JP2012529763A - ゼーベック効果熱電発電装置用のマイクロ構造、及びそのマイクロ構造の製造方法 - Google Patents
ゼーベック効果熱電発電装置用のマイクロ構造、及びそのマイクロ構造の製造方法 Download PDFInfo
- Publication number
- JP2012529763A JP2012529763A JP2012514514A JP2012514514A JP2012529763A JP 2012529763 A JP2012529763 A JP 2012529763A JP 2012514514 A JP2012514514 A JP 2012514514A JP 2012514514 A JP2012514514 A JP 2012514514A JP 2012529763 A JP2012529763 A JP 2012529763A
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- elements
- connection region
- microstructure
- insulating substrate
- connection
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Granted
Links
Images
Classifications
-
- H—ELECTRICITY
- H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H10N—ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H10N10/00—Thermoelectric devices comprising a junction of dissimilar materials, i.e. devices exhibiting Seebeck or Peltier effects
- H10N10/10—Thermoelectric devices comprising a junction of dissimilar materials, i.e. devices exhibiting Seebeck or Peltier effects operating with only the Peltier or Seebeck effects
- H10N10/17—Thermoelectric devices comprising a junction of dissimilar materials, i.e. devices exhibiting Seebeck or Peltier effects operating with only the Peltier or Seebeck effects characterised by the structure or configuration of the cell or thermocouple forming the device
-
- H—ELECTRICITY
- H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H10N—ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H10N10/00—Thermoelectric devices comprising a junction of dissimilar materials, i.e. devices exhibiting Seebeck or Peltier effects
- H10N10/01—Manufacture or treatment
Landscapes
- Engineering & Computer Science (AREA)
- Manufacturing & Machinery (AREA)
- Measuring Temperature Or Quantity Of Heat (AREA)
- Internal Circuitry In Semiconductor Integrated Circuit Devices (AREA)
Abstract
Description
・ 第一及び第二の接続領域が設けられた絶縁基板を形成するステップと、
・ 第一の接続領域から第二の接続領域まで第一の方向に平行に延伸する導体又は半導体素子の第一の組(その素子は第一のゼーベック係数を有する)を基板上に形成するステップと、
・ 第一の接続領域から第二の接続領域まで第一の方向とは異なる第二の方向に平行に延伸する導体又は半導体素子の第二の組(第二の組の素子は、第一の組の素子から電気的に絶縁されて、第一のゼーベック係数とは異なる第二のゼーベック係数を有する)を基板上に形成するステップと、
・ 基板の第一及び第二の接続領域に電気接続素子(その電気接続素子の寸法は、各接続素子が第一の組の少なくとも一つの素子を第二の組の少なくとも一つの素子に電気的に接続することができるように選択される)を提供するステップとを備えたゼーベック効果熱電マイクロ構造の製造方法である。
・ 単一の組の二つの導体又は半導体素子は、接続領域内における所定の平均距離によって所定の方向に分離されていて、
・ 所定の方向における接続素子の平均寸法は、単一の組の素子間の平均距離の最大値よりも大きく、
二つの接続素子の縁の間の所定の方向における距離は、単一の組の素子間の平均距離の最小値よりも小さい。
・ 第一の接続領域及び第二の接続領域が設けられた絶縁基板と、
・ 基板上の、第一の接続領域と第二の接続領域との間において第一の方向に平行に延伸する導体又は半導体素子の第一の組(その素子は第一のゼーベック係数を有する)と、
・ 基板上の、第一の接続領域から第二の接続領域まで第一の方向とは異なる第二の方向に平行に延伸する導体又は半導体素子の第二の組(第二の組の素子は、第一の組から電気的に絶縁されていて、第一のゼーベック係数とは異なる第二のゼーベック係数を有する)と、
・ 第一及び第二の接続領域内の、第一の組の少なくとも一つの素子を第二の組の少なくとも一つの素子に電気的に接続する電気接続素子とを備えたゼーベック効果熱電発電機用のマイクロ構造である。
・ 単一の組の二つの導体又は半導体素子は、接続領域における所定の平均距離によって所定の方向に分離されていて、
・ 所定の方向における接続素子の平均寸法は、単一の組の素子間の平均距離の最大値よりも大きく、
・ 二つの接続素子の縁の間の所定の方向における距離は、単一の組の素子間平均距離の最小値よりも小さい。
・ 絶縁体の薄い基板12(例えば、基板又は薄膜);
・ 絶縁基板12の第一の面上に設けられた導体又は半導体製のバンド14の組。バンド14は、互いに等間隔で実質的に平行に形成され、基板12の第一の領域18(基板の上縁に配置されている)から、基板12の第二の領域20(基板の下縁に配置されている)まで延伸する;
・ 基板12の第一の面の反対側の第二の面上に設けられた導体又は半導体製のバンド22(破線で示される)の組。バンド22も、互いに等間隔で実質的に平行に形成され、第一の領域18から第二の領域20まで延伸する。更に、バンド22は、バンド14とは異なる方向を有する;
・ 絶縁基板12を貫通して領域18及び20に設けられた金属接続コンタクト24の組。金属コンタクト24(例えば楕円断面)は、等間隔であり、第一及び第二の組のバンド14、22を互いに電気的に接続する;
・ 基板12の左縁及び右縁に沿って形成された金属コレクタコンタクト26、28。金属コレクタコンタクト26はバンド14のみと接触していて、金属コレクタコンタクト28はバンド22のみと接触している。
・ d1≦|D1−D2|及びd2≦|D1−D2|となるような個々の平均間隔d1及びd2(図3及び図4)で接続領域18及び20の間に平行なバンド14、22を形成するステップと、
・ 幅P(図5)が、max(d1,d2)及び変動ΔPよりも大きな平均値
間隔E(つまり二つのコンタクト24の二つの隣接する縁を分離する距離)が好ましくはmin(d1,d2)未満であり、有利には、金属コンタクト24が接触せずに可能な限り小さい。有利には
・ 1.4mm×1.4mmで厚さ0.01mmの絶縁基板を有し、
・ 平均直径0.002mmで400本ワイヤ/mmの密度で配置されたBi2Te2.7Se0.3製のn型半導体ワイヤを基板の一方の面上に有し、
・ 平均直径0.002mmで400本ワイヤ/mmの密度で配置されたBi0.5Sb1.5Te3製のp型半導体ワイヤを基板の他方の面上に有し、
・ 平均幅0.016mmで、二つのコンタクト間の平均間隔0.004mmの電気接続コンタクトを有するように製造した。コンタクトは、ニッケルメッキのテルル化ビスマス製であり、10−9Ωm−2の表面抵抗を有する。従って、平均で7本のワイヤが一つのコンタクトに接続される。
・ 正確な位置合わせを必要とせずに低いコストで高い生産出力を可能にする製造方法が得られ、
・ 基板及びその環境の特殊性を考慮することができる製造方法が得られ(例えば、適切な非直線状導体素子を用いて、一部基板領域をバイパス可能にすることによって)、
・ 使用意図に応じて両面又は単面のマイクロ構造を得るための方法が得られ、
・ 複数の電流経路を並列に配置することによってロバストな熱電マイクロ構造が得られ、
・ 高い接合密度によって高電圧熱電マイクロ構造が得られ、また、
・ 他のマイクロ構造と単純な方法で組み合わせ可能な熱電マイクロ構造が得られる。
12 絶縁基板
14、22 導体又は半導体素子
18、20 接続領域
24 電気接続素子
26、28 金属コレクタコンタクト
30 負荷
Claims (6)
- 第一の接続領域(18)及び第二の接続領域(20)が設けられた絶縁基板(12)を形成するステップと、
前記第一の接続領域(18)から前記第二の接続領域(20)まで第一の方向に平行に延伸する導体又は半導体の素子(14)であって、第一のゼーベック係数を有する素子(14)の第一の組を前記絶縁基板(12)上に形成するステップと、
前記第一の接続領域(18)から前記第二の接続領域(20)まで前記第一の方向とは異なる第二の方向に平行に延伸する導体又は半導体の素子(22)であって、前記第一の組の素子(14)から電気的に絶縁されて、前記第一のゼーベック係数とは異なる第二のゼーベック係数を有する素子(22)の第二の組を前記絶縁基板(12)上に形成するステップと、
前記絶縁基板の前記第一の接続領域(18)及び第二の接続領域(20)に、電気接続素子(24)を提供するステップとを備え、前記電気接続素子(24)の寸法(P)が、各電気接続素子(22)が前記第一の組の少なくとも一つの素子(14)を前記第二の組の少なくとも一つの素子(22)と電気的に接続することができるように選択される、ゼーベック効果熱電マイクロ構造(10)の製造方法であって、
単一の組の二つの導体又は半導体の素子(14、22)が、接続領域(18、20)における所定の平均距離(d1、d2)によって所定の方向に分離され、
前記所定の方向における前記電気接続素子(24)の平均寸法(P)が、単一の組の素子間の平均距離(d1、d2)の最大値よりも大きく、
二つの電気接続素子(24)の縁の間の前記所定の方向における距離(E)が、単一の組の素子間の平均距離(d1、d2)の最小値よりも小さいことを特徴とするゼーベック効果熱電マイクロ構造(10)の製造方法。 - 前記導体又は半導体の素子の第一の組及び第二の組が、前記絶縁基板(12)の両面に各々形成され、前記電気接続素子(24)を提供するステップが、前記両面の間で前記絶縁基板を貫通する電気接続部を形成するステップ、特に前記絶縁基板を貫通する少なくとも一つの孔を形成し該孔の内部に導体コンタクトを成形するステップを含む、請求項1に記載のゼーベック効果熱電マイクロ構造(10)の製造方法。
- 前記所定の方向における前記電気接続素子(24)の平均寸法(P)が、単一の組の素子間の平均距離(d1、d2)の最大値の二倍よりも大きい、請求項1に記載のゼーベック効果熱電マイクロ構造(10)の製造方法。
- 前記導体又は半導体の素子(14、22)が、バンド、ワイヤ、ナノワイヤ、及び/又は、単結晶繊維によって構成される、請求項1から3のいずれか一項に記載のゼーベック効果熱電マイクロ構造(10)の製造方法。
- 少なくとも一方の組の前記導体又は半導体の素子(14、22)が薄膜によって構成され、前記薄膜が、異方性導電性を有し、前記絶縁基板の面の一方に取り付けられ、他方の組の素子とは異なる方向において最大電流伝導軸を有する、請求項2に記載のゼーベック効果熱電マイクロ構造(10)の製造方法。
- 第一の接続領域(18)及び第二の接続領域(20)が設けられた絶縁基板(12)と、
前記絶縁基板(12)上において、前記第一の接続領域(18)と前記第二の接続領域(20)との間で第一の方向に平行に延伸する導体又は半導体の素子(14)であって、第一のゼーベック係数を有する素子(14)の第一の組と、
前記絶縁基板(12)上において、前記第一の接続領域(18)から前記第二の接続領域(20)まで前記第一の方向とは異なる第二の方向に平行に延伸する導体又は半導体の素子(22)であって、前記第一の組の素子(14)から電気的に絶縁されていて、前記第一のゼーベック係数とは異なる第二のゼーベック係数を有する素子(22)の第二の組と、
前記第一及び第二の接続領域(18、20)内において前記第一の組の少なくとも一つの素子(14)を前記第二の組の少なくとも一つの素子(22)と電気的に接続する電気接続素子(24)とを備えたゼーベック効果熱電発電機用のマイクロ構造(10)であって、
単一の組の二つの導体又は半導体の素子(14、22)が、接続領域(18、20)における所定の平均距離(d1、d2)によって所定の方向に分離されていて、
前記所定の方向における前記電気接続素子(24)の平均寸法(P)が、単一の組の素子間の平均距離(d1、d2)の最大値よりも大きく、
二つの電気接続素子(24)の縁の間の前記所定の方向における距離(E)が、単一の組の素子間の平均距離(d1、d2)の最小値よりも小さいことを特徴とするゼーベック効果熱電発電機用のマイクロ構造(10)。
Applications Claiming Priority (3)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
FR0953930A FR2946798B1 (fr) | 2009-06-12 | 2009-06-12 | Micro-structure pour generateur thermoelectrique a effet seebeck et procede de fabrication d'une telle micro- structure. |
FR0953930 | 2009-06-12 | ||
PCT/FR2010/050904 WO2010142880A2 (fr) | 2009-06-12 | 2010-05-11 | Micro-structure pour générateur thermoélectrique à effet seebeck et procédé de fabrication d'une telle micro-structure |
Publications (2)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JP2012529763A true JP2012529763A (ja) | 2012-11-22 |
JP5536879B2 JP5536879B2 (ja) | 2014-07-02 |
Family
ID=41682421
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP2012514514A Expired - Fee Related JP5536879B2 (ja) | 2009-06-12 | 2010-05-11 | ゼーベック効果熱電発電装置用のマイクロ構造、及びそのマイクロ構造の製造方法 |
Country Status (9)
Country | Link |
---|---|
US (1) | US8962970B2 (ja) |
EP (1) | EP2441099B1 (ja) |
JP (1) | JP5536879B2 (ja) |
KR (1) | KR20120046106A (ja) |
CN (1) | CN102449789B (ja) |
ES (1) | ES2406262T3 (ja) |
FR (1) | FR2946798B1 (ja) |
RU (1) | RU2521147C2 (ja) |
WO (1) | WO2010142880A2 (ja) |
Cited By (1)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP2015528203A (ja) * | 2012-06-25 | 2015-09-24 | エミテック ゲゼルシヤフト フユア エミツシオンステクノロギー ミツト ベシユレンクテル ハフツング | 熱電材料を有する糸および熱電モジュール用の部品の製造のための方法 |
Families Citing this family (10)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
FR2946798B1 (fr) * | 2009-06-12 | 2011-10-28 | Commissariat Energie Atomique | Micro-structure pour generateur thermoelectrique a effet seebeck et procede de fabrication d'une telle micro- structure. |
CN103688379A (zh) * | 2011-07-20 | 2014-03-26 | 中弥浩明 | 热电转变元件和热电转变发电装置 |
FR2978870B1 (fr) * | 2011-08-01 | 2016-11-18 | Commissariat Energie Atomique | Dispositif de localisation de points chauds avec des fluxmetres thermiques |
DE102011115172B4 (de) * | 2011-09-23 | 2017-02-16 | Werner Neumann | Verfahren zur Herstellung eines textilen thermoelektrischen Bauelements, textile thermoelektrische Bauelemente und Verwendungen eines textilen thermoelektrischen Bauelements |
ITRM20130032A1 (it) * | 2012-06-06 | 2013-12-07 | Giovanni Facchiano | Elemento cella ad effetto seebeck e relativo modulo termoelettrico ad effetto seebeck. |
CN104956505B (zh) | 2013-01-24 | 2017-09-19 | 欧-弗莱克斯科技有限公司 | 热电元件以及其制造方法 |
CN106601901A (zh) * | 2016-12-14 | 2017-04-26 | 昆明理工大学 | 一种高温氧化物薄膜热电模块 |
CN106784281B (zh) * | 2016-12-14 | 2019-06-07 | 昆明理工大学 | 一种薄膜热电模块 |
CN106784283A (zh) * | 2016-12-16 | 2017-05-31 | 昆明理工大学 | 一种透明热电模块的制备方法 |
CN110173855B (zh) * | 2019-05-29 | 2021-11-02 | 北京隆普智能科技有限公司 | 一种地铁车站节能型环控系统 |
Citations (5)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JPH05299704A (ja) * | 1992-04-23 | 1993-11-12 | Daikin Ind Ltd | サーモモジュール |
JPH10303471A (ja) * | 1997-04-28 | 1998-11-13 | Sharp Corp | 熱電素子及びそれを用いた熱電素子モジュール |
JP2004104041A (ja) * | 2002-09-13 | 2004-04-02 | Sony Corp | 熱電変換装置及びその製造方法 |
JP3803365B2 (ja) * | 2003-11-17 | 2006-08-02 | 松下電器産業株式会社 | 結晶膜の製造方法、結晶膜付き基体の製造方法、および熱電変換素子の製造方法 |
JP2008130718A (ja) * | 2006-11-20 | 2008-06-05 | Tokai Rika Co Ltd | 熱電変換デバイス及びその製造方法 |
Family Cites Families (14)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
SU455702A1 (ru) * | 1973-12-06 | 1976-08-05 | Предприятие П/Я В-2763 | Термоэлемент |
WO1980001438A1 (en) * | 1979-01-02 | 1980-07-10 | E Gomez | Energy production and storage apparatus |
RU2131156C1 (ru) * | 1998-04-20 | 1999-05-27 | Косарев Александр Владимирович | Термоэлектрический преобразователь |
EP1155460A4 (en) * | 1998-11-13 | 2006-12-06 | Hi Z Technology Inc | THERMOELECTRIC QUANTUM POT MATERIAL ON VERY THIN SUBSTRATE |
FR2822295B1 (fr) | 2001-03-16 | 2004-06-25 | Edouard Serras | Generateur thermoelectrique a semi-conducteurs et ses procedes de fabrication |
US7939744B2 (en) * | 2001-08-21 | 2011-05-10 | Kyocera Corporation | Thermoelectric element |
JP2004179480A (ja) * | 2002-11-28 | 2004-06-24 | Hitachi Metals Ltd | 薄膜熱電素子及び薄膜熱電素子の製造方法 |
CN100397671C (zh) * | 2003-10-29 | 2008-06-25 | 京瓷株式会社 | 热电换能模块 |
US7851691B2 (en) * | 2003-12-02 | 2010-12-14 | Battelle Memorial Institute | Thermoelectric devices and applications for the same |
US20060107989A1 (en) * | 2004-11-24 | 2006-05-25 | Marlow Industries, Inc. | High watt density thermoelectrics |
JP2008205129A (ja) * | 2007-02-19 | 2008-09-04 | Tokai Rika Co Ltd | 回路ブロック及びその製造方法 |
FR2919431B1 (fr) * | 2007-07-23 | 2010-08-27 | Commissariat Energie Atomique | Moyen thermoelectrique et structure de type tissu integrant un tel moyen. |
FR2946798B1 (fr) * | 2009-06-12 | 2011-10-28 | Commissariat Energie Atomique | Micro-structure pour generateur thermoelectrique a effet seebeck et procede de fabrication d'une telle micro- structure. |
US8487177B2 (en) * | 2010-02-27 | 2013-07-16 | The Boeing Company | Integrated thermoelectric honeycomb core and method |
-
2009
- 2009-06-12 FR FR0953930A patent/FR2946798B1/fr not_active Expired - Fee Related
-
2010
- 2010-05-11 EP EP10731766.1A patent/EP2441099B1/fr not_active Not-in-force
- 2010-05-11 RU RU2012100747/28A patent/RU2521147C2/ru not_active IP Right Cessation
- 2010-05-11 ES ES10731766T patent/ES2406262T3/es active Active
- 2010-05-11 WO PCT/FR2010/050904 patent/WO2010142880A2/fr active Application Filing
- 2010-05-11 JP JP2012514514A patent/JP5536879B2/ja not_active Expired - Fee Related
- 2010-05-11 KR KR1020117028416A patent/KR20120046106A/ko not_active Application Discontinuation
- 2010-05-11 CN CN201080023000.3A patent/CN102449789B/zh not_active Expired - Fee Related
-
2011
- 2011-11-16 US US13/297,540 patent/US8962970B2/en not_active Expired - Fee Related
Patent Citations (5)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JPH05299704A (ja) * | 1992-04-23 | 1993-11-12 | Daikin Ind Ltd | サーモモジュール |
JPH10303471A (ja) * | 1997-04-28 | 1998-11-13 | Sharp Corp | 熱電素子及びそれを用いた熱電素子モジュール |
JP2004104041A (ja) * | 2002-09-13 | 2004-04-02 | Sony Corp | 熱電変換装置及びその製造方法 |
JP3803365B2 (ja) * | 2003-11-17 | 2006-08-02 | 松下電器産業株式会社 | 結晶膜の製造方法、結晶膜付き基体の製造方法、および熱電変換素子の製造方法 |
JP2008130718A (ja) * | 2006-11-20 | 2008-06-05 | Tokai Rika Co Ltd | 熱電変換デバイス及びその製造方法 |
Cited By (1)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP2015528203A (ja) * | 2012-06-25 | 2015-09-24 | エミテック ゲゼルシヤフト フユア エミツシオンステクノロギー ミツト ベシユレンクテル ハフツング | 熱電材料を有する糸および熱電モジュール用の部品の製造のための方法 |
Also Published As
Publication number | Publication date |
---|---|
WO2010142880A3 (fr) | 2011-02-03 |
WO2010142880A2 (fr) | 2010-12-16 |
ES2406262T3 (es) | 2013-06-06 |
CN102449789A (zh) | 2012-05-09 |
RU2012100747A (ru) | 2013-07-20 |
JP5536879B2 (ja) | 2014-07-02 |
CN102449789B (zh) | 2015-06-17 |
RU2521147C2 (ru) | 2014-06-27 |
US20120060888A1 (en) | 2012-03-15 |
KR20120046106A (ko) | 2012-05-09 |
EP2441099B1 (fr) | 2013-05-01 |
FR2946798B1 (fr) | 2011-10-28 |
FR2946798A1 (fr) | 2010-12-17 |
US8962970B2 (en) | 2015-02-24 |
EP2441099A2 (fr) | 2012-04-18 |
Similar Documents
Publication | Publication Date | Title |
---|---|---|
JP5536879B2 (ja) | ゼーベック効果熱電発電装置用のマイクロ構造、及びそのマイクロ構造の製造方法 | |
JP5987444B2 (ja) | 熱電変換デバイス及びその製造方法 | |
US9620698B2 (en) | Wafer scale thermoelectric energy harvester | |
JP2008205129A (ja) | 回路ブロック及びその製造方法 | |
US20140182644A1 (en) | Structures and methods for multi-leg package thermoelectric devices | |
JP5708174B2 (ja) | 熱電変換装置及びその製造方法 | |
JPWO2005117154A1 (ja) | 高密度集積型薄層熱電モジュール及びハイブリッド発電システム | |
US20160284963A1 (en) | Thermoelectric conversion element | |
US20160056363A1 (en) | Freestanding Thermoelectric Energy Conversion Device | |
US9899588B2 (en) | Thermoelectric element | |
JP3554861B2 (ja) | 薄膜熱電対集積型熱電変換デバイス | |
JP2012069626A (ja) | 熱発電デバイス | |
EP3062358A1 (en) | Thermoelectric conversion device having thermoelectric conversion element connected thereto via wiring pattern, and method for manufacturing thermoelectric conversion device having thermoelectric conversion element connected thereto via wiring pattern | |
CN104064667A (zh) | 用于制造热电模块的方法以及半成品 | |
KR20170098564A (ko) | 열전 소자 | |
KR20210020461A (ko) | 3차원 적층 구조의 나노선을 구비한 나노선 열전소자 및 이의 제조방법 | |
CN111108356A (zh) | 用于制造梯度热通量传感器的方法 | |
JPH11135842A (ja) | 熱電素子 | |
JPH11135841A (ja) | 熱電素子とその製造方法 | |
WO2022176832A1 (ja) | 熱電変換装置 | |
JP2015099896A (ja) | 熱電デバイス | |
Iulianella et al. | Integrated Thermoelectric Generator and related Method of Fabrication | |
JP2018125498A (ja) | 熱電変換装置 | |
CA3014407C (en) | Thermoelectric conversion module and thermoelectric conversion element | |
WO2018061460A1 (ja) | 熱電変換装置 |
Legal Events
Date | Code | Title | Description |
---|---|---|---|
A621 | Written request for application examination |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A621 Effective date: 20130305 |
|
TRDD | Decision of grant or rejection written | ||
A01 | Written decision to grant a patent or to grant a registration (utility model) |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A01 Effective date: 20140331 |
|
A61 | First payment of annual fees (during grant procedure) |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A61 Effective date: 20140424 |
|
R150 | Certificate of patent or registration of utility model |
Ref document number: 5536879 Country of ref document: JP Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R150 |
|
R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |
|
LAPS | Cancellation because of no payment of annual fees |