CN114237514A - 区块管理方法、存储器控制器和存储器存储装置 - Google Patents
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Abstract
本发明提出一种区块管理方法、存储器控制器和存储器存储装置;所述方法包括:将固件分割成多个Bin‑X文档存储于存储器存储装置的实体区块中,然后在存储器存储装置需要来执行某一个或多个功能时,存储器控制器会从实体区块中读取对应的Bin‑X文档到存储器控制器的静态随机存取存储器中,以实现所述固件Bin‑X文档对应的功能。藉此,提供高性价比的高速读写性能的存储器存储装置。
Description
技术领域
本发明涉及一种存储设备领域,尤其涉及一种区块管理方法、存储器控制器和存储器存储装置。
背景技术
闪存(Flash)是一种非挥发性的半导体存储芯片,具有体积小、功耗低、不易受物理破坏的优点,是移动数码产品的理想存储介质。闪存根据内部架构和实现技术可以分为AND、NAND、NOR和DiNOR等几种,NAND型闪存是非易失性的,所以很适合便携式数据存储设备。与NOR型闪存相比,NAND型闪存数据密度更大,并且价格更加便宜。
现有技术中,存储器存储装置的固件会烧录在存储器控制器内的只读存储器(Read-Only Memory,ROM)中,在存储器控制器运作时被载入存储器控制器内的静态随机存取存储器(Static Random Access Memory,简称SRAM)中来执行。但是,一方面烧录在ROM中的固件无法被修改的,另外一方面ROM的价格也比较贵。并且基于固件越来越大和复杂度也越来越复杂,以及固件的改版速度加快,使得固件码也必须能够被更新/修改。
还有就是由于固件越来越大,而大容量的SRAM价格也比较贵。导致载入到SRAM中的固件不能太大,因此要想提高存储器存储装置的读写速度,就必须买大容量的SRAM,从而导致高速读写性能的存储器存储装置的制造成本难以被有效地降低。
发明内容
为了解决上述技术问题,本申请采用的一个技术方案是将固件存储于存储器存储装置中,所述存储器存储装置包括存储器模块,所述存储器模块包括多个实体区块,然后对存储有固件的区块的管理方法,该方法包括:
将所述存储器模块划分为数据区、闲置区、系统区与取代区,所述数据区、闲置区、系统区与取代区包括至少一个实体区块,所述实体区块包括多个实体页;所述数据区与闲置区的实体区块是用于存储数据,以及数据区的实体区块是被视为已存储数据的实体区块,而闲置区的实体区块是用于替换数据区的实体区块;所述取代区中的实体区块是用于坏实体区块取代程序,以取代所述数据区、闲置区、系统区中损坏的实体区块;所述系统区用于记录所述存储器存储装置的系统数据,且将所述存储器存储装置的固件分割成多个Bin-X文档存储于所述系统区的实体区块中。
在另一实施例中,本发明还提出一种存储器控制器,用于控制存储器存储装置,其中所述存储器存储装置包括存储器模块,所述存储器控制器将所述存储器模块划分为数据区、闲置区、系统区与取代区,所述数据区、闲置区、系统区与取代区包括至少一个实体区块,所述实体区块包括多个实体页;其中,所述数据区与闲置区的实体区块是用于存储数据,以及数据区的实体区块是被视为已存储数据的实体区块,而闲置区的实体区块是用于替换数据区的实体区块;所述取代区中的实体区块是用于坏实体区块取代程序,以取代所述数据区、闲置区、系统区中损坏的实体区块;所述系统区用于记录所述存储器存储装置的系统数据;且所述存储器控制器包括:主机接口,用于连接至主机系统;存储器接口,用于连接至所述存储器模块;以及存储器控制电路,连接至所述主机接口与所述存储器接口;其中所述存储器控制电路将所述存储器存储装置的固件分割成多个Bin-X文档存储于所述系统区的实体区块中。
优选地,在另一实施例中,本发明还提出提出一种存储装置,包括:存储器模块,其包括数据区、闲置区、系统区与取代区,所述数据区、闲置区、系统区与取代区包括至少一个实体区块,所述实体区块包括多个实体页;其中,所述数据区与闲置区的实体区块是用于存储数据,以及数据区的实体区块是被视为已存储数据的实体区块,而闲置区的实体区块是用于替换数据区的实体区块;所述取代区中的实体区块是用于坏实体区块取代程序,以取代所述数据区、闲置区、系统区中损坏的实体区块;所述系统区用于记录所述存储器存储装置的系统数据;以及还包括:连接接口,用于连接至主机系统;以及存储器控制器,连接至所述存储器模块与所述连接接口,其中所述存储器控制器将所述存储器存储装置的固件分割成多个Bin-X文档存储于所述系统区的实体区块中。
基于上述,本发明提出的将固件分割成多个Bin-X文档存储于存储器存储装置的实体区块中,然后在存储器存储装置需要来执行某一个或多个功能时,存储器控制器会从实体区块中读取对应的Bin-X文档到存储器控制器的静态随机存取存储器中,以实现所述固件Bin-X文档对应的功能。藉此,提供高性价比的高速读写性能的存储器存储装置。
附图说明
图1是本发明的一实施例所示出的主机系统、存储装置及输入/输出(I/O)装置的示意图;
图2是本发明的一实施例所示出的主机系统、存储装置及I/O装置的示意图;
图3是本发明的另一实施例所示出的主机系统与存储装置的示意图;
图4是本发明的一实施例所示出的存储装置的概要方块图;
图5是本发明的一实施例所示出的存储器控制器的概要方块图;
图6是本发明的一实施例所示出的存储器模块的示意图;
图7是本发明的一实施例所示出的存储器模块的示意图;
图8是本发明的一实施例所示出的Bin-X文档在存储器模块上存储方式的示意图;
图9是本发明的一实施例所示出的Bin-X文档在存储器模块上存储方式的示意图;
图10是本发明的一实施例所示出的Bin-X文档在存储器模块上存储方式的示意图;
图11是本发明的一实施例所示出的Bin-X文档在存储器模上存储方式的示意图;
图12是本发明的另一实施例所示出的Bin-X文档在存储器模块上存储方式的示意图;
图13是本发明的另一实施例所示出的Bin-X文档在存储器模块上存储方式的示意图;
图14是本发明的另一实施例所示出的Bin-X文档在存储器模块上存储方式的示意图;
图15是本发明的另一实施例所示出的Bin-X文档在存储器模块上存储方式的示意图;
图16是本发明的另一实施例所示出的Bin-X文档在存储器模块上存储方式的示意图;
图17是本发明的另一实施例所示出的Bin-X文档在存储器模块上存储方式的示意图;
图18是本发明的另一实施例所示出的Bin-X文档在存储器模块上存储方式的示意图;
图19是本发明的另一实施例所示出的Bin-X文档在存储器模块上存储方式的示意图;
图20是本发明的另一实施例所示出的Bin-X文档在存储器模块上存储方式的示意图;
图21是本发明的一实施例所示出的区块管理方法的流程图。
具体实施方式
现将详细地参考本发明的示范性实施例,示范性实施例的实例说明于附图中。只要有可能,相同元件符号在附图和描述中用来表示相同或相似部分。
一般而言,存储装置(也称,存储系统)包括可复写式非易失性存储器模块(rewritable non-volatile memory module)与控制器(也称,控制电路)。通常存储装置是与主机系统一起使用,以使主机系统可将数据写入至存储装置或从存储装置中读取数据。
图1是根据本发明的一实施例所示出的主机系统、存储装置及输入/输出(I/O)装置的示意图。图2是根据本发明的另一实施例所示出的主机系统、存储装置及I/O装置的示意图。
请参照图1与图2,主机系统11一般包括处理器111、随机存取存储器(randomaccess memory,RAM)112、只读存储器(read only memory,ROM)113及数据传输接口114。处理器111、随机存取存储器112、只读存储器113及数据传输接口114都与系统总线(systembus)110电连接。
在本申请实施例中,主机系统11是通过数据传输接口114与存储装置10电性连接。例如,主机系统11可经由数据传输接口114将数据存储至存储装置10或从存储装置10中读取数据。此外,主机系统11是通过系统总线110与I/O装置12电性连接。例如,主机系统11可经由系统总线110将输出信号传送至I/O装置12或从I/O装置12接收输入信号。
在本申请实施例中,处理器111、随机存取存储器112、只读存储器113及数据传输接口114可设置在主机系统11的主机板20上。数据传输接口114的数目可以是一或多个。通过数据传输接口114,主机板20可以经由有线或无线方式电性连接至存储装置10。存储装置10示例性地可为U盘201、存储卡202、固态硬盘(Solid State Drive,SSD)203或无线存储装置204。无线存储装置204示例性地可为近距离无线通讯(Near Field Communication,NFC)存储装置、无线传真(WIFI)存储装置、蓝牙(Bluetooth)存储装置或低功耗蓝牙存储装置(例如,iBeacon)等以各式无线通讯技术为基础的存储装置。此外,主机板20也可以通过系统总线110电性连接至全球定位系统(Global Positioning System,GPS)模块205、网络接口卡206、无线传输装置207、键盘208、屏幕209、喇叭210等各式I/O装置。例如,在一实施例中,主机板20可通过无线传输装置207存取无线存储装置204。
在一实施例中,所提及的主机系统为可实质地与存储装置配合以存储数据的任意系统。虽然在上述实施例中,主机系统是以电脑系统来说明,然而,图3是根据本发明的另一实施例所示出的主机系统与存储装置的示意图。请参照图3,在另一实施例中,主机系统31也可以是数字相机、摄影机、通讯装置、音频播放器、视频播放器或平板电脑等系统,而存储装置30可为其所使用的安全数字(Secure Digital,SD)卡32、小型快闪(Compact Flash,CF)卡33或嵌入式存储装置34等各式非易失性存储装置。嵌入式存储装置34包括嵌入式多媒体卡(embedded Multi Media Card,eMMC)341和/或嵌入式多芯片封装(embedded MultiChip Package,eMCP)存储装置342等各类型将存储器模块直接电性连接于主机系统的基板上的嵌入式存储装置。
图4是根据本发明的实施例所示出的存储装置的示意图。请参照图4,存储装置40包括主机系统41与存储器存储装置42。主机系统41可为任意形态的计算机系统。例如。主机系统41可为笔记本计算机、台式计算机、智能手机、平板计算机、工业计算机、游戏机、数码相机等各式电子系统。存储器存储装置42用于存储来自主机系统41的数据。例如,存储器存储装置42可包括固态硬盘、U盘、存储卡或其他类型的非易失性存储装置。主机系统41可经由串行高级技术附件(Serial Advanced Technology Attachment, SATA)接口、高速周边零件连接接口(Peripheral Component Interconnect Express, PCI Express)、通用串行总线(Universal Serial Bus, USB)或其他类型的连接接口电性连接至存储器存储装置42。因此,主机系统11可将数据存储至存储器存储装置42和/或从存储器存储装置42读取数据。
存储器存储装置42可包括连接接口421、存储器模块422及存储器控制器423。连接接口421用于将存储器存储装置42连接至主机系统41。例如,连接接口421可支持SATA、PCIExpress或USB等连接接口标准。存储器存储装置42可经由连接接口421与主机系统41通信。
存储器模块422用于存储数据。存储器模块422可包括存储器模块422。存储器模块422包括存储单元阵列。存储器模块422中的存储单元是以电压的形式来存储数据。例如,存储器模块422可包括单阶存储单元(Single Level Cell, SLC)NAND型快闪存储器模块、多阶存储单元(Multi Level Cell, MLC)NAND型快闪存储器模块、三阶存储单元(TripleLevel Cell, TLC)NAND型快闪存储器模块、四阶存储单元(Quad Level Cell, QLC)NAND型快闪存储器模块或其他具有相似特性的存储器模块。
存储器控制器423连接至连接接口421与存储器模块422。存储器控制器423可用于控制存储器存储装置42。例如,存储器控制器423可控制连接接口421与存储器模块422以进行数据存取与数据管理。例如,存储器控制器423可包括中央处理单元(CPU)、或是其他可编程的一般用途或特殊用途的微处理器、数字信号处理器(Digital Signal Processor,DSP)、可编程控制器、专用集成电路(Application Specific Integrated Circuits,ASIC)、可编程逻辑器件(Programmable Logic Device, PLD)或其他类似装置或这些装置的组合。
在一实施例中,存储器控制器423亦称为快闪存储器控制器。在一实施例中,存储器模块422也称为快闪存储器模块。存储器模块422可接收来自存储器控制器423的指令序列并根据此指令序列存取存储单元。
图5是根据本发明的一实施例所示出的存储器控制器的概要方块图。请参照图5,存储器控制器423包括存储器控制电路504、主机接口502及存储器接口506。
存储器控制电路504用于控制存储器控制器423的整体运作。具体来说,存储器控制电路504具有多个控制指令,并且在存储器存储装置42运作时,这些控制指令会被执行以进行数据的写入、读取与擦除等运作。以下说明存储器控制电路504的操作时,等同于说明存储器控制器423的操作。
在本实施例中,存储器控制电路504的控制指令是以固件型式来操作。例如,存储器控制电路504具有微处理器单元(图中未示出)与只读存储器(图中未示出),并且控制指令是被烧录至此只读存储器中。当存储器存储装置42运作时,这些控制指令会由微处理器单元来执行以进行数据的写入、读取与擦除等运作。
在另一实施例中,存储器控制电路504的控制指令也可以程序码型式存储于存储器模块422的特定区域(例如,存储器模块中专用于存放系统数据的系统区)中。此外,存储器控制电路504具有微处理器单元(未示出)、只读存储器(未示出)及随机存取存储器(未示出)。特别是,只读存储器具有开机码(boot code),并且当存储器控制器423被致能时,微处理器单元会先执行开机码来将存储于存储器模块422中的控制指令载入至存储器控制电路504的随机存取存储器中。之后,微处理器单元会运转这些控制指令以进行数据的写入、读取与擦除等运作。
此外,在另一实施例中,存储器控制电路504的控制指令也可以一硬件型式来操作。例如,存储器控制电路504包括微控制器、存储单元管理电路、存储器写入电路、存储器读取电路、存储器擦除电路与数据处理电路。存储单元管理电路、存储器写入电路、存储器读取电路、存储器擦除电路与数据处理电路是电性连接至微控制器。存储单元管理电路用于管理存储器模块422的存储单元或其群组。存储器写入电路用于对存储器模块422下达写入指令序列以将数据写入至存储器模块422中。存储器读取电路用于对存储器模块422下达读取指令序列以从存储器模块422中读取数据。存储器擦除电路用于对存储器模块422下达擦除指令序列以将数据从存储器模块422中擦除。数据处理电路用于处理欲写入至存储器模块422的数据以及从存储器模块422中读取的数据。写入指令序列、读取指令序列及擦除指令序列可分别包括一或多个程序码或指令码并且用于指示存储器模块422执行相对应的写入、读取及擦除等操作。在一实施例中,存储器控制电路504还可以下达其他类型的指令序列给存储器模块422以指示执行相对应的操作。
主机接口502是电性连接至存储器控制电路504并且用于接收与识别主机系统11所传送的指令与数据。也就是说,主机系统11所传送的指令与数据会通过主机接口502来传送至存储器控制电路504。在本实施例中,主机接口502是相容于SATA标准。然而,必须了解的是本发明不限于此,主机接口502也可以是相容于PATA标准、IEEE 1394标准、PCIExpress标准、USB标准、SD标准、UHS-I标准、UHS-II标准、MS标准、MMC标准、eMMC标准、UFS标准、CF标准、IDE标准或其他适合的数据传输标准。
存储器接口506是电性连接至存储器控制电路504并且用于存取存储器模块422。也就是说,欲写入至存储器模块422的数据会经由存储器接口506转换为存储器模块422所能接受的格式。具体来说,若存储器控制电路504要存取存储器模块422,存储器接口506会传送对应的指令序列。例如,这些指令序列可包括指示写入数据的写入指令序列、指示读取数据的读取指令序列、指示擦除数据的擦除指令序列、以及用于指示各种存储器操作(例如,改变读取电压电平或执行垃圾回收操作等等)的相对应的指令序列。这些指令序列例如是由存储器控制电路504产生并且通过存储器接口506传送至存储器模块422。这些指令序列可包括一或多个信号,或是在总线上的数据。这些信号或数据可包括指令码或程序码。例如,在读取指令序列中,会包括读取的识别码、存储器地址等信息。
在本实施例中,存储器控制器423可以针对存储于同一个实体页中的数据进行单框架(single-frame)编码,也可以针对存储于多个实体页中的数据进行多框架(multi-frame)编码。根据所采用的编码算法,存储器控制器423可以编码欲保护的数据来产生相对应的错误更正码和/或错误检查码。
在一实施例中,存储器控制器423还包括缓冲存储器510、错误检查与校正电路512与电源管理电路508。
缓冲存储器510是电性连接至存储器控制电路504并且用于暂存来自于主机系统11的数据与指令或来自于存储器模块422的数据。
优选地,缓冲存储器510可为静态随机存取存储器(Static Random AccessMemory,简称SRAM)。
电源管理电路508是电性连接至存储器控制电路504并且用于控制存储器存储装置42的电源。
错误检查与校正电路512是电性连接至存储器控制电路504并且用于执行错误检查与校正操作以确保数据的正确性。具体来说,当存储器控制电路504从主机系统11中接收到写入指令时,错误检查与校正电路512会为对应写入指令的数据产生对应的错误校正码(error correcting code,ECC)和/或错误检查码(error detecting code,EDC),并且存储器控制电路504会将对应写入指令的数据与对应的错误校正码和/或错误检查码写入至存储器模块422中。之后,当存储器控制电路504从存储器模块422中读取数据时会同时读取数据对应的错误校正码和/或错误检查码,并且错误检查与校正电路512会依据错误校正码和/或错误检查码对所读取的数据执行错误检查与校正操作。
图6和图7是本申请实施例所示出的存储器模块的示意图。请参照图6,存储器模块422包括多个实体区块301(0)~301(A)。实体区块301(0)~301(A)的每一者都包括多个实体页41(0)~41(L)。每一个实体页且用于非易失性地存储数据。一个实体页中的多个存储单元可被同时程序化以存储数据。此外,一个实体区块中的所有实体页可被同时擦除。经擦除的实体区块亦称为闲置实体区块(或闲置区块)并且可用于存储新数据(例如来自主机系统11的数据)。
在一实施例中,实体区块301(0)~301(A)可属于同一个存储器晶粒(die)或者属于不同的存储器晶粒。每一实体区块分别具有多个实体页,其中属于同一个实体区块的实体页可被独立地写入且被同时地擦除。然而,必须了解的是,本发明不限于此,每一实体区块是可由64个实体页、256个实体页或其他任意数的实体页所组成。
示例性地,其中,A为正整数,其为实体区块301的序号或地址值,比如301(1)表示序号或地址值为2的的实体区块301;301(A) 表示序号或地址值为A+1的的实体区块301;存储器模块422包括多个实体区块301(0)~301(A),具体地为存储器模块422中包括总数为A+1个实体区块。示例性地,容量大小为64G的存储器模块422中,A的数值可为1728,实体区块中的实体页的数量为1254,每个实体页大小为16KB。
在一实施例中,如图7所示, 图7为本申请实施例所示出的存储器模块的示意图。存储器控制电路504会将实体区块301(0)~301(A)逻辑地分组为数据区706、闲置区704、系统区702与取代区708。其中系统区702包括实体区块301(B)~301(C), 闲置区704包括实体区块301(D)~301(E), 数据区706包括实体区块301(F)~301(H), 取代区708包括实体区块301(M)~301(N)。
必须了解的是,本实施例中在描述存储器模块422的实体区块的运作时,以“提取”、“分组”、“划分”、“关联”等词来操作实体区块是逻辑上的概念。也就是说,存储器模块422的实体区块的实际位置并未更动,而是逻辑上对存储器模块422的实体区块进行操作。
逻辑上属于数据区706与闲置区704的实体区块是用于存储来自于主机系统11的数据。具体来说,数据区706的实体区块是被视为已存储数据的实体区块,而闲置区704的实体区块是用于替换数据区706的实体区块。也就是说,当从主机系统11接收到写入指令与欲写入的数据时,存储器控制电路504会使用从闲置区704中提取实体区块来写入数据,以替换数据区706的实体区块。当从主机系统11接收到读取指令与欲读取的数据时,存储器控制电路504会根据相应的逻辑至实体映射表从数据区706中的实体区块中读取数据。
逻辑上属于系统区702的实体区块是用于记录系统数据。例如,系统数据包括关于存储器模块422的制造商与型号、存储器模块422的实体区块数、每一实体区块的实体页数等。
逻辑上属于取代区708中的实体区块是用于坏实体区块取代程序,以取代数据区、闲置区、系统区中损坏的实体区块。具体来说,倘若取代区708中仍存有正常的实体区块并且数据区706的实体区块损坏时,存储器控制电路504会从取代区708中提取正常的实体区块来更换损坏的实体区块。
在一实施例中,数据区706、闲置区704、系统区702与取代区708的实体区块的数量会根据不同的存储器规格而有所不同。此外,必须了解的是,在存储器存储装置42的运作中,实体区块关联至数据区706、闲置区704、系统区702与取代区708的分组关系会动态地变动。例如,当闲置区704中的实体区块损坏而被取代区708的实体区块取代时,则原本取代区708的实体区块会被关联至闲置区704。
在一实施例中,固件是存储在存储器模块422的系统区702中的实体区块301(B)~301(C)中。根据存储器存储装置42的不同,固件大小也是不同,固件使用实体区块301(B)~301(C)的数量也是不同。
进一步,固件是以Bin 文档的方式存储在存储器模块422上的,具体地讲,固件是存储在存储器模块422上的实体区块上。优选地,实体区块区块包括多个实体页;因此,固件也可存储在实体区块中的实体页上,一个实体页的大小可为4kb、8kb 或16kb。
进一步,固件存储在页上的文档格式为Bin 文档,一般来讲,U盘的固件大小为300Kb左右,一个区块就可以存储下它。SSD的固件大小为20MB左右,可能需要多个区块才能存储下它。手机的固件有10GB多或者智能电视有800多MB-2GB,因此就可能需要多个区块才能存储下它。
Bin 文档实质上是存储器存储装置42能够进行功能实现的代码,所述功能例如:数据写入、数据读取、对实体区块进行擦除、坏块管理、垃圾回收、磨损均衡等等。
在一个实施例中,提出一种存储器存储装置42的固件,所述固件在开发时是根据各个功能的实现,而编写单独的固件子程序,然后管理和维护该固件子程序在存储器模块422上的实体页或者实体区块上的存储方式。具体地,将存储器存储装置42的固件分割成多个Bin-X文档存储于系统区702的实体区块中。
具体地,固件所对应的Bin 文档存储在存储器存储装置42的区块或者上,存储器存储装置42若是想实现某个功能,其底层的技术实现原理为存储器控制123或者存储器控制电路504会从系统区702中读取一个或者多个的Bin-X文档到缓冲存储器510中,然后存储器存储装置42就可以实现所述一个或者多个的Bin-X文档所对应的代码可以执行的操作了。
在一个实施例中,将某些存储器存储装置42的固件可存储于系统区702的一个实体区块中。示例性地,存储器存储装置42为U 盘。
图8、图9、图10和图11为Bin-X文档在存储器模块422上存储方式的一个实施例示意图。
具体地,将多个Bin-X文档存储于一个实体区块中的一个实体页中。如图8所示,假设存储器模块422的固件所对应的Bin文档由W个Bin-X文档组成。图8中的固件包括W个Bin-X文档,在一实施例中,每一个Bin-X文档可理解为一个实现存储器模块422进行功能操作的代码文件,即图8中包含了W个实现存储器模块422进行功能操作的代码文件。基于每一个功能实现的难度各异,所以每一个Bin-X文档的大小也是各异,如图9所示。多个Bin-X文档存储于一个实体页中。具体地,Bin-1文档、Bin-2文档、Bin-3文档和Bin-4文档存储于系统区702中的实体区块301(R)中的实体页41(V)中。
进一步,基于每一个功能实现的难度各异,所以每一个Bin-X文档的大小也是各异,多个Bin-X文档存储于一个实体页中,会出现如图10所示的一个实体页中存储有多个Bin-X文档但是并不是按照一个实体页的足额的大小来存储Bin-X文档;示例性地,如图11所示,一个实体页大小为16KB,也是存储了4个Bin-X文档:Bin-1、Bin-2、Bin-3和Bin-4,但是这四个Bin-X的大小总和为14KB,实体页41(V)就只存Bin-1、Bin-2、Bin-3和Bin-4这4个Bin-X文档,而不再存储其它的Bin-X文档。对于不再存储其它的Bin-X文档的逻辑设定有两种:(1)、实体页41(V)中空出来的空间大小不足以容纳其它的任何一个Bin-X文档;(2)、于存储器模块422而言,其将一些为实现相同或者相近的功能所对应的Bin-X文档存储于一个实体页中,基于实现这些功能的Bin-X文档有限,所以只要将其归类地存储于一个实体页后,不管其该实体页是否存满,就不再将其它的无关的Bin-X文档也存入到该实体页中。示例性地,图10和图11中,Bin-1、Bin-2、Bin-3和Bin-4 这四个Bin-X分别为实现存储器模块422实现4K随机写/读、4K连续写/读;具体地,Bin-1文档可为数据4K随机读、Bin-2文档可为数据4K随机写、Bin-3文档可为数据4K连续读以及Bin-4文档4K连续写。即使Bin-5文档大小为1KB ,是可以存储于41(V)中的,但是由于Bin-5文档不是实现4K随机写/读、4K连续写/读相关的Bin-X文档,在这一实施例中,还是将Bin-5文档存储在另外一个实体页41(V+1)中。
对于为存储器存储装置42的基础功能实现代码的Bin-X文档,或者对于存储器存储装置42的常用的功能实现代码的Bin-X文档根据Bin-X文档的大小而将它们存储于一个实体页中。在存储器存储装置42需要来执行4K随机写/读、4K连续写/读时,存储器控制123或者存储器控制电路504会将实体页41(V)读取到缓冲存储器510中,然后存储器存储装置42就可以实现实体页41(V)存储的Bin-X文档所对应的代码可以执行的操作了。一般来讲,一个实体页的大小为16KB,一般来讲,存储器存储装置42的SRAM的大小都是有16KB 的,因此,并不会增加存储器存储装置42的制造成本。对于此类小容量SRAM的存储器存储装置42在不增加其制造成本的前提下,采用本实施例也可以实现其快速地进行4K随机写/读、4K连续写/读,进而提高存储器存储装置高速读写性能。藉此,采用本实施例所述的区块管理方法可以提供高性价比的高速读写性能的存储器存储装置42。
图12、图13、图14、图15和图16为Bin文档在存储器模块422上存储方式的另一个实施例示意图。
在一实施例中,将多个Bin-X文档存储于一个实体区块中,以及用与多个Bin-X文档数量相同的实体页来存储多个Bin-X文档且一个Bin-X文档存储于所述一个实体区块中的一个实体页中。
如图12所示,一个实体页上存储有1个Bin-X文档。
具体地,如图13所示,Bin-1文档大小为13KB,实体页41(V)还剩下3KB的空间,但是不再存储其它的Bin-X文档。
具体地,如图14所示,Bin-2文档大小为6KB,实体页41(V+1)还剩下10KB的空间,但是不再存储其它的Bin-X文档。
具体地,如图15所示,Bin-3文档大小为3KB,实体页41(V+2)还剩下13KB的空间,但是不再存储其它的Bin-X文档。
具体地,如图16所示,Bin-4文档大小为16KB,刚好存满了实体页41(V+3)的空间。
一个实体页上存储一个Bin-X文档,该Bin-X文档可为存储器存储装置42的对实体区块进行擦除的代码、执行数据加密任务的代码等等存储于存储器模块422上的文档。
图12、图13、图14、图15和图16中的Bin文档存储方式虽然会占据系统区702较大的空间,但是由于在实现所述Bin-X文档所对应的功能时,只是读取一个实体页的固件到缓冲存储器510中,不会额外多读取对当前不需要的Bin-X文档,此举比较适合缓冲存储器510容量有限,又想快速实现功能的存储器存储装置42。
此种固件存储方式,在存储器存储装置42需要来执行对实体区块进行擦除的代码、执行数据加密任务时,存储器控制123或者存储器控制电路504会将实体页41(V)或实体页41(V+1)或实体页41(V+2)或实体页41(V+3)读取到缓冲存储器510中,然后存储器存储装置42就可以实体页41(V)或实体页41(V+1)或实体页41(V+2)或实体页41(V+3)存储的Bin-X文档所对应的代码可以执行的操作了。一般来讲,一个实体页的大小为16KB,一般来讲,存储器存储装置42的SRAM的大小都是有16KB 的,因此,并不会增加存储器存储装置42的制造成本。对于此类小容量SRAM的存储器存储装置42在不增加其制造成本的前提下,采用本实施例也可以实现其快速地进行对实体区块进行擦除的代码、执行数据加密任务,进而提高存储器存储装置高速读写性能。藉此,采用本实施例所述的区块管理方法可以提供高性价比的高速读写性能的存储器存储装置42。
在一实施例中,将存储器存储装置42的固件分割成多个Bin-X文档存储于系统区的一个实体区块中包括将一个Bin-X文档存储于一个实体区块中的多个实体页中 。
优选地,其中将一个Bin-X文档存储于实体区块中的多个实体页中包括多个实体页中的每一个实体页存储一个Bin-X文档的一部分。
优选地,其中多个实体页中的每一个实体页存储一个Bin-X文档的一部分包括将一个Bin-X文档的一部分按照实体页的容量最大值来存储于多个实体页的一个或多个实体页中,且一个Bin-X文档的另外的部分由一个实体页来存储。
优选地,其中多个实体页中的每一个实体页存储一个Bin-X文档的一部分包括存储于每一个实体页上的一个Bin-X文档的一部分的大小是小于每一个实体页的容量最大值。
图17和图18为Bin文档在存储器模块422上存储方式的另一个实施例示意图;图19和图20为Bin文档在存储器模块422上存储方式的另一个实施例示意图。
如图17和图18所示,基于某些Bin-X文档的体积大于一个实体页(16KB)的容量,因此,在一实施例中将此类Bin-X文档存储于两个实体页中。具体地,如图17所示,实体页41(V)和实体页41(V+1)都不存满,分别存有Bin-1文档的一部分。进一步,如图18所示,先在实体页41(V)中按照实体页41(V)的空间大小来存,然后将Bin-1文档剩下的存在实体页41(V+1)中。示例性地,假设Bin-1文档大小为29KB,图17中,实体页41(V)存有14KB,实体页41(V+1)存有15KB ;图18中,实体页41(V)存有16KB,实体页41(V+1)存有13KB 。
如图19和图20所示,基于某些Bin-X文档的体积大于两个实体页(16KB)的容量,因此,在一实施例中将此类Bin-X文档存储于三个实体页中。具体地,如图19所示,实体页41(V)、实体页41(V+1)和实体页41(V+2)都不存满,分别存有Bin-1文档的一部分。进一步,如图20所示,先在实体页41(V)和实体页41(V+1)中按照实体页41(V)和实体页41(V+1)的空间大小来存,然后将Bin-1文档剩下的存在实体页41(V+2)中。示例性地,假设Bin-1文档大小为45KB,图19中,实体页41(V)、41(V+1)和41(V+2)存有15KB ;图20中,实体页41(V)和41(V+1)存有16KB,实体页41(V+2)存有13KB 。
一个Bin-X文档存储于一个实体区块中的多个实体页中,该Bin-X文档示例性地可为存储器存储装置42的坏块管理算法的代码、垃圾回收算法的代码、实体区块磨损均衡算法的代码。在存储器存储装置42需要来执行坏块管理算法、垃圾回收算法、实体区块磨损均衡算法时,其可以通过在后台执行这些算法,而不用存储器控制123或者存储器控制电路504将存储有这些算法的实体页或者实体区块读取到缓冲存储器510中。因此,采用本实施例所述的区块管理方法可以提供高性价比的高速读写性能的存储器存储装置42。
进一步,本申请还提出一种实施例,根据Bin-X文档的大小,将一些Bin-X文档存储于一个实体区块、两个实体区块乃至多个实体区块中。跨实体页存或者跨实体区块存的Bin-X文档可为存储器存储装置42的坏块管理算法的代码、垃圾回收算法的代码、实体区块磨损均衡算法的代码存储于存储器模块422上的文档。
进一步,上述的各种Bin-X文档存储方式也是可以集中地应用于一个存储器存储装置42的。
在一实施例中,当存储器存储装置12中的旧版本固件中存在的相关bug、优化固件性能或满足新的功能等需求时,则需要对存储器存储装置12进行固件升级操作。若是预先将存储器存储装置12中的固件按照本申请实施例所述Bin-X文档存储方式存储于存储器模块122上。在存储器存储装置12有固件升级操作需求时,选定新的实体页或者实体区块来存储增加特定的Bin-X文档,或者只需下载特定的Bin-X文档,替换原有的实体页或者实体区块,以完成固件升级操作,而不需要下载全部的固件。虽然固件升级的结果有可能只是更新了一个实体区块中的一个或者几个实体页中的Bin-X文档,其它的实体页中的Bin-X文档并没有改变;或者一个实体页中的一个或者几个Bin-X文档,其它的Bin-X文档并没有改变。此举,固件升级所需下载的固件文件包就可以比较小了,使得可以快速地实现存储器存储装置12的固件升级;同时,基于只是特定的存储有Bin-X实体区块或者实体页替换,使得此种方式的固件升级而无需重新上电和断电。
进一步,图21是本发明的一实施例所示出的区块管理方法的流程图。
请参照图21,在步骤S100中,将所述存储器模块划分为数据区、闲置区、系统区与取代区,所述数据区、闲置区、系统区与取代区包括至少一个实体区块,所述实体区块包括多个实体页;
在步骤S200中,所述数据区与闲置区的实体区块是用于存储数据,以及数据区的实体区块是被视为已存储数据的实体区块,而闲置区的实体区块是用于替换数据区的实体区块;
在步骤S300中,所述取代区中的实体区块是用于坏实体区块取代程序,以取代所述数据区、闲置区、系统区中损坏的实体区块;
在步骤S400中,所述系统区用于记录所述存储器存储装置的系统数据,且将所述存储器存储装置的固件分割成多个Bin-X文档存储于所述系统区的实体区块中。
综上所述,将固件分割成多个Bin-X文档存储于存储器存储装置的实体区块中,然后在存储器存储装置需要来执行某一个或多个功能时,存储器控制器会从实体区块中读取对应的固件到存储器控制器的静态随机存取存储器中,以实现所述固件Bin-X文档对应的功能。藉此,提供高性价比的高速读写性能的存储器存储装置。
然而,图21中各步骤已详细说明如上,在此便不再赘述。值得注意的是,图21中各步骤可以实作为多个程序码或是电路,本发明不加以限制。此外,图21的方法可以搭配以上实施例使用,也可以单独使用,本发明不加以限制。
最后应说明的是:以上各实施例仅用于说明本发明的技术方案,而非对其限制;尽管参照前述各实施例对本发明进行了详细的说明,本领域的普通技术人员应当理解:其依然可以对前述各实施例所记载的技术方案进行修改,或者对其中部分或者全部技术特征进行等同替换;而这些修改或者替换,并不使相应技术方案的本质脱离本发明各实施例技术方案的范围。
Claims (24)
1.一种区块管理方法,其特征在于,用于存储器存储装置,其中所述存储器存储装置包括存储器模块,所述区块管理方法包括将所述存储器模块划分为数据区、闲置区、系统区与取代区,所述数据区、闲置区、系统区与取代区包括至少一个实体区块,所述实体区块包括多个实体页;
所述数据区与闲置区的实体区块是用于存储数据,以及数据区的实体区块是被视为已存储数据的实体区块,而闲置区的实体区块是用于替换数据区的实体区块;
所述取代区中的实体区块是用于坏实体区块取代程序,以取代所述数据区、闲置区、系统区中损坏的实体区块;
所述系统区用于记录所述存储器存储装置的系统数据,且将所述存储器存储装置的固件分割成多个Bin-X文档存储于所述系统区的实体区块中。
2.根据权利要求1所述的区块管理方法,其特征在于,其中将所述存储器存储装置的固件分割成多个Bin-X文档存储于所述系统区的实体区块中包括将多个Bin-X文档存储于所述系统区的一个实体区块中。
3.根据权利要求2所述的区块管理方法,其特征在于,其中将多个Bin-X文档存储于所述系统区的一个实体区块中包括将多个Bin-X文档存储于所述一个实体区块中的一个实体页中。
4.根据权利要求2所述的区块管理方法,其特征在于,其中将多个Bin-X文档存储于所述系统区的一个实体区块中包括用与所述多个Bin-X文档数量相同的实体页来存储所述多个Bin-X文档且一个Bin-X文档存储于所述一个实体区块中的一个实体页中。
5.根据权利要求2所述的区块管理方法,其特征在于,其中将所述存储器存储装置的固件分割成多个Bin-X文档存储于所述系统区的一个实体区块中包括将一个Bin-X文档存储于所述一个实体区块中的多个实体页中。
6.根据权利要求5所述的区块管理方法,其特征在于,其中所述将一个Bin-X文档存储于所述实体区块中的多个实体页中包括所述多个实体页中的每一个实体页存储所述一个Bin-X文档的一部分。
7.根据权利要求6所述的区块管理方法,其特征在于,其中所述多个实体页中的每一个实体页存储所述一个Bin-X文档的一部分包括存储于每一个实体页上的所述一个Bin-X文档的一部分的大小是小于所述每一个实体页的容量最大值。
8.根据权利要求6所述的区块管理方法,其特征在于,其中所述多个实体页中的每一个实体页存储所述一个Bin-X文档的一部分包括将所述一个Bin-X文档的一部分按照所述实体页的容量最大值来存储于所述多个实体页的一个或多个实体页中,且所述一个Bin-X文档的另外的部分由一个实体页来存储。
9.一种存储器控制器,其特征在于,用于控制存储器存储装置,其中所述存储器存储装置包括存储器模块,所述存储器控制器将所述存储器模块划分为数据区、闲置区、系统区与取代区,所述数据区、闲置区、系统区与取代区包括至少一个实体区块,所述实体区块包括多个实体页;
其中,所述数据区与闲置区的实体区块是用于存储数据,以及数据区的实体区块是被视为已存储数据的实体区块,而闲置区的实体区块是用于替换数据区的实体区块;
所述取代区中的实体区块是用于坏实体区块取代程序,以取代所述数据区、闲置区、系统区中损坏的实体区块;
所述系统区用于记录所述存储器存储装置的系统数据;
且所述存储器控制器包括:主机接口,用于连接至主机系统;
存储器接口,用于连接至所述存储器模块;以及存储器控制电路,连接至所述主机接口与所述存储器接口;
其中所述存储器控制电路将所述存储器存储装置的固件分割成多个Bin-X文档存储于所述系统区的实体区块中。
10.根据权利要求9所述的存储器控制器,其特征在于,其中将所述存储器存储装置的固件分割成多个Bin-X文档存储于所述系统区的实体区块中包括将多个Bin-X文档存储于所述系统区的一个实体区块中。
11.根据权利要求10所述的存储器控制器,其特征在于,其中将多个Bin-X文档存储于所述系统区的一个实体区块中包括将多个Bin-X文档存储于所述一个实体区块中的一个实体页中。
12.根据权利要求10所述的存储器控制器,其特征在于,其中将多个Bin-X文档存储于所述系统区的一个实体区块中包括用与所述多个Bin-X文档数量相同的实体页来存储所述多个Bin-X文档且一个Bin-X文档存储于所述一个实体区块中的一个实体页中。
13.根据权利要求10所述的存储器控制器,其特征在于,其中将所述存储器存储装置的固件分割成多个Bin-X文档存储于所述系统区的一个实体区块中包括将一个Bin-X文档存储于所述一个实体区块中的多个实体页中。
14.根据权利要求13所述的存储器控制器,其特征在于,其中所述将一个Bin-X文档存储于所述实体区块中的多个实体页中包括所述多个实体页中的每一个实体页存储所述一个Bin-X文档的一部分。
15.根据权利要求14所述的存储器控制器,其特征在于,其中所述多个实体页中的每一个实体页存储所述一个Bin-X文档的一部分包括存储于每一个实体页上的所述一个Bin-X文档的一部分的大小是小于所述每一个实体页的容量最大值。
16.根据权利要求14所述的存储器控制器,其特征在于,其中所述多个实体页中的每一个实体页存储所述一个Bin-X文档的一部分包括将所述一个Bin-X文档的一部分按照所述实体页的容量最大值来存储于所述多个实体页的一个或多个实体页中,且所述一个Bin-X文档的另外的部分由一个实体页来存储。
17.一种存储装置,其特征在于,包括:
存储器模块,其包括数据区、闲置区、系统区与取代区,所述数据区、闲置区、系统区与取代区包括至少一个实体区块,所述实体区块包括多个实体页;
其中,所述数据区与闲置区的实体区块是用于存储数据,以及数据区的实体区块是被视为已存储数据的实体区块,而闲置区的实体区块是用于替换数据区的实体区块;
所述取代区中的实体区块是用于坏实体区块取代程序,以取代所述数据区、闲置区、系统区中损坏的实体区块;
所述系统区用于记录所述存储器存储装置的系统数据;
以及还包括:
连接接口,用于连接至主机系统;以及
存储器控制器,连接至所述存储器模块与所述连接接口,
其中所述存储器控制器将所述存储器存储装置的固件分割成多个Bin-X文档存储于所述系统区的实体区块中。
18.根据权利要求17所述的存储装置,其特征在于,其中将所述存储器存储装置的固件分割成多个Bin-X文档存储于所述系统区的实体区块中包括将多个Bin-X文档存储于所述系统区的一个实体区块中。
19.根据权利要求18所述的存储装置,其特征在于,其中将多个Bin-X文档存储于所述系统区的一个实体区块中包括将多个Bin-X文档存储于所述一个实体区块中的一个实体页中。
20.根据权利要求18所述的存储装置,其特征在于,其中将多个Bin-X文档存储于所述系统区的一个实体区块中包括用与所述多个Bin-X文档数量相同的实体页来存储所述多个Bin-X文档且一个Bin-X文档存储于所述一个实体区块中的一个实体页中。
21.根据权利要求18所述的存储装置,其特征在于,其中将所述存储器存储装置的固件分割成多个Bin-X文档存储于所述系统区的一个实体区块中包括将一个Bin-X文档存储于所述一个实体区块中的多个实体页中。
22.根据权利要求21所述的存储装置,其特征在于,其中所述将一个Bin-X文档存储于所述实体区块中的多个实体页中包括所述多个实体页中的每一个实体页存储所述一个Bin-X文档的一部分。
23.根据权利要求22所述的存储装置,其特征在于,其中所述多个实体页中的每一个实体页存储所述一个Bin-X文档的一部分包括存储于每一个实体页上的所述一个Bin-X文档的一部分的大小是小于所述每一个实体页的容量最大值。
24.根据权利要求22所述的存储装置,其特征在于,其中所述多个实体页中的每一个实体页存储所述一个Bin-X文档的一部分包括将所述一个Bin-X文档的一部分按照所述实体页的容量最大值来存储于所述多个实体页的一个或多个实体页中,且所述一个Bin-X文档的另外的部分由一个实体页来存储。
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