に接続した上で他のキャパシタが直列に接続している構成である
請求項6に記載の検知装置。 - 受電を行うコイルと、
少なくとも前記コイル及びキャパシタを含む共振回路と、
前記共振回路のQ値を測定する検知部と、
給電時とQ値測定時とで前記共振回路の回路構成を切り替える回路切替部と、
前記回路切替部による切り替えを制御する制御部と、を備える
受電装置。 - 送電を行うコイルと、
少なくとも前記コイル及びキャパシタを含む共振回路と、
前記共振回路のQ値を測定する検知部と、
給電時とQ値測定時とで前記共振回路の回路構成を切り替える回路切替部と、
前記回路切替部による切り替えを制御する制御部と、を備える
送電装置。 - 電力を無線により送電する送電装置と、該送電装置からの電力を受電する受電装置を含んで構成され、
前記送電装置又は前記受電装置のいずれかは、
送電又は受電に使用するコイル及びキャパシタを少なくとも含む共振回路と、
前記共振回路のQ値を測定する検知部と、
給電時とQ値測定時とで前記共振回路の回路構成を切り替える回路切替部と、
前記回路切替部による切り替えを制御する制御部と、を備える
非接触電力伝送システム。 - 非接触電力伝送システムを構成する送電装置又は受電装置が備える少なくともコイル及びキャパシタを含む共振回路に対し、Q値測定時に、前記共振回路の回路構成を給電時の回路構成から切り替えること、
前記共振回路の回路構成を切り替えた後に前記共振回路のQ値を測定すること、
を含む検知方法。
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