JP2013012723A - ライントンネリングトンネル電界効果トランジスタ(tfet)及びその製造方法 - Google Patents
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Abstract
【解決手段】ソース領域は、第1ソースサブ領域20と、ソース−チャネル界面201に近接する第2ソースサブ領域25とを含み、第1ソースサブ領域と第2ソースサブ領域との間の界面が規定される。第2ピーク濃度は、第1ソースサブ領域と第2ソースサブ領域との界面に近接する位置での第1ドーピングプロファイルの最大レベルより充分高い。チャネル領域21及びドレイン領域22がゲート電極24によって覆われないように、ソース領域の一部を長手方向Lに覆うようにした電極24と、ゲート電極とソース領域との間の長手方向Lに沿ったゲート誘電体29と備える。
【選択図】図1
Description
Claims (15)
- ドープされたソース領域(30)、ドープされたドレイン領域(22)、及び、ソース領域(30)とドレイン領域(22)との間に位置し、ソース領域(30)とソース−チャネル界面(201)を、ドレイン領域(22)とドレイン−チャネル界面(202)を形成するチャネル領域(21)、を有するソース−チャネル−ドレイン構造と、
ソース領域(30)の少なくとも一部を長手方向(L)に沿って覆うゲート電極(24)であって、チャネル領域(21)及びドレイン領域(22)がゲート電極(24)によって覆われないようにした電極(24)と、
ゲート電極(24)とソース領域(30)との間の長手方向(L)に沿ったゲート誘電体(29)とを備え、
ソース領域(30)は、第1ドーピング型のドーパント元素を用いた、第1ピーク濃度(1021)を有する第1ドーピングプロファイル(1011)でドープされた第1ソースサブ領域(20)と、さらに、第1ドーパント元素と同じドーピング型を有する第2ドーパント元素を用いた第2ドーピングプロファイル(1012)でドープされた、ソース−チャネル界面(201)に近接する第2ソースサブ領域(25)とを含み、
第1ソースサブ領域(20)と第2ソースサブ領域(25)との間で界面(1014)が規定され、
第2ドーピングプロファイル(1012)の第2ピーク濃度(1022)は、第1ソースサブ領域(20)と第2ソースサブ領域(25)との間の界面(1014)の位置又は該界面に近接する位置での第1ドーピングプロファイル(1011)の最大ドーピングレベル(1023)より充分に高い、トンネル電界効果トランジスタ(TFET)(100)。 - 第1ソースサブ領域(20)と第2ソースサブ領域(25)との間の界面に近接する位置は、該界面から第1ソースサブ領域に向かって0以上5nm以下の距離を隔てた位置である、請求項1に記載のトンネル電界効果トランジスタ(TFET)(100)。
- 第2ソースサブ領域(25)は、幅Wによって規定され、
該幅Wは、単分子層以上10nm以下の範囲内である、請求項1又は2に記載のトンネル電界効果トランジスタ(TFET)(100)。 - ソース領域(30)は、ゲート誘電体(29)に隣接する面を有し、
第2ソースサブ領域は、ゲート誘電体に隣接する面から距離Tを隔てた場所に位置し、
該距離Tは、0以上10nm以下である、請求項1〜3のいずれか1項に記載のトンネル電界効果トランジスタ(TFET)(100)。 - 第2ソースサブ領域(25)は、ソース−チャネル界面(201)から距離Dを隔てた場所に位置し、
該距離Dは、0以上10nm以下である、請求項1〜4のいずれか1項に記載のトンネル電界効果トランジスタ(TFET)(100)。 - 第2ピーク濃度(1022)は、第1ソースサブ領域(20)と第2ソースサブ領域(25)との間の界面(1014)の位置、又は該界面に近接する位置での第1ドーピングプロファイル(1011)の最大ドーピングレベル(1021)より4倍高い、請求項1〜5のいずれか1項に記載のトンネル電界効果トランジスタ(TFET)(100)。
- ゲート電極(24)は、完全にソース領域(30)を覆う、請求項1〜6のいずれか1項に記載のトンネル電界効果トランジスタ(TFET)(100)。
- ゲート電極(24)は、該ゲート電極(24)によって覆われないソース領域(30)の長さによって規定されるアンダーラップ(Lunderlap)を残してソース領域(30)を部分的に覆う、請求項1〜10のいずれか1項に記載のトンネル電界効果トランジスタ(TFET)(100)。
- 前記ソース−チャネル−ドレイン構造は、プレーナ構造であり、
ゲート電極(24)は、該プレーナ型のソース−チャネル−ドレイン構造のソース領域(30)の上部に位置するシングルゲート構造である、請求項1〜8のいずれか1項に記載のトンネル電界効果トランジスタ(TFET)(100)。 - 前記ソース−チャネル−ドレイン構造は、水平構造であり、
前記ゲート電極(24)は、水平ソース−チャネル−ドレイン構造のソース領域(30)の側壁に位置するダブルゲート構造である、請求項1〜9のいずれか1項に記載のトンネル電界効果トランジスタ(TFET)(100)。 - ソース−チャネル−ドレイン構造は、水平構造又は垂直方向であり、
ゲート電極(24)は、水平型又は垂直型のソース−チャネル−ドレイン構造のソース領域(30)周囲のオールアラウンド型ゲート構造である、請求項1〜10のいずれか1項に記載のトンネル電界効果トランジスタ(TFET)(100)。 - TFETは、ナノワイヤTFETであり、
ナノワイヤは、少なくともTFETのチャネル(21)を形成し、
ゲート電極(24)は、オールアラウンド型ゲート構造である、請求項1〜11のいずれか1項に記載のトンネル電界効果トランジスタ(TFET)(100)。 - 半導体基板を準備する工程と、
前記基板上にドレイン半導体材料で作成されたドレイン領域(22)を設ける工程と、
低ドープ又はアンドープ半導体材料で作成されたチャネル領域(21)であって、前記ドレイン領域(22)と接触してドレイン領域(22)と該チャネル領域(21)との間にドレイン−チャネル界面(202)を形成するようにした領域(21)を設ける工程と、
前記チャネル領域(21)と接触するソース半導体材料で作成されたソース領域(30)を設け、該ソース領域(30)とチャネル領域(21)との間にソース−チャネル界面(201)を形成する工程と、
ソース領域(30)の少なくとも一部を長手方向に沿って覆うゲート電極(24)を設ける工程であって、チャネル領域(21)及びドレイン領域(22)が該ゲート電極(24)によって覆われないようにする工程と、
ゲート電極(24)とソース領域(30)の覆われた部分との間にゲート誘電体(29)を設ける工程と、
ソース領域(30)及びドレイン領域(22)をドープする工程であって、ソース領域(30)をドープすることは、第1ドーパント型を有する第1ドーピング元素を用いた、第1ピーク濃度(1021)を有する第1ドーピングプロファイルで第1ソースサブ領域(20)をドープすることと、第1ドーパント型と同じ第2ドーパント型を有する第2ドーパントを用いた、第1ソースサブ領域(20)と第2ソースサブ領域(25)との間の界面(1014)に近接する位置での第1ドーピングプロファイル(1011)の最大ドーピングレベル(1023)より充分高い第2ピーク濃度(1022)を有する第2ドーピングプロファイルで、ソース−チャネル界面(201)に近接する第2ソースサブ領域をドープすることとを含むような工程とを含む、トンネル電界効果トランジスタ(TFET)(100)の製造方法(300)。 - 第2ピーク濃度(1022)は、第1ソースサブ領域(20)と第2ソースサブ領域(25)との間の界面(1014)に近接する位置での第1ドーピングプロファイルの最大ドーピングレベル(1023)より4倍高い、請求項18に記載の方法(300)。
- トンネル電界効果トランジスタは、NW−TFET半導体デバイスであり、
ソース−チャネル−ドレイン構造を設けることは、半導体材料で作成されたナノワイヤ構造を成長させることを含む、請求項18〜20のいずれか1項に記載の方法(300)。
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---|---|---|---|---|
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---|---|---|---|---|
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US9209288B2 (en) * | 2012-12-21 | 2015-12-08 | Intel Corporation | Reduced scale resonant tunneling field effect transistor |
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CN103474459B (zh) * | 2013-09-06 | 2016-01-27 | 北京大学深圳研究生院 | 隧穿场效应晶体管 |
CN103560144B (zh) * | 2013-11-13 | 2016-02-17 | 北京大学 | 抑制隧穿晶体管泄漏电流的方法及相应的器件和制备方法 |
US9419114B2 (en) * | 2014-01-17 | 2016-08-16 | Imec Vzw | Tunnel field-effect transistor |
US9281363B2 (en) * | 2014-04-18 | 2016-03-08 | Taiwan Semiconductor Manufacturing Company Ltd. | Circuits using gate-all-around technology |
EP2993696B1 (en) * | 2014-09-02 | 2020-08-05 | IMEC vzw | Heterosection tunnel field-effect transistor (TFET) |
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US9526436B2 (en) | 2015-05-19 | 2016-12-27 | Samsung Electronics Co., Ltd | Amplifiers including tunable tunnel field effect transistor pseudo resistors and related devices |
CN105390531B (zh) * | 2015-10-27 | 2018-02-13 | 北京大学 | 一种隧穿场效应晶体管的制备方法 |
US9735267B1 (en) | 2016-01-28 | 2017-08-15 | Taiwan Semiconductor Manufacturing Co., Ltd. | Structure and formation method of semiconductor device structure |
US10141436B2 (en) * | 2016-04-04 | 2018-11-27 | Purdue Research Foundation | Tunnel field effect transistor having anisotropic effective mass channel |
CN108780812B (zh) * | 2016-06-30 | 2020-10-16 | 华为技术有限公司 | 隧穿场效应晶体管及其制备方法 |
US10236386B2 (en) | 2017-01-17 | 2019-03-19 | The Board Of Trustees Of The University Of Illinois | Vertical hetero- and homo-junction tunnel field-effect transistors |
US10475908B2 (en) | 2017-04-25 | 2019-11-12 | Taiwan Semiconductor Manufacturing Co., Ltd. | Semiconductor device and method of fabricating the same |
WO2019005113A1 (en) * | 2017-06-30 | 2019-01-03 | Intel Corporation | RESISTIVE LIVE MEMORY COMPRISING A TUNNEL SOURCE ACCESS TRANSISTOR |
CN110379851B (zh) * | 2019-06-17 | 2023-01-10 | 宁波大学 | 一种基于tfet的三输入多数逻辑器件 |
Citations (2)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
US20060244077A1 (en) * | 2005-04-27 | 2006-11-02 | International Business Machines Corporation | ASYMMETRIC FIELD EFFECT TRANSISTORS (FETs) |
US20080224224A1 (en) * | 2007-03-12 | 2008-09-18 | Interuniversitair Microelektronica Centrum Vzw (Imec) | Tunnel field-effect transistor with gated tunnel barrier |
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---|---|---|---|---|
EP1900681B1 (en) * | 2006-09-15 | 2017-03-15 | Imec | Tunnel Field-Effect Transistors based on silicon nanowires |
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Patent Citations (3)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
US20060244077A1 (en) * | 2005-04-27 | 2006-11-02 | International Business Machines Corporation | ASYMMETRIC FIELD EFFECT TRANSISTORS (FETs) |
US20080224224A1 (en) * | 2007-03-12 | 2008-09-18 | Interuniversitair Microelektronica Centrum Vzw (Imec) | Tunnel field-effect transistor with gated tunnel barrier |
JP2008252086A (ja) * | 2007-03-12 | 2008-10-16 | Interuniv Micro Electronica Centrum Vzw | ゲートトンネル障壁を持つトンネル電界効果トランジスタ |
Cited By (7)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP2014187296A (ja) * | 2013-03-25 | 2014-10-02 | National Institute Of Advanced Industrial & Technology | トンネルfetのデバイスシミュレーション方法及びシステム並びにトンネルfetのコンパクトモデル設計方法及びコンパクトモデル |
WO2015022777A1 (ja) * | 2013-08-13 | 2015-02-19 | 国立大学法人北海道大学 | トンネル電界効果トランジスタ、その製造方法およびスイッチ素子 |
JP5999611B2 (ja) * | 2013-08-13 | 2016-09-28 | 国立大学法人北海道大学 | トンネル電界効果トランジスタ、その製造方法およびスイッチ素子 |
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