JP2012524305A - 有機発光ダイオード構造物により一体化されたタッチ動作センサの機器構造 - Google Patents

Abstract

簡単に言えば、一実施例に従い、受動型タッチ動作センサ構造物がＯＬＥＤ（有機発光ダイオード）構造物と一体化されることである。
【選択図】図１０

Description

本開示は、全般的には、有機発光ダイオード構造物によるタッチ動作センサの機器構造の一体化に関する。

入力デバイスの多くは、ボタン若しくはキー、マウス、トラックボール、ジョイスティック、タッチセンサパネル、タッチスクリーン等々のコンピュータシステムにおけるオペレーションを実行するために利用可能である。タッチスクリーンはタッチセンサパネルなどの様々な形式で提供され、それはタッチ反応面及びディスプレイ装置により透明又はトランスペアレントなパネルを含む。また、タッチパネルの背後で一部又は完全に位置付けられたディスプレイを含み、その結果、タッチ反応面はディスプレイ装置の可視領域の少なくとも一部をカバーする。タッチスクリーンは、一般的に、ユーザがタッチセンサパネルをタッチすることによって（例えば、物理的接触）、又はその近傍のエリアをタッチすることによって、様々な機能を実行することができる。一般的に、コンピュータシステムは、タッチイベントを登録し、そのタッチイベント登録の少なくとも一部に基づいて１以上のアクションを実行する能力がある。

タッチスクリーン又はタッチスクリーン技術を組み込んだり匹敵する装置は、益々重要が高まってきているようにみえる。消費者におけるそれらの需要は、オペレーションに関する容易性又は多用途性、及び価格の下落のおかげが一部あるかもしれない。さらに、タッチスクリーンは、全体サイズを小さくすること、それらの信頼性や堅牢性によっても人気を上げている要因があるかもしれない。これらの特徴から当然の帰結として、製造側の見込みを基に、タッチスクリーンを含む製造装置に関連するコスト又は消費者にとって望ましいと信じられている特徴をもつタッチスクリーンを含む装置を製造することは減少し、煩わしさは少なくなってきた。したがって、一般的には、コストやパフォーマンス又はそれらの組み合わせの観点から、消費者若しくはエンドユーザにとって望ましいと信じられるアプローチやテクニックを開発し続けることが望ましい。

図１は、携帯端末の一実施例を示す平面図である。 図２は、図１の携帯端末の一実施例を詳細に示した平面図である。 図３は、タッチ動作センサ構造物を作り、有機発光ダイオード（ＯＬＥＤ）構造物を作るための例示のプロセスをそれぞれに示した第１及び第２の処理フロー図である。 図４は、例示のタッチ動作センサ構造を示す側面図である。 図５は、例示のＯＬＥＤ構造物を示す側面図である。 図６は、モジュール又は集積回路に例示のＯＬＥＤ構造物を統合した例示のタッチ動作センサ構造を示す側面図である。 図７は、例示のタッチ動作センサ構造物に関する基板の底面を示した平面図である。 図８は、例示のＯＬＥＤ構造物に関する上面を示した平面図である。 図９は、例示のコンピュータシステムを示したブロック図である。 図１０は、様々な装置を示した全体図である。

実施例に関する以下の記載において、添付の図面が参照され、図面の一部を形成する。そして、それは特許請求の範囲の発明の主題に対する例示的な特別の実施例という目的で示されている。例えば、構造上の変更がなされるというような変更や代替を、他の実施例において用いられることを理解すべきである。すべての実施例、変更又は代替は、特許請求の範囲の意図した主題に関する範囲を逸脱するものではない。

本開示は、全般的に、モジュール又は集積回路（ＩＣ）において有機発光ダイオード（ＯＬＥＤ）構造物に一体化されたり、直接的に物理接触を伴う受動的なタッチ動作センサ構造物の一例に関係する。本文脈において、タッチ動作センサ構造物は面を含むタッチセンサ構造物に言及し、タッチセンサ構造物は構造物上の面若しくはその一部への、直接的な物理接触（例えば、タッチング）或いはほぼ近接接触に反応する。また、タッチ動作センサ構造物、タッチ始動センサ構造物、タッチセンサパネル、タッチセンサ構造物の用語は、本明細書全体を通して相互互換的に用いられるものである。同様に、本文脈において、受動的なタッチ動作センサ構造物は、形式はともかくとして、タッチセンサ構造物全体又は反応するタッチセンサ構造物のシステムに追加のエネルギーを供給することを要求しないタッチ動作センサ構造物に言及する。

一実施例において、タッチ動作センサ構造物は、モジュール又は集積回路（ＩＣ）に多くのＯＬＥＤピクセルで統合したタッチセンサ配列（アレイ）を含む。ここで、１以上のタッチセンサによるタッチイベントの検出は、センサ回路によって感知され、そして処理されるか、そうでなければインタプリタ（解釈）される。解釈されたタッチデータは、プロセッサ、又はディスプレイを変化させるピクセル配列を電気的にアクティベート（活性化）する他の回路に結果として生じる。これについての詳細は後述する。ＯＬＥＤ構造物は、特定アプリケーションの少なくとも一部に基づき、可能な代替的ディスプレイ技術を超える利点を提供する。例えば、ＯＬＥＤ構造物は、典型的には光弁又は同様の技術を用いない。

図を参照すると、図１は携帯端末１００の例を示した平面図である。特許請求した発明の主題は携帯端末の範疇に制限されないことに留意すべきである。これは単に一実施例である。むしろ、特許請求した発明の主題は、２〜３例を挙げると、コンピュータシステム、携帯電話、携帯情報端末（ＰＤＡ）、セットボックスを含む多数のデバイスのいずれかに関連して用いられる。しかしながら、例示を目的として且つ制限なしに、本実施例においては、タッチ反応、即ちタッチ動作若しくはタッチ開始される面１１０及びハイジング１２０を有する携帯端末１００の平面図を示している。

面１１０などのタッチ面は、本文脈において、時にタッチ反応面又はタッチ動作面と呼ばれる。一般的に、タッチ反応面は、普通はセンサ構造物をもつ透明又はトランスペアレントな基板を含み、必ずしもそうではないがこの基板に接触している。また、タッチ動作センサ構造物はディスプレイの前面に配置され、タッチ反応面がディスプレイの可視領域の少なくとも部分をカバーしている。特有の実施例について詳細に説明すると、上述したように、ＯＬＥＤ構造物はここでは可視領域を提供するために用いられる。例えば、特有の実施例での配置は、一つの対象物（例えば、指）によってディスプレイの前面に配置されたタッチ反応面の部分をタッチすることによって、或いは、面に対してごく接近して対象物を置くなどして、ユーザが選択を行なったりカーソルを移動させることができるようにする。一般的に、タッチ反応面は、例えば、アクション、ジェスチャー、又は面接触などの処理を行える携帯端末内の処理コンポーネント又は回路と接続したタッチセンサを介してタッチ反応面により、タッチ又は他の直接的な物理的接触又は近似タッチを認識し、電子的な登録を行なう。したがって、例えば、回路やプロセッサを含むコンピュータシステムは、その登録されたタッチや近似タッチを解釈し、そしてコンピュータシステムによる処理の少なくとも一部に基づいて、アクションを実行する。もちろん、ここで用いられているとおり、コンピュータシステムの語は、特有の又は特別な目的としてのコンピュータシステムに言及している。例えば、ここでは、タッチイベントなどを処理するコンピュータシステムが記載されている。

図２は、図１の携帯端末の例を詳細に示した平面図である。この特別な実施例は、何ら制限なしに、ディスプレイの面（例えば、タッチガラス）の下にある容量性タッチセンサ１３０の配列を含む携帯端末１００を示す。この特別な例のため、上述したように、容量性タッチセンサの配列は、ディスプレイスクリーンの可視領域の少なくとも部分を覆うタッチ反応面を形成する。繰り返しになるが、この特別な実施例の場合、詳細は後述するが、可視領域はＯＬＥＤ構造物によって提供される。容量性タッチセンサ１３０の配列の全体図及び携帯端末１００は、当業者の理解を助けるための概略図としてあらわされていることを理解されたい。例えば、携帯端末１００、ハウジング１２０、容量性タッチセンサ１３０の配列は、スケールに制限されていない特別な容量性タッチセンサ１３０である。さらに、特別なセンシング技術を用いた可能性としての構成（ここではキャパシティである）が概略的に示されているものの、特許請求した発明の主題はキャパシティタッチセンサ技術だけを用いることに限定されない。したがって、多くの異なる構成、タッチセンサ技術、又は様々な製造プロセスは、本願発明の主題から逸脱することなく用いられるものである。それゆえ、任意の又はすべての構成、テクノロジー、プロセスなどが本願発明の主題の範疇に入ることを意図している。ここに提供されるものは単にその一例にすぎない。

上述したように、多くの異なるセンシングアプローチ又はテクノロジーがＯＬＥＤ構造物に一体化されたタッチ動作センサ構成に関連して用いられる。例えば、タッチ動作センサ構成は、これに制限するものではないが、２〜３の例を挙げると、抵抗の、光の、面音響若しくは容量性のテクノロジー、又はそれらの組み合わせを用いるタッチ動作センシング技術を利用する。ここで記載するのは、特別な例としてのキャパシティタッチ動作センサ構成を詳細に示すものであるが、もちろん任意又は他のあらゆるアプローチ又は技術もまた、タッチセンサ構成に一体化したＯＬＥＤ構造物に関連して利用されたり、代替されることを理解されたい。

再度、図２を参照すると、タッチ動作センサ構成はキャパシティセンサ技術を利用する。この特別な例に関し、各タッチセンサロケーションをもつタッチセンサの構成（コンフィグレーション）が形成される。例えば、１以上の電気的構造物は、対象物（例えば、指、タッチング、接触、又は特別なタッチポイント若しくはタッチ場所でタッチセンサ配列を含む構成のタッチ反応面をうろつくこと）によって引き起こされる電気容量（キャパシタンス）に変化を感知するような方法で調整された導電配線（例えば、ドライブライン及びセンサライン）のパターンを含む。例えば、タッチセンサ配列は導電配線のパターンから形成される。対象物がタッチ反応面に近づくとき、特別なタッチセンシングポイント若しくは場所で、対象物に近接することによって引き起こされるキャパシタンス変化を１以上のタッチセンサ構成は経験する。１以上のタッチセンシングポイント若しくは場所でのキャパシタンスの変化を検出することによって、そしてキャパシタンスの変化に関連した特別な場所若しくはポジションに気づくことによって、センサ回路は、例えばタッチ画像などの１以上のタッチイベントを検出し登録する。この検出及び登録がされた後で、タッチイベントが処理され、その他の場合には電子装置の制御オペレーション（一例として、携帯端末１００の１以上のオペレーション）の少なくとも一部に用いられる。本明細書の全体を通じて、タッチセンサのオペレーションに関し、センシングポイント、センシング場所、タッチポイント、タッチ場所等々の語は相互互換で用いられることに留意されたい。

様々な特別の実施例が可能ではあるが、タッチ動作センサ構成において使用される構成又は調整は、「セルフ(self)」キャパシティブ若しくは「相互(mutual)」キャパシティブの構成を含む。「セルフ」キャパシティブ構成の場合、例えば、キャパシタンスは、グランド又はグランド平面などの何らかの基準に対して計測される。「相互」キャパシティブ構成の場合、ドライブとライン間のキャパシタンスが計測される。したがって、「セルフ」キャパシティブ構成若しくは「相互」キャパシティブ構成は、用いられる構成的若しくは電気的な配置に関する類似又は共通の側面とともに、（直後に述べるが）用いられる構成的若しくは電気的な配置に関する非類似の側面を有する。

「相互」キャパシタンスのセンシング調整又は構成の例において、例えば、センシング場所は、空間的に離れた導電ライン又は配線から形成されるパターン化されたコンダクタが交差することによって作られる。一実施例において、導電配線は、実質的に平行な平面内に存在し、特別な平面の導電配線はここでは実質的に同一平面であるものとする。そうでなければ、この特別な例における実質的に平行な平面はかなり接近している。また、実質的に同一平面の導電配線は、実質的には並行に配向される。しかしながら、異なる平面からの導電配線は、実質的には直角方向になるよう配向される。つまり、第１の配向性又は方向性をもつ第１平面に存在する実質的に同一平面の導電配線は、第２の平面、即ち第２の配向性又は方向性をもつ別の平面に存在する実質的に同一平面の導電配線に対して、実質的には垂直する。

例えば、一実施例において、ドライブラインが第１の方向にある第１層に形成され、そしてセンシングラインが第１の方向に実質的に垂直な第２の方向にある第２層に形成されると、たとえドライブラインがセンシングラインとは異なる層上に存在していても、ドライブラインとセンシングラインは様々なタッチセンシング場所で互いに「交差（クロス）」する。本願の目的からして、用語「異なる層上に」中の「上に」は、直接的な接触を必要とすることを意図していないことに留意されたい。例えば、第１層と第２層が物理上直接的に接することなく、第２層が第１層上に形成され得る。したがって、一例として、これら第１層と第２層との間に追加層又は他の材料があり得る。上述した例にもかかわらず、２つの平面において、他の垂直していない（例えば、非直交の）配線配向も可能であることを更に理解されたい。

特許請求された主題が特別のものに制限することを意図していないが、キャパシタンス・センシング調整又は構成を提供する他の様々な調整又は構成の例が可能である。例えば、導電配線が基板の異なる複数の側に形成される。上述した方法で交差するダイアモンドなどの形状を含む導電配線は、重なる場所で配線を分断する誘電体などの絶縁セパレーションにより基板の片側で形成されることもある。また、導電配線は配向される回路基板とともに異なる回路基板上に形成されることもでき、その結果、異なる層上にありながら実質的に異なるパラレル平面内に導電配線が横たわる。ドライブラインとセンシングラインとの間でセパレーションを用いることは、特別な実施例においては、共通の場所で又は実質的に異なるパラレル平面内の交差場所（ロケーション）で、センシングラインとドライブラインとの間のキャパシティ結合又はキャパシティブに結合したノードを生じさせる。このような実施例の場合、キャパシティブに結合したこれらの場所は、タッチセンサの配列を形成する。

別の実施例では、タッチセンサの配列が導電配線から形成され、パッチ（patch）及び縦列などの形状が、例えば単一側インジウムスズ酸化物ＩＴＯ（ＳＩＴＯ）構成の基板における同一側上の同じ層に形成される。ＳＩＴＯ構成の場合、ドライブラインは、パネルの広範囲な領域における導電配線及び金属材料（メタル）を通じて接続された幾つも並んだ導電材料のパッチから形成される。センシングラインは縦列として形成されたり、或いは導電材料のパッチを接続する。他のＳＩＴＯ構成も可能である。幾つかのＳＩＴＯ例において、ドライブラインの電気的な活性又は刺激は、例えば、隣接のドライブ及びセンシングラインのパッチ若しくは縦列との間の相互キャパシタンスに生じる。指や他の対象物は、センシング回路が検出する相互キャパシタンスにおける変化を生じさせる。もちろん、これらの実施例は単に例示に過ぎず、特許請求された発明の主題はこれらの実施例や他の任意の特別な実施例の範囲を制限することを意図していない。

これとは反対に、「セルフ」キャパシティブ構成は、基準のグランド面に対するキャパシタンスを計測する。また、セルフキャパシティブ構成は、インジウムスズ酸化物ＩＴＯパッド若しくはパッチなどの導電性のパッチ又はパットの配列や、他の配置を用いるのが典型的である。制限なしに、グラウンド面は基板の背面、導電性パッチ又はパットの配列と同じ面側に形成されるが、導電性パッチ若しくはパットからは離れて分離した基板上にあることに留意されたい。同様に、本発明の主題はＩＴＯの範囲に制限されるものではない。むしろ、例えば、ＺＴＯなどのトランスペアレントな導電材料やそれらの組み合わせが同様に用いられる。セルフキャパシタンス・タッチセンサの場合、基準グランドに対するセンサのセルフキャパシタンスは、少なくとも一部は指などの対象物の存在により変更される。幾つかのセルフキャパシタンスの例では、例えば、セルフキャパシタンスの導電配列の縦列は独立にセンシングされ、セルフキャパシタンスの導電配列の横列も独立にセンシングされる。

タッチ動作センサ構造物に関連して用いられる異なるセンシングアプローチに加え、タッチ動作センサ構造物に関する異なる配置もある。これらの配置の幾つかは、少なくとも一部は、そのやり方や、タッチ動作センサ構造物若しくはタッチ反応面を形成するのに使用されるプロセスに依存する。例えば、異なる配置は、センサやセンシングポイント場所とともに、１以上のタッチセンサ若しくはタッチポイントに対するタッチ面の相対配向で変わる。しかしながら、配置の幾つか又はすべては、特許請求の範囲内であることが意図され、したがって可能性として多数存在するタッチ動作センサ構造物とともに使用される。

タッチ動作センサ構造物がＯＬＥＤ構造物に一体化される実施例の特徴は、製造又は製作に関するプロセスに関係する。例えば、タッチ動作センサ構造物は基板の片側に製作され、そしてＯＬＥＤ構造物は個別のプロセスにおける別の基板の片側に製作される。タッチ動作センサ構造物及びＯＬＥＤ構造物は一つのモジュール又はＩＣに組み合わされ、タッチ動作センサ構造物及びＯＬＥＤ構造物が互いに結合する。さらに、そのような実施例の場合、特許請求の範囲の主題がこの点に関して制限されるものではないが、タッチ動作センサ構造物の１以上の各タッチセンサは、導電ペーストを介してＯＬＥＤに電気的に接続する。他のアプローチもまた、特許請求の範囲の主題の範疇に含まれるように利用され意図されており、タッチ動作センサ構造物及びＯＬＥＤ構造物は物理的に、電気的に接続される。その詳細は後述する。

繰り返しになるが、例えば、集積モジュール又は集積回路（ＩＣ）の特別な実施例に関して、タッチ動作センサ構造物及びＯＬＥＤ構造物は、個別のプロセスによって製作されることに留意されたい。さらに、特別の実施例では、製作の後で、タッチ動作センサ構造物及びＯＬＥＤ構造物が物理的に、電気的に接続する。一実施例において、例えば、導電ペーストが電気的コネクションを形成するために用いられる。特許請求の範囲が特別な導電ペーストの範囲に制限されるものではなく、様々な導電ペースト又は他の導電材料が用いられることに留意すべきであるが、しかしながらポリマーや接着剤、及び銀や金の導電材料を含むペーストを例に含んでいる。同様に、典型的には、導電ペーストを硬化するプロセスが使用される。例えば、熱や圧力が加えられたり、放射線が照射されたり、或いはそれらの組み合わせが適用されたりする。

タッチ動作センサ構造物及びＯＬＥＤ構造物を製作するために個々のプロセスを用いる有利な点の一つは、ＯＬＥＤが高温度プロセス又は高い圧力プロセスに敏感な傾向があるということである。他方、高温度又は高圧力のプロセスは、タッチセンサ構造物の製作において用いられるのが典型的である。よって、個々の製作プロセスを用いることは、ＯＬＥＤ構造物にダメージをあたえることが少ないやり方での製作を許すであろう。同様に、導電ペーストを硬化するためのプロセスは、ＯＬＥＤ構造物にダメージを与える可能性を減少させながら、タッチ動作センサ構造物を製作するプロセスよりも少ない温度や圧力に関係するのが典型的である。可能性としてあり得る有利な点といえば、モジュールやＩＣ生産を増加する能力があるということである。例えば、タッチ動作センサ構造物及びＯＬＥＤ構造物は、製作の後ではあるが一体化される前にテストされる。これは、別のやり方よりも高い生産性をもたらす。

図３は、タッチセンサ構造物を作り出す例示のプロセス３００を示したフローチャート又はフロー図である。後述するように、図４によって示されたタッチセンサ構造物４００の全体図に対して参照番号がつけられている。図３もまた、ＯＬＥＤ構造物を作り出す例示のプロセス３２０を示したフローチャート又はフロー図である。しかしながら、図３の一部は後に詳細に述べる。図３のプロセスフローは例示又は説明として提供されていることに理解すべきである。それゆえ、あるブロックが除かれたり、追加のブロックがフローに付け加えられたり、代替ブロックが用いられたり、フローの各ブロックに関係するそれぞれの完全な製作プロセスが用いられる。他の一実施例の何れか又はすべては特許請求された発明の主題の範囲に含まれることを意図している。

このタッチ動作センサ構造物に関して、ブロック３０１で始まり、帯状(cingulated)基板も用いられることを理解すべきであるが、「マザーガラス(motherglass)」などの基板は、多数の各基板を製造する処理のために用意される。タッチ動作センサ構造物４００の断面側面図である図４に対する参照がここでなされる。したがって、この構成は図示するようにマザーガラス４０１を含む。基板として用いられ得る典型的な材料は、放射線に不透明でない後処理に比較的不活性な特性をもつ、或いは電気的絶縁を提供する属性をもつ材質を含む。例えば、実質的にトランスペアレントな基板にとって適した材料は、ガラス、プラスティック、セラミック、有機若しくは非有機材料、又はこれらの任意の組み合わせを含む。同様に、これらの例示の材質の少なくとも幾つかは、フレキシブルであるか、融通性のないものである。

ブロック３０２で示すように、「マザーガラス」上で化学的な強化を行なう。それは、高熱で硝酸浴を用いることに関係し、圧縮力又はガラス表面層でのストレス及びガラス内部コアでの伸張ストレスを生じさせる。ブロック３０３に示すように、アンティグレア（防幻）コーティングなどの様々なコーティング（皮膜）が用いられ、それは粒子が入った二酸化ケイ素、反射防止膜、選択領域でのブラックマスク膜、保護膜層の適用例を含む。これら様々なコーティングや層は、（これらに制限するものではないが）印刷、ローラーコーティング、望まない領域のエッチングに従ったスパッタなどの色々なテクニックを用いながら適用される。もちろん、或る実施例において、このようなコーティングは省略されることもある。

透明又はトランスペアレントな保護膜を形成し、紫外線（ＵＶ）による透明又はトランスペアレントな硬化性ポリマーを含む。これは、例えば、図４の保護膜４０２で示される。このコーティングは、或る実施例においては、例えば図４の４０３などのブラックマスク領域にわたり滑らかである。同様に、このコーティングは、或る実施例においては、更なるインジウムスズ酸化物ＩＴＯスパッタリング若しくは導電材料（例えば、金属）パターン処理のために実質的に平らな表面を形成する（ブロック３０４）。示したとおり、ＩＴＯ若しくは他の導電材料はスパッタリングされ、そうでなければ塗布や沈殿されたり、及びパターン処理される（図４の４０４）。少なくとも一部は特別な構成に依存しながら、導電線や導電パッド若しくはパッチがパターン化される。ブロック３０５で、絶縁体は、パターン化されたＩＴＯや他の導電材料にわたり形成される（図４の４０５）。絶縁体は誘電特性を有する。例えば、特許請求された発明の主題はこれに関して範囲を制限するものではないが、ＩＴＯの第２層若しくは他の導電材料が後に形成されるように絶縁体４０５を形成する。

さらに、ブロック３０５で、フォトレジストを適用する。その後、フォトレジストは、ビアホール（スルーホール）の形成のためにパターン化される（ブロック３０６）。例えば、図４はビア４０７を描いている。唯一の例であるが、フォトレジストの基になっている様々な構造物を金属スパッタリングなどの後処理又は製造オペレーションから保護するために、他のものとの間でフォトレジストを適用する。特定の場所でフォトレジストを除去することによってそれらの場所で後処理が開始する（ブロック３０７）。

ブロック３０８で、特別な実施例に依存するが、図４の４０６で示された第２のＩＴＯ又は導電材料層と、図４の４０８で示された追加の導電配線（例えば、金属）とが、リソグラフィを用いながら形成され、ステンシルマスク、蒸着、又は他のテクニックを用いながら選択的な蒸着を形成し、例えば、縦列と横列をつくる。金属のパターン化及びＩＴＯや導電性メタライゼーション（金属）層は、例えばフォトレジスト、単一フォト露光、及び１又は２つのエッチングオペレーションにより行なわれる。前に形成された誘電性絶縁体は、ＩＴＯ又は導電性メタライゼーション層により、タッチセンサに生じる交差ポイントで相互キャパシタンスをあらわすことを許す。或いはまた、単一ＩＴＯ（ＳＩＴＯ）を用いる実施例の場合、単一層上のＩＴＯパッチ又はパッドは、ドライブ及びセンサ領域に隣接して（又は付近で）形成された相互キャパシタンスにより、タッチセンサを形成する。

多数の製造プロセス又はオペレーションは、ここでは詳細に記述してこなかった、例えば追加の層を形成するような特別なタッチ動作センサ構造物の形成に関係する。それにもかかわらず、ブロック３０９で、スクライビング、セパレーティング、又は様々な他の終了処理が要望どおりに実行される。その結果、例えば、「マザーガラス」は後処理のための各々の部分を作り出す。さらに、その各々の部分は、例を挙げると、機械的若しくは化学的ポリッシング処理、グラインダー処理、シェーピング（形をつくる）処理、又はクリーニング処理などの更なる処理を受ける。

図３に示す処理、図４に示すタッチセンサ構造物は、単に一つのアプローチをあらわす。上述したように、例えば、センサ又はセンサ場所は、単一基板の片側、単一基板の向かい合う両側、又は２つの異なる基板の一つの側に形成される。さらに、パターン化されたＩＴＯのシングルＩＴＯ（ＳＩＴＯ）又はダブルＩＴＯ（ＤＩＴＯ）層は、タッチセンサ又はタッチセンサ場所を形成するために用いられる。繰り返しになるが、任意又はすべての配置が特許請求された発明の主題の範囲内にあるよう意図され、したがって可能性として多数存在するタッチ動作センサ構造物により用いられる。

特別なアプリケーション及び特別な実施例に少なくとも一部に依存しながら、タッチセンサの数又はそれらの構成はかなり変わる。例えば、それらは、特別な実施例に関する所望の解像度又は感度の少なくとも一部に基づき変わる。同様に、これらは所望のトランスペアレンシー（透明性）の少なくとも一部に基づき変わる。さらに、タッチセンサの配列は、デカルトすなわち直角座標系に配置される。一実施例として、ドライブラインが水平横列として、センシングラインが垂直縦列として（逆も同様）形成され、したがって異なるｘとｙ座標をもつように考慮された複数のタッチセンサを形成する。図２の携帯端末１００に簡略化されているものであるが、このアプローチが描画されている。

別のアプローチの場合、ＩＴＯパッド又はパッチの配列は、デカルトすなわち直角座標系に配置される。同様に、極座標系が用いられる。例えば、導電配線は、放射状に延びるラインである別の組の導電配線により複数の同心円として配列される。導電パッド又はパッが同様に配置され、その結果、異なる半径と角度の座標をもつように考慮された複数のタッチセンサを形成する。さらに、タッチセンサ構造物は、これに限定するものではないが、対角、同心円、三次元、又はランダムの配向を含む任意の数の次元と配向に配置されるよう形成される。

図４に戻ると、タッチセンサを形成する導電性パッド又はパッチは、様々な集積回路（ＩＣ）と電気的に接続する。１以上のＩＣを結合する様々なアプローチ又はテクニックがある。したがって、図４において、側面図は簡略化した高レベルなタッチセンサ構造物を示すために提供される。導電配線又は導電パッドは基板の端に送られ、図４の４０９などのフレキシブルプリント基板（ＦＰＣ）又はＩＣなどの他のタイプの回路が基板領域にボンディングされる。この特別な例において、特許請求された発明の主題はこれに関して範囲を制限するものではないが、ＦＰＣ又はＩＣが、異方性導電フィルム（ＡＣＦ）又はペースト（図４の４１０）を用いてタッチセンサの構造物に接続される。

同様に、或る実施例において、タッチセンサの配置は、１以上のドライブ回路又は１以上のセンサ回路と電気的に接続する。１つの可能性のある例として、制限することなく、センサ回路は、タッチ若しくはタッチ近傍をあらわすキャパシタンスの変化を検出し、そしてそれらの代表である電気信号（例えば、タッチセンサの構造物において複数のタッチセンサ場所に対応するキャパシタンス信号値の配列）をプロセッサに送信するよう作動する。しかしながら、幾つかの実施例において、センシング回路はキャパシタンス信号値を処理したり、何らかの形式に予め処理する能力を含み、これにより少なくとも部分的には処理された信号値が別のコンポーネント（プロセッサなど）に対する追加的処理のために提供される。この意味において、プロセッサは、例えば幾つかのプロセッサ例を挙げれば、コントローラ又はマイクロコントローラ、デジタル信号プロセッサ、マイクロプロセッサ、又はプロセッサ能力を含む特定用途向け集積回路（ＡＳＩＣ）を含む。同様に、少なくとも部分的には特別なアプリケーション又は特別な実施例に依存しながら、事実上、任意の数のプロセッサ又はＩＣが用いられる。

幾つかの実施例において、ドライブ回路が電圧又は電流ドライブ信号（例えば、周期的信号）を、タッチセンサパネル内の１以上のドライブラインに適用する。このドライブ信号とタッチセンサ場所にあらわれる信号との間の関係は、キャパシティブ・カップリングの関数であり、それはタッチセンサと接触したり近接する対象物によって影響を受ける。

図３に戻ると、ＯＬＥＤ構造物を作り出すプロセスフローの例が示されている。上述したように、ＯＬＥＤ構造物の形成に適用可能な任意の又はすべてのアプローチ又はテクニックが特許請求された発明の主題の範囲内に包含される。それゆえ、記載したアプローチ、テクニック又はプロセスが例示として提供され、そしていかなる方法であっても特許請求された発明の主題の範囲を制限するようには意図されていない。後述するとおり、図５に示すＯＬＥＤ構造物に対する参照が行なわれる。いま述べたとおり、特許請求された発明の主題の範囲は任意の又はすべてのＯＬＥＤ構造物のバリエーションを含むものであるが、ＯＬＥＤ構造物のこの特別な例は、アノード（陽極）共通構造物と呼ばれ、これに制限するものではないが、カソード（陰極）共通構造物、二重プレートＯＬＥＤ（ＤＯＤ）構造物、能動的又は受動的行列ＯＬＥＤなどを含む。

ブロック３１０で、図５に示す基板５０１などの基板は、ドライビングトランジスタの配列又は構造物を形成するために準備される。特許請求された発明の主題はこれに関して範囲を制限するものではないが、ドライビングトランジスタは薄膜トランジスタ（ＴＦＴ）を含む。ブロック３１１で、図５に示すＴＦＴ５０２などのトランジスタは、基板上で形成される。トランジスタの構成は、合理的によく理解された技術であり、したがってここでは長々と述べない。

ブロック３１２で、図５の絶縁体５０３などの絶縁層はトランジスタにわたって形成される。この絶縁層は、ＴＦＴ又は構造物内で構成され得る他の電気的コンポーネントのために、プラスティックインタフェースなどの電気的インタフェースを教示するのに手助けとなる。ブロック３１３で、図５の５０４などの平坦層は、その後の蒸着、パターン化、又は他の構成プロセスのために実質的に平らな面を構成し形成する。ブロック３１４で、図５のビア５０５などのビアホールは、例えばメタライゼーション（金属化）などの導電性金属で形成され且つ充填される（ブロック３１５）。

ブロック３１６で、有機発光（ＯＬＥ）材料の層が適用されたりメタリゼーションで蒸着され、図５に示すアノード５０６を形成する。図５に示すように、カソード５０８を形成する実施例における別のメタリゼーション層がＯＬＥＤ層５０７上に形成される。ここでの議論において、形成（ファブリケーション）処理は、特許請求された発明の主題を不明瞭にすることを避けるために簡略化されてきた。多数の製造プロセス又はオペレーションは、特別なＯＬＥＤ構造物の形成に関係しており、詳細には述べてこなかった例えば追加層を形成する。ブロック３１８で、１以上の終了オペレーション（カプセル化処理、平坦化処理、又はＯＬＥＤ構造物の形成で典型的に用いられる様々な他のテクニックやアプローチ）が実行される。

図６は、ＯＬＥＤ構造物により統合された受動型タッチ動作センサ構造物の一実施例６００全体図の側面図である。詳細は後述するが、様々な代替モジュール又はＩＣ例が可能であることに留意されたい。しかしながら、この実施例において、ガラス基板６０１をもつ受動型タッチ動作センサ構造物はガラス構造物の片側に形成されるタッチセンサを含む。タッチセンサが形成される基板側は、ＯＬＥＤ構造物のＯＬＥ材料６０２からごくわずか離れた側である。その結果、ガラス構造物はタッチセンサ６０３を形成しながら、ＯＬＥＤ構造物を保護することにもなる。特別な実施例の場合、ＩＴＯパッド又はパッチ６０４により形成されたＳＩＴＯセンサ構成が用いられ、絶縁層６０５はパッド又はパッチを絶縁状態にして保護する。

しかしながら、特許請求された発明の主題がこの点について制限されるものではないことを理解されたい。例えば、代替のそして上述したように、ＤＩＴＯセンサ構造物が用いられる。このような実施例の場合、タッチセンサ構造物は、基板、ここではガラス基板の一方側に形成され、他方側はタッチセンサ面を提供し且つＯＬＥＤ構造物を保護する。

モジュール６００のＯＬＥＤ構造物は表面安定化層６０６を含む。したがって、この実施例の場合、受動型タッチ動作センサ構造物とＯＬＥＤ構造物をもつ集積構造物との間の直接的な接触は、表面安定化層６０６と絶縁層６０５との間に生じる。同様に、ＯＬＥＤ構造物はＯＬＥ材料６０２を挟み込むメタライゼーション層６０７及び６０８を含む。ＯＬＥＤディスプレイを形成するためのＯＬＥＤピクセルの配列を含む構造物の部分と、ＯＬＥＤピクセルを駆動するためのトランジスタの配列を含む構造物の部分との間にある構造物内の溝（ギャップ）を充たすのに適した絶縁材料が提供される。ここで、ＴＦＴ６０９により示されているとおり、ドライビングトランジスタはＴＦＴを含む。この特別な文脈の場合、ＯＬＥＤピクセル又はディスプレイピクセルの用語は、赤ピクセル、緑ピクセル、青ピクセルを含む構造物に対して称している。

或る実施例において、ＯＬＥＤ構造物を操作するのに典型的に用いられる制御信号、パワー、グランドは、１以上のフレキシブルプリント回路基板ＦＰＣ（図６には図示せず）を通じて提供される。さらに、或る実施例においては、受動型タッチ動作センサ構造物のためのドライブライン及びセンシングラインは、１以上のＦＰＣを用いてセンサ構造物上又はセンサ構造物外に送られる（図４参照）。このような実施例の場合、２つのＦＰＣが使用され、一つはＯＬＥＤ構造物のため、もう一つはタッチ動作センサ構造物のためである。しかしながら、他の実施例においては、ドライブライン及びセンシングラインはＯＬＥＤ構造物を通じて送られる。例えば、そのような実施例の場合、導電ペーストのパッチなどの導電材料はドライブライン及びセンシングラインのための各々の電気的接続を提供するために用いられる。特許請求された発明の主題がこの点について制限されるものではないが、一例として、単一ＦＰＣがＯＬＥＤ構造物に結合され、ＯＬＥＤ構造物及び受動型タッチ動作センサ構造物から、及びＯＬＥＤ構造物及び受動型タッチ動作センサ構造物へ、信号を提供する。もちろん、この例における有利な点の一つは、ＦＰＣを削減することである。

図６中に示した矢印は、図７及び図８に示されているような方向性のある図に対応する。図７を参照すると、受動型タッチ動作センサ構造物上に、及び、或るＩＴＯパターン６０４上にドライブ信号を送るため、そして、受動型タッチ動作センサ構造物から離れた他のセンスＩＴＯパターンからのセンシング信号を送るため、メタライゼーション（金属化）６１１は、例えば、受動型タッチ動作センサ構造物内のより広い基板領域６０１内に形成される。図６には示していないが、メタリゼーション６１１はＩＴＯパッド又はパッチのための個々のドライブライン又はセンシングラインをあらわす多数の独立した配線を含む。上述したように、導電ペースト６１０のパッチ又は他の導電材料（図６において例示で示した）は、ＯＬＥＤ構造物上のメタリゼーション６１２に受動型タッチ動作センサ構造物上のメタリゼーションを電気的に結合するために用いられる。メタリゼーション６１２は、ドライブを送るため又はモジュール上又はモジュール外の信号をセンシングするためにＯＬＥＤ構造物に取り付けられたＦＰＣと電気的に結合する。ペースト６１０を通じてメタリゼーション６１１と接続するメタリゼーション６１２は、図６の側面図にかかわらずそして図８にさらに示すように、カソード６０８と直接的には接続しない。次の段落で述べるとともに図８に示すとおり、例えば、カスケード６０８とパワー又はグランド接続するための別のメタリゼーション領域がある。

側面図のために図６には示していないが、本例においては異なるメタリゼーションが用いられ、カスケード６０８と電気的に接続する。また、このメタリゼーションは、ＯＬＥＤ構造物に取り付けられたＦＰＣと電気的に接続し、モジュール上でパワー若しくはグランドの何れか一方を送り、カスケードをバイアスする。もちろん、これは単なる一例に過ぎず、特許請求された発明の主題はこの特定のレイアウト又はアプローチに範囲を制限されるものではない。

図７は、ＩＴＯパッド６０４及びメタリゼーション６１１を含む基板６０１の底面図を示す。また、図７はメタリゼーション６１３を示し、それはモジュールの側面図によってブロックされていることから図６には示されていない。例えば、特別な実施例に少なくとも一部が依存しながら、ドライブラインはしかも他の構造物（例えば、連続した横列、ダイヤモンド形状、ピラミッド形状など）から形成され得ることを理解すべきであるのだが、メタリゼーション６１１は単一のドライブラインの一部として形成されたＩＴＯパッチ６０４に送る。ＩＴＯパッチ６０４はメタリゼーション６１１（不図示）と接続し、そしてメタリゼーション６１１は導電ペーストを介してメタリゼーション６１４と電気的に接続する。これとは反対に、センシングラインはしかも他の構造物（例えば、連続した縦列、ダイヤモンド形状、ピラミッド形状など）から形成され得ることを理解すべきであるのだが、特別な実施例に少なくとも一部が依存しながら、メタリゼーション６１３は単一センシングラインの一部として形成されたＩＴＯパッチ６０４に送る。同様に、ＩＴＯパッチ６０４はメタリゼーション６１３（不図示）と接続し、そしてメタリゼーション６１３は導電ペーストを介してメタリゼーション６１４と電気的に接続する。

図８は、ＦＰＣと接合されたメタリゼーション６１４及び６１２を含むＯＬＥＤ構造物の上面図を示す。図８に示すメタリゼーション６１４は、メタリゼーション６１３に関して説明されていることから、図６にはあらわれていない。上述したように且つ図８に示すとおり、特別な実施例において、メタリゼーション６１４及び６１２はカスケード６０８と電気的に接続されていない。

特許請求された発明の主題に従う別の実施例は２つの基板を含む。２つの基板のうち第１の基板は、２つの側のうちの第１側に、受動型タッチ動作センサを含む第１層を含む。２つの基板のうち第２の基板は、２つの側のうちの第１側に、ドライビング薄膜トランジスタを含む第１層と、メタリゼーションサブ層間に挟まれたＯＬＥ材料を含む第２層とを含む。この特別な実施例において、第２の基板の第１層及び第２層は相互に隣接し配置され、これにより第１層の薄膜トランジスタの少なくとも幾つかは、メタリゼーションサブ層間に挟まれたＯＬＥ材料の少なくとも部分を電気的に駆動する能力がある。同様に、２つの基板は、第１の基板の第２側が第２の基板の第２側から最も離れているよう配向される。つまり、これらは例えば、モジュール又はＩＣの外面を形成する。

特別な実施例において、第１の基板上の第１層の受動型タッチ動作センサは、ＯＬＥＤ構造物のメタリゼーションサブ層から最小の距離に離れて（殆ど近くに）電気的に接続される。上述したように、第１の基板上の第１層の受動型タッチ動作センサは、例えばメタリゼーションサブ層、第２基板上の薄膜トランジスタなどを介してパワー源又はグランドに対して電気的に接続される能力がある。

いま説明した実施例に加えて、様々な追加のモジュール又はＩＣが可能であり、特許請求された発明の主題の範囲内に含まれる。例えば、一実施例はタッチ動作センサ構造物内に１より多い基板を含み得る。その結果、タッチセンサ構造物は、２つのガラス基板の間に挟まれ、一つは外の保護カバーガラスを形成する一方で、もう一つの基板は当該基板上に形成されるＩＴＯパッド又はパッチを含む。図６は、ＯＬＥ材料６０２から最小の距離に離れて（殆ど近くに）存在する基板６０１の表面上にあるタッチセンサを示すのだが、このタッチセンサは所望であれば、外の保護カバーガラスも提供されるので、ＯＬＥ材料から最も離れた基板の面上に存在する。同様に、ＤＩＴＯタッチセンサ構造物は、ＩＴＯ層を分離する構造物内の絶縁層とともにガラス基板の間に同様に挟まれるよう用いられる。他の多数の配置も可能であり、特許請求された発明の主題は特定の配置に制限されることを意図していない。すべての配置又は実施例は、特許請求された発明の主題の範囲内に含まれることを意図している。

図９は、受動型タッチ動作センサ構造物をＯＬＥＤ構造物に一体化することによって形成されるモジュール又はＩＣを用いたコンピュータシステム９００を示す。例えば、ステップデバイス９０４及びタッチセンサ９０５はモジュール又はＩＣに統合される。コンピュータシステム９００はホストプロセッサ９０１を含む。ホストプロセッサ９０１はタッチセンサ信号を処理するのに関係するかもしれないし、関係しないかもしれない機能を実行する。そしてデバイスに関するユーザインタフェースを提供するために、プログラム記憶媒体９０３及びディスプレイデバイス９０４と接続する。また、ホストプロセッサ９０１はタッチセンサ信号プロセッサ９０２からの電気信号を受信するよう作動する。タッチセンサプロセッサ９０２は、タッチセンサ構造物サブシステム９０６からの信号を処理する。タッチセンサ９０５はサブシステム９０６へ信号を提供する。ホストプロセッサ９０１は、タッチセンサプロセッサ９０２からの信号の少なくとも一部に基づきアクションを実行する能力があり、タッチセンサプロセッサ９０２は、これに限定するわけではないが、カーソル若しくはポインタなどの対象物を動かすこと、スクロール若しくはパンニング(panning)すること、コントロール設定を調整すること、ファイル若しくはドキュメントを開くこと、メニューを閲覧すること、選択をすること、命令を実行すること、ホストデバイスに結合された周辺デバイスをオペレーティングすること、電話呼び出しに応答すること、電話をすること、通話を終了すること、音量若しくは他のオーディオ設定を変更すること、アドレスなどの電話通話に関係する信号情報を記憶すること、番号を頻繁にダイアルすること、呼び出しを受けること、呼び出しをミスすること、コンピュータ・コンピュータデバイス・ネットワークにログオンすること、コンピュータ・コンピュータデバイス・ネットワークの制限領域に対して認証済み個人アクセスを許可すること、コンピュータ若しくはコンピュータデバイスデスクトップのユーザがお気に入りの配置に関連したユーザプロファイルをロードすること、ウェブコンテンツにアクセスすることを許可すること、特定のプログラムを開始すること、メッセージを暗号化若しくは復号化すること等を含む。

一例としてではあるが、９００などのコンピュータデバイス又はシステムは、ファームウェアを含む。また、ファームウェアは、命令実行システム、装置、デバイス（コンピュータベースシステム、プロセッサ内蔵システム、又は命令実行システム、装置、デバイスから命令をアクセスしてその命令を実行することが可能な他のシステムなど）によって若しくは関連して使用する任意の輸送媒体の中に伝搬される。この意味において、「輸送媒体(transport medium)」は、命令実行システム、装置又はデバイスによって若しくは関連して使用するコンピュータ又はコンピュータプログラムを通信、伝搬、輸送することができる任意の媒体である。読出し可能な輸送媒体は、これに制限するわけではないが、電気的、磁気的、光学的、電磁気的、又は赤外線の有線若しくは無線の伝搬媒体を含む。

図１０は、受動型タッチ動作センサ構造物をＯＬＥＤ構造物に統合することによって形成されるモジュール又はＩＣを含む若しくは用いた様々なデバイスを示した全体図である。例えば、携帯端末１００１，１００２，１００３は受動型タッチ動作センサ構造物をＯＬＥＤ構造物に一体化することによって形成されるモジュール又はＩＣを含み、そして無線若しくは有線の通信インタフェースを介して他の様々なデバイスへ信号を送信したり、当該デバイスから信号を受信する能力がある。１００１は、例えば図１によって示されたものに対応する。同様に、モジュール電話１００２は、デジタルメディアプレーヤー１００３及びパーソナルコンピュータ１００４として描かれている。これらのデバイスは、全体の機能性又は信頼性を向上し、低コストで又は高い生産性で製造し、小型で軽量で薄いといった消費者が好む特徴を呈する。

この特別な例示の実施例に対して多くの有利な点があり、その一つは上述した実施例が製造過程において良好の生産を上げて低コストであろう結果を生じることである。同様に、特許請求された発明の主題に従う実施例は、消費者によって一般的に好まれる小型で軽量で薄いデバイスを可能にする。例えば、上述した実施例の一つもよるモジュールの構成の後、外ガラス基板は化学的な研磨処理、機械的な研磨処理、他の処理によって、又は様々なこれらのプロセスの組み合わせによって薄くされる。

実施例は添付の図面を参照して十分に記載されているものであるが、様々な変化又は修正が当業者にとって明らかであることに留意されたい。そのような変化又は修正は、特許請求された発明の主題の範囲内に含まれることが理解される。

Claims (25)

1. 有機発光ダイオード（ＯＬＥＤ）構造物内に一体化された受動型タッチ動作センサ構造物を含むデバイス。
2. 前記受動型タッチ動作センサ構造物が、キャパシティブタッチ動作センサ構造物を含む請求項１に記載のデバイス。
3. 前記受動型タッチ動作センサ構造物がタッチセンサの配列を含み、前記ＯＬＥＤ構造物がＯＬＥＤピクセルの配列を含み、前記タッチセンサの配列が単一モジュール内で前記ＯＬＥＤピクセルの配列により一体化されている、請求項１に記載のデバイス。
4. 前記ＯＬＥＤピクセルの配列が２つの導電層間に挟まれたＯＬＥ材料を含み、導電性の経路により前記タッチセンサの配列を前記ＯＬＥＤ構造物と電気的に接続する、請求項３に記載のデバイス。
5. 前記受動型タッチ動作センサ構造物は、基板面上にキャパシティブタッチセンサの配列を含む、請求項４に記載のデバイス。
6. 前記キャパシティブタッチセンサと接触する前記基板の面は、前記ＯＬＥＤピクセルの配列からわずかに離れた基板の面を含む、請求項４に記載のデバイス。
7. 前記キャパシティブタッチセンサと接触する前記基板の面は、前記ＯＬＥＤピクセルの配列から最も離れた基板の面を含む、請求項４に記載のデバイス。
8. 前記キャパシティブタッチセンサは、インジウムスズ酸化物（ＩＴＯ）パッチのパターンを含む、請求項３に記載のデバイス。
9. キャパシティブタッチセンサの配列及び前記ＯＬＥＤ構造物が導電性ペーストを介して電気的に接続される、請求項８に記載のデバイス。
10. 前記導電ペーストは、前記キャパシティブタッチセンサの配列に関する電気的接続を提供する導電性パッチの形成のための硬化した導電ペーストを含む、請求項９に記載のデバイス。
11. 前記ＯＬＥＤ構造物は、前記配列のピクセルを電気的にドライブするために前記ＯＬＥＤピクセルの配列に接続したトランジスタを含む、請求項３に記載のデバイス。
12. 前記ドライブの１以上の基板はガラスを含み、１以上のガラス基板は薄くされている、請求項１に記載のデバイス。
13. 基板の一方側にタッチ動作センサ構造物、及び、別の基板の一方側にＯＬＥＤ構造物を構成する処理と、
    前記タッチ動作センサ構造物の１以上の各タッチセンサが導電ペーストを介して前記ＯＬＥＤ構造物に電気的に接続されるように、前記タッチ動作センサ構造物及び前記ＯＬＥＤ構造物を単一モジュールに組み合わせる処理と、
    を含む方法。
14. 前記タッチ動作センサ構造物及び前記ＯＬＥＤ構造物は、各プロセスによって構成される、請求項１３に記載の方法。
15. 前記タッチ動作センサ構造物を構成する処理は、当該ＯＬＥＤ構造物を構成する処理と異なる温度又は圧力で生じる、請求項１４に記載の方法。
16. 少なくとも１つの前記基板はガラス基板を含み、さらにガラス基板を含む前記基板を薄くする処理を含む、請求項１３に記載の方法。
17. 熱を加えること、圧力を加えること、放射線を加えること、又はそれらの任意の組み合わせの少なくとも１つを実行することによって、前記導電ペーストを硬化する処理を更に含む、請求項１３に記載の方法。
18. タッチ動作センサ構造物を構成することは、単一インジウムスズ酸化物（ＳＩＴＯ）又はダブルインジウムスズ酸化物（ＤＩＴＯ）の少なくとも１つを含むキャパシティブタッチ動作センサ構造物を構成することを含む、請求項１３に記載の方法。
19. 第１の基板及び第２の基板とを含むデバイスであって、
    前記第１の基板は、２つの側のうちの第１側に、受動型タッチ動作センサを含む第１層を含み、
    前記第２の基板は、２つの側のうちの第１側に、ドライビング薄膜トランジスタを含む第１層と、メタリゼーションサブ層間に挟まれたＯＬＥ材料を含む第２層とを含み、前記第１層及び前記第２層は相互に隣接し配置され、これにより前記第１層の薄膜トランジスタの少なくとも幾つかは、メタリゼーションサブ層間に挟まれた前記ＯＬＥ材料の少なくとも部分を電気的に駆動でき、
    前記２つの基板は、前記第１の基板の第２側が前記第２の基板の第２側から最も離れているよう配向され、
    前記第１の基板上の前記第１層の受動型タッチ動作センサは、前記第２の基板と電気的に接続していることを特徴とする前記デバイス。
20. 導電ペーストは、前記第１の基板上の第１層の受動型タッチ動作センサを、前記第２の基板上のメタライゼーション（金属）層と電気的に接続させる、請求項１９に記載のデバイス。
21. 前記第１の基板上の第１層の受動型タッチ動作センサは、前記第２の基板上のメタライゼーション（金属）層と電気的に接続されている、請求項２０に記載のデバイス
22. 基板の一方側にタッチ動作センサ構造物、及び、別の基板の一方側にＯＬＥＤ構造物を構成する処理と、
    前記タッチ動作センサ構造物の１以上の各タッチセンサが導電ペーストを介して前記ＯＬＥＤ構造物に電気的に接続されるように、前記タッチ動作センサ構造物及び前記ＯＬＥＤ構造物を単一モジュールに組み合わせる処理と、
    を含む方法を実行するデバイス。
23. タッチ動作センサ構造物及びＯＬＥＤ構造物を構成する前記処理は、ＯＬＥＤ構造物を構成する処理から分離する処理によって前記タッチ動作センサ構造物を構成することを含む、請求項２２に記載のデバイス。
24. ＯＬＥＤ構造物を構成する処理から分離する処理によって前記タッチ動作センサ構造物を構成することは、前記ＯＬＥＤ構造物のための処理とは異なる前記タッチ動作センサ構造物のための温度又は圧力で生じる処理を用いることを含む、請求項２３に記載のデバイス。
25. 前記基板の少なくとも１つはガラス基板を含み、前記デバイスを形成する前記方法は、ガラス基板を含む少なくとも１つの前記基板を薄くすることを更に含む、請求項２２に記載のデバイス。

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