JP2013003224A5

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Publication number: JP2013003224A5
Application number: JP2011131779A
Authority: JP
Filing date: 2011-06-14
Publication date: 2014-07-03

Description

図１は第１実施形態の光導波路の製造方法を示す断面図及び平面図（その１）である。図２は第１実施形態の光導波路の製造方法を示す断面図及び平面図（その２）である。図３は第１実施形態の光導波路の製造方法を示す断面図及び平面図（その３）である。図４は第１実施形態の光導波路の製造方法を示す断面図及び平面図（その４）である。図５は第１実施形態の光導波路の製造方法を示す断面図及び平面図（その５）である。図６は第１実施形態の光導波路の製造方法を示す断面図及び平面図（その６）である。図７は第１実施形態の光導波路を示す断面図である。図８は第１実施形態の別の光導波路を示す断面図である。図９は第１実施形態の光導波路装置を示す断面図である。図１０は第１実施形態の光導波路装置において光のクロストークが防止される様子を示す斜視図である。図１１は第２実施形態の光導波路の製造方法を示す断面図及び平面図（その１）である。図１２は第２実施形態の光導波路の製造方法を示す断面図及び平面図（その２）である。図１３は第２実施形態の光導波路の製造方法を示す断面図及び平面図（その３）である。図１４は第２実施形態の光導波路の製造方法を示す断面図及び平面図（その４）である。図１５は第２実施形態の光導波路の製造方法を示す断面図及び平面図（その５）である。図１６は配線基板の上に形成された第２実施形態の光導波路を示す断面図及び平面図である。図１７は図１６の光導波路及び配線基板の上に保護絶縁層が形成された様子を示す断面図及び平面図である。図１８は第２実施形態の光導波路装置を示す断面図である。図１９は第２実施形態の別の光導波路を示す平面図である。

（第１の実施の形態）
図１〜図６は第１実施形態の光導波路の製造方法を示す断面図及び平面図、図７は同じく光導波路を示す断面図、図８は同じく光導波路装置を示す断面図である。

そして、図１３に示すように、図１２の光導波路層２１の下側のクラッド層２２の面を接着剤３２によって配線基板６に接着して固定する。このとき、光導波路層２１の終端部の光路変換ミラーＭ（金属層２６）の側方が接着剤３２で埋め込まれる。

次いで、図１４に示すように、第１実施形態と同様に、光導波路層２１のクラッド層２２の光入射部Ｌ１及び光出射部Ｌ２の上にレジストパターン２８（マスクパターン）を形成して保護する。レジストパターン２８は光導波路層２１の周辺の配線基板６の上にも同時に形成される。図１４の平面図では、レジストパターン２８は斜線ハッチング部で描かれている。

そして、図１８に示すように、第１実施形態と同様に、光導波路１ａの一端側（左側）の光入射用の光路変換ミラーＭに光結合するように、発光素子４０が接続電極４１によって配線基板６の接続パッドＰに接続されて実装される。発光素子４０はその発光部４０ａが下側を向いた状態で実装される。

Claims

下側クラッド層と、
前記下側クラッド層の上に形成された複数のコア層と、
前記複数のコア層を覆う上側クラッド層と
を含む光導波路層と、
前記光導波路層の複数のコア層の光入射側及び光出射側にそれぞれ設けられた複数の光路変換部と、
前記光入射側の前記光路変換部に対応する位置に配置された前記上側クラッド層の上面に画定された複数の光入射部と、
前記光出射側の前記光路変換部に対応する位置に配置された前記上側クラッド層の上面に画定された複数の光出射部とを有し、
前記光入射部及び前記光出射部を除く領域の前記上側クラッド層の上面の全体が粗化面となっており、前記光入射部及び前記光出射部の上面のみが平滑面であり、かつ、
前記粗化面及び前記平滑面は前記上側クラッド層の上面と同じ面であることを特徴とする光導波路。
下側クラッド層と、
前記下側クラッド層の上に形成された複数のコア層と、
前記複数のコア層を覆う上側クラッド層と
を含む光導波路層と、
前記光導波路層の複数のコア層の光入射側及び光出射側にそれぞれ設けられた複数の光路変換部と、
前記光入射側の前記光路変換部に対応する位置の前記上側クラッド層の上面に画定された複数の光入射部と、
前記光出射側の前記光路変換部に対応する位置の前記上側クラッド層の上面に画定された複数の光出射部とを有し、
前記光入射部及び前記光出射部の周囲の前記上側クラッド層の上面のみが部分的に粗化となっており、前記光入射部及び前記光出射部の上面のみが平滑面であり、かつ、
前記粗化面及び前記平滑面は前記上側クラッド層の上面と同じ面であることを特徴とする光導波路。
前記光路変換部は、前記下側クラッド層及び前記コア層に設けられた光路変換傾斜面とそれに接する空気層とからなることを特徴とする請求項１又は２に記載の光導波路。
前記光路変換部は、前記下側クラッド層及び前記コア層に設けられた光路変換傾斜面に配置された金属層から形成された光路変換ミラーからなることを特徴とする請求項１又は２に記載の光導波路。
前記上側クラッド層の前記粗化面の表面粗さ（Ｒａ）は、１μｍ以上３μｍ以下の範囲に設定されることを特徴とする請求項１乃至４のいずれか一項に記載の光導波路。
請求項１乃至５のいずれかの光導波路と、
前記光導波路の前記上側クラッド層の粗化面の上に配置された配線基板と、
前記配線基板に実装され、前記光導波路の前記光入射側の前記光路変換部に光結合される発光素子と、
前記配線基板に実装され、前記光導波路の前記光出射側の前記光路変換部に光結合される受光素子とを有することを特徴とする光導波路装置。
前記上側クラッド層の粗化面が上側になって配置された請求項１乃至５のいずれかの光導波路と、
前記光導波路の下に配置された配線基板と、
前記上側クラッド層の粗化面の上に形成され、前記光導波路の光入射部及び光出射部の上に開口部が設けられた保護絶縁層と、
前記配線基板に実装され、前記光導波路の前記光入射側の前記光路変換部に光結合される発光素子と、
前記配線基板に実装され、前記光導波路の前記光出射側の前記光路変換部に光結合される受光素子とを有することを特徴とする光導波路装置。
基板の上に、光導波路層を形成する工程であって、前記光導波路層は、コア層がクラッド層で囲まれた構造を有し、前記光導波路層の光入射側及び光出射側に光路変換部がそれぞれ設けられており、前記クラッド層の上面に、前記光入射側の前記光路変換部に光が入射される光入射部と、前記光出射側の前記光路変換部からの光が出射される光出射部とが画定されており、
前記クラッド層の前記光入射部及び前記光出射部の上にマスクパターンを形成する工程と、
前記マスクパターンをマスクにしてクラッド層の表面をブラスト加工することにより粗化面を形成する工程と、
前記マスクパターンを除去する工程とを有することを特徴とする光導波路の製造方法。
前記基板は仮基板であり、
前記マスクパターンを除去する工程の後に、前記基板が除去されることを特徴とする請求項８に記載の光導波路の製造方法。
前記光路変換部は、下側の前記クラッド層及び前記コア層に設けられた光路変換傾斜面とそれに接する空気層とからなり、
前記基板の上に光導波路層を形成する工程において、
前記光路変換傾斜面を接着剤で埋め込まずに前記空気層を残すことを特徴とする請求項８又は９に記載の光導波路の製造方法。
前記光路変換部は、下側の前記クラッド層及び前記コア層に設けられた光路変換傾斜面に配置された金属層から形成された光路変換ミラーからなり、
前記基板の上に光導波路層を形成する工程において、
前記光路変換ミラーを接着剤で埋め込むことを特徴とする請求項８又は９に記載の光導波路の製造方法。