JP2013010936A - ポリマー組成物およびこのポリマーを含むフォトレジスト - Google Patents
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- SOLDADYIRQKIAE-UHFFFAOYSA-N C1C2=CCCC12 Chemical compound C1C2=CCCC12 SOLDADYIRQKIAE-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 0 C=*C(C(OC(CCO1)C1=O)=O)=C Chemical compound C=*C(C(OC(CCO1)C1=O)=O)=C 0.000 description 2
- GNGGMQCANKGXCA-UHFFFAOYSA-N CC(CC(OC(CC(C1)C2)(CC1(C1)OC(CC(C)=O)=O)CC21OC(C(C)=C)=O)=O)=O Chemical compound CC(CC(OC(CC(C1)C2)(CC1(C1)OC(CC(C)=O)=O)CC21OC(C(C)=C)=O)=O)=O GNGGMQCANKGXCA-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- RYEVHLHPQDCNME-UHFFFAOYSA-N CC(CC(OC(CC(C1)C2)(CC1C1)CC21OC(C(C)=C)=O)=O)=O Chemical compound CC(CC(OC(CC(C1)C2)(CC1C1)CC21OC(C(C)=C)=O)=O)=O RYEVHLHPQDCNME-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
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Abstract
Description
本出願は2011年5月27日に出願された米国仮出願第61/490,883号に対する優先権を主張しかつそのノンプロビジョナル出願であり、その仮出願の内容はその全体が参照によって本明細書に組み込まれる。
フォトレジスト、特に、193nmリソグラフィのために配合されるものは非常に低い未露光溶解速度を有する傾向がある。アルカリ現像剤中でのポリマーの溶解を許容する、塩基可溶性4−ヒドロキシスチレンモノマー(HSM)由来の単位に主として基づく248nm露光波長での使用のための深紫外線(DUV)フォトレジストポリマーとは異なり、193nmフォトレジストポリマーは、193nmで高い吸光度を有するHSMのような最も一般的な芳香族モノマーを組み込むことはできない。その代わりに、他の塩基可溶性基を組み込むモノマー単位、または193nmで比較的低い吸光度を有するそれら芳香族モノマー、例えば、低い吸光性の2−ヒドロキシ−6−ビニル−ナフタレンまたはヘキサフルオロアルコール(HFA)単位を組み込むモノマーが使用されてきた。しかし、今日まで、これら塩基可溶性基をベースにしたポリマーを含んでいるフォトレジストは劣ったライン幅ラフネス(LWR)を示す場合があった。さらに、HFAベースのモノマーの場合には、これらの基を含んでいるポリマーは、フッ素の存在のせいで、HSMのような非フッ素化モノマーよりもエッチング耐性を望ましくなく低減させていた。
を有するものが挙げられうる。典型的には、Rb基には、メチル、エチル、ブチル、シクロヘキシル、トリフルオロメチル、ペルフルオロエチルなどが挙げられる。
または、前記のモノマーの少なくとも1種を含む組み合わせが挙げられうる。
または、前記のモノマーの少なくとも1種を含む組み合わせが挙げられうる。
または、前記のモノマーの少なくとも1種を含む組み合わせが挙げられうる。
または、前記のものと少なくとも1種の追加のモノマーとを含む組み合わせが挙げられうる。
成分を溶解し、分配しおよびコーティングするのに概して適する溶媒には、アニソール、アルコール、例えば、乳酸エチル、1−メトキシ−2−プロパノールおよび1−エトキシ−2プロパノール、エステル、例えば、酢酸n−ブチル、酢酸1−メトキシ−2−プロピル、メトキシエトキシプロピオナート、エトキシエトキシプロピオナート、ケトン、例えば、シクロヘキサノンおよび2−ヘプタノン、並びに上記溶媒の少なくとも1種を含む組み合わせが挙げられる。
Claims (10)
- 前記追加のモノマーが酸脱保護性塩基可溶性基を有する(メタ)アクリラートモノマー、ラクトン官能基を有する(メタ)アクリラートモノマー、式(I)のとは同じでない塩基可溶性基を有する(メタ)アクリラートモノマー、または前記のモノマーの少なくとも1種を含む組み合わせである、請求項1〜4のいずれか1項に記載のコポリマー。
- 請求項1〜8のいずれか1項に記載の重合生成物を含むコポリマー;
光酸発生剤;並びに、
場合によっては、第二の酸感受性ポリマー、およびアミンまたはアミド添加剤;
を含むフォトレジスト。 - 請求項9のフォトレジストを含む塗膜。
Applications Claiming Priority (2)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
US201161490883P | 2011-05-27 | 2011-05-27 | |
US61/490,883 | 2011-05-27 |
Publications (3)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JP2013010936A true JP2013010936A (ja) | 2013-01-17 |
JP2013010936A5 JP2013010936A5 (ja) | 2016-03-17 |
JP5897986B2 JP5897986B2 (ja) | 2016-04-06 |
Family
ID=46298243
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP2012117271A Expired - Fee Related JP5897986B2 (ja) | 2011-05-27 | 2012-05-23 | ポリマー組成物およびこのポリマーを含むフォトレジスト |
Country Status (5)
Country | Link |
---|---|
US (1) | US8603728B2 (ja) |
EP (1) | EP2527379A1 (ja) |
JP (1) | JP5897986B2 (ja) |
CN (1) | CN102796223A (ja) |
TW (1) | TWI507428B (ja) |
Families Citing this family (5)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
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US9581901B2 (en) | 2013-12-19 | 2017-02-28 | Rohm And Haas Electronic Materials Llc | Photoacid-generating copolymer and associated photoresist composition, coated substrate, and method of forming an electronic device |
JP6267532B2 (ja) | 2014-02-14 | 2018-01-24 | 信越化学工業株式会社 | レジスト保護膜材料及びパターン形成方法 |
KR102233577B1 (ko) | 2014-02-25 | 2021-03-30 | 삼성전자주식회사 | 반도체 소자의 패턴 형성 방법 |
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-
2012
- 2012-05-22 EP EP12168975A patent/EP2527379A1/en not_active Withdrawn
- 2012-05-23 JP JP2012117271A patent/JP5897986B2/ja not_active Expired - Fee Related
- 2012-05-24 TW TW101118475A patent/TWI507428B/zh not_active IP Right Cessation
- 2012-05-28 CN CN2012102429953A patent/CN102796223A/zh active Pending
- 2012-05-29 US US13/482,559 patent/US8603728B2/en not_active Expired - Fee Related
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Also Published As
Publication number | Publication date |
---|---|
TWI507428B (zh) | 2015-11-11 |
US20120301823A1 (en) | 2012-11-29 |
CN102796223A (zh) | 2012-11-28 |
JP5897986B2 (ja) | 2016-04-06 |
TW201307406A (zh) | 2013-02-16 |
EP2527379A1 (en) | 2012-11-28 |
US8603728B2 (en) | 2013-12-10 |
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Legal Events
Date | Code | Title | Description |
---|---|---|---|
A621 | Written request for application examination |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A621 Effective date: 20141203 |
|
A977 | Report on retrieval |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A971007 Effective date: 20151021 |
|
A131 | Notification of reasons for refusal |
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