JP2013012212A - 記憶装置内のパーティションを管理する方法およびシステム - Google Patents
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Abstract
【解決手段】記憶システムは、論理インターフェイスを介してホストシステムからデータを受信するようになっているマイクロプロセッサを含むメモリコントローラと、システム領域およびデータ領域を有する第1のメモリパーティションと、システム領域およびデータ領域を有する第2のメモリパーティションと、を含み、メモリコントローラは、ホストシステムにシステム領域およびデータ領域が連続しているように見えるようにシステム領域およびデータ領域の仮想ブロックアドレスを用いることにより、第2のメモリパーティションから、いっぱいであるかまたはしきい値に達した第1のメモリパーティションへメモリ空間を再割り当てする。
【選択図】図1C
Description
図1Aには、本発明を用いることができる汎用コンピュータシステム(ホストシステム)100を示す。システム100の構成要素は、コンピュータ160と、マウス120、キーボード165、モニタ120およびプリンタ125のような様々な入出力(「I/O」)装置とを含む。
図2Aは、一般的にメモリ記憶装置150がどのようにしてパーティション化されるかを示す一例である。記憶装置150は、2つのパーティション、すなわちパーティション1およびパーティション2を含む。パーティション1は、システム領域201およびデータ領域202を含む。また、パーティション2は、システム領域203およびデータ領域204を有する。2つのパーティションだけが図2Aに示され、以下の再割り当て技術は、この例に基づいて行われるが、本発明の適応的な態様は、任意の特定数のメモリパーティションに限定されるものではない。
Claims (12)
- 大容量記憶装置であって、
システム領域およびデータ領域を有する第1のメモリパーティションとシステム領域およびデータ領域を有する第2のメモリパーティションとを含む不揮発性メモリであって、各システム領域がブートレコード、ファイルアロケーションテーブル(「FAT」)およびディレクトリを蓄積するように構成され、各データ領域がファイルを蓄積するように構成される、不揮発性メモリと、
前記不揮発性メモリへアクセスするために結合されたメモリコントローラであって、前記メモリコントローラは、論理インターフェイスを介して外部のホスト装置からデータを受信するようになっており、さらにマッピングテーブルを用いることにより前記第1のメモリパーティションの1つ以上のブロックを前記第2のメモリパーティションへ再割り当てするようになっており、前記第1のメモリパーティションから前記第2のメモリパーティションへ再割り当てされた1つ以上のブロックが外部のホスト装置にはあたかも連続しているように見え、前記第1のメモリパーティションおよび前記第2のメモリパーティションが有する各システム領域および各データ領域の論理ブロックアドレスと仮想ブロックアドレスとを前記マッピングテーブルが含む、メモリコントローラと、を備え、
前記第1のメモリパーティションが有するシステム領域の仮想ブロックアドレスは、前記第1のメモリパーティションから前記第2のメモリパーティションへ1つ以上のブロックを再割り当てする前の前記第1のメモリパーティションが有するシステム領域の論理ブロックアドレスと同じものであり、
前記第1のメモリパーティションが有するデータ領域の仮想ブロックアドレスは、前記第1のメモリパーティションから前記第2のメモリパーティションへ1つ以上のブロックを再割り当てする前の前記第1のメモリパーティションが有するデータ領域の論理ブロックアドレスと同じものであり、
前記第1のメモリパーティションが有するシステム領域の仮想ブロックアドレスと前記第1のメモリパーティションが有するシステム領域の論理ブロックアドレスとは、前記第1のメモリパーティションから前記第2のメモリパーティションへ1つ以上のブロックを再割り当てした後では互いに異なるものであり、
前記第1のメモリパーティションが有するデータ領域の仮想ブロックアドレスと前記第1のメモリパーティションが有するデータ領域の論理ブロックアドレスとは、前記第1のメモリパーティションから前記第2のメモリパーティションへ1つ以上のブロックを再割り当てした後では互いに異なるものである大容量記憶装置。 - 請求項1記載の大容量記憶装置において、
前記第2のメモリパーティションへ1つ以上のブロックを再割り当てした際に、前記第1のメモリパーティションのFATを蓄積する記憶空間が縮小され、また1つ以上のブロックを再割り当てした際に、前記第2のメモリパーティションのFATを蓄積する記憶空間が拡張される大容量記憶装置。 - 請求項1記載の大容量記憶装置において、
前記第2のメモリパーティションがいっぱいであるかまたはしきい値に達した際に、前記メモリコントローラは、前記第1のメモリパーティションから前記第2のメモリパーティションへ記憶空間を再割り当てする大容量記憶装置。 - 請求項1記載の大容量記憶装置において、
前記大容量記憶装置は、フラッシュメモリ装置である大容量記憶装置。 - 請求項4記載の大容量記憶装置において、
前記フラッシュメモリ装置は、コンパクトフラッシュ(登録商標)カード、マルチメディアカード、セキュアデジタルカード、ミニSDカード、メモリスティックカード、トランスフラッシュカードのうちの1つを含む大容量記憶装置。 - 請求項1記載の大容量記憶装置において、
前記第1のメモリパーティションから前記第2のメモリパーティションへ1つ以上のブロックを再割り当てした際に、前記第1のメモリパーティション内のディレクトリのファイル名項目は調整される大容量記憶装置。 - 方法であって、
メモリコントローラと不揮発性メモリとを備える大容量記憶装置であって、前記不揮発性メモリがシステム領域およびデータ領域を有する第1のメモリパーティションとシステム領域およびデータ領域を有する第2のメモリパーティションとを含み、各システム領域がブートレコード、ファイルアロケーションテーブル(「FAT」)およびディレクトリを蓄積するように構成され、各データ領域がファイルを蓄積するように構成される大容量記憶装置にて、前記メモリコントーラによって、
前記大容量記憶装置が論理インターフェイスを介して外部のホスト装置へ接続された際に、論理インターフェイスを介して外部のホスト装置からデータを受信し、かつ
マッピングテーブルを用いることにより前記第1のメモリパーティションの1つ以上のブロックを前記第2のメモリパーティションへ再割り当てし、前記第1のメモリパーティションから前記第2のメモリパーティションへ再割り当てされた1つ以上のブロックが外部のホスト装置にはあたかも連続しているように見え、前記第1のメモリパーティションおよび前記第2のメモリパーティションが有する各システム領域および各データ領域の論理ブロックアドレスと仮想ブロックアドレスとを前記マッピングテーブルが含むことが実行され、
前記第1のメモリパーティションが有するシステム領域の仮想ブロックアドレスは、前記第1のメモリパーティションから前記第2のメモリパーティションへ1つ以上のブロックを再割り当てする前の前記第1のメモリパーティションが有するシステム領域の論理ブロックアドレスと同じものであり、
前記第1のメモリパーティションが有するデータ領域の仮想ブロックアドレスは、前記第1のメモリパーティションから前記第2のメモリパーティションへ1つ以上のブロックを再割り当てする前の前記第1のメモリパーティションが有するデータ領域の論理ブロックアドレスと同じものであり、
前記第1のメモリパーティションが有するシステム領域の仮想ブロックアドレスと前記第1のメモリパーティションが有するシステム領域の論理ブロックアドレスとは、前記第1のメモリパーティションから前記第2のメモリパーティションへ1つ以上のブロックを再割り当てした後では互いに異なるものであり、
前記第1のメモリパーティションが有するデータ領域の仮想ブロックアドレスと前記第1のメモリパーティションが有するデータ領域の論理ブロックアドレスとは、前記第1のメモリパーティションから前記第2のメモリパーティションへ1つ以上のブロックを再割り当てした後では互いに異なるものである方法。 - 請求項7記載の方法において、
前記第2のメモリパーティションへ1つ以上のブロックを再割り当てした際に、前記第1のメモリパーティションのFATを蓄積する記憶空間が縮小され、また1つ以上のブロックを再割り当てした際に、前記第2のメモリパーティションのFATを蓄積する記憶空間が拡張される方法。 - 請求項7記載の方法において、
前記第2のメモリパーティションがいっぱいであるかまたはしきい値に達した際に、前記第1のメモリパーティションから前記第2のメモリパーティションへ記憶空間を再割り当てする方法。 - 請求項7記載の方法において、
前記大容量記憶装置は、フラッシュメモリ装置である方法。 - 請求項10記載の方法において、
前記フラッシュメモリ装置は、コンパクトフラッシュ(登録商標)カード、マルチメディアカード、セキュアデジタルカード、ミニSDカード、メモリスティックカード、トランスフラッシュカードのうちの1つを含む方法。 - 請求項7記載の方法において、
前記第1のメモリパーティションが記憶素子の複数のブロック内に配置された不揮発性記憶素子の第1のセットを含み、前記第2のメモリパーティションが記憶素子の複数のブロック内に配置された不揮発性記憶素子の第2のセットを含む方法。
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