JP2013012760A - Ga2O3系半導体素子 - Google Patents
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- 239000004065 semiconductor Substances 0.000 title claims abstract description 24
- 150000001875 compounds Chemical class 0.000 claims abstract description 14
- 229910052737 gold Inorganic materials 0.000 claims abstract description 6
- 229910052759 nickel Inorganic materials 0.000 claims abstract description 3
- 229910052697 platinum Inorganic materials 0.000 claims abstract description 3
- 229910005191 Ga 2 O 3 Inorganic materials 0.000 claims description 35
- 239000000758 substrate Substances 0.000 description 34
- 238000010586 diagram Methods 0.000 description 26
- 239000002019 doping agent Substances 0.000 description 8
- 238000005530 etching Methods 0.000 description 8
- 238000004549 pulsed laser deposition Methods 0.000 description 8
- 230000001678 irradiating effect Effects 0.000 description 7
- 238000000034 method Methods 0.000 description 7
- 238000005253 cladding Methods 0.000 description 6
- 229910002601 GaN Inorganic materials 0.000 description 4
- JMASRVWKEDWRBT-UHFFFAOYSA-N Gallium nitride Chemical compound [Ga]#N JMASRVWKEDWRBT-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 4
- 238000010030 laminating Methods 0.000 description 4
- 239000000853 adhesive Substances 0.000 description 3
- 230000001070 adhesive effect Effects 0.000 description 3
- 230000006866 deterioration Effects 0.000 description 3
- 229910052751 metal Inorganic materials 0.000 description 3
- 239000002184 metal Substances 0.000 description 3
- 239000010409 thin film Substances 0.000 description 2
- QVGXLLKOCUKJST-UHFFFAOYSA-N atomic oxygen Chemical compound [O] QVGXLLKOCUKJST-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 239000010408 film Substances 0.000 description 1
- -1 gallium nitride compound Chemical class 0.000 description 1
- 238000010438 heat treatment Methods 0.000 description 1
- 150000004767 nitrides Chemical class 0.000 description 1
- 229910052760 oxygen Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000001301 oxygen Substances 0.000 description 1
- 229910052594 sapphire Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000010980 sapphire Substances 0.000 description 1
- 239000000126 substance Substances 0.000 description 1
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- Led Devices (AREA)
- Electrodes Of Semiconductors (AREA)
Abstract
【解決手段】本発明のGa2O3系半導体素子は、n型導電性を有するβ−Ga2O3化合物半導体からなるn型層と、前記n型層上に形成されたショットキー特性を有する電極とを備え、前記電極は、Au、Pt、あるいはNi及びAuの積層体のいずれかによって構成される。
【選択図】図1
Description
図1は、参考発明の第1の実施の形態に係る発光素子を示す。この発光素子1は、β−Ga2O3化合物半導体からなるn型β−Ga2O3基板2に、β−AlGaO3化合物半導体からなるn型導電性を示すn型β−AlGaO3クラッド層4、β−Ga2O3からなる活性層5、p型導電性を示すp型β−AlGaO3クラッド層6、およびβ−Ga2O3化合物半導体からなるp型導電性を示すp型β−Ga2O3コンタクト層7を順次積層したものである。
図2は、参考発明の第2の実施の形態に係る発光素子を示す図である。この発光素子1は、第1の実施の形態に係る発光素子1とは、n側電極20のみが相違する。この発光素子1のn側電極20は、n型β−Ga2O3基板4の下面に、Ti層21を形成し、その下方にAu層22を形成したものである。Au層22の代わりにPt層であってもよい。
図3は、参考発明の第3の実施の形態に係る発光素子の要部を示す。この発光素子1は、第1の実施の形態に係る発光素子1とは、n側電極20のみが相違する。この発光素子1のn側電極20は、n型β−Ga2O3基板2の下面にTi層21、Al層23およびAu層22を順次積層したものである。
図4は、参考発明の第4の実施の形態に係る発光素子の要部を示す。この発光素子1は、第1の実施の形態に係る発光素子1とは、n側電極20のみが相違する。この発光素子1のn側電極20は、n型β−Ga2O3基板2の下面にTi層21、Al層23、Ni層24およびAu層22を順次積層したものである。
(参考例1)
(参考例2)
(参考例3)
(参考例4)
(参考例5)
(実施例1)
(実施例2)
(実施例3)
2 基板
4 n型β−AlGaO3クラッド層
5 活性層
6 p型β−AlGaO3クラッド層
7 p型β−Ga2O3コンタクト層
8 透明電極
9 パッド電極
10,12 接合部
11,13 ワイヤ
20 n側電極
21 Ti層
22 Au層
23 Al層
24 Ni層
30 プリント基板
31 接着剤
40 出射光
41 発光光
Claims (1)
- n型導電性を有するβ−Ga2O3化合物半導体からなるn型層と、
前記n型層上に形成されたショットキー特性を有する電極とを備え、
前記電極は、Au、Pt、あるいはNi及びAuの積層体のいずれかによって構成されることを特徴とするGa2O3系半導体素子。
Priority Applications (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP2012183835A JP5799354B2 (ja) | 2012-08-23 | 2012-08-23 | Ga2O3系半導体素子 |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP2012183835A JP5799354B2 (ja) | 2012-08-23 | 2012-08-23 | Ga2O3系半導体素子 |
Related Parent Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP2009008686A Division JP5078039B2 (ja) | 2009-01-19 | 2009-01-19 | Ga2O3系半導体素子及びGa2O3系半導体素子の製造方法 |
Related Child Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP2014167874A Division JP2015008317A (ja) | 2014-08-20 | 2014-08-20 | Ga2O3系半導体基板構造 |
Publications (2)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JP2013012760A true JP2013012760A (ja) | 2013-01-17 |
JP5799354B2 JP5799354B2 (ja) | 2015-10-21 |
Family
ID=47686322
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP2012183835A Expired - Lifetime JP5799354B2 (ja) | 2012-08-23 | 2012-08-23 | Ga2O3系半導体素子 |
Country Status (1)
Country | Link |
---|---|
JP (1) | JP5799354B2 (ja) |
Cited By (6)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
EP3182464A1 (en) | 2015-12-18 | 2017-06-21 | Flosfia Inc. | Semiconductor device |
EP3301725A1 (en) | 2016-10-03 | 2018-04-04 | Flosfia Inc. | Semiconductor device and semiconductor system including semiconductor device |
WO2021141130A1 (ja) | 2020-01-10 | 2021-07-15 | 株式会社Flosfia | 導電性金属酸化膜、半導体素子および半導体装置 |
KR20220134639A (ko) | 2020-02-07 | 2022-10-05 | 가부시키가이샤 플로스피아 | 반도체 소자 및 반도체 장치 |
KR20220136416A (ko) | 2020-02-07 | 2022-10-07 | 가부시키가이샤 플로스피아 | 반도체 소자 및 반도체 장치 |
US11855135B2 (en) | 2020-10-23 | 2023-12-26 | Flosfia Inc. | Semiconductor device |
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-
2012
- 2012-08-23 JP JP2012183835A patent/JP5799354B2/ja not_active Expired - Lifetime
Patent Citations (1)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
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WO2021141130A1 (ja) | 2020-01-10 | 2021-07-15 | 株式会社Flosfia | 導電性金属酸化膜、半導体素子および半導体装置 |
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KR20220136416A (ko) | 2020-02-07 | 2022-10-07 | 가부시키가이샤 플로스피아 | 반도체 소자 및 반도체 장치 |
US11855135B2 (en) | 2020-10-23 | 2023-12-26 | Flosfia Inc. | Semiconductor device |
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Publication number | Publication date |
---|---|
JP5799354B2 (ja) | 2015-10-21 |
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Legal Events
Date | Code | Title | Description |
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A977 | Report on retrieval |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A971007 Effective date: 20130722 |
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A131 | Notification of reasons for refusal |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A131 Effective date: 20131001 |
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A02 | Decision of refusal |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A02 Effective date: 20140520 |
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A911 | Transfer to examiner for re-examination before appeal (zenchi) |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A911 Effective date: 20140929 |
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A912 | Re-examination (zenchi) completed and case transferred to appeal board |
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A521 | Request for written amendment filed |
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R250 | Receipt of annual fees |
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