JP2012530368A - エピタキシー反応炉を構成する方法 - Google Patents
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Abstract
【解決手段】本発明は、プロセスチャンバーの中でサセプタによって保持される基板上に少なくとも1つの層を堆積させるための装置においてプロセスチャンバーを構成する方法に関する。プロセスガスは、ガス注入エレメントを通ってキャリアガスを用いてプロセスチャンバーに導入される。プロセスガスは、プロセスチャンバーの中で分解生成物に分解する。分解生成物は層を形成する成分を含む。厚い層や多層構造を再現可能な方法で堆積させるために、少なくともサセプタと向かい合うプロセスチャンバーの壁のプロセスチャンバーに面する表面に対して、層成長の間に堆積される層の光学的反射率、光学的吸収率、および光学的透過率にそれぞれ相当する光学的反射率、光学的吸収率、および光学的透過率を持つ材料を選択することが提案される。
Description
透過率T〜0;吸収率A〜0.8;反射率R=1−A
Claims (7)
- プロセスチャンバーの中でサセプタによって保持される基板上に少なくとも1つの層を堆積させるための装置において前記プロセスチャンバーを構成する方法であって、
プロセスガスが、ガス注入エレメントを通って、特にキャリアガスを用いて前記プロセスチャンバーに導入され、
前記プロセスガスが、前記プロセスチャンバーの中で、特に熱い表面上で分解生成物に分解し、
前記分解生成物が、前記層を形成する成分を含み、
少なくとも前記サセプタと向かい合う前記プロセスチャンバーの壁の前記プロセスチャンバーに面する表面のために、前記層の光学的反射率、光学的吸収率、および光学的透過率にそれぞれ相当する光学的反射率、光学的吸収率、および光学的透過率を持つ材料が選択される、
ことを特徴とする方法。 - 前記サセプタおよび/または側壁の表面が、層成長の間に堆積される前記層の光学特性に相当する光学特性を有することを特徴とする請求項1に記載の方法。
- 前記サセプタが前記プロセスチャンバーの底であり、前記ガス注入エレメントが前記プロセスチャンバーの壁の中央に配置されることを特徴とする請求項1または2に記載の方法。
- 前記プロセスチャンバーを通る前記キャリアガスと前記プロセスガスの流れが、水平方向に生じることを特徴とする請求項1ないし3のいずれか1項に記載の方法。
- 堆積される前記層の光学特性に一致する前記プロセスチャンバーの壁が、交換可能な金属被覆部品であることを特徴とする請求項1ないし4のいずれか1項に記載の方法。
- サセプタによって保持される基板上に層を堆積させるための装置であって、
プロセスガスが、ガス注入エレメントを通って、特にキャリアガスを用いてプロセスチャンバーに導入され、
前記プロセスガスが、前記プロセスチャンバーの中で、特に熱い表面上で分解生成物に分解し、
前記分解生成物が、前記層を形成する成分を含み、
少なくとも前記サセプタと向かい合う前記プロセスチャンバーの壁が交換可能な金属被覆部品によって形成され、当該金属被覆部品が前記プロセスチャンバーに面する表面において前記プロセスチャンバーに堆積される層の光学的反射率、光学的吸収率、および光学的透過率にそれぞれ相当する光学的反射率、光学的吸収率、および光学的透過率を有する、
ことを特徴とする装置。 - 前記プロセスチャンバーに面するサセプタの表面および/または前記プロセスチャンバーに面する側壁が金属被覆部品によって形成され、前記プロセスチャンバーに面する前記サセプタおよび/または前記側壁の表面が、堆積される前記層の光学特性に相当する光学特性を有することを特徴とする請求項6に記載の装置。
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