JP2013015331A - Tftアレイ検査装置およびtftアレイ検査方法 - Google Patents
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Abstract
【解決手段】TFT基板のピクセルに対して所定電圧の検査信号を印加してアレイを駆動し、ピクセル上に荷電ビームを照射して走査して検出される検出信号に基づいて行うTFT基板のアレイの検査において、一ピクセルから取得した複数のサンプリング点の信号強度を用いて当該ピクセルを代表する代表信号強度を求め、この代表信号強度に基づいて当該ピクセルに対応するアレイの欠陥検出を行うものであり、各ピクセルのサンプリング点の分布において、分布の偏りと反対方向の解像度が低いサンプリング点側の領域に補間データ点を定め、補間データ点を設定し信号強度を算出することによって、欠陥検出に用いる信号強度を算出するデータ点数をサンプリング点の点数よりも増やし、解像度の低下および欠陥検出の検出精度の低下を抑制する。
【選択図】図8
Description
本願発明のTFTアレイ検査方法の態様は、TFT基板のピクセルに対して所定電圧の検査信号を印加してアレイを駆動し、前記ピクセル上に荷電ビームを照射して走査し、当該荷電ビーム走査で検出される検出信号に基づいてTFT基板のアレイを検査するTFTアレイ検査方法において、荷電ビームの照射によってピクセル毎に複数のサンプリング点の信号強度を検出する信号強度検出工程と、各ピクセルに補間データ点を定め、当該補間データ点の信号強度を前記サンプリング点の信号強度を用いて補間処理により求め、前記サンプリング点のデータ点に加えて前記補間データ点のデータ点を増加するデータ点増加工程と、増加したデータ点の中から、当該ピクセルの中心近傍にあって少なくとも前記補間データ点を含むデータ点を選択するデータ点選択工程と、選択したデータ点の信号強度を用いて当該ピクセルを代表する代表信号強度を算出する代表信号強度算出工程と、算出した代表信号強度に基づいて当該ピクセルの欠陥を判定する欠陥検出工程とを備える。
本願発明のTFTアレイ検査方法の態様は、TFT基板のピクセルに対して所定電圧の検査信号を印加してアレイを駆動し、ピクセル上に荷電ビームを照射して走査し、当該荷電ビーム走査で検出される検出信号に基づいてTFT基板のアレイを検査するTFTアレイ検査装置において、荷電ビームの照射によってピクセル毎に複数のサンプリング点の信号強度を検出する信号強度検出部と、各ピクセルに補間データ点を定め、当該補間データ点の信号強度を前記サンプリング点の信号強度を用いて補間処理により求め、サンプリング点のデータ点に加えて補間データ点のデータ点を増加するデータ点増加部と、増加したデータ点の中から、当該ピクセルの中心近傍にあって少なくとも補間データ点を含むデータ点を選択するデータ点選択部と、選択したデータ点の信号強度を用いて当該ピクセルを代表する代表信号強度を算出する代表信号強度算出部と、代表信号強度に基づいて当該ピクセルの欠陥を判定する欠陥検出部程とを備える。
図1(a)は基板上のピクセル100への電子線等の荷電ビームを照射して二次電子等の検出信号を取得するサンプリング点101を示している。図示する例は、一ピクセルに対してx方向に4点、y方向に3点の合計12点のサンプリング点101を取得する例を示している。
データ点を増加する第1の形態は、各ピクセル内のサンプリング点の当該ピクセルに対する分布の偏りを求め、求めたサンプリング点の分布の偏りに基づいて、分布の偏りと反対方向のサンプリング点側を求め、当該サンプリング点側の領域に補間データ点を定める。補間処理は、分布の偏り方向に対して補間データ点を挟む2点のサンプリング点の信号強度の平均値を求め、求めた平均値を補間データ点の信号強度とする。
第2の形態では、各ピクセル内に仮想的な基準データ点を定め、当該基準データ点を補間データ点として定めて記憶しておく。補間処理は、記憶する各補間データ点の近傍にあるサンプリング点を求め、補間データ点と求めたサンプリング点の位置データに基づいて距離を求め、求めた距離に基づいてサンプリング点の信号強度を内挿補間し、得られた信号強度を補間データ点の信号強度とする。
信号強度検出部11は、検出器4の検出信号に基づいて基板上の各ピクセルにおけるサンプリング点の信号強度を検出する(S1)。
2 ステージ
3 電子銃
4 検出器
5 電子線走査制御部
6 ステージ駆動制御部
7 制御部
10 信号処理部
11 信号強度検出部
12 記憶部
13 信号強度処理部
13a データ点増加部
13a1 補間データ点設定部
13a2 補間処理部
13b データ点選択部
13c 代表信号強度算出部
14 欠陥検出部
100 ピクセル
101 サンプリング点
102 選択領域
103 領域
104 補間データ点
105 代表点
106 基準データ点
110 基板
111 パネル
Claims (6)
- TFT基板のピクセルに対して所定電圧の検査信号を印加してアレイを駆動し、前記ピクセル上に荷電ビームを照射して走査し、当該荷電ビーム走査で検出される検出信号に基づいてTFT基板のアレイを検査するTFTアレイ検査方法において、
前記荷電ビームの照射によってピクセル毎に複数のサンプリング点の信号強度を検出する信号強度検出工程と、
各ピクセルに補間データ点を定め、当該補間データ点の信号強度を前記サンプリング点の信号強度を用いて補間処理により求め、前記サンプリング点のデータ点に加えて前記補間データ点のデータ点を増加するデータ点増加工程と、
前記増加したデータ点の中から、当該ピクセルの中心近傍にあって少なくとも前記補間データ点を含むデータ点を選択するデータ点選択工程と、
前記選択したデータ点の信号強度を用いて当該ピクセルを代表する代表信号強度を算出する代表信号強度算出工程と、
前記代表信号強度に基づいて当該ピクセルの欠陥を判定する欠陥検出工程とを備え、
前記データ点増加工程と前記データ点選択工程と前記代表信号強度算出工程と前記欠陥検出工程をTFT基板のピクセルについて行い、前記欠陥検出工程で欠陥検出されたピクセルに対応するアレイを欠陥アレイとして検出することを特徴とする、TFTアレイ検査方法。 - 前記データ点増加工程は、
各ピクセル内のサンプリング点の当該ピクセルに対する分布の偏りを求め、求めたサンプリング点の分布の偏りと反対方向のサンプリング点側の領域に補間データ点を定め、
前記補間処理は、前記サンプリング点の分布の偏り方向に対して前記補間データ点を挟む2点のサンプリング点の信号強度の平均値を求め、求めた平均値を補間データ点の信号強度とすることを特徴とする、請求項1に記載のTFTアレイ検査方法。 - 前記データ点増加工程は、
各ピクセル内に仮想的な基準データ点を定め、当該基準データ点を補間データ点として定めて記憶しておき、
前記補間処理は、前記記憶する各補間データ点の近傍にあるサンプリング点を求め、補間データ点と求めたサンプリング点の位置データに基づいて距離を求め、求めた距離に基づいてサンプリング点の信号強度を内挿補間し、得られた信号強度を補間データ点の信号強度とすることを特徴とする、請求項1に記載のTFTアレイ検査方法。 - TFT基板のピクセルに対して所定電圧の検査信号を印加してアレイを駆動し、前記ピクセル上に荷電ビームを照射して走査し、当該荷電ビーム走査で検出される検出信号に基づいてTFT基板のアレイを検査するTFTアレイ検査装置において、
前記荷電ビームの照射によってピクセル毎に複数のサンプリング点の信号強度を検出する信号強度検出部と、
各ピクセルに補間データ点を定め、当該補間データ点の信号強度を前記サンプリング点の信号強度を用いて補間処理により求め、前記サンプリング点のデータ点に加えて前記補間データ点のデータ点を増加するデータ点増加部と、
前記増加したデータ点の中から、当該ピクセルの中心近傍にあって少なくとも前記補間データ点を含むデータ点を選択するデータ点選択部と、
前記選択したデータ点の信号強度を用いて当該ピクセルを代表する代表信号強度を算出する代表信号強度算出部と、
前記代表信号強度に基づいて当該ピクセルの欠陥を判定する欠陥検出部とを備え、
前記データ点増加部と前記データ点選択部と前記代表信号強度算出部と前記欠陥検出部は、前記信号強度検出部で検出したピクセル毎の複数のサンプリング点の信号強度について行い、前記欠陥検出部で欠陥検出されたピクセルに対応するアレイを欠陥アレイとして検出することを特徴とする、TFTアレイ検査装置。 - 前記データ点増加部は、
補間データ点を定める補間データ設定部と、
補間データ点の信号強度を求める補間処理部とを備え、
前記補間データ設定部は、各ピクセル内のサンプリング点の当該ピクセルに対する分布の偏りを求め、求めたサンプリング点の分布の偏りと反対方向のサンプリング点側の領域に補間データ点を定め、
前記補間処理部は、前記サンプリング点の分布の偏り方向に対して前記補間データ点を挟む2点のサンプリング点の信号強度の平均値を求め、求めた平均値を補間データ点の信号強度とすることを特徴とする、請求項4に記載のTFTアレイ検査装置。 - 前記データ点増加部は、
補間データ点を定める補間データ設定部と、
補間データ点の信号強度を求める補間処理部とを備え、
前記補間データ設定部は、各ピクセル内に仮想的な基準データ点を定め、当該基準データ点を補間データ点として記憶し、
前記補間処理部は、前記補間データ設定部が記憶する各補間データ点の近傍にあるサンプリング点を求め、求めたサンプリング点と前記補間データ点の位置データ、および当該サンプリング点の信号強度に基づいて信号強度を内挿補間し、内挿補間で得られた信号強度を補間データ点の信号強度とすることを特徴とする、請求項4に記載のTFTアレイ検査装置。
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JP2002323463A (ja) * | 2001-04-26 | 2002-11-08 | Shimadzu Corp | 電子線分析装置 |
JP2007333584A (ja) * | 2006-06-15 | 2007-12-27 | Shimadzu Corp | Tftアレイ検査装置およびtftアレイ検査方法 |
JP2008089476A (ja) * | 2006-10-03 | 2008-04-17 | Shimadzu Corp | Tftアレイ検査における電子線走査方法 |
JP2010107423A (ja) * | 2008-10-31 | 2010-05-13 | Shimadzu Corp | Tftアレイ検査装置および画素の信号強度計算方法 |
JP2010271237A (ja) * | 2009-05-22 | 2010-12-02 | Shimadzu Corp | Tftアレイの検査方法、およびtftアレイの検査装置 |
JP2011209217A (ja) * | 2010-03-30 | 2011-10-20 | Shimadzu Corp | Tftアレイ検査方法 |
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Patent Citations (6)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP2002323463A (ja) * | 2001-04-26 | 2002-11-08 | Shimadzu Corp | 電子線分析装置 |
JP2007333584A (ja) * | 2006-06-15 | 2007-12-27 | Shimadzu Corp | Tftアレイ検査装置およびtftアレイ検査方法 |
JP2008089476A (ja) * | 2006-10-03 | 2008-04-17 | Shimadzu Corp | Tftアレイ検査における電子線走査方法 |
JP2010107423A (ja) * | 2008-10-31 | 2010-05-13 | Shimadzu Corp | Tftアレイ検査装置および画素の信号強度計算方法 |
JP2010271237A (ja) * | 2009-05-22 | 2010-12-02 | Shimadzu Corp | Tftアレイの検査方法、およびtftアレイの検査装置 |
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