JP2010281688A - Ｔｆｔアレイ検査装置およびピクセル座標位置決定方法 - Google Patents

Abstract

【課題】二次電子イメージにおいてピクセルの座標位置を位置ずれすることなく求める。
【解決手段】本発明のＴＦＴアレイ検査装置は、電子線を基板に形成されるパネル上を走査して得られる二次電子を検出することによりパネルのＴＦＴアレイを検査するＴＦＴアレイ検査装置において、基板に複数の電子線を照射する複数の電子銃と、各電子線の走査で得られる複数の二次電子を検出する複数の検出器と、パネルのＴＦＴアレイに検査信号を印加して、パネル上に所定パターンの電位分布を形成する検査信号印加手段と、複数の検出器の検出信号から複数の二次電子イメージを求め、この二次電子イメージに基づいてパネルの各ピクセルの欠陥を検出する信号処理部とを備える。
【選択図】図１

Description

本発明はＴＦＴアレイ基板等のアレイ検査に関し、特に、パネルのピクセルの座標位置の決定に関する。

ＴＦＴアレイ基板の電気的検査において、非接触で試料の電位を測定する技術として電位コントラストを用いた検査方法が知られている。この電位コントラストによれば、試料に電子線を照射することにより試料表面から放出される２次電子のエネルギーを測定することにより試料の電位を測定することができる。

このＴＦＴアレイ検査装置では、液晶ディスプレイや有機ＥＬディスプレイなどに使われるＴＦＴアレイ基板に所定パターンの検査信号を印加して所定の電位状態とし、この基板に電子線を照射してＴＦＴ基板から発生する２次電子を検出し、２次電子から得られる信号により基板のパネルに所定の電圧が印加されているかを測定し、その測定結果に基づいて短絡等のパネルの欠陥の判別を行う。このようなＴＦＴアレイ検査装置として、例えば、特許文献１が知られている。

上記ＴＦＴアレイ検査装置において、基板上の電子線走査は、電子銃から照射した電子線を例えばｘ方向に振ると共に、y方向に基板を移動させることによって行っている。この電子線の振りと基板の移動とによる走査において、大型基板を検査するにはｘ方向に複数の電子銃を配置する構成とし、各電子銃はｘ方向に短冊状に分割した複数のパスを単位として行っている。複数の電子銃を備える構成としては、例えば、特許文献１−４が知られている。

ＴＦＴアレイ検査では、電子線を基板上で走査することによって得られた二次電子イメージを元にして欠陥ピクセルを検出する。欠陥ピクセルは、当該ピクセルの基板上の座標位置を特定することで定められるため、二次電子イメージからピクセルの座標位置を求めることが必要となる。

一つの基板を複数の走査範囲に分け、各走査範囲にそれぞれ電子銃を設けると共に、各電子銃はそれぞれが分担する走査範囲を複数のパスに分割して走査するため、各走査で得られる二次電子イメージは、パス単位および電子銃単位となる。

基板上のピクセルを特定するには、これらパス単位および電子銃単位で得られた複数の二次電子イメージを合成し、得られた基板全体の二次電子イメージについてピクセルの座標位置を求める必要がある。

ピクセルの座標位置を求めるために、パス単位および電子銃単位で得られた二次電子イメージにおいて、はじめに二次電子イメージの先頭にあるピクセルについて基板に対する座標位置を特定し、この座標位置を基準としてピクセルの座標位置を求めることが行われる。

従来、この二次電子イメージの先頭にあるピクセルの基板に対する座標位置を特定するには、合成した二次電子イメージにおいて、パネルの先頭にあるピクセルを基準とし、このパネル先頭ピクセルから計算によって算出している。

図１１は従来の二次電子イメージからピクセルの座標位置を算出する方法を説明するための図である。

図１１に示す例は、２つの電子銃ＸnとＸn+1を備え、各電子銃はパス１〜パス４の４パスによって走査を行う場合を示している。ここでは、二次電子イメージとして、電子銃Ｘnのパス１とパス４の一部、および電子銃Ｘn+1のパス１の一部を示している。

ここで、電子銃Ｘnによる二次電子イメージ２００において、パス１の先頭にあるピクセルをパネル先頭ピクセル１０１とし、この座標位置［ｘ，ｙ］を基準座標として二次電子イメージ上のピクセルの座標位置を定める。各走査で得られるパス間二次電子イメージ２０１〜２０４，２１１〜２１４はパス単位および電子銃単位であるため、ピクセルの座標位置を特定するために、例えば、各二次電子イメージの先頭ピクセルの座標位置を基準座標に対して求める。

例えば、電子銃Ｘnのパス４で得られる二次電子イメージ２０４については、パス間先頭ピクセル１０４の座標位置［ｘ＋ｄ、ｙ］を、パネルのコーナーに位置するパネル先頭ピクセル１０１の座標位置［ｘ，ｙ］を基準として算出する。この算出では、例えば、各ピクセルのｘ方向の長さ、および各パスにおけるピクセルのｘ方向の個数等に基づいて、パス間先頭ピクセル１０４からのｘ方向の距離ｄを求め、この距離ｄをパネル先頭ピクセル１０１の座標位置ｘに加算することによって行う。

また、電子銃Ｘn+1のパス１で得られる二次電子イメージ２１１についても、パス間先頭ピクセルと同様にして、電子銃間先頭ピクセル１１１の座標位置［ｘ＋Ｄ、ｙ］を、パネル先頭ピクセル１０１の座標位置［ｘ，ｙ］を基準として算出する。

特開２００４−３２０５９７号公報 特開２００４−３０９４８８号公報 特開２００４−２７１５１６号公報 特開２００４−１２５５６４号公報

前記したように、ＴＦＴ基板のパス間先頭ピクセルの座標位置、および電子銃間先頭ピクセルの座標位置は、二次電子イメージのパネルコーナーにあるパネル先頭ピクセルから計算によって求めているため、実際に取得される二次電子イメージに基づくものではない。そのため、複数の二次電子イメージを合成して得られるイメージにおいて、各二次電子イメージがパス間や電子銃間で位置ずれがある場合や、二次電子イメージに揺らぎがある場合には、真の座標位置との間に位置ずれが生じるという問題がある。

このように、パス間先頭ピクセルや電子銃間先頭ピクセルの座標位置と真の座標位置との間にずれがある場合には、パス間先頭ピクセルや電子銃間先頭ピクセルの座標位置を元にして欠陥ピクセルの座標位置を求めると、欠陥ピクセルの座標位置にも位置ずれが生じるという問題がある。

そこで、本発明は上記課題を解決して、二次電子イメージにおいてピクセルの座標位置を位置ずれすることなく求めることを目的とする。

本発明は、複数の二次電子イメージにおいて、隣接する二次電子イメージの境界を連続化することによって、二次電子イメージに位置ずれが生じている場合であっても、この位置ずれを正し、ピクセルの座標位置を位置ずれすることなく求める。

本発明の二次電子イメージの連続化は、一つの電子銃が走査して得られる複数のパスの二次電子イメージに適用する他、各電子銃が走査する分割領域の二次電子イメージに適用することができる。

本発明の二次電子イメージの境界の連続化は、隣接するピクセルに異なる信号パターンを形成する所定の検査信号を基板に印加し、この検査信号を印加することで得られた二次電子イメージについて特定位置のピクセルの信号パターンを検出し、この信号パターンと、検査信号を印加することで想定される同じ位置のピクセルの信号パターンとを比較することで行い、両信号パターンが一致していない場合には、位置ずれが生じたものとして隣接するピクセルを真のピクセルとして定める。

なお、ここで云う連続化は、パス間で隣接する二次電子イメージや、電子銃間で隣接する二次電子イメージにおいて、境界位置において位置ずれによって不連続となっているピクセルについて、位置ずれしたピクセルを移動させることでピクセルの不連続性を解消することを意味している。

本発明は、ＴＦＴアレイ検査装置とピクセル座標位置決定方法の二つの態様とすることができる。

本発明のＴＦＴアレイ検査装置の態様は、電子線を基板に形成されるパネル上を走査して得られる二次電子を検出することによりパネルのＴＦＴアレイを検査するＴＦＴアレイ検査装置において、基板に複数の電子線を照射する複数の電子銃と、各電子線の走査で得られる複数の二次電子を検出する複数の検出器と、パネルのＴＦＴアレイに検査信号を印加して、パネル上に所定パターンの電位分布を形成する検査信号印加手段と、複数の検出器の検出信号から複数の二次電子イメージを求め、当該二次電子イメージに基づいてパネルの各ピクセルの欠陥を検出する信号処理部とを備える。

信号処理部は、連続化処理部によって複数の二次電子イメージにおいて、隣接する二次電子イメージの境界を連続化する。

電子イメージの境界の連続化において、一形態は隣接する電子銃による二次電子イメージを連続化し、他の形態は隣接するパスによる二次電子イメージを連続化する。

隣接する電子銃による二次電子イメージを連続化する形態は、各電子銃はパネルを分割した領域を走査し、連続化処理部は、各分割領域で得られる二次電子イメージにおいて、隣接する分割領域の二次電子イメージの境界を連続化する。

隣接するパスによる二次電子イメージを連続化する形態は、各電子銃は各走査領域を複数のパスで分割して走査し、連続化処理部は、各パスで得られる二次電子イメージにおいて、隣接するパスの二次電子イメージの境界を連続化する。

また、上記二つの形態を有する形態とすることができ、各電子銃は、パネルを分割して走査すると共に、各走査領域を複数のパスで分割して走査し、連続化処理部は、各パスで得られる二次電子イメージにおいて、隣接するパスの二次電子イメージの境界を連続化し、各分割領域で得られる二次電子イメージにおいて、隣接する分割領域の二次電子イメージの境界を連続化する。

連続化処理部は、二次電子イメージの端部位置にあるピクセルの信号パターンと、パネルの端部からピクセルサイズに基づいて算出した前記端部位置に対応するピクセルの信号パターンとを比較し、両者の信号パターンが不一致である場合には、二次電子イメージを一ピクセル分ずらすことによって、隣接する二次電子イメージの境界を連続化する。

検査信号印加手段が印加する検査信号は、パネル上に格子状パターンの電位分布を形成する信号パターンとすることができる。

本発明のピクセル座標位置決定方法の態様は、ＴＦＴアレイパネルが備えるピクセルについて、このピクセルの基板に対する座標位置を決定する方法であり、基板上において分割した各領域において電子線を走査し、電子線の走査で得られる複数の二次電子を検出して、各領域についてそれぞれ二次電子イメージを求め、複数の二次電子イメージについて隣接する二次電子イメージの境界を連続化する処理を行い、連続化処理した二次電子イメージのピクセルの座標位置を、このパネルのピクセルの座標位置として定める。

連続化処理は、二次電子イメージの端部位置にあるピクセルの信号パターンと、パネルの端部からピクセルサイズに基づいて算出した前記端部位置に対応するピクセルの信号パターンとを比較し、両者の信号パターンが不一致である場合には、二次電子イメージを一ピクセル分ずらすことによって、隣接する二次電子イメージの境界を連続化する。

信号パターンは格子状のパターンとすることができ、この場合には、パネルのＴＦＴアレイに、パネル上に格子状パターンの電位分布を形成する信号パターンの検査信号を印加して、パネル上に格子状パターンの電位分布を形成し、格子状パターンの電位分布を形成した基板の各領域において、電子線を走査して二次電子イメージを求める。

本発明の態様によれば、複数のパスからなる二次電子イメージのパス間を連続化することができ、また、複数の電子銃による二次電子イメージの電子銃間を連続化することができる。

本発明の態様によれば、複数のパスからなる二次電子イメージがｙ方向にずれた場合であっても位置精度に影響を与えることがない。

本発明の態様によれば、パネルの端部の自動検出が可能となるため、パネルコーナーのマニュアルによる入力を不要とすることができる。

本発明によれば、二次電子イメージにおいてピクセルの座標位置を位置ずれすることなく求めることができる。

本発明のＴＦＴアレイ検査装置の構成を説明するための概略図である。 本発明のデータ処理の流れを説明するための動作説明図である。 パス間の二次電子イメージの関係および電子銃間の二次電子イメージの関係を説明するための図である。 二次電子イメージを連続化する処理を説明するためのフローチャートである。 隣接する二次電子イメージの位置関係を説明するための図である。 隣接する二次電子イメージの位置関係を説明するための図である。 隣接する二次電子イメージの位置関係を説明するための図である。 隣接する二次電子イメージの位置関係を説明するための図である。 パネルのゲート線とソース線の関係を説明するための図である。 格子状の電位分布を形成する検査信号の例である。 従来の二次電子イメージからピクセルの座標位置を算出する方法を説明するための図である。

以下、本発明の実施の形態について、図を参照しながら詳細に説明する。

図１は本発明のＴＦＴアレイ検査装置の構成を説明するための概略図である。
図１において、ＴＦＴアレイ検査装置１は、複数の電子線源６からそれぞれ電子線を基板１０上のパネル（図示していない）に照射し、パネルから放出された二次電子を複数の二次電子検出器７で検出することによってＴＦＴアレイの欠陥検出を行う検査装置の一構成例を示している。

基板１０はＸＹステージ５上に載置され、Ｘ方向およびＹ方向に移動自在としている。走査制御回路３は、このＸＹステージ５のＸ／Ｙ方向の移動と、複数の電子線源６から照射される電子線の偏向をそれぞれ制御することによって電子線を基板上で走査させ、パネル全面に電子線を照射する。なお、走査制御回路３は、ＴＦＴアレイ検査装置１の装置全体を制御する検査制御回路２によって制御される。

ＴＦＴアレイの欠陥を検出する際には、基板１０のパネルのＴＦＴアレイに検査信号を印加してパネル上に所定パターンの電位状態を形成し、この電位状態を電子線を走査することによって検出する。検査信号印加回路４は、検査信号をＴＦＴアレイに印加する。検査信号は、ＴＦＴアレイの検出する欠陥種に応じた信号パターンを有している。

本発明のＴＦＴアレイ検査装置１は信号処理部８を備え、二次電子検出器７で検出した検出信号を入力して、ＴＦＴアレイの欠陥を検出する信号処理を行う。

図１に示す信号処理部８は一回路例を示している。信号処理部８は、二次電子検出器７で検出した検出信号を入力して検出データを形成する検出回路８ａ、検出データをパネルのピクセルに割り付ける割り付け部８ｂ、検出データを正規化する正規化部８ｃ、パス単位で形成される二次電子イメージ間の連続化、および電子銃単位で形成される二次電子イメージ間の連続化を行って、ピクセルの位置ずれを補正する連続化処理部８ｄ、連続化したパスの二次電子イメージおよび電子銃の二次電子イメージを合成して、パネル全体の二次電子イメージを形成するデータ合成部８ｅ、および、二次電子イメージから欠陥ピクセルを検出する欠陥ピクセル検出部８ｆを備える。

正規化部８ｃは、検出回路８ａで検出した検出データをそのまま使用して正規化データを形成する他、検出回路８ａで検出した検出データをパネルの各ピクセルに割り付けて、各ピクセルを代表する検出データを求め、この各ピクセルに割り付けられた検出データから正規化データを形成してもよい。

欠陥ピクセル検出部８ｆは、ＴＦＴアレイの欠陥を検出する構成であり、正規化した信号強度を正常なピクセルで得られるしきい値と比較し、比較結果に基づいて欠陥ピクセルを検出する。

信号処理部８において欠陥ピクセルを特定する場合には、割り付け部８ｃによって各ピクセルに割り付けられた検出データを正規化部８ｃで正規化し、正規化したデータを連続化処理部８ｄでピクセルの位置ずれを補正し、データ合成部８ｅで合成して一パネルに相当する二次電子イメージのデータを形成し、欠陥ピクセル検出部８ｆで検出データをしきい値と比較して欠陥ピクセルを抽出する。

なお、信号処理部８の各構成８ａ〜８ｆは、本発明のＴＦＴアレイ検査による機能を説明するために示したものであり、必ずしもこれらの機能を実現する個別の構成部を有するものではなく、ＣＰＵやメモリ等で構成される回路と各機能を実行させるソフトによって構成してもよい。

図２の動作説明図を用いて本発明におけるデータ処理の流れを説明する。
はじめに、基板のパネル上を電子線で走査して二次電子を検出して、検出のデータを取得する。この検出データは、パネル上において電子線が照射された点での電位状態を表している。この検出データは二次電子検出器毎に検出される。図２に示す３個の生データは、３つの電子線源で電子線を照射し、３つの二次電子検出器で二次電子をそれぞれ検出して検出データとし、この検出データを生データとして、割り付け、正規化、連続化、および合成化を行うことによって、基板のパネル全面の二次電子イメージの検出データが形成される。

図２において、３個の生データは、基板の左方に配置した電子線源および二次電子検出器によって検出される走査領域から検出される検出データと、基板の中央に配置した電子線源および二次電子検出器によって検出される走査領域から検出される検出データと、基板の右方に配置した電子線源および二次電子検出器によって検出される走査領域から検出される検出データを示している。

上記した電子線の照射点は、パネルのピクセルに対して一対一に対応するものではなく、例えば一ピクセルに対して複数の照射点を対応させることで検出精度を高める場合がある。そこで、複数の照射点で得られる検出データ（生データ）を各ピクセルに対応付ける。この検出データ（生データ）のピクセルへの対応付けを割り付け処理という。図２では、割り付け処理によって、４個の検出データ（生データ）を一つのピクセルに対応付けしている(S2)。

次に、ピクセルに割り付けられた検出データの信号強度を正規化して、各ピクセルを代表する信号強度を求める。正規化することによって、基板種やスキャン条件が変化することによる信号強度の変動を除去することができる。

次に、パス間の二次電子イメージを連続化し、さらに、電子銃間の二次電子イメージを連続化して、二次電子イメージとピクセルの位置ずれを補正し、これらの二次電子イメージを合成して一つのパネルの二次電子イメージを形成する。連続化し合成化して得られた二次電子イメージに基づいて欠陥検出を行う。

以下、二次電子イメージの連続化について、図３〜図８を用いて説明する。図３はパス間の二次電子イメージの関係および電子銃間の二次電子イメージの関係を説明するための図であり、図４は二次電子イメージを連続化する処理を説明するためのフローチャートであり、図５〜図８は隣接する二次電子イメージの位置関係を説明するための図である。

図３に示す例は、図１１で示した例と同様に、２つの電子銃ＸnとＸn+1を備え、各電子銃はパス１〜パス４の４パスによって走査を行う場合を示している。ここでは、二次電子イメージとして、電子銃Ｘnのパス１とパス４の一部、および電子銃Ｘn+1のパス１の一部を示している。

ここで、電子銃Ｘnによるパネル二次電子イメージ２００において、パス１の先頭にあるピクセルをパネル先頭ピクセル１０１とし、この座標位置［ｘ，ｙ］を基準座標として二次電子イメージ上のピクセルの座標位置を定める。

電子銃Ｘnはパス１〜パス４によって、電子銃Ｘnに割り当てられた領域を走査して、４つのパス間二次電子イメージ２０１〜２０４を取得する。一方、電子銃Ｘn+1はパス１〜パス４によって、電子銃Ｘn+1に割り当てられた領域を走査して、４つのパス間二次電子イメージ２１１〜２１４を取得する。パネルの全二次電子イメージは、これら８つのパス間二次電子２０１〜２１４を連続化し合成化することによって求めることができる。

各走査で得られるパス間二次電子イメージ２０１〜２０４，２１１〜２１４はパス単位および電子銃単位であるため、ピクセルの座標位置を特定するために、図１１の例と同様に、各二次電子イメージの先頭ピクセルの座標位置を基準座標に対して求める。

図３では、電子銃Ｘnのパス１のパス間二次電子イメージ２０１の先頭ピクセルをパネル先頭ピクセル１０１とし、同じく電子銃Ｘnのパス４のパス間二次電子イメージ２０４の先頭ピクセルをパス間先頭ピクセル１０４とし、電子銃Ｘn+1のパス１のパス間二次電子イメージ２１１の先頭ピクセルを電子銃間先頭ピクセル１１１としている。

電子銃Ｘnの二次電子イメージにおいて、パス間二次電子イメージ２０１と２０２との境界はパス境界３０１を形成し、パス間二次電子イメージ２０２と２０３との境界はパス境界３０２を形成し、パス間二次電子イメージ２０３と２０４との境界はパス境界３０３を形成している。また、電子銃Ｘnのパス４のパス間二次電子イメージ２０４と電子銃Ｘn+1のパス１のパス間二次電子イメージ２１１との境界は電子銃境界４０１を形成している。

本発明の連続化処理は、隣接するパスの二次電子イメージ間において、パス間先頭ピクセルの信号パターンを用いて二次電子イメージに位置ずれが生じているか否かを判定し、位置ずれがある場合には、二次電子イメージを一ピクセル分ずらして、二次電子イメージから実測された位置と設計上で設定された位置とを一致させる。

図４に示すフローチャートにおいて、パネル先頭位置のピクセル１０１の信号パターンを検出する。なお、図４のフローチャートは、パス間の二次電子イメージを連続化する例を示しているが、電子銃間の二次電子イメージの連続化についても同様とすることができる。

また、ここでは、信号パターンとして、便宜上、二次電子イメージの信号強度を表示した際のピクセルの色によって表している。なお、この色は必ずしも表示色を表すものではなく表示濃度でもよく、ピクセルの信号強度を便宜上表すものである。

例えば、二次電子イメージから求めたピクセルの色において、パネル先頭位置のピクセル１０１の色をPCoで表し、パス間先頭位置のピクセル１０４の色をPCiで表し、基準位置に基づいて設計上で設定されたパス間先頭位置のピクセル１０４の色をPCthで表している。

はじめに、パネル先頭位置のピクセル１０１の色PCoを検出し（S1）、二次電子イメージからパス間先頭位置のピクセル１０４の色PCiを検出する（S2）。

また、検出したパネル先頭位置のピクセル１０１の色PCoを用いて、設計上において設定されるパス間先頭位置のピクセル１０４の色PCthを算出する。この色PCthは、パネル先頭位置のピクセル１０１とパス間先頭位置のピクセル１０４との位置関係から算出することができる。例えば、基準となるピクセル１０１からピクセル１０４までのピクセル数を求め、このピクセル数分に相当する信号パターンの変化を換算することによって求めることができる。一例として、信号パターンが格子状パターンである場合には、色は交互に現れるため、ピクセル１０１からピクセル１０４までのピクセル数が奇数か偶数かによってパス間先頭位置のピクセル１０４の色PCthを求めることができる(S3)。

パス間先頭位置のピクセルについて、S2の工程で検出した色PCiとS3の工程で算出した色PCthとを比較する(S4)。

S4の比較工程において、色PCiと色PCthとが一致した場合には、二次電子イメージから実測されるピクセル位置と設計上で定められるピクセル位置とが一致していることを表している。これは、例えば、信号パターンが格子状パターンのように隣接するピクセルの信号パターンが交互に異なる場合において位置ずれ量が２ピクセル分を超えない場合には、位置ずれがない場合には色PCiと色PCthとは一致し、１ピクセル分だけ位置ずれした場合には色PCiと色PCthとが不一致するからである。

なお、位置ずれ量が２ピクセル分を超えなる場合には、２ピクセル以上の違いを識別できる信号パターンを用いることによって対応することができる。

S4の工程において、色PCiと色PCthとの一致によって、二次電子イメージから実測されるピクセル位置と設計上で定められるピクセル位置とが一致していることが確認された場合には、このパス間先頭位置のピクセル１０４をパス間先頭位置とする。

図５は、位置ずれがなく、二次電子イメージから実測されるピクセル位置と設計上で定められるピクセル位置とが一致している場合を示している。

図５（ａ）は、電子銃境界４０１における設計上から算出される信号パターンを示している。パス間先頭位置のピクセル１０４の色PCthは、パネル先頭位置のピクセル１０１の色PCoから設計上のデータに基づいて算出される。ここでは、例えば、色PCthは白色で示している。

図５（ｂ）は、位置ずれがない場合に検出される二次電子イメージを示し、電子銃Ｘnのパス４の二次電子イメージは左方の破線で示し、電子銃Ｘn+1のパス１の二次電子イメージは右方の実線で示している。

ここで、電子銃Ｘn+1のパス１の二次電子イメージにおいてパス間先頭位置のピクセル１０４の色PCiは白色であり、二次電子イメージから実測されるピクセル位置と設計上で定められるピクセル位置とが一致していることを示している(S5)。

S4の工程において、色PCiと色PCthとが一致しない場合には、そのピクセルの重心位置に基づいて、隣接するピクセルの内の何れか一方のピクセルを選択して採用する(S6)。

S6の工程において、ピクセルの重心位置間の位置関係を判定し、二次電子イメージから実測したピクセルの重心位置が設計上で定められるピクセル位置よりも右方（電子銃Ｘn+1側）にある場合には、二次電子イメージが右方（電子銃Ｘn+1側）に位置ずれしたものと判定して、当該ピクセルに対して左方（電子銃Ｘn側）のピクセルを該当するピクセルとして採用する。

図６は、右方（電子銃Ｘn+1側）に位置ずれし、二次電子イメージから実測されるピクセル位置が設計上で定められるピクセル位置よりも右方（電子銃Ｘn+1側）にずれた場合を示している。

図６（ａ）は、図５（ａ）と同様に、電子銃境界４０１における設計上から算出される信号パターンを示している。パス間先頭位置のピクセル１０４の色PCthは、パネル先頭位置のピクセル１０１の色PCoから設計上のデータに基づいて算出される。ここでは、例えば、色PCthは白色で示している。

図６（ｂ），（ｃ）は、右方（電子銃Ｘn+1側）に位置ずれした場合に検出される二次電子イメージを示し、電子銃Ｘnのパス４の二次電子イメージは左方の破線で示し、電子銃Ｘn+1のパス１の二次電子イメージは右方の実線で示している。電子銃Ｘn+1のパス１の二次電子イメージは、電子銃境界４０１を超えて右方に位置ずれし、色PCiと色PCthとは一致しない。なお、図６（ｃ）は電子銃Ｘn側の二次電子イメージと電子銃Ｘn+1の二次電子イメージを示している。この場合には２つの二次電子イメージは連続性を保持することができない(S7)。

一方、S6の工程において、ピクセルの重心位置間の位置関係を判定し、二次電子イメージから実測したピクセルの重心位置が設計上で定められるピクセル位置よりも左方（電子銃Ｘn側）にある場合には、二次電子イメージが左方（電子銃Ｘn側）に位置ずれしたものと判定して、当該ピクセルに対して右方（電子銃Ｘn+1側）のピクセルを該当するピクセルとして採用する。

図７は、左方（電子銃Ｘn側）に位置ずれし、二次電子イメージから実測されるピクセル位置が設計上で定められるピクセル位置よりも左方（電子銃Ｘn側）にずれた場合を示している。

図７（ａ）は、図５（ａ）と同様に、電子銃境界４０１における設計上から算出される信号パターンを示している。パス間先頭位置のピクセル１０４の色PCthは、パネル先頭位置のピクセル１０１の色PCoから設計上のデータに基づいて算出される。ここでは、例えば、色PCthは白色で示している。

図７（ｂ），（ｃ）は、左方（電子銃Ｘn側）に位置ずれした場合に検出される二次電子イメージを示し、電子銃Ｘnのパス４の二次電子イメージは左方の破線で示し、電子銃Ｘn+1のパス１の二次電子イメージは右方の実線で示している。電子銃Ｘn+1のパス１の二次電子イメージは、電子銃境界４０１を超えて左方に位置ずれし、色PCiと色PCthとは一致しない。なお、図７（ｃ）は電子銃Ｘn側の二次電子イメージと電子銃Ｘn+1の二次電子イメージを示している。この場合には２つの二次電子イメージは連続性を保持することができない(S8)。

S7,S8の工程において、隣接するピクセルを採用するために、各電子銃は隣り合う電子銃が走査する範囲と一部重なりを有してオーバーラップ範囲を有して走査する必要がある。

図８はオーバーラップを有した走査を説明するための図である。図８（ａ）は図５（ａ）と同様に、電子銃境界４０１における設計上から算出される信号パターンを示している。パス間先頭位置のピクセル１０４の色PCthは、パネル先頭位置のピクセル１０１の色PCoから設計上のデータに基づいて算出される。ここでは、例えば、色PCthは白色で示している。

これに対して、電子銃Ｘnは図８（ｂ）で示すように、電子銃Ｘn+1の範囲の一部をオーバーラップ範囲として走査し、電子銃Ｘn+1は図８（ｃ）で示すように、電子銃Ｘnの範囲の一部をオーバーラップ範囲として走査する。このようにオーバーラップ範囲を有して走査することによって、隣接するピクセルのデータを取得することができる。

なお、パネルに格子状の電位分布やストライプ状の電位分布、あるいは全面に同一の電位分布を形成する検査信号例について、図８〜図１１を用いて説明する。

図９は、パネルのゲート線とソース線の関係を説明するための図である。パネルのゲート線およびソース線に所定パターンの検査信号を印加することによって、パネルに格子状の電位分布やストライプ状の電位分布、あるいは全面に同一の電位分布を形成することができる。

図９において、パネルの各ピクセルはＩＴＯ電極を有し、各ＴＦＴをスイッチ素子とし、ゲート線の信号による開閉制御によってソース線から検査信号の電圧が印加される。ここでが、ゲート線Goとゲート線Geが交互に配線され、ソース線Soとソース線Seが交互に配線される。

図１０は格子状の電位分布を形成する検査信号の例である。図１０（ａ），（ｂ）はゲート信号を示し、図１０（ｃ），（ｄ）はソース信号を示している。図１０（ａ），（ｂ）のゲート信号と図１０（ｃ），（ｄ）のソース信号との組み合わせによって、ＴＦＴアレイのピクセルに対して格子状に正電圧（ここでは１０ｖ）と負電圧（ここでは−１０ｖ）を交互に印加する。

本発明は、液晶アレイ検査装置、ＥＢテスター、ＴＦＴおよびトランジスタ検査装置、有機ＥＬ用アレイ検査装置、走査型電子顕微鏡、非破壊検査装置、薄型テレビ用パネルのアレイ検査装置等に適用することができる。

１ ＴＦＴアレイ検査装置
２ 検査制御回路
３ 走査制御回路
４ 検査信号印加回路
５ ステージ
６ 電子線源
７ 二次電子検出器
８ 信号処理部
８ａ 検出回路
８ｂ 割り付け部
８ｃ 正規化部
８ｄ 連続化処理部
８ｅ データ合成部
８ｆ 欠陥ピクセル検出部
１０ 基板
１０１ パネル先頭ピクセル
１０４ パス間先頭ピクセル
１１１ 電子銃間先頭ピクセル
２００ パネル二次電子イメージ
２０１-２０４，２１１-２１４ パス間二次電子イメージ
３０１ パス境界
３０２ パス境界
３０３ パス境界
４０１ 電子銃境界
Ｘn，Ｘn+1 電子銃

Claims (9)

1. 電子線を基板に形成されるパネル上を走査して得られる二次電子を検出することによりパネルのＴＦＴアレイを検査するＴＦＴアレイ検査装置において、
   基板に複数の電子線を照射する複数の電子銃と、
   前記各電子線の走査で得られる複数の二次電子を検出する複数の検出器と、
   前記パネルのＴＦＴアレイに検査信号を印加して、パネル上に所定パターンの電位分布を形成する検査信号印加手段と、
   前記複数の検出器の検出信号から複数の二次電子イメージを求め、当該二次電子イメージに基づいてパネルの各ピクセルの欠陥を検出する信号処理部とを備え、
   前記信号処理部は、
   前記複数の二次電子イメージにおいて、隣接する二次電子イメージの境界を連続化する連続化処理部を有することを特徴とする、ＴＦＴアレイ検査装置。
2. 前記各電子銃は、前記パネルを分割した領域を走査し、
   前記連続化処理部は、
   前記各分割領域で得られる二次電子イメージにおいて、隣接する分割領域の二次電子イメージの境界を連続化することを特徴とする、請求項１に記載のＴＦＴアレイ検査装置。
3. 前記各電子銃は、各走査領域を複数のパスで分割して走査し、
   前記連続化処理部は、
   前記各パスで得られる二次電子イメージにおいて、隣接するパスの二次電子イメージの境界を連続化することを特徴とする、請求項１に記載のＴＦＴアレイ検査装置。
4. 前記各電子銃は、前記パネルを分割して走査すると共に、各走査領域を複数のパスで分割して走査し、
   前記連続化処理部は、
   前記各パスで得られる二次電子イメージにおいて、隣接するパスの二次電子イメージの境界を連続化し、
   前記各分割領域で得られる二次電子イメージにおいて、隣接する分割領域の二次電子イメージの境界を連続化することを特徴とする、請求項１に記載のＴＦＴアレイ検査装置。
5. 前記連続化処理部は、前記二次電子イメージの端部位置にあるピクセルの信号パターンと、パネルの端部からピクセルサイズに基づいて算出した前記端部位置に対応するピクセルの信号パターンとを比較し、
   両者の信号パターンが不一致である場合には、前記二次電子イメージを一ピクセル分ずらすことによって、隣接する二次電子イメージの境界を連続化することを特徴とする、請求項１から４のいずれか一つに記載のＴＦＴアレイ検査装置。
6. 前記検査信号印加手段が印加する検査信号は、パネル上に格子状パターンの電位分布を形成する信号パターンであることを特徴とする、請求項１から５のいずれか一つに記載のＴＦＴアレイ検査装置。
7. ＴＦＴアレイパネルが備えるピクセルについて、当該ピクセルの基板に対する座標位置を決定する方法であって、
   基板上において分割した各領域において電子線を走査し、
   前記電子線の走査で得られる複数の二次電子を検出して、各領域についてそれぞれ二次電子イメージを求め、
   前記複数の二次電子イメージについて隣接する二次電子イメージの境界を連続化する処理を行い、
   前記連続化処理した二次電子イメージのピクセルの座標位置を、当該パネルのピクセルの座標位置として定めることを特徴とする、ピクセル座標位置決定方法。
8. 前記連続化処理は、前記二次電子イメージの端部位置にあるピクセルの信号パターンと、パネルの端部からピクセルサイズに基づいて算出した前記端部位置に対応するピクセルの信号パターンとを比較し、
   両者の信号パターンが不一致である場合には、前記二次電子イメージを一ピクセル分ずらすことによって、隣接する二次電子イメージの境界を連続化することを特徴とする、請求項７に記載のピクセル座標位置決定方法。
9. 前記パネルのＴＦＴアレイに、パネル上に格子状パターンの電位分布を形成する信号パターンの検査信号を印加して、パネル上に格子状パターンの電位分布を形成し、
   前記格子状パターンの電位分布を形成した基板の各領域において、電子線を走査して二次電子イメージを求めることを特徴とする、請求項７又は８に記載のピクセル座標位置決定方法。